【課題】従来の電界吸収型光変調素子における低反射窓構造では，寄生容量の増加と，パイルアップのトレードオフが問題であった。これは，窓構造におけるｐｎ接合の容量密度が，光吸収領域となるｐｉｎ接合に比べて大きいこと，また，電極構造を光吸収領域と窓構造の接合部より遠ざけた場合，光吸収領域への電界印加が不充分となり，光吸収領域において発生したフォトキャリヤの排出が困難になるためである。
【解決手段】光吸収領域と低光反射窓構造との間に，その導波路構造を構成する各多層の組成波長が信号光より十分短く，かつ平均的な屈折率が光吸収領域と同程度の組成波長・膜厚構造からなるアンドープの導波路構造を設ける。電極構造を，光吸収領域とアンドープ導波路の接合界面は横断し，かつ，アンドープ導波路と窓構造の接合界面には架からないように形成すれば，窓構造のｐｎ接合による寄生容量の増加と，パイルアップの両者を同時に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 最適な閾値を設定する。
【解決手段】 受信信号をオフセットキャンセル部にて受信信号オフセットを補正し、増幅器出力が飽和に至るまでの増幅率の近似式および、入力信号に相対する波高値を算出し、所望の光入力を設定する事で、設定した光入力設定値における最適な閾値を算出し識別再生器へ設定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】光電変換モジュールの上ケース部と下ケース部とを組み合わせる際、両者間に設ける封止材の取扱いを容易にして、組み立て工数を削減する。
【解決手段】上ケース部１０の側板１２には、底板２１側から天板１１側へ凹み、導電性ガスケット３０の幅広面３３が側板１２とほぼ平行な状態で、この導電性ガスケット３０の一部が入り込めるガスケット溝１５が形成されている。下ケース部２０の側板２２には、ガスケット溝１５内の導電性ガスケット３０を押す傾斜した押付け面２５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来の、特に活性層に高濃度にアルミニウムを含む半導体レーザでは、レーザ駆動動作に伴う端面劣化が著しく、高信頼化が困難であった。
【解決手段】共振器の端面に半導体に隣接して酸素欠乏状態の酸化アルミニウム膜を形成する。
【効果】本発明により、端面劣化を抑制することが出来るので、端面劣化を起こすことなく高温長時間動作を行うことが出来るようになり、低コストで高信頼性の半導体レーザを作製出来る。 （もっと読む）

【課題】 リッジ型半導体光デバイスにおいて高速性と高信頼性を併せ持つ構造を実現する。
【解決手段】 本願発明は、メサストライプの両脇を活性層に達しない深さで矩形状に掘り込んだリッジ型半導体光デバイスにおいて、当該矩形状の底部の一部に導電阻止構造を設けた構造を有する半導体光デバイス装置である。導電阻止構造は、例えば、溝或いは半導体に不純物がイオン注入された構造により達成される。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の出力に好適で、入出力部に可とう性を有するフレキシブル基板を用いた光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュール１００は、筐体１０１の内部と外部を電気的に接続するリードピン１０２と、リードピン１０２に接続したフレキシブル基板１０３を備え、フレキシブル基板１０３は、光変調素子へ接続する信号パタン１０４および２つのグランド導体パタン１０５、１０６、半導体レーザへ接続するレーザ端子パタン、ペルチェ素子へ接続するペルチェ端子パタンと、これらのパタンを有する層と異なる２つの被覆導体層１０７、１０８とをそれぞれ有し、被覆導体層１０７、１０８は信号パタン１０４を除くすべてのパタンを被覆する。 （もっと読む）

【課題】駆動電流が小さくかつ投射像の乱れがない半導体レーザ素子の提供。
【解決手段】半導体レーザ素子は、ｎ−ＧａＡｓ基板と、ｎ−ＧａＡｓ基板２上面ｎ−クラッド層、活性層、ｐ−クラッド層、ｐ−コンタクト層と順次積層した多層成長層と、ｐ−コンタクト層の上面からｐ−クラッド層の所定深さまで選択的に除去して形成したリッジと、ｎ−ＧａＡｓ基板の上面側に重ねて形成され、リッジの側面からｎ−ＧａＡｓ基板の周縁に至る部分に設けられる絶縁膜と、リッジのｐ−コンタクト層に重なり絶縁膜上に形成されるｐ型電極と、ｎ−ＧａＡｓ基板下面に形成されるｎ型電極とを有し、ｎ−ＧａＡｓ基板が活性層の発光波長の光に対して吸収層となる禁制帯幅を持った構成であり、前方出射面となる端面側には、端面に沿いかつリッジの側縁から所定距離離れたｐ−クラッド層部分から活性層の側縁に至る位置までｐ−クラッド層から活性層を超えた深さになる溝が設けられ、溝は前記絶縁膜で被われている構造になっている。 （もっと読む）

【課題】管理権限を持つもののみが、取り外すことができるプラガブルモジュールを提供する。
【解決手段】両側にケージとのラッチのための溝と、取り外しのための係合部とを有し、前記溝に沿って挿入し、前記係合部と奥行き方向で前記モジュール本体をロックするモジュール取り外し部を用いて前記ケージから取り外すプラガブルモジュールにより、達成できる。また、前記プラガブルモジュールと前記ケージとの間に挿入されるラッチ解除部と、前記プラガブルモジュールを取り外し方向にロックするロック部と、前記プラガブルモジュールを前記ケージから取り外すための取っ手部とを有する取り外し治具により、達成できる。 （もっと読む）

【課題】光送信モジュールにおいて、サーミスタに対する金属ケース側面からの伝導熱の影響を低減させ、使用環境温度にかかわらず広い温度範囲で安定した波長の光ビームを得る。
【課題を解決するための手段】金属ケース内に配置されたペルチェ素子と、ペルチェ素子上に配置された金属ベースと、金属ベース上に配置された半導体レーザ基板と、半導体レーザ基板上に配置された半導体レーザと、金属ベース上に配置されたサーミスタ基板と、サーミスタ基板上に配置されたサーミスタと、サーミスタの近傍に配置されたサーミスタの高さより高い熱伝導部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光受信器への入力光信号が微弱な場合でも、後段の装置に対して入力信号無の誤った警報発出をしないような信号を出力する光受信器及び光受信器の信号出力方法を提供する。
【解決手段】入力光信号を光電変換する受光素子１０１と、前記光電変換された信号を増幅する増幅回路１０２と、前記増幅された信号のピーク値を検出するピーク値検出回路１０４と、前記ピーク値に応じて閾値を制御する閾値制御回路１０５と、前記増幅された信号を前記閾値により識別再生する識別再生回路１０６とを有する光受信器であって、前記光受信器からの出力信号として、前記ピーク値が基準値以上の場合には前記識別再生回路１０６から出力された信号を出力し、前記ピーク値が基準値未満の場合にはダミー信号を出力する出力信号制御回路１０７を有する。 （もっと読む）