【課題】高濃度半導体材料を用いたメサ型のＰＩＮ-ＰＤにおいて、受光部への入射光が吸収層を透過し、基板に近い側の高濃度層まで到達することによって、高濃度層内で遅いキャリアが発生し、高周波応答が劣化するという問題がある。
【解決手段】ｐ-ｉ-ｎ型の多層構造において、基板に近い側の高濃度層１０３の受光部に該当する部分をエッチングもしくは選択成長技術により受光部の周囲に比べてあらかじめ薄くし、その上に吸収層１０４およびもう一方の高濃度層を成長しメサ型構造の受光部を形成する。これによって、良好なオーミックコンタクトを形成することが出来、高周波応答特性に優れたＰＩＮ-ＰＤが実現出来る。 （もっと読む）

【課題】発光素子１０６だけではなく外部変調器１０７の光素子１０７１の経年劣化を補償する。
【解決手段】光送信モジュールにおいて、外部変調器１０７のフォトカレントと発光素子１０６の後方出力とをモニタし、比較部１０３においてフォトカレントが一定になるようなに両者を比較し、レーザ電流制御ブロック１０４が発光素子１０６に供給する電流を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子を形成する活性層の材料系を問わず、経時的に発振波長が変動しない高信頼性を有するＤＷＤＭ光伝送用レーザと、高速動作が可能な低容量な外部変調器とを両立する変調器集積レーザを高歩留・低コストで実現する。
【解決手段】レーザ部と変調器部のメサ構造を異なる構造にする。すなわち、レーザ部はメサ周囲が空気であるリッジ導波路構造、変調器部はメサ周囲を有機絶縁物で埋め込んで平坦化したリッジ導波路構造とする。 （もっと読む）

【課題】複数の光ファイバケーブル２０が敷設された中で、それぞれの光ファイバケーブル２０の一端と他端の対応関係を迅速に認識することができるリーダライタ１０を提供する。
【解決手段】本発明のリーダライタ１０は、光ファイバケーブル２０の端部に取り付けられているＩＣチップ２３内のデータの読み出しを指示する信号を、当該光ファイバケーブル２０を介して受信した場合に、無線通信によりＩＣチップ２３からデータを読み出し、読み出したデータを当該光ファイバケーブル２０を介して送信する。また、リーダライタ１０は、光ファイバケーブル２０を介してＲＦタグ内にデータを書き込む旨の指示および書き込みデータを受信した場合に、書き込み指示および書き込みデータを無線通信によりＩＣチップ２３に書き込む。 （もっと読む）

【課題】本願発明の目的は、ｐ型ドーパントであるＣをドーピングした時における活性層近傍の結晶性劣化を低減し、ｐ型ドーパントであるＺｎのアンドープ活性層への拡散を抑制し、急峻なドーピングプロファイルを実現することである。
【解決手段】ＣドープＩｎＧａＡｌＡｓ上側ガイド層とアンドープ活性層との間に結晶性の良好なＺｎドープＩｎＧａＡｌＡｓ層を設けることにより、活性層近傍において、結晶性が低下しているＣドープＩｎＧａＡｌＡｓ層の影響を低減する。またＣドープＩｎＧａＡｌＡｓ層によりＺｎドープＩｎＰクラッド層からのＺｎ拡散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】
電源をＯＦＦした場合に、温度制御回路が動作しておらず、シャッターの動作が十分遅くても、短波長側の隣接波長への干渉を抑制する光送信器および光送信方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
電源電圧があるレベル以下になったことを検出し、順方向バイアス電流の供給を速やかに遮断する。電源１の電圧が低下したことを電源電圧検出部１０が検出し、スイッチ制御部１１により遮断用スイッチ１２をＯＦＦすれば、順方向バイアス電流はＬＤ３に供給されない。このスイッチ制御回路はロジックのみで構成できるため、アナログ定電流源２およびシャッター制御回路９よりも十分速い動作が可能であり、波長がシフトした光出力がレーザダイオードモジュール７の外部に出ることはない。 （もっと読む）

【課題】遠視野像の乱れ及び光軸ずれ発生の抑止。
【解決手段】活性層を含む多層成長層を有する半導体基板を準備する工程、多層成長層上にマスクを形成してドライエッチング及びウエットエッチングによってストライプ状のリッジを形成する半導体レーザ素子の製造方法である。ドライエッチング時に発生する裾引き部をウエットエッチングによって小さくするため、活性層上にｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層、エッチングストップ層、ｐ型Ａｌ_{ｘ＝０．７}ＧａＩｎＰ層、ｐ型Ａｌ_{ｘ＝０．６}ＧａＩｎＰ層、ｐ型ＧａＡｓ層を順次重ねた構造とする。裾引き部はアルミニウムの混晶比が高いｐ型Ａｌ_{ｘ＝０．７}ＧａＩｎＰ層で形成される。従って、ウエットエッチング時、ｐ型Ａｌ_{ｘ＝０．７}ＧａＩｎＰ層はｐ型Ａｌ_{ｘ＝０．６}ＧａＩｎＰ層に比較して早くエッチングされるため、裾引き部は小さくなり、半導体レーザ素子の遠視野像は乱れなくなり、光軸ずれも発生しなくなる。 （もっと読む）

【課題】２線式通信システムの電気的特性およびタイミング特性を最適化する方法を提供する。
【解決手段】マスタ・ステーションは、最適化手法を実施する回路群を包含する。そのようなシステムでは、最適化は、プルアップ抵抗を調整し、可能な最良のクロック周波数を設定して、データ／クロックの高電圧および低電圧レベルが確実に所定の仕様内に収まるようにすることで達成される。最適化手順は、スレーブ・ステーションの追加または削除、データ/クロックラインの変更、もしくは２線式通信システムの電気的特性およびタイミング特性に影響する可能性がある何らかの変更などの変更が、システムに導入されるたびに、ユーザまたはシステムによって呼び出される校正フェーズで実行される。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子及びワイヤの保護と装置の軽量化。
【解決手段】板状のベース部及びベース部の一面に突出し一側面が平坦な固定面となるヒートシンク部並びに固定面の両側からそれぞれ外れたベース部の一面に突出して設けられる一対の保護体部とを有する導電性のステムと、ベース部に絶縁されて支持される第１のリードと、ベース部に支持されるステムと等電位になる第２のリードと、レーザ光を前記一面に交差する方向に出射するように前記固定面にサブマウントを介して接続される半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子の一方の電極と第１のリードを電気的に接続する接続手段と、半導体レーザ素子の他方の電極と第２のリードを電気的に接続する接続手段とを有し、前記各接続手段は前記接続手段の全体が導電性のワイヤで構成される構造または前記接続手段の一部が導電性のワイヤで構成される構造となり、一対の保護体部とヒートシンク部で囲まれる空間領域に半導体レーザ素子及びワイヤが位置している。 （もっと読む）

【課題】製造上の制約を満たした状態でκＬを低減することができる半導体レーザ素子の製造技術を提供する。
【解決手段】分布帰還型または分布反射型の半導体レーザ素子において、回折格子を埋め込み再成長する直前に、反応炉内にハロゲン系ガスを導入し、それぞれの側壁が少なくとも２つ以上の結晶面を有し、かつ（１００）面に平行な底辺に対する上辺の導波路方向における長さの比が０〜０．３となるように回折格子のエッチングを行い、かつ再成長の昇温時に回折格子の側面および回折格子のストライプ間の溝部に形成する反応生成物を除去することにより、回折格子の高さを低減し、かつ正弦波形状を得ることにより素子のκＬを低減することができ、これによって発振閾値、光出力効率の改善が可能となる。 （もっと読む）