【課題】キャリア搭載時に発生する組み立て異常を防止することができる裏面入射型受光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】裏面入射型ＡＰＤ１００は、Ｆｅ−ＩｎＰ基板１０上に形成されたｎ−ＩｎＰコンタクト層１２と、ｎ−ＩｎＰコンタクト層１２上に形成された、ｐ−ＩｎＧａＡｓ吸収層２０を含む受光部１０６、Ｎ型電極用メサ１０２、およびＰ型電極用メサ１０４と、Ｎ型電極用メサ１０２の上面に形成された、ｎ−ＩｎＰコンタクト層１２に導通するＮ型電極１１２と、受光部１０６とＰ型電極用メサ１０４との間でｎ−ＩｎＰコンタクト層１２を電気的に分離する分離溝４０と、受光部１０６やＰ型電極用メサ１０４などの一部または全部を被覆するＳｉＮ膜３０およびＳｉＯ_２膜３４と、受光部１０６の上面の一部およびＰ型電極用メサ１０４の上面の少なくとも一部とを含む領域に形成されたＰ型電極１１４と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電極パタンを精度よく形成する。
【解決手段】半導体基板の一方面（コンタクト層１０）上に、ＳｉＯ_２膜１２−１、ＳｉＮ膜１４−１、ＳｉＯ_２膜１２−２、およびＳｉＮ膜１４−２を順に積層した４層の絶縁膜を形成する工程と、それら４層の絶縁膜にコンタクト層１０の表面まで貫通するコンタクトホールを形成する工程と、ＳｉＯ_２膜１２に対するエッチングレートがＳｉＮ膜１４に対するエッチングレートより高い薬液（たとえばフッ酸）を用いて、コンタクトホールに露出したＳｉＯ_２膜１２−２の側面をコンタクトホールに露出したＳｉＮ膜１４−２の側面より所定長だけ後退させる工程と、コンタクトホールに露出したコンタクト層１０上に、ＳｉＮ膜１４−２に当接しない厚さを有する電極層２０−１を蒸着により形成する工程と、上記薬液を用いて、ＳｉＮ膜１４−２をＳｉＯ_２膜１２−２とともに除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】バランスドレシーバの内部に遅延干渉計とバランスドレシーバとの間を流れる差動信号の遅延の整合性を保ちつつ、低コスト化、小型化を実現できる差動位相変調光受信モジュールの製造方法及び差動位相変調光受信モジュールを提供する。
【解決手段】光受信モジュール１０は、遅延干渉計１２と、バランスドレシーバ１４と、遅延干渉計１２から出射される光をバランスドレシーバ１４に導く一対の光ファイバ２０と、を備える。一対の光ファイバ２０がそれぞれ、複数の光ファイバ部材同士が融着接続されることにより形成されている。遅延干渉計１２の内部の光路長差及び／又はバランスドレシーバ１４の内部の光路長差と、所定の光路長差と、の差異を吸収する光路長差が、一対の光ファイバ２０の間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】動作電圧が小さく安定して長期信頼性が得られる窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板１上に順に形成された第１導電型の下部クラッド層２、活性層５、第２導電型の上部クラッド層８と、その上に形成された第１の電極１１とを有し、上部クラッド層は、ストライプ状のリッジ部Ｓ１が第１の面Ｓ２から連なって突出するリッジ形状を有し、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層の各々は、窒化物半導体層からなる。前記第１の電極は、リッジ部の上面と、リッジ部の側壁の少なくとも一部領域に接して設けられ、第１の面は絶縁膜で覆われ、第１の電極が接していない。これにより自発分極やピエゾ分極に起因する電荷をキャンセルすることができるために電圧が低減する。 （もっと読む）

【課題】 Ruドーピング半絶縁半導体層を用いた埋め込み型光半導体素子の実用化のため、水素の大量に存在する成長環境下においても、より絶縁性の高いRuドーピング半絶縁半導体層を再現よく、容易に形成する。
【解決手段】 Ruドーピング半絶縁半導体層の成長時に、化合物半導体の原料ガス、キャリアガスとは別に、ハロゲン原子を含有するガスを水素と同時に添加することで、Ruと水素との結合を抑制することで実現する。 （もっと読む）

【課題】マルチビーム半導体レーザ装置において、支持基板に実装された半導体チップの各発光部に加わる剪断歪みのビーム間差を抑制し、偏光角のビーム間差を低減する。
【解決手段】レーザチップ１は半田１０を介してサブマウント１３に実装されている。半田１０は、その一部がバリアメタル層１１と接しており、他の一部がメタル層１２と接している。バリアメタル層１１は半田１０に対して濡れ性を有しないので、バリアメタル層１１と半田１０は、互いに接触しているが接合はしていない。一方、メタル層１２と半田１０が接している領域では、メタル層１２が半田１０に対して濡れ性を有しているので、メタル層１２と半田１０は、互いに接合されている。 （もっと読む）

【課題】電磁波吸収部材で覆う領域を正確に特定できるコネクタ型光ファイバを提供する。
【解決手段】ＬＣコネクタ型光ファイバ１０は、光ファイバ３と、光ファイバ３の先端から所定長の範囲を被覆保護するとともに、光ファイバ３の先端を光通信モジュールの所定位置に着脱可能に装着する、少なくとも一部が導体で構成された光コネクタハウジング（ＬＣコネクタ１、ゴムフーズ２、フェルール４、スプリング５、ボルト６、および金属筒７）と、を備える。光コネクタハウジングの外面には、電磁波吸収部材で覆われる領域を示すリング８ａ，８ｂ，８ｃが取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】レーザ光が半導体基板から丁度垂直な方向に出射する水平共振器面発光レーザを実現する。
【解決手段】（１００）面から［０１バー１］方向に９．７°傾斜した半導体基板上に表面出射型の水平共振器面発光レーザを形成することにより、反射鏡が基板表面となす角度が正確に４５°になるようにする。また、（１００）面から［０１１］方向に９．７°傾斜した半導体基板上に裏面出射型の水平共振器面発光レーザを形成することにより、反射鏡が基板表面となす角度が正確に１３５°となるようにする。 （もっと読む）

【課題】光伝送システム側からの受信識別レベル制御電圧が得られず、かつ光受信器内部で誤り率情報が得られない場合でも、受信識別レベルを適切に調整すること。
【解決手段】光受信器は、伝送路から入力される光信号を、その光信号に応じた電気信号に変換する受光素子１と、受光素子１により変換された電気信号を増幅するポストアンプ３およびリミットアンプ４と、３００ピン８およびレジスタ１１を介して入力されるビットレート設定情報に基づいて、受信識別レベルを決定するＲｘＤＴＶ決定部１２と、ＲｘＤＴＶ決定部１２により決定される受信識別レベルに基づいて、ポストアンプ３およびリミットアンプ４により増幅された電気信号から受信データを抽出するＣＤＲ５と、を含む。 （もっと読む）

【課題】CAN型光パッケージを用いた光半導体装置において、フレキシブル基板とCAN型光パッケージ両者が強固に接続され、製品としての信頼性を保ちながらも、接続部において、高周波信号の反射が少なく高周波特性の良い光半導体装置を提供する。
【解決手段】フレキシブル基板上には、高周波信号用の金属パターンがパターニングされており、該信号用金属パターンの端部で、該フレキシブル基板は、ほぼ直角に曲げられている。そして、該信号用金属パターンは、ステムに取り付けられた信号用リードピンと、ほぼ水平を成すように固着導通が成される。
一方、リードピンの一部は、該フレキシブル基板に空けられた孔に貫通され、該フレキシブル基板上の金属パターンの一部と、固着導通がとられる。 （もっと読む）