【課題】半導体ウェーハのプラズマ処理を精密に制御する方法及び装置に関する。
【解決手段】本発明は、ウェーハの裏面のすぐ隣にあって裏面に面する端部を有する光ファイバを含む光温度センサ、又は、蛍光・光温度センサを使用することにより、処理中にウェーハ温度を連続的に監視する問題を解決する。この光ファイバは、ウェーハ・リフトピンのうちの１つの中に光ファイバがその中を通る軸線方向の空隙を設けることにより、プラズマ処理を邪魔することなく収容される。ウェーハ裏面に面するこのファイバの端部は、中空のリフトピンの端部と符合する。もう一方の端部は、「外部」光ファイバを経由して、リアクタチャンバ外側にある温度プローブ電子装置に結合される。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、ウエハのエッジ上への、増加または減少し、かつより均一な堆積を可能にするシャドウリングを意図する。シャドウリングの上面および／または底面から材料を除去することにより、エッジ堆積および斜面カバレージの増加を実現することができる。１つの実施形態において、底面の材料は、底面にくぼんだスロットを設けることにより減少する。シャドウリングの材料の量を増加することにより、エッジ堆積および斜面カバレージが減少する。ウエハのエッジにおける堆積を調整するための別の手法として、シャドウリングの内径を増加または減少させることが挙げられる。ウエハのエッジにおける堆積の量を変えるために、シャドウリングを形成する材料が変更されても良い。
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【課題】プラズマ処理のための方法及び装置を本願において提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、内部処理容積を有する処理チャンバと、処理チャンバに近接して配置された、ＲＦエネルギーを処理容積に結合するための第１ＲＦコイル１１０と、処理チャンバに近接して配置された、ＲＦエネルギーを処理容積に結合するための第２ＲＦコイル１１２とを含み、第２ＲＦコイル１１２は第１ＲＦコイル１１０に対して同軸に配置され、第１及び第２ＲＦコイル１１２は、第１ＲＦコイル１１０を流れるＲＦ電流が第２ＲＦコイル１１２を流れるＲＦ電流とは異相になるように構成される。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に半導体処理チャンバに関し、より詳細には、半導体処理チャンバのための、被加熱支持体ペデスタルに関する。１つの実施形態において、半導体処理チャンバのためのペデスタルが提供される。ペデスタルは、導電性材料を含み、基板を受け取るための支持面を有している基板支持体と、基板支持体内に封入された抵抗ヒータと、第１の端部において基板支持体に結合し、対向する端部において整合するインターフェイスに結合する中空シャフトであって、中空コアを有するシャフト本体と、内部冷却経路を介してペデスタルから熱を除去するための中空コアを取り囲み、シャフト本体内に設置される冷却チャネルアセンブリとを含む中空シャフトとを備えるペデスタルであって、基板支持体が加熱素子とリング状冷却チャネルの間に配置される熱制御間隙を有している。
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【課題】大幅なコスト増につながるターゲットアセンブリの損傷に起因する交換とパフォーマンスの低下に関して改良されたターゲットアセンブリを提供する。
【解決手段】スパッタリング用の回転ターゲットは、外面を有するターゲットバッキングチューブ２０５と、ターゲットバッキングチューブ２０５の外面と接触しており、かつ電気伝導性であり非熱伝導性であるバッキング層と、ターゲットバッキングチューブ２０５の周囲に位置しており、かつバッキング層と接触している複数のターゲット円筒体と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】
電子デバイスの製造設備内で基板キャリアを搬送するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】
キャリアを運ぶコンベヤ・システムに結合された複数のキャリア支持体を含むと共に、複数の基板ローディング・ステーションを含む電子デバイス製造設備の第１の基板ローディング・ステーションから第２の基板ローディング・ステーションへキャリアを搬送する要求を受信し２０５、少なくともこの搬送のために必要とされる時間が短くなり、且つ、コンベヤ・システムのバランスが維持されるように、第１の基板ローディング・ステーションから第２の基板ローディング・ステーションへ、キャリアを搬送するために、複数のキャリア支持体のうちの１つを割り当て２０７、第１の基板ローディング・ステーションからキャリアを運び２０９、第２の基板ローディング・ステーションへキャリアを運ぶ２１１ステップを含む。 （もっと読む）

基板処理用のプロセスチャンバ内で使用される再構成可能なシャワーヘッドが、本明細書内で提供される。いくつかの実施形態では、再構成可能なシャワーヘッドは、内部に配置された１以上のプレナムを有する本体と、１以上のプレナム内に配置されるように構成され、再構成可能なシャワーヘッドを複数のゾーンに分割する１以上のインサートを含むことができる。いくつかの実施形態では、基板処理システムは、１以上のプロセスガスをプロセスチャンバへ供給するためのガス供給部に結合された再構成可能なシャワーヘッドを有するプロセスチャンバであって、再構成可能なシャワーヘッドは、内部に配置された１以上のプレナムを有する本体と、１以上のプレナム内に配置されるように構成され、再構成可能なシャワーヘッドを複数のゾーンに分割する１以上のインサートを含むプロセスチャンバを含むことができる。
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酸化ケイ素層を形成する方法が開示される。これらの方法は、ラジカル前駆体とラジカル酸素前駆体の両方を炭素のないケイ素含有前駆体と同時に組み合わせるステップを含む。ラジカル前駆体およびケイ素含有前駆体の１つは窒素を含有する。このような方法の結果、ケイ素、酸素、および窒素含有層が基板上に堆積される。次いで、ケイ素、酸素、および窒素含有層の酸素含有量を増大させて、窒素をほとんど含有しない酸化ケイ素層を形成する。ラジカル酸素前駆体およびラジカル前駆体は、別個のプラズマまたは同じプラズマ内で作り出すことができる。酸素含有量の増大は、酸素含有雰囲気の存在下でこの層をアニールすることによって引き起こすことができ、膜の密度は、不活性環境中の温度をさらに高くすることによって、さらに増大させることができる。
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基板上に電流密度の高い垂直型のｐｉｎダイオードを形成する方法が記載される。これらの方法は、第ＩＶ族元素含有前駆体と、ｎ型ドーパント前駆体およびｐ型ドーパント前駆体へのいずれかの順序の連続露出を同時に組み合わせる工程を含む。第ＩＶ族元素含有前駆体を流しながら、ドーパント前駆体の流れを低減または除去することによって、ｎ型層とｐ型層の間に真性層が堆積される。この基板は、ｎ型層、真性層、およびｐ型層のそれぞれの堆積中、同じ処理チャンバ内に位置することができ、基板は、隣接する層の堆積間で大気へ露出されない。
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基板上に結晶半導体層を形成するための方法および装置が提供される。半導体層は気相堆積によって形成される。パルスレーザ溶融／再結晶化プロセスが半導体層を結晶層に変換するために実行される。レーザまたは他の電磁放射のパルスがパルス列に形成され、処置ゾーンにわたって均一に分配され、連続する隣接した処置ゾーンがパルス列にさらされて、堆積された材料を結晶材料に漸進的に変換する。
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