本明細書に記載した実施形態は、より小型軽量であり、高生産率でよりコスト効率良く製造できるより速い充電のより大きい容量のエネルギーストレージデバイスを製造する方法およびシステムを提供する。一実施形態では、段階的なカソード構造が提供される。段階的なカソード構造は、導電性基板と、導電性基板上に形成される第１の気孔率を有する第１のカソード活性材料を含む第１の多孔質層と、第１の多孔質層上に形成される第２の気孔率を有する第２のカソード活性材料を含む第２の多孔質層とを備える。いくつかの実施形態では、第１の気孔率は、第２の気孔率より大きい。いくつかの実施形態では、第１の気孔率は、第２の気孔率未満である。
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本発明の諸実施形態は、多層堆積する間中の欠陥を低減する方法を提示する。一実施形態では、この方法は、基板をプラズマの存在下で第１のガス混合物および不活性ガスに曝して、基板上に第１の材料の層を堆積するステップと、第１の材料の所望の厚さが得られたときに、プラズマを引き続き維持しつつ不活性ガスを流しながら、第１のガス混合物を終了させるステップと、基板をプラズマの存在下で、第１のガス混合物と共存できる不活性ガスおよび第２のガス混合物に曝して、第１の材料の層の上に第２の材料の層を同じ処理チャンバ内で堆積するステップとを含み、第１の材料の層と第２の材料の層は互いに異なる。
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【課題】大型基板上に堆積されるオルガノ珪酸塩膜の厚さ均一性を制御する方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、急速加熱処理などにより、処理チャンバ内に大型基板を提供するステップと、前記大型基板の表面周囲領域と前記周囲領域の内側表面領域とを含むように、前記大型基板上の識別可能な少なくとも２か所の温度を制御するステップと、前記大型基板の表面周囲領域の温度を、前記周囲領域の内側表面領域の温度より約１０℃低い温度から、前記周囲領域の内側表面領域の温度より約２０℃高い温度までの範囲内に維持するステップと、オルガノ珪酸塩膜を堆積するステップを備え、堆積された前記オルガノ珪酸塩膜は約１０％以下の膜均一性を提供する方法。 （もっと読む）

基板内に画定されたトレンチまたはビアを充填するケイ素含有誘電体材料上で湿式酸化処理を実行する方法が提供される。一実施形態では、誘電体材料を基板上に形成する方法は、流動性ＣＶＤ処理によって誘電体材料を基板上に形成するステップと、基板上に配置された誘電体材料を硬化させるステップと、基板上に配置された誘電体材料上で湿式酸化処理を実行するステップと、酸化させた誘電体材料を基板上に形成するステップとを含む。
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【課題】許容可能な拡散バリア特性と基板への密着性を耐熱性金属窒化物が有するように、基板上への窒化チタンなどの耐熱性金属窒化物膜の形成を提供する。
【解決手段】材料の層が、ウェハ上に部分的に形成された集積回路内の基板上に形成される。基板はプラズマアニールを受け、その間に基板はイオンでボンバードされる（工程３００）。プラズマアニールは、エネルギーを注入された窒素含有ガスから生成されたプラズマへ基板を曝すことにより実行できる。基板がプラズマアニールされた後、耐熱性金属窒化物の層が基板上に堆積される（工程３０１）。耐熱性金属窒化物の層は、次に、第１セットのイオンでボンバードされる。第１セットのイオンによる耐熱性金属のこのボンバードは、プラズマアニールを実行することにより達成できる。耐熱性金属窒化物は、更に、第２セットのイオンによりボンバードされる（工程３０２）。 （もっと読む）

制御されたチャネル歪みおよび接合抵抗を有するＮＭＯＳトランジスタ、およびその製造方法が、本明細書で提供される。いくつかの実施形態において、ＮＭＯＳトランジスタを形成するための方法は、（ａ）ｐ型シリコン区域を有する基板を準備すること、（ｂ）ｐ型シリコン区域の上にシリコンシード層を堆積すること、（ｃ）シリコン、シリコンおよび格子調整元素またはシリコンおよびｎ型ドーパントを備えるシリコン含有バルク層をシリコンシード層の上に堆積すること、（ｄ）（ｃ）で堆積されたシリコン含有バルク層に欠けている格子調整元素またはｎ型ドーパントのうちの少なくとも１つをシリコン含有バルク層の中に注入すること、（ｅ）（ｄ）の注入の後、シリコン含有バルク層をエネルギービームを用いてアニールすることを含むことができる。いくつかの実施形態において、基板は、その中に画定されたソース／ドレイン区域を有する、部分的に製造されたＮＭＯＳトランジスタデバイスを備えることができる。
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【課題】基板のずれ及び／又は破損を検出するのに必要なセンサの数を少なくし、比較的低コストで実施する。
【解決手段】移動中の基板１０６の少なくとも２つの平行な端部の長さに沿った、破損やずれ等の基板の欠陥の存在を検出する少なくとも２つのセンサ１４０Ａ、１４０Ｂを組み込んだ装置及び方法を提供する。一実施形態において、装置は、基板の欠陥を検出するための、少なくとも２つの平行な端部近傍で、基板をセンシングするセンサ構成を含む。他の実施形態において、装置は、基板サポート表面を有するロボット１１４又は１３０と、基板の欠陥を検出するための、少なくとも２つの平行な端部近傍で、基板をセンシングするセンサ構成とを含む。 （もっと読む）

誘電体層を形成する方法を説明する。この方法は、ケイ素を含有する前駆体をプラズマ廃水と混合するステップと、ケイ素と窒素を含有する層を基板上に堆積するステップとを含む。ケイ素と窒素を含有する層は、ケイ素と窒素を含有する層を堆積するために使用したのと同じ基板処理領域内においてオゾン含有雰囲気中で硬化することによって、ケイ素と酸素を含有する層に転換される。さらなるケイ素と窒素を含有する層を、ケイ素と酸素を含有する層の上に堆積することができ、ここでも基板を基板処理領域から取り出すことなく、層のスタックをオゾン中で硬化させることができる。複数回の堆積−硬化サイクル後、ケイ素と酸素を含有する層のスタックの転換は、より高い温度で酸素含有環境中においてアニールすることができる。
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酸化ケイ素層を形成する方法が記載される。方法は、無炭素シリコン含有前駆体をラジカル−窒素前駆体と混合すること、シリコン−窒素含有層を基板上に堆積することを含む。ラジカル−窒素前駆体は、プラズマ内に水素−窒素含有前駆体を流すことによって、プラズマ中で形成される。シリコン−窒素含有層を堆積する前に、酸化ケイ素ライナ層が形成され、シリコン−窒素含有層の接着、平滑性、流動性を改善する。シリコン−窒素含有層は、膜を硬化およびアニーリングすることにより、シリコン−酸素含有層に変換することができる。方法は、酸化ケイ素ライナ層を形成し、その後スピンオンシリコン含有材料を塗布することも含む。
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【課題】基板のハンドリングに際し、速度と信頼性とを改善することによって、処理速度を改善し、機器のコストおよび複雑さを減少させ、および／または、基板が微粒子に曝される可能性を減少させる基板処理システムを提供する。
【解決手段】第１の態様においては、第１の基板処理システム１１が提供され、その第１の基板処理システムは、（１）基板を運搬することができる複数の開口１５ａ〜１５ｄを有するチャンバ１３、（２）複数の開口中の第１の開口に結合された基板キャリアオープナー、（３）複数の開口中の第２の開口に結合された熱処理チャンバ１９ａ、１９ｂ、（４）基板クランプ・ブレードと、高温基板を運搬するように適合されたブレードとを有するチャンバ内に含まれるウエハ・ハンドラー２５を含む。その他の様々な態様が提供され、同様に、これらの、そして、その他の態様に基づいた方法およびコンピュータプログラムプロダクトが提供される。 （もっと読む）