クラッキングする傾向を減少させた、間隙充填酸化ケイ素層の形成が記載される。堆積は、トレンチの充填を容易にする、流動可能なシリコン含有層の形成を含む。高い基板温度における後続の処理が、従来技術の方法に従って形成された流動可能な膜よりも、誘電体膜中のクラッキングを少なくする。間隙充填酸化ケイ素層の形成に先立って堆積された圧縮性ライナ層が記載され、後続して堆積される膜がクラックする傾向を減少する。流動可能なシリコン含有層の後に堆積される圧縮性キャッピング層も、クラッキングを減少させるように決定された。圧縮性ライナ層および圧縮性キャッピング層は、単独でまたは組み合わせて使用され、クラッキングを減少させ、多くの場合クラッキングをなくすことができる。開示した実施形態の圧縮性キャッピング層は、下にある窒化ケイ素の層を酸化ケイ素層に変換できることが、さらに確定されている。 （もっと読む）

【課題】チャンバー壁をスパッタ堆積から保護するもので、蓄積した堆積材料が剥げ落ちて粒子を形成しないように固定数の堆積サイクル後に交換される、誘導結合プラズマスパッタリアクタと共に使用可能なシールドシステム提供する。
【解決手段】内部シールド１６２は、ターゲットバッキングプレート１３０付近の上端からＲＦコイル１６０より下の下端まで延び、通常、処理位置にあるペデスタル１４６の上面のすぐ下まで延びる。プラズマスパッタリアクタに使用するよう適応され、軸の周りで略円形対称であるシールド１６２において、前記軸に沿って延びる上端と、前記軸に沿って延びる下端と、前記上端と下端との間で前記軸から半径方向外方に延びるフランジ１６８と、を備え、前記軸に面したシールド内面は、前記軸からの傾斜が１０°以下で、それ以外は滑らかであるようにしたシールド。 （もっと読む）

半導体デバイスを生産する方法が提供され、この半導体デバイス（５０）は、基板（３０）と、半導体層（３６、３８）と、基板および半導体層から選択された少なくとも１つの要素に隣接する少なくとも１つのメタライゼーション層（５２、７０）とを含み、この方法は、基板および半導体層から選択された少なくとも１つの要素の近くに酸素を含む少なくとも１つのメタライゼーション層を形成するステップを含む。
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本明細書では、基板を処理するための方法および装置が提供される。いくつかの実施形態において、基板を処理するための装置は、中に基板の処理面をプロセスチャンバ内の所望の位置に支持するための基板支持体を有するプロセスチャンバと、基板の処理面上に第１の方向に第１のプロセスガスを提供するための第１の吸入口と、基板の処理面上に第１の方向と異なる第２の方向に第２のプロセスガスを提供するための第２の吸入口であって、基板支持体の中心軸に関して第１の方向と第２の方向の間で測定される方位角が最大約１４５度である第２の吸入口と、第１のプロセスガスおよび第２のプロセスガスをプロセスチャンバから排気するために第１の吸入口の反対側に配置された排気口とを含む。
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本明細書で説明される諸実施形態は、ブラシ洗浄モジュールに利用できるローラアセンブリに関する装置および方法に関する。一実施形態では、ローラアセンブリが説明される。このローラアセンブリは、基板の周辺部に沿って基板の主要面と接触するように適合された少なくとも２つのほぼ平行に対向する側壁を有する環状溝を含み、対向する側壁のそれぞれは、基板の周辺部の厚さ未満の予圧寸法を有する圧縮性材料を含む。
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基板を処理し、基板の加熱および冷却を制御する方法および装置が説明される。第１の波長範囲で放射する放射源が、所定の温度範囲内で基板を加熱し、この基板は、第１の波長範囲内の第２の波長範囲で、所定の温度範囲内の放射を吸収する。フィルタが、第２の波長範囲内の放射の少なくとも一部分が基板に達することを防ぐ。
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パターン付き基板上に高密度の間隙充填酸化ケイ素を形成するプロセスについて記載する。このようなプロセスは、特に狭いトレンチ内で間隙充填酸化ケイ素の密度を増大させる。密度は、広いトレンチおよび凹んだ開放領域内でも増大させることができる。処理の後では、狭いトレンチと広いトレンチ／開放領域内の間隙充填酸化ケイ素の密度は互いに接近し、エッチング速度の一致度が高まる。この効果は、パターンローディング効果の低減として説明することもできる。このプロセスは、酸化ケイ素を形成し、次いで平坦化するステップを伴う。平坦化により、狭いトレンチに近接して配置された新しい誘電体インターフェースが露出する。新しく露出されたインターフェースは、平坦化された表面をアニールし、かつ／またはプラズマに露出させることによって、高密度化処理を容易にする。
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【課題】フォトマスクをエッチングする方法および装置を提供する。
【解決手段】フォトマスクをエッチングする方法は、上部に、フォトマスク用基板１２２を受けるように適合された基板支持用ペデスタル１２４を有する処理チャンバ１０２を提供するステップをふくむ。イオン−ラジカル用シールド１７０は、そのペデスタル上に配置される。基板は、イオン−ラジカル用シールドの下のペデスタル上に置かれる。処理ガスは、処理チャンバ内に導入され、プラズマが処理ガスから形成される。基板は、シールドを通過するラジカルを用いて主にエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ増強化学気相成長とＴＥＯＳを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】該方法には、ＴＥＯＳ酸化物プラズマを生成するために用いられる高周波パルス電源を供給することにより、基板上の二酸化ケイ素の堆積速度を制御するステップが含まれる。得られた二酸化ケイ素膜は、薄膜トランジスタを形成する応用において電気的及び機械的膜特性が良好である。 （もっと読む）

【課題】サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層、浅いトレンチ分離誘電体層等として使用するための低誘電率を有する酸化珪素層を均一に堆積するための方法と装置とを提供する。
【解決手段】約４００℃未満の基板温度での有機珪素化合物とヒドロキシル形成化合物との反応によって低比誘電体率を有する酸化珪素層を堆積する。これらの低誘電率薄膜は、残留炭素を含んでおり、サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層および浅いトレンチ分離誘電体層のために有用である。堆積に先立って水あるいは有機化合物からヒドロキシル化合物を調製することができる。酸化珪素層は、約３．０未満の誘電率を有するギャップ充填層を与えるために有機珪素化合物から生成されたライナー層の上に約４０℃未満の基板温度で堆積されることが好ましい。 （もっと読む）