研磨パッドに固体の光透過性高分子の窓が形成され、窓の表面の少なくとも一方が処理されて、少なくとも一方の表面の平滑度が高められる。
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本発明の実施形態は、光パルスの持続時間、形状、および繰返し率の独立した制御を提供する光源を組み込む基板処理機器および方法に関する。実施形態は、照度の急速な増大および低減をさらに提供する。
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本発明の実施形態は、発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザダイオード（ＬＤ）などのデバイスを製造するための基板の前処理のための装置および方法に関する。本発明の一実施形態は、酸化アルミニウム含有基板の面をアンモニア（ＮＨ_３）およびハロゲンガスを含む前処理ガス混合物に暴露することにより酸化アルミニウム含有基板を前処理することを含む。
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基板を処理するための方法および装置が本明細書において提供される。いくつかの実施形態では、基板処理のための装置は、内部容積を画定するチャンバ本体を有するプロセスチャンバと、チャンバ本体の内表面上に配置されたシリコン含有コーティングであって、外側表面が少なくとも約３５原子パーセントのシリコン（Ｓｉ）であるシリコン含有コーティングとを含む。いくつかの実施形態では、プロセスチャンバ内にシリコン含有コーティングを形成するための方法は、プロセスチャンバの内部容積へシリコン含有ガスを含む第１のプロセスガスを供給することと、プロセスチャンバの内表面上にシリコン含有コーティングを形成することであって、シリコン含有コーティングの外側表面が少なくとも約３５パーセントのシリコンであることとを含む。
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精密な基板冷却制御のための方法と装置が提供されている。基板の温度測定のための装置は、基盤を支持する冷却板と、冷却板上に配置された時、基板の温度に相当するデータを提供するセンサと、センサのデータから基板の温度を決定するために、基板に結合されたコンピュータとを含むことができる。基板の温度測定の方法は、その中に、冷却板と、基板の温度に相当するデータを提供するセンサと、センサに結合されたコンピュータとを有するチャンバに、冷却される基板を配置する工程と、所定の第１の期間の経過後に基板の第１温度を測定する工程と、第１温度を所定の温度と比較して第１温度が所定の温度より高いか、所定の温度と等しいか、あるいは所定の温度より低いかを決定する工程とを含む。 （もっと読む）

プロセスチャンバ用の基板支持体が、基板を受け取るための受取り表面を有する静電チャックと、静電チャックの下にあるガス分散器ベースプレートとを備える。ガス分散器ベースプレートが、複数のガス出口を有する円周側壁を備え、ガス出口が互いに離隔して設けられて、プロセスガスを基板の外周縁の周りから半径方向外方向へプロセスチャンバ内に導入する。
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本明細書では、処理システム内の基板にプロセスガスを供給する方法および装置が開示される。いくつかの実施形態では、この基板処理システムは、基板支持体がその中に配置されたプロセス室と、基板支持体に向かってエネルギーを導くためにプロセス室の上方に配置された光源と、光源によって供給された光エネルギーが基板支持体に向かってプロセス室に入ることを可能にするために、光源と基板支持体との間に配置された窓アセンブリであり、プロセスガスを受け取る入口と、プロセスガスをプロセス室内へ分配する１つまたは複数の出口とを含む窓アセンブリとを含む。
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【課題】 チャンバ内で基板を処理するとともに蓄積した物質をチャンバ構成要素から洗浄する装置を提供する。
【解決手段】 本装置は、蓄積した物質をチャンバ構成要素から化学的にエッチングする反応性ガス化学種を生成するように適合した反応性化学種発生器、及び反応性化学種に曝露される鏡面研磨面をもつ少なくとも１つの構成要素を有する処理チャンバを含んでいる。好ましくは、チャンバ洗浄効率に対する効果を最大にするために、鏡面研磨面６４はガス分配プレート１２又はバッキングプレート１３のような構成要素の表面、及び/又は反応性化学種に曝露される表面積の割合の大きい複数の小さな構成要素（例えば、チャンバ壁ライナ２９、ガスコンダクタンスライン４８等）の表面である。更に好ましくは、反応性化学種が接触するはだかのアルミニウム表面すべてが鏡面研磨される。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、化学気相成長（ＣＶＤ）法などにより基板上に層を堆積するための改善された装置を提供する。本明細書で開示される本発明の装置は、有利には、膜厚の不均一性が低減された１つまたは複数の膜を所与のプロセスチャンバ内部に堆積させること、粒子性能の改善（例えば、プロセスチャンバ内で形成される膜上の粒子の減少）、複数のプロセスチャンバ間でのチャンバとチャンバの動作整合、およびプロセスチャンバ保守性の改善を容易にする。
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本発明の実施形態は、基板を熱的に処理するために発光ダイオード（ＬＥＤ）を組み込んでいる基板処理機器および方法に関連する。かかる光源は、より高い効率およびより早い反応時間を含む各種の利点を提供する。パルス幅は、１ミリ秒以下まで選択可能であるが、１秒までおよび１秒を超える長いパルスに及ぶ場合がある。ＬＥＤが５０％よりも高い効率で光を生成し、タングステン−ハロゲンランプが５％よりも低い効率で動作するので、より長い処理時間を認める環境においてさえ、ＬＥＤがタングステン−ハロゲンランプよりも好ましい。
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