【課題】レーザ共振器部と光増幅器部とを備える半導体レーザ素子であって、光増幅器の動作状態の切り替えにより生じるレーザ共振器の発振波長のゆらぎを抑制する半導体レーザのゆらぎを抑制する波長安定性の高い半導体レーザ素子の提供。
【解決手段】光増幅器のレーザ共振器側の端部を取り囲む領域に、発熱体を形成させる。光増幅器が遮断状態にあるとき、発熱体を発熱させることにより、レーザ共振器の光増幅器側の端部の温度分布を、光増幅器が増幅状態にあるときに近づける。 （もっと読む）

【課題】高速で長距離伝送が可能な、アンクールドタイプの電界吸収型変調器集積分布帰還型レーザの提供。
【解決手段】変調器部に位置する活性層の半導体材料及びメサ構造を最適化し、かつ、所定の温度におけるレーザ部の発振波長に対して、レーザ部の利得ピーク波長の適合値及び変調器部のフォトルミネッセンス波長の適合値の範囲を求め、それら適合値の範囲のいずれかの値になるよう設計してレーザ部及び変調器部を作製する。 （もっと読む）

【課題】波長測定が可能な位相変調方式の光送信器を提供すること。
【解決手段】光送信器は、光源と、光源からの光が入力されて、第１の電位と第２の電位とを選択的に付与される変調信号であって、第１の電位と第２の電位との間で電位が徐々に変化する変調信号に応じた振幅の光を出力するマッハツェンダ型光変調器と、通信モードでは、変調信号が第１の電位から第２の電位に向かうにつれ、前記マッハツェンダ型光変調器が出力する光が互いにπ異なる２つの位相のうち一方の位相から、光出力強度が最小となる電位を境に他方の位相になり、かつ、前記マッハツェンダ型ＬＮ光変調器が出力する一方の位相の光と他方の位相の光とで光パワーが同じになるようマッハツェンダ型光変調器を制御する通信時制御を行う制御手段と、を含み、制御手段は、波長測定モードでは、通信時制御と異なる制御を行う。 （もっと読む）

【課題】埋込型レーザダイオードの応力劣化および特性変動を防ぐ。
【解決手段】電流狭窄層１８を多層構造として電流狭窄層１８のＡｌ組成値の平均化を容易にした上で、リッジ部９の平均のＡｌ組成値と電流狭窄層１８の平均のＡｌ組成値を等しくする。その結果、活性層３にかかる内在応力を最低限の値とし、素子内の温度変動による応力変化も抑えることができるため、応力によるレーザダイオードチップの劣化を防ぎ、素子の応力劣化や特性変動を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】広帯域において良好な光送信波形品質が得られる状況を維持しつつ、光送信モジュールの小型化が可能な光送信機及び光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュール２は、半導体レーザダイオード素子１０と、光変調器素子１２と、第１の終端抵抗回路１４−１と、を備える。プリント回路基板４は、ドライバＩＣ１６と、第２の終端抵抗回路１４−２と、を備える。第１の終端抵抗回路１４−１の低域遮断周波数と、第２の終端抵抗回路１４−２の高域遮断周波数と、が対応し、第１の終端抵抗回路１４−１の透過周波数帯域におけるインピーダンスと、第２の終端抵抗回路１４−２の透過周波数帯域におけるインピーダンスと、が対応するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】埋め込みヘテロ構造を有する半導体レーザ素子の高性能化、高信頼化を図る。
【解決手段】埋め込みヘテロ構造を有する半導体レーザ素子は、メサ構造の両側をＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２で埋め込み、続いてＩｎＧａＰからＩｎＰへ組成が傾斜するＲｕドープＩｎＧａＰ組成傾斜層３０３で埋め込んだ後、ＲｕドープＩｎＰ層３０４で埋め込むことによって作製される。ＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４との間にＲｕドープＩｎＧａＰ組成傾斜層３０３を設けることにより、格子整合しないＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４とを、結晶性が良好な埋め込み層とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】波長シフトが生じないように発振波長を制御する。更には、波長多重光通信システム用光源の波長をＩＴＵ−ＴＳグリッドに合わせて可変にする。
【解決手段】コリメータレンズ１０２で平行平面波にした半導体レーザ光の光路中にエタロン１０６を配置し、透過光、あるいは、反射光の分割された光同士の差を波長誤差信号として半導体レーザ装置の波長をロックする。 （もっと読む）

【課題】各レーザから出射される光の波長間隔に関わらず、光信号の伝送品質を容易に確保することができる光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュール１は、第１の波長の光を出射する第１の半導体レーザ２２−１と、第２の波長の光を出射する第２の半導体レーザ２２−２と、光フィルタ３１−１と、を備える。光フィルタ３１−１が、第１の偏光方向については第１の波長の光を反射し、かつ、第２の偏光方向については第２の波長の光を透過する特性を有する。第１の半導体レーザ２２−１が出射する光の少なくとも一部が、第１の偏光方向で光フィルタ３１−１に入射して、第２の半導体レーザ２２−２が出射する光の少なくとも一部が、第２の偏光方向で光フィルタ３１−１に入射する。 （もっと読む）

【課題】実際の作製工程を経ても、高周波信号の伝送特性は優れ、パッケージと接続した場合でも電磁界放射の少なくなるという利点を有したフレキシブル基板を具備する光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュールのパッケージの外部接続に用いるフレキシブル基板として、リードピンが固着されるコプレーナ線路と、前記コプレーナ領域に接するグランデッドコプレーナ線路と、前記グランデッドコプレーナ線路に接するマイクロストリップ線路とを備え、前記コプレーナ線路の前記グランデッドコプレーナ線路に隣接する領域で、表面グランドラインとシグナルラインとの電磁界成分が、裏面グランドラインとシグナルラインとの電磁界成分よりも支配的となる電極レイアウトとなっているフレキシブル基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】ジャンクションダウン方式を用いて光半導体チップを支持基板（サブマウント）に実装する光半導体モジュールにおいて、実装後のサブマウントに対する光半導体チップのずれ量を非破壊で検査す技術を提供する。
【解決手段】光半導体チップ１をサブマウント２０に実装するには、光半導体チップ１のリッジ部８ａ、８ｂ上に形成されたＡｕメッキ層１１と、サブマウント２０のサブマウント電極２１ａ、２１ｂ上に形成された半田層２２とを重ね合わせる。このとき、光半導体チップ１に形成された実装位置確認用の第１電極１３と、サブマウント２０に形成された実装位置確認用の第２電極２３、第３電極２４とがそれぞれ接触し、第２電極２３と第３電極２４とが電気的に接続された場合には、光半導体チップ１とサブマウント２０のずれ量が許容範囲内にあると判定される。 （もっと読む）