【課題】操作指示を許可するか否かを短時間で判定することのできる、電力供給システム及び電力供給システムの動作方法を提供する。
【解決手段】電力供給システムは、電力供給線を介して電源に接続された、第１乃至第３電気製品と、第１乃至第３電気製品のそれぞれに対応して設けられた、第１乃至第３制御装置と、を具備する。第１制御装置の問い合わせ部は、第１電気製品に対して操作指示が与えられた場合に、第２及び第３制御装置に対して問い合わせ信号を送信する。第２及び第３制御装置のそれぞれの消費電力情報生成部は、受信した問い合わせ信号に応答して、それぞれの電気製品の消費電力を測定し、それぞれの消費電力情報を出力する。第１制御装置の判定部は、それらの消費電力情報に基づいて、操作指示が実行された場合に電源から供給される電力が電力供給線の許容量を超えるか否かを判定し、判定結果に基いて、操作指示を許可するか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】光送受信モジュールにおいて、受信信号光の良好な光アイソレーション特性と、良好な組み立て性と、を得る。
【解決手段】送信信号光を出射する発光素子（半導体レーザ１１２）と、受信信号光を受光する受光素子（半導体受光素子１２２）を有する。発光素子から出射される送信信号光を光伝送路（光ファイバ１７０）側に透過又は反射させ、且つ、光伝送路から出射される受信信号光を受光素子側に反射又は透過させる波長フィルタ１６０を有する。波長フィルタ１６０にて反射又は透過した受信信号光のうち所望の波長帯の光を透過させる波長フィルタ１６１と、波長フィルタ１６０にて反射又は透過した受信信号光を平行光に近づけて波長フィルタ１６１に入射させる平行光化部（コリメートレンズ１８０）を有する。受光素子は、平行光化部と波長フィルタ１６１とをこの順に透過した受信信号光を受光する。 （もっと読む）

【課題】高周波モジュール中におけるスイッチング素子として用いられるＨＥＭＴ素子を小型化する。
【解決手段】ＧａＡｓからなる基板１の主面上の素子分離部９で規定された活性領域内において、ゲート電極１７は、１本で形成し、ソース電極１３とドレイン電極１４との間では紙面上下方向に延在し、それ以外の部分では左右方向に延在するようにパターニングすることにより、活性領域外に配置されるゲート電極１７の割合を減じ、ゲートパッド１７Ａの面積を減じる。 （もっと読む）

【課題】一方の面に端子が配列された半導体パッケージをソケットを介して実装した状態で、半導体パッケージの端子からの信号をソケットの表側に取り出す。
【解決手段】パッケージ５０の搭載領域１０２が表側に形成され、裏側を基板（実装基板６０）側に向けて基板上に配置されるソケット本体（内部ソケット３００）を有する。搭載領域１０２には、パッケージ５０の各端子５２と対応する配置の複数の電極部１０３が配置され、電極部１０３の各々は、ソケット本体の表裏を貫通し、ソケット本体の裏側で基板の電極（電極パッド６１）と接触するように構成されている。ソケット本体は、搭載領域１０２の外側においてソケット本体の表面に露出している検査用端子１０５と、検査用端子１０５と複数の電極部１０３のうちの所定の電極部１０３ａとを相互に接続する引出配線１０４と、を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の品質や信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体基板の電極パッド２ｃ上に形成されたＵＢＭ２ｇにおいて、上層のＡｕ膜２ｈの縁部（端部）の位置を下層のＴｉＷ膜２ｉの縁部（端部）の位置より内方にするか、もしくは同じ位置にすることで、Ａｕ膜２ｈの浮遊部を無くすことができる。これにより、前記浮遊部による隣接パッド間での電気的なショートの発生を防止できるとともに、前記浮遊部が異物となって前記半導体基板に付着することを防止でき、半導体装置（半導体チップ２）の品質や信頼性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】受信レベルが変動する場合であっても、正確に信号を復調することが可能な受信装置を提供する。
【解決手段】マンチェスタ符号化またはサブキャリア変調された受信信号を、復調部において１ビット間の時間平均が０となる参照信号を受信信号と乗算して１ビット長にわたって積分して得られる相関値を閾値と比較して復調する。 （もっと読む）

【課題】簡単な調整で寄生容量の影響を除去することができるインピーダンス検出回路およびインピーダンス検出方法を提供することである。
【解決手段】本発明にかかるインピーダンス検出回路は、検出回路１０、補正回路２０、減算回路３０、および交流信号発生器４０を有する。検出回路１０は、被測定容量Ｃｓが一端に接続される信号線５０の他端と接続された反転入力端子、信号線５０の少なくとも一部を覆うシールド線５１および交流信号発生器４０の出力と接続された非反転入力端子、および出力端子を備える演算増幅器ＡＭＰ１と、演算増幅器ＡＭＰ１の出力端子と反転入力端子との間に接続された帰還抵抗Ｒ２と、を有する。補正回路２０は、抵抗Ｒ３および可変容量Ｃｖを備え、可変容量Ｃｖの容量値を調整することで演算増幅器ＡＭＰ１から出力された検出信号Ｓ７を補正する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板裏面をソース電極として使用するＬＤＭＯＳＦＥＴにおいて、出力効率向上のため、基板抵抗を下げようとして高濃度ボロンドープ基板を用いると、ソースドレイン間のリーク不良が、多発することが、本願発明者等によって明らかにされた。更に、この不良解析の結果、ソース不純物ドープ領域からＰ型エピタキシ層を貫通してＰ型基板に至るＰ型ポリシリコンプラグに起因する不所望な応力が、このリーク不良の原因であることが明らかにされた。
【解決手段】本願発明は、ＬＤＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置であって、ＬＤＭＯＳＦＥＴのソース不純物ドープ領域の近傍の上面から下方に向けてエピタキシ層内をシリコン基板の近傍まで延び、前記エピタキシ層内にその下端があるシリコンを主要な成分とする導電プラグを有する。 （もっと読む）

【課題】リトラクト動作を短時間で実行でき、かつ、リトラクト動作時の消費電力が少ない磁気ディスク制御装置を提供する。
【解決手段】例えば、リトラクトドライブ回路ＲＥＴＤＶ１は、リトラクト制御回路ＲＥＴＣ１からの制御に応じてパワーＭＯＳトランジスタＭ１を介してボイスコイルモータＶＣＭに駆動電圧を印加する動作と、ＶＣＭで生じた逆起電圧（ＢＥＭＦ）を検出する動作を交互に行う。ＲＥＴＣ１は、スイッチＳＷ１をオフに制御すると共に所定のしきい値電圧Ｖｒｅｆを指定してＲＥＴＤＶ１にＶｒｅｆとＢＥＭＦの大小関係を比較させる。そして、この結果に応じて、抵抗Ｒ２の値を適宜設定すると共にＳＷ１をオンに制御することで、ＲＥＴＤＶ１がＶＣＭに印加する駆動電圧の値を設定する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタが設計より低い閾値電圧で動作し始めるという寄生トランジスタ動作を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００は、ゲート幅方向に断続的に深さが変化する複数のトレンチ１６２、各複数のトレンチ１６２の側壁および底面に形成されたゲート絶縁膜１２０、ゲート絶縁膜１２０上に形成されたゲート電極１２２、基板１０２表面のゲート長方向の一方の側に形成されたソース領域１１２およびゲート長方向の他方の側に形成されたドレイン領域１１３を有するトランジスタを含む。ここで、トレンチ１６２の側壁の基板１０２の表面から底面に向かう途中の位置から底面までの下部分におけるゲート絶縁膜１２０の膜厚が、当該側壁の途中の位置から表面までの上部分におけるゲート絶縁膜１２０の膜厚よりも厚く、かつ底面におけるゲート絶縁膜１２０の膜厚以上である。 （もっと読む）