【課題】
本発明はプラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、耐食性タンクの内張材、回転ローラー表面、気密パッキン表面、各種粘着防止ロール、シート等のフッ素系合成樹脂の表面を、金属やセラミックス、他の高分子樹脂とを高い接着力を得るための表面改質技術を提供するものである。
【解決手段】
プラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、真空中で少なくとも一原子以上のアルゴンまたは窒素を含有するアルゴンや窒素プラズマを発生させ、負の高エネルギー高周波パルス電圧を印加して、アルゴンまたは窒素イオン注入と傾斜構造を持った微細な凹凸形状を形成したフッ素系合成樹脂物品及びその表面改質方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
本発明はプラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、シール材、ドクターブレード、回転ローラー、粘着防止ロール、シート等に用いるフッ素系合成樹脂の表面を、印刷インク、塗料、液晶溶液、試薬、食品材料等となじみやすく・濡れやすくための親水化改質技術を提供するものである。
【解決手段】
プラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、真空中で少なくとも一原子以上の酸素およびケイ素を含有するプラズマを発生させ、負の高エネルギー高周波パルス電圧を印加して、酸素およびケイ素イオン注入による傾斜構造と脱フッ素化後の極性基反応物を形成したフッ素系合成樹脂物品及びその親水化改質方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高濃度のプラズマを生成し、薄膜成長速度を向上して生産性を向上するとともに被加工基材表面への損傷を抑制し、優れた機能性表面を形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】真空容器内にプラズマ励起用アンテナと高電圧パルス印加用電極と被加工基材を設置し、所定の元素を含む原料ガスを導入して前記プラズマ励起用アンテナに高周波電力を印加して放電プラズマを励起し、前記高電圧パルス印加用電極に高電圧パルスを印加して高密度プラズマを発生させ、前記被加工基材にバイアス電圧又はパルス電圧を印加して所定の元素を含む機能性薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は半導体ＬＳＩデバイス表面の超平滑化や、それらを加工するための精密仕上げ加工仕上げに用いられる研磨用設備、特に各部品を超平滑化するための研磨用部材の耐摩耗性、耐食性、耐汚染性など性能を高品質化するために提供されたもので、研磨用部材を減圧下において、負の高周波パルス電圧を印加して、カーボン＋ケイ素イオン注入と傾斜構造を持った高品位な炭素膜膜を被覆した物品を提供するものである。
【解決手段】
プラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、２種類以上の材質の異なる部材に対して、真空中で少なくとも一原子以上のカーボンとケイ素を含有する炭化水素系／ケイ素系混合ガスを導入してプラズマを発生させ、負の高周波パルス電圧を印加して、カーボン＋ケイ素イオン注入と傾斜構造を持った高品位な炭素膜膜を形成した研磨用部材及びその表面処理方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
本発明はシリコン、窒化ガリウム、ガリウムリン等の半導体を極薄で超平滑化するための加工キャリアを高品質化するために提供されたもので、加工キャリアを減圧下において、少なくとも一原子以上のカーボンを含有する炭化水素系ガスを導入してプラズマを発生させ、負の高周波パルス電圧を印加して、カーボンイオン注入と傾斜構造を持った高品位なＤＬＣ膜を被覆した物品を提供するものである。
【解決手段】
プラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、真空中で少なくとも一原子以上のカーボンを含有する炭化水素系ガスを導入して高周波電力の供給によりプラズマを発生させ、この中の非処理物に高周波パルス電圧を印加して、基材中にカーボンイオン注入した後、ＤＬＣ膜を形成した半導体加工キャリア部材及びその表面処理方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜形成に用いるプラズマ成膜装置やプラズマイオン注入（ＰＢＩＩ）装置等の成膜時に防着板の内壁及び基板支持手段等の表面に付着、堆積した薄膜や微粒子などの副生成物を確実に、かつ簡易に除去することを課題としている。
【解決手段】真空容器の内壁面の要部を覆うように電気的に絶縁された防着板を設け、該防着板で囲まれた真空容器内部に基板支持手段を有するプラズマ成膜装置において、所定の反応性ガスを導入し、前記基板支持手段に高周波電力を印加して防着板内に前記所定の反応性ガスの放電プラズマを発生させ、前記防着板に正又は負のバイアス電圧を印加して、防着板の内壁面及び基板支持手段等の表面に付着した堆積物をエッチング除去する。 （もっと読む）

【課題】 種々の気体を長期間に渡って確実にシールすることが可能なシール材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 三次元プラズマイオン注入成膜法を用いて、ゴムにより形成されるパッキン本体１の表面をダイヤモンド・ライク・カーボン薄膜で被覆する。ダイヤモンド・ライク・カーボン薄膜は、フッ素含有水素化アモルファス炭素、水素化アモルファス炭素を含む。三次元プラズマイオン注入成膜法は、炭化水素ガスおよびフッ素ガスのプラズマ中でのイオン注入によりパッキン本体１の表面にイオン注入層を形成する工程と、炭化水素ガスおよびフッ素ガスのプラズマ中でのイオン成膜によりイオン注入層上にダイヤモンド・ライク・カーボン薄膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）