【課題】温度特性の向上。
【解決手段】ｎ型のＧａＡｓ基板上に設けたｎ型のクラッド層上に、ＭＱＷ構造の活性層、ｐ型の第２のクラッド層、ｐ型の第１のクラッド層を順次積層してなる半導体レーザ素子において、ｎ型のクラッド層及びｐ型の第１のクラッド層はＧａＡｓ基板と格子整合する構成になり、第１のクラッド層の中層にマイナス歪層が設けられ、マイナス歪層の両面または一面にプラス歪層が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部共振器内に配置するエタロンを低損失で実装し、低消費電力を実現することができる波長可変レーザ光源を提供する。
【解決手段】外部共振器型の波長可変レーザ光源であって、所望の複数の波長を透過率ピークとする挟帯域フィルタと、所望の波長範囲を反射率ピークとする広帯域フィルタとを有し、挟帯域フィルタはエタロン４であり、広帯域フィルタは液晶フィルタ６である。外部共振器内に配置するエタロン４が縦方向に角度をもつように、エタロン４を支持するガイド５を備える。もしくは、エタロンが底面で接続してあるとき、この接続部の接合材の厚みが光軸方向の前後で異なるようにして傾きをもつように調整する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子では、ウエハプロセス工程での熱履歴によってｐ型クラッド層から活性層近傍領域までＺｎアクセプタが拡散することにより、電流密度が増大、内部量子効率が低下する等、素子基本特性が劣化する。
【解決手段】上記課題を解決するための手段として、以下の手段の少なくとも一つを採用した。第１の手段として、回折格子構造をＡｌＧａＩｎＡｓ層とした。第２の手段として、回折格子層にＣをアクセプタとしてドーピングする。そして、第３の手段として、回折格子層にＣおよびＺｎをアクセプタとしてドーピングする。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザでは、温度にはほとんど依存せずに、内部での光パワーの量、即ち外部で観測される光出力量が大きいほど進行する初期故障モードを有するものがある。光出力量が大きいほど進行する初期故障モードのスクリーニングが不十分であり、初期故障率が従来の活性層材料を有する半導体レーザに比べてやや高めである。
【解決手段】製造工程中に室温などの平均的な動作温度に比べて低い温度での大光出力の試験を取り入れることが有効である。これにより、光出力量が大きいほど進行する初期故障モードを有する素子を排除し、期待寿命を延ばす。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｌＡｓ系材料を主たる構成要素とする導波路型光素子部をバットジョイント集積する場合に、接続部にマストランスポート現象でＩｎＰが挟まることがなく、二つの導波路を直接接続させることができる集積光デバイスの製造方法を提供し、さらに、光導波路内における光損失や光反射の少ない高性能な集積光デバイスを提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｌＡｓ系導波路をバットジョイント集積する製造プロセスにおいて、ＩｎＧａＡｌＡｓの成長温度である７００℃前後に昇温する際に、ＩｎＧａＡｌＡｓ系導波路を成長する下地となるＩｎＰの上にＩｎＧａＡｓＰ層が形成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】 容量を有する半導体光素子を光モジュール、及び光送受信器に組み込んだ場合に、素子の周波数特性を劣化させないこと。
【解決手段】 裏面が金属被覆された誘電体または半導体基板１０１の表面に高周波伝送線路１０２と接地用金属被覆部１０３と終端抵抗１０４が配置され、金属からなるビアホール１０５と金属被覆された基板側面１２２によって、基板表面の金属被覆部１０３と裏面の金属被覆部とが電気的に接続され、基板表面の金属被覆部に半導体光素子１１０を固着し、高周波伝送線路１０２と半導体光素子１１０とをワイヤボンディング１０６〜１０８によって接続したチップキャリアを用いて光モジュール、及び光送受信器を構成する。 （もっと読む）

【課題】リッジ導波路型半導体レーザの製造プロセスにて発生する、コンタクト層上のドライエッチングによるダメージ層をなくし、その信頼性と歩留りを向上させる。
【解決手段】コンタクト層上にスペーサ層とダメージ受容層を形成し、リッジ状の導波路構造上部のパッシベーション膜をドライエッチングのダメージをこの２層に吸収させ、その後、ウェットエッチングにより選択的に除去することにより、ドライエッチングによるダメージ層を除去する。 （もっと読む）

【課題】小型、且つ高信頼で光モジュールを搭載する光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュール１はベースステム２を介して回路基板３に実装され、回路基板３がケース４に固定される構成であり、電気接続のために光モジュール１のリード１ｃを回路基板３の接続用パッド３ａに対して平行にはんだ付け接続されている構成において、ベースステム２と回路基板３の接続面３ｂが、回路基板３のリード接続用パッド３ａの面と概ね同一にすることによりリード１ｃの基板厚方向における熱ストレスを緩和し、小型かつ高信頼性の実光伝送モジュールを提供できる。 （もっと読む）

【課題】 光信号の瞬時的な過大入力および定常的な過大入力のいずれからもＡＰＤモジュールを保護可能なＡＰＤバイアス回路を実現する。
【解決手段】 ＡＰＤ（Avalanche Photodiode；アバランシェ・フォトダイオード）モジュールにバイアス電圧を供給するＡＰＤバイアス回路であって、バイアス電圧の電圧源に接続される第１の抵抗と、前記第１の抵抗と前記ＡＰＤモジュールとの間に接続される第２の抵抗と、前記第２の抵抗に流れる電流が所定の値を超えたことを検出する過電流検出手段と、過電流が検出された場合に前記第１の抵抗を流れる電流の一部が前記第２の抵抗を流れないようにバイパスするバイパス手段とを備えることを特徴とするＡＰＤバイアス回路。 （もっと読む）

【課題】高濃度半導体材料を用いたメサ型のＰＩＮ-ＰＤにおいて、受光部への入射光が吸収層を透過し、基板に近い側の高濃度層まで到達することによって、高濃度層内で遅いキャリアが発生し、高周波応答が劣化するという問題がある。
【解決手段】ｐ-ｉ-ｎ型の多層構造において、基板に近い側の高濃度層１０３の受光部に該当する部分をエッチングもしくは選択成長技術により受光部の周囲に比べてあらかじめ薄くし、その上に吸収層１０４およびもう一方の高濃度層を成長しメサ型構造の受光部を形成する。これによって、良好なオーミックコンタクトを形成することが出来、高周波応答特性に優れたＰＩＮ-ＰＤが実現出来る。 （もっと読む）