【課題】
小型化する光送受信器モジュールについて、少ない部品点数で送信側、受信側の温度補償制御を可能にする光送受信器モジュールを提供する。特に、光送受信器モジュールの受信側制御に使用される感温素子から得られる温度情報を用いて送信側の温度補償制御を並列的に行うことができる。
【解決手段】
受信側に搭載される感温素子の情報を演算部もしくはバッファアンプを介してレーザモジュール内蔵のレーザダイオードの順電流値、ドライバＩＣの駆動オフセット電圧、電圧振幅、デューディサイクルを同時に並行的に制御する光学特性安定化制御回路を搭載する。 （もっと読む）

【課題】数ｍＷのチップ光出力と低電流動作を同時に実現する波長１３００ｎｍ帯のシングル横モードの直接変調レーザを実現すること。さらに、面発光型のレーザ出力特性を実現することにより、経済性にも優れたレーザ光源を実現すること。
【解決手段】所定の半導体基板上に形成された多層構造を備えた半導体レーザとし、前記多層構造の一つをレーザ光を放射するための活性領域と、分布ブラッグ反射層を含むものとする。前記活性領域の長さは１０乃至１００μｍとし、前記活性領域への電流注入のオン・オフにより、レーザ光信号を発生させる活性領域の分布ブラッグ反射型レーザを構成する。 （もっと読む）

【課題】電極被覆率低下を防止し、安定的に半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】リッジ型光導波路と電極パッドを形成する有機樹脂の厚膜領域との間にあり且つ前記電極パッドを形成する領域の下部に、その一部を埋め込まれるごとく配置された、前記リッジ型光導波路とは別体のメサストライプ構造体を配した半導体光装置である。即ち、リッジ型光導波路脇の有機樹脂埋込み部を独立させ、厚膜化パターンをその独立した有機樹脂埋込み部に対し数μｍずらして形成する。この構造では、従来の有機樹脂内でエッチングを停止する方法と比べ、下地の絶縁膜をエッチング停止層として用いることで、十分なエッチング選択比が得られる。従って、電極被覆性に対して安定的な製造歩留り、及び高信頼性素子が得られる。 （もっと読む）

【課題】プリント基板２に実装されたケージ１に対して、光送受信モジュール３の挿抜でプリント基板２上に発生する金属くずを軽減する。
【解決手段】光送受信モジュール３のケース両側面に非導電体板３ａを実装する。または、光送受信モジュール３のケース両側面の表面粗さを２.４ａ以下とするよう加工する。 （もっと読む）

【課題】 高ビットレート、長距離伝送システムに用いられる光受信モジュールにおいて、長距離伝送によって発生する波形歪みに対し、伝送ペナルティ特性の劣化を抑える。
【解決手段】 ファイバ通過前の光送信信号の光入力パワーモニタと入力信号振幅モニタの関係をあらかじめ記憶装置４２に記録させておく。次に実際の光送信波形を光受信モジュールに入力し、光入力パワーモニタ値と入力信号振幅モニタ値と前述の波形歪みを受けていない場合のそれぞれのモニタ値との比較を演算装置３３で実施し、波形歪み量を算出する。ここで算出された波形歪み量に応じて、受信感度が最も高感度になる最適しきい値および位相調整値を演算装置３３で算出し、しきい値調整回路４１および位相値調整回路３７を制御することにより、入力歪み量に対して最適なしきい値および位相値を設定することができ、伝送ペナルティ特性の改善が可能となる。 （もっと読む）

【課題】高出力化、キンクの抑制を同時に達成でき、かつ短いチップ長でこれらの特性を実現する構造を持つ高出力動作可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】マルチモード干渉レーザの導波路構成において、シングルモード導波路とマルチモード導波路の間に意図的にテーパ形状の導波路を挿入する。また、マルチモード干渉レーザの導波路構成において、シングルモード導波路を受動導波路とする。これらの個々の手段、およびそれらの組み合わせにより、上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】 高出力で長寿命の半導体レーザ素子の提供。
【解決手段】 第１導電型の半導体基板と、半導体基板の第１の面に形成される第１導電型のクラッド層と、第１導電型のクラッド層上に形成され障壁層に挟まれた井戸層を複数積層形成した多重量子井戸構造の活性層と、活性層上に形成される第２導電型のクラッド層とを有し、レーザ光が出射される出射面側の活性層付近を混晶化して窓構造とした半導体レーザ素子であって、活性層の井戸層と障壁層の少なくとも一方を格子歪層とし、多重量子井戸構造全体での平均の歪量εtota1 を、プラス歪である圧縮歪を越え、０％より小さいマイナス歪である引張歪にしたことを特徴とする。多重量子井戸構造全体での平均の歪量εtota1 を、−０．２％に設定してある。 （もっと読む）

【課題】V族構成原子が異なるIII-V族化合物半導体層の積層構造を含む半導体素子は、所謂タイプII型のバンドラインナップを形成するため、そのヘテロ構造におけるバンド不連続がキャリアの良好な伝導を阻害し、素子特性の劣化を招いていた。
【解決手段】本発明によれば、タイプIIのバンドラインナップを形成するヘテロ界面でのキャリアの伝導特性を改善するために、一方のエネルギー帯（例えば価電子帯）ではエネルギー不連続を傾斜的、或いは階段的に接続してキャリア（例えば正孔）を良好に伝導させつつ、他方のエネルギー帯（例えば伝導帯）では、エネルギー不連続を保持して、もう一方のキャリア（例えば電子）に対する障壁効果を維持し得るエネルギーバンド構造を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザにおけるレーザ光の偏光特性の向上を図る。
【解決手段】 半導体基板と、半導体基板の第１の面に形成されかつレーザ発振する共振器が形成される多層の半導体層と、多層の半導体層上に形成される導体層を多層に積層した第１の電極と、半導体基板の第２の面に形成される第２の電極とを有する光半導体素子と、第１の面に光半導体素子の第１の電極を固定するための導体層からなる素子固定部を有する支持基板とを有し、支持基板の素子固定部に接合材を介して光半導体素子の第１の電極が接続され、接合材と第１の電極を構成する導体層は相互に反応して反応層を形成してなる光半導体装置であって、半導体基板と支持基板との接合は、半導体基板に対して熱膨張係数差が±５０％以内での前記支持基板の接合であり、第１の電極の最上層の導体層の内側には接合材と反応しない第２のバリアメタル層が形成され、最上層の導体層は接合材と反応して反応層を形成している。 （もっと読む）

【課題】 リッジ部コンタクト層上のバリアメタル層の段切れを発生しない構造とし バリアメタル層上のＡｕ層のＡｕが 上記段切れ部分からリッジ内部への拡散を防止する。
【解決手段】
ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。コンタクト層の上面から第２の第２クラッド層の底まで分離溝が２本並列に形成され、両分離溝間にリッジが形成されている。リッジは第２の第２クラッド層で形成される下部と、コンタクト層で形成されるリッジ部コンタクト層とからなっている。リッジ部コンタクト層の分離溝に臨む両側の上面は斜面となり、この上にバリアメタル層が形成されている。リッジの下部の側面から分離溝を越える部分は絶縁膜で覆われている。 （もっと読む）