【課題】 受光素子モジュールで、インピーダンス整合を取りつつも、省電力化を図る。
【解決手段】受光素子１１と、受光素子１１からの電気信号を増幅する増幅器１２は、ステム１４に搭載されている。ステム１４とフレキシブル基板２０との間には誘電体板１８が配置されている。増幅器１２からの電気信号を基板２０に伝達するために、ステム１４及び誘電体板１８を貫通するリードピン１５ｄが設けられている。増幅器１２は、その出力に容量成分を含み、その出力インピーダンスが基板２０とインピーダンス整合するインピーダンスより高いインピーダンスである。また、誘電体板１８の厚さｄは、リードピン１６ｄのインダクタンス成分として増幅器１２の容量成分を打ち消す誘導インダクタンス成分を含み、且つ基板２０とのインピーダンス整合をとることができる厚さである。 （もっと読む）

【課題】発光素子、受光素子等の活性領域がメサ型形状の光素子において、メサ型構造の高さが高く、誘電体膜の厚みが厚い場合に、配線の断線の回避が困難、配線の引き出し方向の制約、容量の低減が不十分等の問題がある。
【解決手段】メサ構造１３１を有する光素子１００の周囲に高抵抗の再成長層１１０を配置する。これによって、円形の主要構造のエッチング時に現れる面方位を持ったメサ部１３１が再成長層１１０で被覆される。この被覆によって、この部位での容量も低減されるとともに全ての配線引き出し方向に対して断線の危険性も回避することが出来る。さらに、再成長層の厚さは主要構造部の厚みと同等に設定できる。特に導電性基板を用いた際に誘電体膜１１１、１１２との組み合わせにより大きな寄生容量の低減効果が期待できる。 （もっと読む）

【課題】 小信号通過特性（S21）におけるピーキングの抑圧と小信号反射係数（S11）の低減を両立できる単一電源駆動方式の光送信モジュール構造を実現ずる。
【解決手段】 半絶縁性半導体基板上に光変調器集積レーザを形成した半導体チップ２２を用い、入力伝送線路２７と光変調器素子２１のアノード電極とを第一のボンディングワイヤ３１で接続し、光変調器素子２１のアノード電極と終端抵抗素子２４の一端とを第二のボンディングワイヤ３２で接続し、光変調器素子２１のカソード電極と終端抵抗素子２４の他の一端とを第三のボンディングワイヤ３３で接続し、光変調器素子２１のカソード電極と接地電極２５とを第四のボンディングワイヤ３４で接続し、第一のボンディングワイヤ３１と入力伝送線路２７との接続部を第四のボンディングワイヤ３４と接地電極２５との接続部に対して半導体チップ２２を挟んだ反対側に配置した光送信モジュールより解決できる。 （もっと読む）

【課題】従来のＥＡ／ＤＦＢレーザはＥＡ部、ＤＦＢ部それぞれの動作波長の温度依存性が大きく異なるため、安定動作できる温度範囲が狭い。このため、前記ＥＡ／ＤＦＢレーザを発光装置とする場合、アンクールド動作は不可能であった。温度調整機構が不要なＥＡ／ＤＦＢレーザを提案すること。
【解決手段】ＥＡ変調器の光吸収層に、井戸層がＩｎＧａＡｌＡｓあるいはＩｎＧａＡｓＰあるいはＩｎＧａＡｓのいずれからなり，障壁層がＩｎＧａＡｌＡｓ，あるいはＩｎＡｌＡｓのいずれからなる量子井戸構造を用い、かつ２５℃における離調量および光吸収層に用いる量子井戸構造における障壁層の組成波長を適切に設定することで、−５℃から８５℃の広い温度範囲にわたり、挿入損の抑制、消光比の確保、およびチャーピングの抑制を同時に実現する。 （もっと読む）

【課題】動作電圧低減が低く、高性能な窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＰ型の導電型を有する窒化物半導体３の上に第一の金属膜４を形成し、次いでタングステン酸化物からなる膜（ＷＯ_Ｘ）５を重ねて形成した後、熱処理を行う。その後、タングステン酸化物からなる膜を除去し、Ｎ型およびＰ型の導電型を有する窒化物半導体層のそれぞれとオーミック接続を取るための電極を形成することにより、窒化物半導体発光素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】波長選択特性が良好で、小形で組み立ての容易なリトローキャビティ構造を適用した波長可変レーザ光源を提供する。
【解決手段】外部共振器型の波長可変レーザ光源において、光通信で定められた波長グリッド間隔と、当該光源の外部共振器の縦モードの間隔である自由スペクトラルレンジ（ＦＳＲ）との比が、概ね整数＋０．５対１の比率となる外部共振器の長さを有し、かつ外部共振器内の利得媒体１０に位相を変化させる機能を有する位相調整部を有する。さらに、波長可変フィルタである回折格子３０の駆動体にＭＥＭＳ３１を用いる。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体発光装置では一定動作電流での光出力が小さい上、それを電界吸収型光変調器などの光素子と集積する際にリッジ幅に制限ができ、本来得られるはずの特性を低くして集積しなくてはならず、低コストかつ低消費電力化ができなかった。
【解決手段】リッジを有する半導体発光装置において、リッジとそれ以外の構成要素との屈折率差を低くすることにより単一横モードのままリッジ幅の拡大を可能にし、かつリッジ両側に沿ってほぼ垂直の溝を形成することにより、拡散電流防止と屈折率差増大を防ぎ、かつリッジに回折格子を形成することにより、再成長による特性劣化を防ぎ、かつそれらを電界吸収型光変調器などの光素子と集積する際、成長回数を増大させることなく、テーパー状の導波路を用いることによりリッジ幅に制限なく電界吸収型光変調器などの光素子と上記発光装置とを集積する。 （もっと読む）

【課題】ＸＥＮＰＡＫ用に設計された光通信装置に、ＸＦＰ光モジュールを接続する光モジュールアダプタを提供する。
【解決手段】ＸＦＰのプラガブルモジュール１の収容部４１を有し、ＸＥＮＰＡＫのプラガブルモジュールの外形形状を有し、受信されたＸＦＰのプラガブルモジュール用の電気信号フォーマットをＸＥＮＰＡＫのプラガブルモジュール用の電気信号フォーマットに変換し、受信されたＸＥＮＰＡＫのプラガブルモジュール用の電気信号フォーマットをＸＦＰのプラガブルモジュール用の電気信号フォーマットに変換する変換ロジック４を有する光モジュールアダプタ３により達成できる。 （もっと読む）

【課題】基板接続用のフレキシブル基板を具備した光受信サブアセンブリを用いた場合にでも良好な受信特性を実現できる光受信機構造を提案し、小型化と低コスト化を両立した光受信機を実現する。
【解決手段】光受信サブアセンブリ１と主基板上のポストアンプ６との間に、光受信モジュールと主基板とを接続するフレキシブル基板上の２つの伝送路３、４と、４個の抵抗素子９〜１２からなる平衡型減衰器回路とその平衡型減衰器回路に並列に接続した２個の容量素子１３、１４を設けた光受信機により解決できる。 （もっと読む）

【課題】接続部分での機械的強度を損なうことなく、かつインピーダンスの不整合を抑えたリードピンとフレキシブル基板の接続方法を用いた光送信モジュールを提供する。
【解決手段】一部に導体のない孔状部を持つ裏面ＧＮＤ導体パタン３０４を形成したフレキシブル基板３０を用いることにより、信号線路３０１のインピーダンスが５０Ωより高い領域と低い領域を交互に配置し、各々の領域の長さを適切に設定することで信号線路のインピーダンスの不整合を抑える。 （もっと読む）