【課題】 フローティング型回折格子では、結晶成長工程でのドーパントの熱拡散量が回折格子の有無や開口幅に依存しやすく、半導体光素子の製造歩留りを下げる要因となっていた。
【解決手段】 ＩｎＧａＡｓＰ層で構成される回折格子とｐ型ＩｎＰクラッド層の間に、回折格子と同程度の屈折率のＩｎＧａＡｓＰ薄膜層を挿入する構造を考案した。この構造では、活性層上の全領域にＩｎＧａＡｓＰ層が存在することとなり、ｐ型ＩｎＰクラッド層成長時の活性層近傍へのドーパントの熱拡散量が回折格子の有無や開口幅に依存しなくなり、安定した光出力、閾値電流、スロープ効率を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 発光素子１と駆動ＩＣ６をパッケージ７内に実装した発光素子モジュール１００において、ペルチェクーラの実装空間を確保し、駆動ＩＣの熱を発光素子に影響を与えずにパッケージ裏面より放熱することができる小型発光素子モジュールを構成する。
【解決手段】 発光素子１を搭載した金属ブロック９と駆動ＩＣ６の間にグランディッドコプレーナ伝送線路基板５を配置する。金属ブロック９と基板５はペルチェクーラ８上に配置され、駆動ＩＣ６は金属性の台座７ｂに搭載される。駆動ＩＣ６は光軸の下側に配置され、対向する光軸の上側には、ペルチェクーラの電極を配置する。 （もっと読む）

【課題】キンクの抑制、低損失化、偏光方向の安定化を同時に達成でき、かつ光分布が活性層から離れるに従って単調減少するような構造を持ち、その結晶組成制御が容易となる高出力動作可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザの下側クラッド層に光を寄せ、かつ偏光方向を安定化させるために、複数の、クラッド層と組成の異なる屈折率の高い層をスポットサイズより広い範囲に分散させて導入する。光分布に関しては電界強度を活性層から離れるに従って単調減少させる。 （もっと読む）

【課題】 小型化された光変調器モジュールにおいてチップキャリア、パッケージ、高周波基板の寸法公差と組立公差を厳しめることなく良好な光出力波形を得る。
【解決手段】 チップキャリア伝送線路１０とパッケージ基板伝送線路１２を接続する高周波基板伝送線路１１を形成した高周波基板を、各伝送線路の距離を短縮するようにパッケージ４に対して傾けて搭載する。これによって、伝送線路を接続するワイヤ１３、１４の長さを短縮でき、光変調器モジュールの周波数特性を改善できる。 （もっと読む）

【課題】 埋込みヘテロ型半導体光素子は、活性層幅（〜２μｍ）上部以外の回折格子はメサエッチングにて除去するのが通例である。この為、回折格子の状態を観察するには、ＦＩＢ法を用いて半導体メサの一部を加工して後ＳＥＭ観察を行う。この方法は、半導体のメサ構造の断面をイオンビームにより削るため、断面形状が平滑ではなく、ＳＥＭ像が不鮮明となる。微細構造である回折格子を観察することは困難であった。
【解決手段】 埋込み成長にて形成される半導体メサ側壁のネック部に沿って、半導体メサが光導波路方向に容易に劈開される性質を利用し、素子後方端面と半導体メサの間に、半導体メサを形成しない領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】 分布帰還型半導体レーザ素子において、発振波長は実効屈折率と回折格子周期で決定されるブラッグ波長であり、温度特性は０.１nm/K程度である。これに対し、量子井戸活性層によって決定される利得波長の温度特性は、約０.４nm/Kである。このレーザ素子を、広温度範囲に適用した場合、ブラッグ波長と利得波長各々の温度特性の差異により、ブラッグ波長ピークが利得波長ピークから外れてしまい、利得は低下して、発振閾値電流増加、光変換効率低下となる。
【解決手段】 活性層領域に井戸幅が等しく、Egの差が１８meV以下で３層以上の量子井戸層を形成する。各量子井戸では、禁制帯幅が異なり、利得スペクトラム１は、広い波長範囲で利得を有する。これは、ブラッグ波長２に対し、広温度範囲における利得の均一性を実現する。 （もっと読む）

【課題】 リッジ状導波路などの半導体レーザ表面を皮膜する絶縁膜において、リッジ状導波路内で発した熱を外部に効率良く放出し、素子の基本特性および信頼性を保証できる上限温度を引き上げ、高温状態下における安定動作を可能とする半導体レーザとその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザにおいて、表面およびリッジ状導波路の側面を皮膜する絶縁膜１０３をＡｌを含む放熱性に優れた絶縁膜とし、加えて、この絶縁膜１０３をリッジ状導波路に対して垂直または平行または格子状に凹凸のある表面形状とする。リッジ状の導波路を形成した後に、Ｓｉと比較して熱伝導率が高いＡｌを主材料とした絶縁膜で半導体レーザ表面を皮膜する。加えて、形成したＡｌを主材料とした絶縁膜の表面を加工することで、溝形状や格子形状として表面積を増やし、さらに放熱性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 正または負の単一電源の、変調器集積レーザを提供する。
【解決手段】 ｎ型半導体基板１００上にＭＱＷ１０２、ｐ型クラッド層１０４と多層された半導体レーザ部と、半導体基板１００上にｐ型クラッド層１０４、ＭＱＷ２０２、ｎ型クラッド層１０５と多層されたＥＡ変調器部とが、集積された構造とすることで、半導体レーザ部に正の電流を注入し、ＥＡ変調器に正の電圧を印加して動作するＥＡ変調器集積レーザが得られる。 （もっと読む）

【課題】 共振器端面の光損傷防止及びＩ−Ｌキンク発生の防止。
【解決手段】 半導体レーザ素子のレーザ光を出射する共振器端面近傍に、共振器に沿って周期的に電流が供給されない非注入部が形成されている。非注入部は一定の長さを持ち、一定のピッチに設けられている。従って、この非注入部の存在によって高出力下においてＩ−Ｌキンクが発生したり、あるいは共振器端面の光損傷も起きなくなる。 （もっと読む）

【課題】 光モジュールの小信号通過特性(Ｓ２１)の最適化と、小信号反射係数(Ｓ１１)の低減の両立を可能にし、駆動用ＩＣの出力インピーダンス不整合が生じた場合でも波形品質を良好に保つ。
【解決手段】 電気信号を伝送するために直列接続した伝送線路８および伝送線路２７と、レーザダイオード素子２０と、電界吸収型光変調器素子２１と、インピーダンス整合用の終端抵抗素子２４と、伝送線路８の一端と光変調器素子２１とを接続する第一のボンディングワイヤ３１と、光変調器素子２１と終端抵抗素子２４とを接続する第二のボンディングワイヤ３２とを設け、終端抵抗素子２４の抵抗値を５０Ωもしくは４０Ω以上６０Ω以下の範囲に設定し、伝送線路２７の特性インピーダンスを５０Ωとし、伝送線路８の特性インピーダンスを２０Ω以上３０Ω以下に設定した光モジュールにより解決できる。 （もっと読む）