半導体基板を選択的に１ステップで窒化するための方法および装置が提供される。窒素は、選択的窒化プロセスを利用することにより、シリコン領域および酸化ケイ素領域を有する半導体基板のシリコン領域中に選択的に組み込まれる。窒素含有プラズマを形成し、このプラズマからイオンをフィルタリングまたは除去することにより、基板に窒素含有ラジカルが向けられてもよく、または、選択前駆体を使用する熱窒化プロセスを実施してもよい。遠隔プラズマジェネレータが、１つまたは複数のイオンフィルタ、シャワーヘッド、およびラジカル分配器を任意に備える処理チャンバに結合されてもよく、または、ｉｎ ｓｉｔｕプラズマが生成され、１つまたは複数のイオンフィルタもしくはイオンシールドが、チャンバ内においてプラズマ発生ゾーンと基板支持体との間に配設されてもよい。
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ペデスタル上に支持されたウエハにプラズマ処理を行うための装置および方法を提供する。本装置は、ウエハを支持することができるペデスタル、可変容量を有する可変コンデンサ、可変コンデンサのキャパシタンスを変える可変コンデンサに取り付けられたモータ、モータを回転させてモータに接続されたモータコントローラ、およびペデスタルに接続された可変コンデンサからの出力部を含むことができる。可変コンデンサの所望の状態は、プロセスコントローラにおける処理方策に関連づけられている。処理方策が実行されると、可変コンデンサは所望の状態に置かれる。
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処理チャンバ（２０）が、任意に過酸化水素などの酸化剤とともに硫酸などの酸の存在下で基板上に直接赤外線放射を行うことを通じて硬化フォトレジストをうまく除去する。この処理チャンバは、ウェハを保持して任意に回転させるためのウェハホルダ（２６）を含む。赤外線照射アセンブリ（１２６）が、処理チャンバ内に赤外光を放射するように配置された、処理チャンバの外側の赤外線ランプ（１４０）を有する。これらの赤外線ランプは、ホルダ上のウェハ表面の実質的に全体を照射するように配列することができる。この赤外線放射アセンブリに冷却アセンブリ（１５０）を組み合わせて、迅速な冷却を行うとともに過剰処理を回避することができる。少量の薬品溶液を使用してフォトレジストが除去される。 （もっと読む）

炭素非含有シリコン−窒素前駆体およびラジカル窒素前駆体からシリコンおよび窒素を含む共形誘電体層（例えばシリコン−窒素−水素（Ｓｉ−Ｎ−Ｈ）膜）を形成するための方法、材料、およびシステムを説明する。炭素非含有シリコン−窒素前駆体は、ラジカル窒素前駆体との接触により優先的に励起される。シリコン−窒素膜が、炭素を含まずに形成されるため、膜を硬化された酸化ケイ素に転化させても、孔は殆ど形成されず、体積収縮も殆ど生じない。堆積されたシリコン−窒素含有膜は、共形誘電体層の光学特性を選択可能にし得る酸化ケイ素へと完全にまたは部分的に転化され得る。薄いシリコン−窒素含有膜の堆積は、基板トレンチ内にライナ層を形成するために、低温で実施され得る。低温ライナ層は、濡れ特性を向上させ、流動性膜をトレンチ内により完全に充填させることを可能にする。
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【課題】排出ストリームを削減するための改良された方法および装置を提供すること。
【解決手段】特定の実施形態では、ガスストリームから汚染物質を除去する際に使用するための装置が提供される。該装置は、複数の積層多孔性セラミックリングから形成された熱反応ユニットを含む。該多孔性セラミックリングの第１は第１の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有しており、該多孔性セラミックリングの第２は第２のＣＴＥを有している。他の態様も提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体処理システム（３２０）の前駆物質を生成する装置を提供する。
【解決手段】装置は、側壁（４０２）、上部、底部を有するキャニスタ（３００）を含んでいる。キャニスタ（３００）は、上の領域（４１８）と下の領域（４３４）を有する内容積（４３８）を画成している。一実施形態においては、装置は、更に、キャニスタ（３００）を部分的に取り囲んでいるヒータ（４３０）を含んでいる。ヒータ（４３０）によって、上の領域（４１８）と下の領域（４３４）間に温度勾配が生じる。また、精製ペンタキス(ジメチルアミド)タンタルから原子層堆積によってバリヤ層、例えば、窒化タンタルバリヤ層を形成する方法も特許請求される。 （もっと読む）

【課題】１つ以上の態様において、工業廃液、例えば、半導体及び液晶表示装置の製造プロセスで生成される廃液を処理するのに用いる熱反応器装置を提供する。
【解決手段】コントローラと、コントローラにより制御されるように用いられる反応チャンバ３２と、反応チャンバへの管と、反応チャンバ内の管の第１の端部に配置されたパイロット１６と、反応チャンバ外の管の第２の端部に配置され、コントローラに結合され、コントローラにパイロットが点灯したかどうかの指示を与えるように用いられるセンサと、管の開閉のために操作可能なアクチュエータとを含むシステムを有する。本発明の数多くのその他の態様が開示されている。 （もっと読む）

低誘電率層を基板上に堆積するための方法が提供される。一実施形態では、本方法は、１種または複数のオルガノシリコン化合物をチャンバに導入するステップであって、１種または複数のオルガノシリコン化合物がシリコン原子およびこのシリコン原子に結合されたポロゲン成分を含むステップと、１種または複数のオルガノシリコン化合物を、ＲＦ電力の存在下で反応させることにより、低誘電率層をチャンバ内の基板上に堆積させるステップと、低誘電率層からポロゲン成分が実質的に除去されるようにこの低誘電率層を後処理するステップとを含む。任意選択で、不活性キャリアガス、酸化ガス、またはその両方を、１種または複数のオルガノシリコン化合物と共に処理チャンバ内に導入してもよい。後処理プロセスは、堆積した材料の紫外線硬化とすることができる。ＵＶ硬化プロセスは、熱または電子ビーム硬化プロセスと同時にまたは連続して使用してもよい。低誘電率層は、良好な機械的性質および望ましい誘電率を有する。
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