【課題】 光電池セル及び光電池セルの製造方法を提供する。
【解決手段】 前記方法には、ソーラーセルを通る光の反射又は透過に負に影響しない厚さの裏面接触部内に中間層を配置するステップが含まれる。中間層は、レーザスクライビング中の裏面接触部からの金属剥離を防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体処理チャンバからの排気ガスの固化を防止することにより、メンテナンスの手間と費用を低減することが可能なスロットルバルブを提供する。
【解決手段】内部に空間を有するバルブ本体部２０と、バルブ本体部の側壁に形成され、外部の真空チャンバ１１１と連結される連結部と、バルブ本体部内部の空間であって連結部の下端部より上方にある上方空間と、バルブ本体部内部の空間であって連結部の下端部より下方にあり、真空ポンプと連結される下方空間の間の開口度を昇降により調節するプランジャー５１と、バルブ本体部の上壁２２の上部に配置される固定台３０，４０と、固定台及びバルブ本体部の内部に設けられ、プランジャーを昇降させるプランジャー昇降機構６０と、バルブ本体部の上壁の外側及び固定台の側壁部に設けられるヒーター９０，９２を備え、ヒーターはバルブ本体内部の上壁とプランジャーとの間の空間を加熱する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に半導体処理チャンバ用のプロセスキットおよびキットを有する半導体処理チャンバに関する。より詳しくは、本明細書において説明する実施形態は、物理堆積チャンバ内で使用されるカバーリング、シールド、およびアイソレータを含むプロセスキットに関する。プロセスキットの構成要素は、単独でまたは組み合わせて、粒子発生および迷走プラズマを著しく減少させるように働く。プロセスキャビティの外に迷走プラズマを生じさせるＲＦ高調波の一因となる長くなったＲＦリターン経路を与える既存の複数部品シールドと比較して、本プロセスキットの構成要素は、ＲＦリターン経路を短縮し、したがって、内部処理領域内のプラズマ汚染の改善を提供する。
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レーザスクライビング加工により工作物中に形成されるセグメントのステッチポイントを、スキャナの速度、ならびにリードイン間隔、リーアウト間隔、および重畳間隔を与えるためなどのレーザの切替え時点といった面を制御することにより、改善することが可能となる。さらに、ステッチポイントの位置を、既存の線と一致するように選択することが可能であり、これにより、既存の線が、オフセットが生じた場合にセグメント同士を接続するように機能する。
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【課題】 半導体ウェーハ上の欠陥の分析に特に有利であり、自動化による製造プラント内でのウェーハのインライン検査に適するシステムを提供する。
【解決手段】 バックグラウンドに起因するｘ線信号を定量的に考慮する欠陥のＥＤＸ自動分析用システムを用いる。本システムは、バックグラウンドと欠陥のｘ線サンプリングに適切な場所を自動的に同定することができる。本システムは、また、バックグラウンドに起因し欠陥に起因しない信号を効果的に、かつ定性的ではなく定量的に除去することができる。『微量分析』と呼ばれる有利な特徴が本システムのスループットを高くすることを可能にする。 （もっと読む）

酸化ケイ素層を形成する方法が記載されている。この方法は、炭素を含まないケイ素および窒素含有前駆体とラジカル前駆体とを混合するステップと、ケイ素および窒素含有層を基板上に堆積させるステップとを含むことができる。次いで、ケイ素および窒素含有層は、酸化ケイ素層に変換される。
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チャンバ内の基板を加熱するための装置および方法を提供する。一実施形態では、本装置は、基板を受けるように適合された支持表面を有する基板支持アセンブリと、支持表面から一定の距離に当該支持表面に平行に基板を支持するため、かつ支持表面に実質的に直交する基準軸を中心として基板をセンタリングするための複数のセンタリング部材とを備える。複数のセンタリング部材が、支持表面の周辺に沿って可動に配置され、複数のセンタリング部材の各々が、基板の周辺エッジに接触するため、または支持するための第１の端部を備える。
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【課題】基板の研磨を監視するための技術を実施する方法及び装置。
【解決手段】２つ以上のデータ点が取得され、各データ点は、センサの感知領域内の特徴部により影響される値を有すると共に、感知領域が基板を横断していくときに基板(10)とセンサとの相対的位置に対応する。基準点のセットを使用して、取得したデータ点を変更する。この変更は、基板を横断する感知領域により生じる取得したデータ点の歪を補償する。変更されたデータ点に基づき、基板の局部的特性を評価して、研磨を監視する。 （もっと読む）

【課題】従来の比較可能なサイズの搬送チャンバの平坦な底部より薄く形成することができ、費用と重量を低減する。
【解決手段】基板処理ツール２０１の搬送チャンバ２０３は、少なくとも一の処理チャンバ１７と少なくとも一のロードロックチャンバ１５に連結される側壁部２１５を有する本体部２０７を有している。本体部は、少なくとも一の処理チャンバと少なくとも一のロードロックチャンバの間で基板を搬送するために用いられるロボット２０５の少なくとも一部を収容している。蓋部２２７は、搬送チャンバの本体の上部に連結されてこれを封止している。搬送チャンバは、搬送チャンバの本体の底部に連結されてこれを封止するために用いられるドーム型底部２３３を有している。 （もっと読む）

【課題】直径の大きい基板のためのチャンバ内で、処理ガスを均一に散布するガス分配器を備えた処理チャンバを得る。
【解決手段】半導体基板を処理する処理チャンバ（２５）は、基板（５０）を支持する支持装置を含む。処理ガスをチャンバ（２５）に導入するガス分配器（９０）は、基板（５０）平面に対して所定の傾斜角度で処理ガスをチャンバ（２５）に噴射するガスノズルを有する。隋的に、ガス流制御装置（１００）は、処理ガスの流れを１つ又はそれ以上のガスノズル（１４０）を通して制御してパルス化する。排気装置はチャンバ（２５）からの処理ガスを排出するのに用いられる。 （もっと読む）