【課題】ジャンクションダウン方式を用いて光半導体チップを支持基板（サブマウント）に実装する光半導体モジュールにおいて、実装後のサブマウントに対する光半導体チップのずれ量を非破壊で検査す技術を提供する。
【解決手段】光半導体チップ１をサブマウント２０に実装するには、光半導体チップ１のリッジ部８ａ、８ｂ上に形成されたＡｕメッキ層１１と、サブマウント２０のサブマウント電極２１ａ、２１ｂ上に形成された半田層２２とを重ね合わせる。このとき、光半導体チップ１に形成された実装位置確認用の第１電極１３と、サブマウント２０に形成された実装位置確認用の第２電極２３、第３電極２４とがそれぞれ接触し、第２電極２３と第３電極２４とが電気的に接続された場合には、光半導体チップ１とサブマウント２０のずれ量が許容範囲内にあると判定される。 （もっと読む）

【課題】光モジュールと光ファイバとの光接続の精度を向上することができる光モジュール及び光モジュールの光線方向調整方法を提供する。
【解決手段】光モジュール１は、波長が互いに異なる複数の信号光２２を受け付けて、複数の信号光２２を合波した信号光２２を光ファイバ３に出力する、及び／又は、光ファイバ３から信号光２２を受け付けて、信号光２２を波長が互いに異なる複数の信号光２２に分波して出力する信号光入出力部１０と、少なくとも１つの信号光２２の光路上に配置されている、外部から受け付ける操作信号に応じて、通過する信号光２２の光線の方向を変化させる光線方向変化部１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】歪多重量子井戸型半導体レーザにおいて、臨界膜厚の限界内において、量子井戸層の層数Ｎ_ｗの増加と、歪量ε_ｗ及び層厚Ｌ_ｗの増加を両立しつつ、微分利得をも向上させることによって、高い特性を有する半導体レーザを提供する。
【解決手段】量子井戸層と障壁層の組の一部が、小さい値もしくは符号が逆となっている平均歪で形成されることにより、他方に、大きな値の平均歪を有する量子井戸層と障壁層の組が形成されていても、多重量子井戸層全体としての歪量を低下させる。小さい歪量の量子井戸層において、電子とホールのエネルギー差を、大きい歪量の量子井戸層におけるそれより小さくする。 （もっと読む）

【課題】一般的な埋込型構造及びリッジ型構造の量子井戸型半導体レーザでは実現されなかった、低い閾値の電流特性を有し、かつ、低コスト化を可能とする半導体レーザの提供。
【解決手段】活性層に引張り歪を印加した量子井戸型半導体レーザであって、光導波路領域の外側をエッチングにより切り出し、その両側を、絶縁性のパッシベーション膜で成膜することによって形成される量子井戸型半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】 ３つ以上の光素子部をバットジョイント集積する集積光素子の製造方法において、バットジョイント接続部近傍の膜厚不均一性や、バットジョイント接続部近傍の多重量子井戸構造における結晶欠陥の発生を抑制し、光損失の少なく光結合効率の高い集積光デバイスを実現する手法を提供する。
【解決手段】 ２回以上のバットジョイント技術を用いて３つ以上の光素子部を次々と継ぎ足していく要領で集積する集積光デバイスの製造方法において、第二のバットジョイントプロセスに用いる誘電体マスクパターンの形状を、先端部が細くなった形状とする。 （もっと読む）

【課題】光伝送モジュールの各部の動作状態を示す状態情報を保存するメモリへの書込回数を低減させる。
【解決手段】光伝送モジュール１０は、１又は複数の状態情報毎に予め定められた値の範囲を複数設定すると共に、当該設定した各範囲に含まれる状態情報が検出されたか否かを示すフラグを関連づけて記憶する状態値記憶部５４を有する。光伝送モジュール１０は、各部の状態を監視して１又は複数の状態情報の各値を検出し、検出された状態情報の値毎に、当該状態情報の値が、状態値記憶部５４に検出されたことを示すフラグが関連づけて記憶されたいずれの範囲よりも大きい又は小さい場合に、当該状態情報の値を含む範囲のフラグを更新する。 （もっと読む）

【課題】 半絶縁性InP基板上に作製する特性の優れた光半導体装置を提供することが課題である。
【解決手段】 導電性InP基板上にRu-InP層を備えた半絶縁性基板を用いるか、Ru-InP基板或いはFe-InP基板上にRu-InP層を備えた半絶縁性基板を用い、半導体層の積層順を基板側からｎ型半導体層／量子井戸層／ｐ型半導体層の順とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザ素子において上部電極と半導体層とのコンタクト抵抗の増加を抑制し、レーザ素子の動作電圧を低減させ得る半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は半導体レーザにおいて上部電極と半導体層とのコンタクト抵抗を低減可能なレーザ構造を提案する。本発明によるとp型コンタクト層上にコンタクト防護層を挿入した構造とし、絶縁膜RIE後に熱処理を行うことでコンタクト抵抗増加の影響を及ぼすp型コンタクト層への反応性イオンの侵入やp型コンタクト層のエッチングによる高抵抗化の影響を与えることなくコンタクト用開口部を形成することができる。こうして、コンタクト抵抗の増加を抑制し、レーザ素子の動作電圧を低減できる半導体レーザ素子が得られる。 （もっと読む）

【課題】 プロセス誤差による特性変動の少ない同方向性光結合器型の波長可変フィルタ、および波長可変レーザを提供する。
【解決手段】 第１導電型の半導体層で構成された半導体基板上に、半導体基板の第１辺から対向する第２辺に向って並行して伸びる第１の光導波路と第２の光導波路とを備え、第１光導波路は周期的な凹凸のある平面レイアウトを備えた第１コア層と前記第１コア層を上下に挟み込む一対の電極を備え、第２光導波路は第１コア層よりも低屈折率の第２コア層を備え、第１光導波路を構成する第１コア層の下に第２コア層と同じ組成、同じ膜厚の層を備えさせる。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＰ層内に形成されたＩｎＰよりも高い屈折率を持つＩｎＧａＡｓＰからなる回折格子を備えた屈折率結合型ＤＦＢレーザ素子の信頼性を向上させる。
【解決手段】屈折率結合型ＤＦＢレーザ素子の回折格子層を構成するＩｎＧａＡｓＰのバルク時における格子定数をＩｎＰの格子定数よりも短くすることにより、回折格子層に蓄積されたキャリアの自然放出過程による発光を容易に抑制し、キャリアの損失を低減させると同時に、ノッチ形成に起因する電気抵抗の上昇による消費電力の上昇を低減する。 （もっと読む）