流動性ＣＶＤ処理から形成された誘電体材料上で実行される湿式酸化処理
基板内に画定されたトレンチまたはビアを充填するケイ素含有誘電体材料上で湿式酸化処理を実行する方法が提供される。一実施形態では、誘電体材料を基板上に形成する方法は、流動性ＣＶＤ処理によって誘電体材料を基板上に形成するステップと、基板上に配置された誘電体材料を硬化させるステップと、基板上に配置された誘電体材料上で湿式酸化処理を実行するステップと、酸化させた誘電体材料を基板上に形成するステップとを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハなどの基板を処理する方法に関し、より詳細には、基板上に配置された誘電体材料を湿式酸化させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
サブハーフミクロン以下の特徴を確実に作り出すことは、半導体デバイスの次世代の超大規模集積（ＶＬＳＩ）および極超大規模集積（ＵＬＳＩ）のための主要な技術の１つである。しかし、集積回路技術の限界に挑むとき、ＶＬＳＩおよびＵＬＳＩ技術における相互接続の寸法を縮小することで、処理能力にさらなる要求が加えられてきた。集積回路は、回路内で様々な機能を実行するように基板（たとえば、半導体ウエハ）上に形成されて協働する百万個を超える微小電界効果トランジスタ（たとえば、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）電界効果トランジスタ）を含むことができる。ゲートパターンおよび浅いトレンチ隔離（ＳＴＩ）領域を確実に形成することは、集積回路の成功にとって重要であり、また個々の基板およびダイの回路密度および品質を増大させるための継続的な努力にとって重要である。より大きい回路密度を実現するには、デバイス特徴の寸法を低減させなければならないだけでなく、デバイス間の隔離構造の寸法も同様に低減させなければならない。
【０００３】
現在の隔離技法は、浅いトレンチ隔離（ＳＴＩ）処理を含む。ＳＴＩ処理は、第１に基板内へ所定の幅および深さを有するトレンチをエッチングすることを含む。次いでトレンチは、誘電体材料層で充填される。次いで誘電体材料は、たとえば、化学機械研磨（ＣＭＰ）処理によって平坦化される。
【０００４】
トレンチの幅が縮小し続けるため、アスペクト比（深さを幅で割った値）は増加し続ける。アスペクト比の高いトレンチの製造に関する１つの難題は、トレンチ内での誘電体材料の堆積中にボイドの形成を回避することである。
【０００５】
トレンチを充填するには、酸化ケイ素などの誘電体材料層が堆積される。誘電体層は通常、トレンチの領域、ならびに壁および底部を覆う。トレンチが広くて浅い場合、そのトレンチを完全に充填するのは比較的容易である。しかし、アスペクト比が増大するにつれて、トレンチの開口が「分離」してトレンチ内にボイドを形成する可能性が高まる。
【０００６】
トレンチ内にボイドを形成する可能性、またはトレンチ内にシームを形成する可能性を低減させるために、欠陥なくトレンチを誘電体材料で充填する多くの異なる処理技法が開発されてきた。たとえば、従来のスプレー塗装処理を使用すると、液体の前駆体でトレンチを充填して、ボイドまたはシームのない誘電体材料をトレンチ内に形成することができる。通常、液体の前駆体がトレンチを充填した後、高温のアニール処理を実行して、液体の前駆体から湿気を除去し、それによってトレンチ内に誘電体材料を固相で形成する。しかし、トレンチを充填するために使用される液体の前駆体は、形成された誘電体材料の電気的特性を逆に劣化させうる汚染物質を含むことがあるため、この堆積技法では、膜の不純物濃度が高いことが多く、それによってデバイス性能に悪影響を与える。
【０００７】
別の例では、高アスペクト比処理（ＨＡＲＰ）を使用して、誘電体材料を形成することができる。これらの処理は、堆積処理の異なる段階中に異なる速度で誘電体材料を堆積させることを含む。より低い堆積速度を使用すると、より共形の誘電体層をトレンチ内に形成することができ、より高い堆積速度を使用すると、トレンチの上にバルク誘電体層を形成することができる。しかし、ＨＡＲＰ処理は、処理量が低いことが多く、その結果、製造コストが高くなる。
【０００８】
したがって、高アスペクト比隔離構造を作り出す処理および装置の改善が必要とされている。
【発明の概要】
【０００９】
本発明の実施形態は、酸化させた誘電体材料を基板上に形成する処理について説明する。この処理は、酸化させた誘電体材料による実質上ボイドまたはシームのないトレンチの間隙充填を提供する。この処理を利用して、様々な絶縁構造およびデバイスを形成することができる。たとえば、この処理は、他の構造の中でも、浅いトレンチ隔離（ＳＴＩ）デバイスおよび層間絶縁層を形成する際に使用することができる。一実施形態では、酸化させた誘電体材料を基板上に形成する方法は、流動性ＣＶＤ処理によって誘電体材料を基板上に形成するステップと、基板上に配置された誘電体材料を硬化させるステップと、基板上に配置された誘電体材料上で湿式酸化処理を実行するステップと、酸化させた誘電体材料を基板上に形成するステップとを含む。
【００１０】
別の実施形態では、酸化させた誘電体材料を基板上に形成する方法は、流動性ＣＶＤ処理によって、式ＳｉｘＮｙＨｚを有するケイ素含有層を基板上に形成するステップと、基板上に配置されたケイ素含有層を硬化させるステップと、酸素源を有する処理溶液にケイ素含有層を浸漬するステップであって、処理溶液中の酸素源が、ケイ素含有層内のケイ素窒素またはケイ素水素結合をケイ素酸素結合と少なくとも部分的に置き換える、ステップと、酸化させたケイ素含有層を基板上に形成するステップとを含む。
【００１１】
さらに別の実施形態では、酸化させた誘電体材料を基板上に形成する方法は、流動性ＣＶＤ処理によってケイ素含有層を基板上に形成するステップであって、ケイ素含有層が、トリシリルアミン（ＴＳＡ）およびＮＨ３を含有する混合ガスに露出させることによって形成される、ステップと、基板上に配置されたケイ素含有層を硬化させるステップと、脱イオン（ＤＩ）水の中にＯ３を含んだ処理溶液でケイ素含有層を湿らせるステップであって、脱イオン（ＤＩ）水の中に配置されたオゾンが、１リットル（Ｌ）当たり約１ミリグラム（ｍｇ）〜１リットル当たり約１０００ミリグラム（ｍｇ）の濃度を有する、ステップと、酸化させたケイ素含有層を基板上に形成するステップとを含む。
【００１２】
本発明の上記の特徴を詳細に理解できるように、実施形態を参照すれば、上記で簡単に要約した本発明についてのより具体的な説明を得ることができる。実施形態の一部を、添付の図面に示す。しかし、本発明は他の等しく効果的な実施形態も許容しうるため、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを示し、したがって本発明の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。それでもなお、本発明の教示は、添付の図面と一緒に以下の詳細な説明を考慮することによって容易に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】処理器具の一実施形態の上面図である。
【図２】処理チャンバの一実施形態の概略横断面図である。
【図３】本発明の一実施形態を組み込む方法を示す処理流れ図である。
【図４】Ａ〜Ｅは基板上に画定されたトレンチ内に形成された誘電体材料を有する基板の概略横断面図である。
【図５】本発明の一実施形態によって使用できる湿式処理タンクの概略横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
理解を容易にするために、可能な場合、複数の図に共通の同一の要素を指すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態で開示する要素は、具体的な記述がなくても、他の実施形態で有益に利用できることも企図される。
【００１５】
図１は、開示する実施形態による堆積チャンバ、焼成チャンバ、および硬化チャンバの処理器具１００の一実施形態の上面図である。処理器具１００では、１対のＦＯＵＰ（前方開口型統一ポッド）１０２が基板（たとえば、直径３００ｍｍのウエハ）を供給し、基板はロボットアーム１０４によって受け取られ、ロードロックチャンバ１０６内へ配置される。ロードロックチャンバ１０６に結合された移送チャンバ１１２内には、第２のロボットアーム１１０が配置される。第２のロボットアーム１１０は、基板をロードロックチャンバ１０６から、移送チャンバ１１２に結合された処理チャンバ１０８ａ〜ｆへ輸送するために使用される。
【００１６】
処理チャンバ１０８ａ〜ｆは、基板ウエハ上で流動性のある誘電体膜を堆積、アニール、硬化、および／またはエッチングする１つまたは複数のシステム構成要素を含むことができる。一構成では、２対の処理チャンバ（たとえば、１０８ｃ〜ｄおよび１０８ｅ〜ｆ）を使用して、基板上に流動性のある誘電体材料を堆積させることができ、第３の対の処理チャンバ（たとえば、１０８ａ〜ｂ）を使用して、堆積させた誘電体をアニール／硬化させることができる。別の構成では、同じ２対の処理チャンバ（たとえば、１０８ｃ〜ｄおよび１０８ｅ〜ｆ）は、基板上で流動性のある誘電体膜の堆積とアニール／硬化をどちらも行うように構成することができ、第３の対のチャンバ（たとえば、１０８ａ〜ｂ）は、堆積させた膜のＵＶまたは電子ビーム硬化に使用することができる。さらに別の構成では、３対のチャンバ（たとえば、１０８ａ〜ｆ）すべてを、基板上で流動性のある誘電体材料を堆積させて硬化させるように構成することができる。
【００１７】
さらに別の構成では、２対の処理チャンバ（たとえば、１０８ｃ〜ｄおよび１０８ｅ〜ｆ）を、流動性のある誘電体材料の堆積とＵＶまたは電子ビーム硬化の両方に使用することができ、第３の対の処理チャンバ（たとえば、１０８ａ〜ｂ）を、誘電体材料のアニールに使用することができる。処理器具１００によって、流動性のある誘電体膜向けの堆積チャンバ、アニールチャンバ、および硬化チャンバの追加の構成も企図されることを理解されたい。
【００１８】
さらに、処理チャンバ１０８ａ〜ｆの１つまたは複数は、湿式処理／酸化チャンバとして構成することができる。これらの処理チャンバは、処理溶液を含む環境で流動性のある誘電体材料を湿式処理することを含む。したがって、処理器具１００の実施形態は、堆積させた誘電体材料上で湿式処理と乾式処理の両方を実行するために、湿式処理／酸化チャンバ１０８ａ〜ｂおよびアニール処理チャンバ１０８ｃ〜ｄを含むことができる。
【００１９】
図２は、分割されたプラズマ発生領域を有する流動性化学気相堆積（すなわち、処理）チャンバ２００の一実施形態の横断面図である。処理チャンバ２００は、流動性のある誘電体材料を基板上に堆積させるように少なくとも構成される処理チャンバ１０８ａ〜ｆのいずれかとすることができる。膜の堆積（酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、または酸炭化ケイ素の堆積）中、ガス入り口アセンブリ２０５を通って第１のプラズマ領域２１５内へプロセスガスを流すことができる。プロセスガスは、遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）２０１内の第１のプラズマ領域２１５に入る前に励起させることができる。処理チャンバ２００は、リッド２１２およびシャワーヘッド２２５を含む。リッド２１２は、交流電圧源が印加されたところを示し、シャワーヘッド２２５は接地されており、第１のプラズマ領域２１５内のプラズマ発生と一致する。リッド２１２とシャワーヘッド２２５の間に絶縁リング２２０が位置決めされ、第１のプラズマ領域２１５内に容量結合プラズマ（ＣＣＰ）を形成することができる。リッド２１２およびシャワーヘッド２２５は、絶縁リング２２０が間に位置するところを示し、それによってシャワーヘッド２２５に対してリッド２１２に交流電位を印加することができる。
【００２０】
リッド２１２は、処理チャンバとともに使用するためのデュアルソースリッドとすることができる。ガス入り口アセンブリ２０５内に、２つの別個のガス供給チャネルが見える。第１のチャネル２０２は、遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）２０１を通過するガスを運び、第２のチャネル２０４は、ＲＰＳ２０１を迂回する。第１のチャネル２０２は、プロセスガスに使用することができ、第２のチャネル２０４は、処理ガスに使用することができる。第１のプラズマ領域２１５内へ流れるガスは、バッフル２０６によって分散させることができる。
【００２１】
前駆体などの流体は、シャワーヘッド２２５を通って処理チャンバ２００の第２のプラズマ領域２３３内へ流すことができる。第１のプラズマ領域２１５内の前駆体から導出される励起種は、シャワーヘッド２２５内の開孔２１４を通って進み、シャワーヘッド２２５から第２のプラズマ領域２３３内へ流れる前駆体と反応する。第２のプラズマ領域２３３内には、プラズマはほとんどまたはまったく存在しない。前駆体の励起された誘導体は、第２のプラズマ領域２３３内で組み合わさり、基板上に流動性のある誘電体材料を形成する。誘電体材料が成長するため、より最近追加された材料は、下にある材料より高い移動度を保持する。移動度は、蒸発によって有機含有量が低減されるにつれて低減する。この技法を使用して、流動性のある誘電体材料によって間隙を充填することができ、堆積が完了した後、誘電体材料内に従来の密度の有機含有量を残さない。それでもなお、硬化ステップを使用して、堆積させた膜から有機含有量をさらに低減または除去することができる。
【００２２】
第１のプラズマ領域２１５内の前駆体を単独で、または遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）２０１と組み合わせて励起させることで、いくつかの利益を提供する。第１のプラズマ領域２１５内のプラズマのため、前駆体から導出される励起種の濃度は、第２のプラズマ領域２３３内で増大させることができる。この増大は、第１のプラズマ領域２１５内のプラズマの位置から得ることができる。第２のプラズマ領域２３３は、遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）２０１より第１のプラズマ領域２１５の近くに位置し、励起種が他の気体分子、チャンバの壁、およびシャワーヘッドの表面との衝突を通じて励起状態から抜け出す時間をほとんど残さない。
【００２３】
前駆体から導出される励起種の濃度の均一性はまた、第２のプラズマ領域２３３内で増大させることができる。これは、第２のプラズマ領域２３３の形状により類似している第１のプラズマ領域２１５の形状から得ることができる。遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）２０１内で作られた励起種は、シャワーヘッド２２５のエッジ付近で開孔２１４を通過するには、シャワーヘッド２２５の中心付近で開孔２１４を通過する種に比べてより大きい距離を進む。距離がより大きい結果、励起種の励起が低減され、たとえばその結果、基板のエッジ付近の成長速度がより遅くなることがある。第１のプラズマ領域２１５内で前駆体を励起させることで、このばらつきを緩和する。
【００２４】
前駆体に加えて、様々な目的のために、様々な時点で他のガスを導入することができる。処理ガスを導入して、チャンバ壁、基板、堆積させた膜、および／または堆積中の膜から望ましくない種を除去することができる。処理ガスは、Ｈ２、Ｈ２／Ｎ２混合物、ＮＨ３、ＮＨ４ＯＨ、Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ２、および水蒸気を含む群からのガスの少なくとも１つを含むことができる。処理ガスをプラズマ内で励起し、次いでこれを使用して、堆積させた膜から残留有機含有量を低減または除去することができる。他の実施形態では、処理ガスは、プラズマとともに使用することができる。処理ガスが水蒸気を含むとき、供給は、質量流量計（ＭＦＭ）および噴射弁を使用して、または他の適切な水蒸気ジェネレータによって実現することができる。
【００２５】
実施形態では、誘電体材料前駆体、たとえばケイ素含有前駆体を導入し、第２のプラズマ領域２３３内で処理前駆体を反応させることによって、誘電体層を堆積させることができる。誘電体材料前駆体の例は、シラン、ジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、トリエトキシシラン（ＴＥＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、テトラメチル−ジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、テトラメチル−ジエトキシル−ジシロキサン（ＴＭＤＤＳＯ）、ジメチル−ジメトキシル−シラン（ＤＭＤＭＳ）、またはこれらの組合せを含むケイ素含有前駆体である。窒化ケイ素を堆積させるための追加の前駆体には、シリル−アミンなどのＳｉｘＮｙＨｚ含有前駆体、ならびにトリシリルアミン（ＴＳＡ）およびジシリルアミン（ＤＳＡ）を含むその誘導体、ＳｉｘＮｙＨｚＯｚｚ含有前駆体、ＳｉｘＮｙＨｚＣｌｚｚ含有前駆体、またはこれらの組合せが含まれる。
【００２６】
処理前駆体には、水素含有化合物、酸素含有化合物、窒素含有化合物、またはこれらの組合せが含まれる。適切な処理前駆体の例には、Ｈ２、Ｈ２／Ｎ２混合物、ＮＨ３、ＮＨ４ＯＨ、Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ２、Ｎ２、Ｎ２Ｈ４蒸気を含むＮｘＨｙ化合物、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、水蒸気、またはこれらの組合せを含む群から選択された化合物の１つまたは複数が含まれる。処理前駆体は、Ｎ＊および／またはＨ＊および／またはＯ＊含有基またはプラズマ、たとえばＮＨ３、ＮＨ２＊、ＮＨ＊、Ｎ＊、Ｈ＊、Ｏ＊、Ｎ＊Ｏ＊、またはこれらの組合せを含むように、ＲＰＳユニット内などでプラズマ励起することができる。別法として、処理前駆体は、本明細書に記載する前駆体の１つまたは複数を含むことができる。
【００２７】
処理前駆体は、第１のプラズマ領域２１５内でプラズマ励起して、Ｎ＊および／またはＨ＊および／またはＯ＊含有基またはプラズマ、たとえばＮＨ３、ＮＨ２＊、ＮＨ＊、Ｎ＊、Ｈ＊、Ｏ＊、Ｎ＊Ｏ＊、またはこれらの組合せを含むプロセスガスプラズマおよび基を作り出すことができる。別法として、処理前駆体は、遠隔プラズマシステムを通過した後、第１のプラズマ領域２１５へ導入する前にすでにプラズマ状態にすることができる。
【００２８】
次いで、励起された処理前駆体２９０は、開孔２１４を通って、前駆体と反応させるために第２のプラズマ領域２３３へ供給される。処理体積内に入った後、処理前駆体は混合および反応して、誘電体材料を堆積させることができる。
【００２９】
一実施形態では、処理チャンバ２００内で実行される流動性ＣＶＤ処理は、ポリシラザンベースのケイ素含有膜（ＰＳＺ状膜）として誘電体材料を堆積させることができる。ポリシラザンベースのケイ素含有膜は、ポリシラザンベースのケイ素含有膜が堆積された基板内に画定されたトレンチ、特徴、ビア、または他の開孔内でリフロー可能および充填可能とすることができる。
【００３０】
誘電体材料前駆体および処理前駆体に加えて、様々な目的のために、様々な時点で他のガスを導入することができる。処理ガスを導入して、チャンバ壁、基板、堆積させた膜、および／または堆積中の膜から、水素、炭素、およびフッ素などの望ましくない種を除去することができる。処理前駆体および／または処理ガスは、Ｈ２、Ｈ２／Ｎ２混合物、ＮＨ３、ＮＨ４ＯＨ、Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ２、Ｎ２、Ｎ２Ｈ４蒸気、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、水蒸気、またはこれらの組合せを含む群からのガスの少なくとも１つを含むことができる。処理ガスをプラズマ内で励起し、次いでこれを使用して、堆積させた膜から残留有機含有量を低減または除去することができる。開示する他の実施形態では、処理ガスは、プラズマなしで使用することができる。処理ガスが水蒸気を含むとき、供給は、質量流量計（ＭＦＭ）および噴射弁を使用して、または市販の水蒸気ジェネレータによって実現することができる。処理ガスは、ＲＰＳユニットを通って、またはＲＰＳユニットを迂回して、第１の処理領域内へ導入することができ、第１のプラズマ領域内でさらに励起することができる。
【００３１】
窒化ケイ素材料には、窒化ケイ素ＳｉｘＮｙ、水素含有窒化ケイ素ＳｉｘＮｙＨｚ、水素含有酸窒化ケイ素ＳｉｘＮｙＨｚＯｚｚを含む酸窒化ケイ素、および塩素化窒化ケイ素ＳｉｘＮｙＨｚＣｌｚｚを含むハロゲン含有窒化ケイ素が含まれる。次いで、堆積させた誘電体材料を、酸化ケイ素状の材料に変換することができる。
【００３２】
処理チャンバ、処理、および器具は、２００８年９月１５日出願の特許出願第１２／２１０，９４０号、および２００８年９月１５日出願の特許出願第１２／２１０，９８２号に、より詳細に記載されている。同願を、全体として参照により本明細書に組み込む。
【００３３】
図３は、図２に示すチャンバ２００、または他の適切な処理チャンバ内で実行できる処理３００の一実施形態の流れ図である。図４Ａ〜４Ｅは、処理３００の様々な段階に対応する基板の一部分の概略横断面図である。図４Ａ〜４Ｅに示す浅いトレンチ隔離（ＳＴＩ）構造製造処理など、基板内に画定されたトレンチ内に誘電体の絶縁材料を形成する処理３００を示すが、処理３００を有益に利用して、基板上に層間誘電体（ＩＬＤ）構造などの他の構造を形成することもできる。
【００３４】
処理３００は、ステップ３０２で、図４Ａに示すような基板４００を、図２に示す流動性化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ２００などの堆積処理チャンバへ移送（すなわち、提供）することによって始まる。一実施形態では、基板４００は、基板４００上に形成された浅いトレンチ隔離（ＳＴＩ）構造４０４などの構造を形成するために利用される１つまたは複数の層が形成されたシリコン半導体基板とすることができる。別の実施形態では、基板４００は、異なるパターンおよび／または特徴を形成するために利用される複数の層、たとえば積層膜を有するシリコン半導体基板とすることができる。基板４００は、結晶シリコン（たとえば、Ｓｉ＜１００＞またはＳｉ＜１１１＞）、酸化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコンゲルマニウム、ドープまたは非ドープポリシリコン、ドープまたは非ドープシリコンウエハおよびパターン付きまたはパターンなしウエハの絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）、炭素ドープ酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープシリコン、ゲルマニウム、砒化ガリウム、ガラス、サファイア、シリコン上に配置された金属層などの材料とすることができる。基板４００は、直径２００ｍｍまたは３００ｍｍのウエハ、ならびに方形または正方形のパネルなどの様々な寸法を有することができる。本発明に示す実施形態では、基板４００は、シリコン半導体基板とすることができる。
【００３５】
一実施形態では、図４Ａに示すように、基板４００上に層４０２が配置され、ＳＴＩ構造４０４を製作するのに適している。層４０２は、シリコン膜、たとえばブランケットベアシリコン膜とすることができる。別法として、層４０２が存在しない実施形態では、層４０２上で実行されると説明する処理は、基板４００上で行うことができる。
【００３６】
一実施形態では、浅いトレンチ隔離（ＳＴＩ）構造を製造するために、層４０２をエッチングまたはパターニングして層４０２内にトレンチ４０６を形成してもよく、この構造を使用して、集積回路内のデバイスを互いから電気的に隔離することができる。さらに、基板４００によって、トランジスタゲート構築物および隣接するトランジスタソース／ドレイン領域に対して、ＳＴＩ構造４０４を形成することができる。トレンチ４０６は、デバイス隔離のために層４０２内に形成される。
【００３７】
ステップ３０４で、図４Ｂに示すように、基板４００上に誘電体材料４０８が堆積され、層４０２内に画定されたトレンチ４０６を充填する。誘電体材料４０８は、図２を参照して上述したように、処理チャンバ２００内で実行される流動性化学気相堆積処理によって堆積させることができる。一実施形態では、誘電体材料４０８は、処理チャンバ２００内へ供給される混合ガスによって堆積されたケイ素含有材料である。
【００３８】
一実施形態では、誘電体材料４０８を形成するために処理チャンバ２００内へ供給される混合ガスは、誘電体材料前駆体および処理前駆体を含むことができる。誘電体材料前駆体の適切な例には、シラン、ジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、トリエトキシシラン（ＴＥＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、テトラメチル−ジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、テトラメチル−ジエトキシル−ジシロキサン（ＴＭＤＤＳＯ）、ジメチル−ジメトキシル−シラン（ＤＭＤＭＳ）、またはこれらの組合せが含まれる。窒化ケイ素を堆積させるための追加の前駆体には、シリル−アミンなどのＳｉｘＮｙＨｚ含有前駆体、ならびにトリシリルアミン（ＴＳＡ）およびジシリルアミン（ＤＳＡ）を含むその誘導体、ＳｉｘＮｙＨｚＯｚｚ含有前駆体、ＳｉｘＮｙＨｚＣｌｚｚ含有前駆体、またはこれらの組合せが含まれる。１つの例示的な実施形態では、誘電体材料４０８を堆積させるために使用されるケイ素含有前駆体は、トリシリルアミン（ＴＳＡ）である。さらに、処理前駆体の適切な例は、窒素含有前駆体を含むことができる。窒素含有前駆体の適切な例には、Ｈ２／Ｎ２混合物、Ｎ２、ＮＨ３、ＮＨ４ＯＨ、Ｎ２、Ｎ２Ｈ４蒸気を含むＮｘＨｙ化合物、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２などが含まれる。さらに、処理前駆体はまた、水素含有化合物、酸素含有化合物、またはこれらの組合せを含むことができる。適切な処理前駆体の例には、Ｈ２、Ｈ２／Ｎ２混合物、Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ２、水蒸気、またはこれらの組合せを含む群から選択された化合物の１つまたは複数が含まれる。処理前駆体は、Ｎ＊および／またはＨ＊および／またはＯ＊含有基またはプラズマ、たとえばＮＨ３、ＮＨ２＊、ＮＨ＊、Ｎ＊、Ｈ＊、Ｏ＊、Ｎ＊Ｏ＊、またはこれらの組合せを含むように、ＲＰＳユニット内などでプラズマ励起することができる。別法として、処理前駆体は、必要に応じてこれらの前駆体の１つまたは複数を含むことができる。一実施形態では、誘電体材料４０８を堆積させるために使用される処理前駆体は、ＮＨ３ガスである。
【００３９】
一実施形態では、堆積処理中の基板温度は、所定の範囲で維持される。一実施形態では、基板温度は、流動性を有するように基板上に形成された誘電体材料４０８がトレンチ４０６内でリフローおよび充填できるように、摂氏１００度未満など、摂氏約２００度未満で維持される。摂氏１００度未満など、相対的なより低い基板温度は、基板表面上に最初に形成された膜を液体状の流動状態で維持して、基板上に形成されたその結果得られる膜の流動性および粘性を保つのを助けることができると考えられる。その結果得られる膜は、ある程度の流動性および粘性を有して基板上に形成されるため、後の熱および湿式処理後、膜の結合構造を、異なる官能基または結合構造と、および異なる官能基または結合構造に変形、変換、交換することができる。一実施形態では、処理チャンバ内の基板温度は、摂氏約１００度未満など、ほぼ室温から摂氏約２００度の範囲、たとえば摂氏約３０度および摂氏約８０度で維持される。
【００４０】
誘電体材料前駆体は、約１ｓｃｃｍ〜約５０００ｓｃｃｍの流量で、処理チャンバ内へ供給することができる。処理前駆体は、約１ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍの流量で、処理チャンバ内へ供給することができる。別法として、処理中に供給される混合ガスはまた、約０．１〜約１００の誘電体材料前駆体と処理前駆体の流量比で制御することができる。処理圧力は、約０．５トルおよび約０．７トルなど、約０．１０トル〜約１０トル、たとえば約０．１トルおよび約１トルで維持される。
【００４１】
処理チャンバ２００に混合ガスが提供されるとき、１つまたは複数の不活性ガスを含むこともできる。不活性ガスは、Ａｒ、Ｈｅ、Ｘｅなどの希ガスを含むことができるが、それだけに限定されるものではない。不活性ガスは、約１ｓｃｃｍ〜約５００００ｓｃｃｍの流量比で、処理チャンバに供給することができる。
【００４２】
堆積中にプラズマを維持するために、ＲＦ出力が印加される。ＲＦ出力は、約３５０ｋＨｚまたは約１３．５６ＭＨｚなど、約１００ｋＨｚ〜約１００ＭＨｚで提供される。別法として、ＶＨＦ出力を利用して、最高約２７ＭＨｚ〜約２００ＭＨｚの周波数を提供することもできる。一実施形態では、ＲＦ出力は、約１０００ワット〜約１００００ワットで供給することができる。基板からシャワーヘッド２２５までの間隔は、基板寸法に従って制御することができる。一実施形態では、処理間隔は、約１００ミル〜約５インチで制御される。
【００４３】
一実施形態では、基板４００上に形成される誘電体材料４０８は、基板４００内に形成されたＳｉｘＮｙＨｚまたは−Ｓｉ−Ｎ−Ｈ−結合など、窒素または水素原子を有するケイ素含有材料である。ここで、ｘは２〜２００の整数であり、ｙ、ｚは０〜４００の整数である。混合ガス中で供給される処理前駆体は、堆積中に窒素および水素種を提供することができるため、誘電体材料４０８内に形成されるケイ素原子は、−Ｓｉ−Ｎ−Ｈ−、−Ｓｉ−Ｎ−、もしくは−Ｓｉ−Ｈ−、または他の異なる結合を含有することができる。さらに、後の熱および湿式処理によってＳｉ−Ｎ、Ｎ−Ｈ、Ｓｉ−Ｈ結合をＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合と置き換えて、酸化ケイ素層として誘電体材料４０８を形成する。
【００４４】
ステップ３０６で、基板４００上に誘電体材料４０８を形成した後、基板４００を硬化および／または熱処理して、誘電体材料４０８を焼成する。硬化／焼成処理は、図４Ｃに示すように、堆積させた誘電体材料４０８から湿気を除去して、固相の誘電体材料４０８を形成する。誘電体材料４０８を硬化させると、堆積させた誘電体材料４０８内の湿気および溶剤が除去され、その結果、堆積させた誘電体材料４０８は、基板４００内に画定されたトレンチ４０６内で再充填およびリフローし、それによって基板４００上に実質上平面の表面４１０を形成する。一実施形態では、ステップ３０６で実行される硬化処理は、基板４００に十分な熱を提供できる熱板、炉、加熱されたチャンバ、または適切な器具上で実行することができる。
【００４５】
一実施形態では、硬化温度は、摂氏８０度未満など、摂氏１００度未満、たとえば摂氏約５０度で制御することができる。硬化時間は、約１秒〜約１０時間で制御することができる。
【００４６】
ステップ３０６の硬化処理後、ステップ３０８で、湿式酸化処理を基板４００上で実行することができる。ステップ３０６の硬化処理後、基板４００上に形成された誘電体材料４０８はまだ高密度化されておらず、Ｓｉ−Ｎ、Ｎ−Ｈ、Ｓｉ−Ｈ結合の構造はやはり、誘電体材料４０８内に形成された主な結合構造として残っている。したがって、ステップ３０８で実行される湿式酸化処理は、誘電体材料４０８の化学組成を修正して、Ｓｉ−Ｎ、Ｎ−Ｈ、Ｓｉ−Ｈ結合をＳｉ−Ｏ−ＳｉまたはＳｉ−Ｏ結合およびネットワーク構造と置き換え、誘電体材料４０８を酸化させる。湿式酸化処理は、誘電体材料４０８内で形成される酸素元素の重量百分率を増大させながら、誘電体材料４０８内で形成される窒素および水素元素の重量百分率を低減させる。
【００４７】
一実施形態では、ステップ３０８で、基板４００を配置し、浸漬し、浸し、湛水し、または湿式処理して、湿式酸化処理を実行する。一実施形態では、湿式処理タンク５００などの湿式タンク内に含まれる液体槽によって基板４００を湿らせて、湿式酸化処理を実行する。これについては、図５を参照してさらに後述する。基板４００はまた、他の製造者からの容器を含めて、任意の他の適切な処理容器内でも処理できることに留意されたい。湿式酸化処理は、誘電体材料４０８内で酸素交換処理を開始し、それによって誘電体材料４０８内で連鎖反応状の処理を起こし、窒素および／または水素結合を酸素結合と急速に置き換えることができると考えられる。酸化交換処理後、図４Ｅに示すように、酸化させた誘電体材料４１２内に、強い酸化ケイ素結合（−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ）を形成することができる。
【００４８】
基板４００上で湿式酸化処理を実行するために使用される湿式酸化処理溶液は、酸素源を提供し、誘電体材料４０８内で形成される窒素および水素元素を酸素元素に置き換えて変換する。一実施形態では、湿式酸化処理溶液は、脱イオン（ＤＩ）オゾン水、たとえば脱イオン（ＤＩ）水内にオゾンが含まれたものを含むことができる。脱イオン（ＤＩ）水の中で、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｈ２Ｏ蒸気またはスチーム、Ｈ２Ｏ２などの他の酸素源を使用して、湿式酸化処理を実行することもできる。さらに、ＳＣ１などの適切な酸性またはベースの溶液（たとえば、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２の希釈剤）、またはＳＣ２溶液（たとえば、ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２の希釈剤）を使用して、湿式酸化処理を実行することもできる。一実施形態では、オゾン源は常に吹き出して、脱イオン（ＤＩ）水溶液中へ供給され、飽和した脱イオン（ＤＩ）オゾン水を形成し、溶液中に浸漬された基板４００を湿式酸化させる。一実施形態では、湿式酸化処理のための脱イオン（ＤＩ）水の中に含まれるオゾンの濃度は、１リットル（Ｌ）当たり約１ミリグラム（ｍｇ）〜１リットル（Ｌ）当たり約１０００ミリグラム（ｍｇ）で制御される。
【００４９】
一実施形態では、湿式酸化溶液／槽は、摂氏約８０度未満など、摂氏１００度未満、たとえば摂氏約７５度未満の温度で制御することができる。比較的低い温度の湿式酸化処理は、基板４００へ生成される熱量を低減させ、それによって基板４００上に形成される膜層またはデバイス構造を損傷する可能性を低減させることができると考えられる。さらに、摂氏４５度より高い温度で湿式酸化処理を実行することで、誘電体材料４０８のより速い酸化速度を促進でき、誘電体材料４０８をより短い時間で効率的に酸化させることができることも分かる。一例では、湿式酸化処理の温度は、摂氏４０度を上回るが摂氏１００度未満で制御することができる。たとえば、湿式酸化処理の温度は、摂氏約４５度で制御することができる。
【００５０】
さらに、湿式酸化処理溶液は、低コストで速く簡単な処理を提供し、したがって全体的な処理の複雑さを低減させながら、製造コストおよび処理サイクル時間も低減させることができる。一実施形態では、基板４００上で実行される湿式酸化処理に対する処理時間は、約１秒〜約１０時間で制御することができる。別法として、処理時間はまた、誘電体材料４０８内の所望の百分率または原子重量のケイ素−窒素および／またはケイ素−水素結合がケイ素−酸素結合に変換されるまで、酸化させた誘電体材料４１２内に形成された結合構造を観察することによって制御することができる。酸化させた誘電体材料４１２の結合構造は、ＦＴＩＲ、ＳＩＭＳ、またはＸＰＳによって検査または観察することができる。
【００５１】
一例では、ＦＴＩＲ測定機器を利用して、酸化させた誘電体材料４１２の結合構造を検査することができる。ＦＴＩＲスペクトルでは、約１０８０ｎｍのＳｉ−Ｏ信号が増大され、約８３５〜８６０ｎｍのＳｉ−Ｎ信号および／または約２１５４〜２１８０ｎｍのＳｉ−Ｈ信号が低減されるとき、ケイ素窒素結合および／またはケイ素水素結合の少なくとも一部は、ケイ素−酸素結合に置き換えられ、または変換されている。ケイ素酸素信号は、湿式酸化処理時間が増大したときに増大される。したがって、ケイ素−酸素結合信号が所望の強度に到達したとき、正しい処理時間と判断することができる。一実施形態では、湿式酸化処理は、ケイ素−酸素信号の強度がピーク強度の和の約９０パーセントを上回ったときに終了させることができる。例示的な実施形態では、湿式酸化処理に対する処理時間は、約０．５時間〜約３時間で制御される。
【００５２】
ＳＩＭＳまたはＸＰＳ測定機器が使用される実施形態では、湿式酸化処理は、酸化させた誘電体材料４１２内で形成される酸素元素が原子重量で５０パーセントを上回ったときに終了させることができる。
【００５３】
ステップ３１０で、図４Ｅに示すように、酸化させた誘電体材料４１２を熱アニール処理に露出させて、アニールされた誘電体材料４１４を形成する。ステップ３１０を実行できる適切な熱アニールチャンバの一例は、とりわけ、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能なＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）ＲＡＤＩＡＮＣＥ（登録商標）ＲＴＰチャンバである。他の製造者からのチャンバを含めて、他のタイプのアニールチャンバまたはＲＴＰチャンバを利用して、ステップ３１０に記載の熱アニール処理を実行することもできることに留意されたい。
【００５４】
ステップ３１０の一実施形態では、基板４００は、摂氏約１００度〜摂氏約１０００度の温度まで加熱することができる。一実施形態では、熱アニール処理の持続時間は、約５秒〜約３０秒など、約１秒〜約１８０秒、たとえば約２秒〜約６０秒とすることができる。熱アニール処理用のチャンバ内へ、少なくとも１つのアニールガスが供給される。アニールガスの例には、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、原子状酸素（Ｏ）、水（Ｈ２Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、五酸化二窒素（Ｎ２Ｏ５）、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、これらの誘導体、またはこれらの組合せが含まれる。アニールガスは、窒素と、酸素などの少なくとも１つの酸素含有ガスとを含有することができる。チャンバは、０．５トルなど、約０．１トル〜約１００トル、たとえば約０．１〜約５０トルの圧力を有することができる。熱アニール処理の一例では、基板４００は、酸素雰囲気中で約６０秒間、摂氏約６００度の温度まで加熱される。別の例では、基板４００は、アニール処理中に、同等の体積量の窒素および酸素を含有する雰囲気中で約１０秒〜約６０秒間、摂氏約１０００度の温度まで加熱される。
【００５５】
ステップ３１０で実行される熱アニール処理は、膜構造を高密度化するのを助け、基板４００上に形成された誘電体材料４１４の化学構造を修正し、それによって、その結果得られるアニールされた誘電体材料４１４内でより強い結合構造およびケイ素酸素結合を提供することができると考えられる。さらに、熱アニール処理はまた、誘電体材料４１４からダングリングボンドまたは弱いケイ素−水素結合を除去するのを助け、それによって膜の漏れを低減させ、膜品質を改善することができる。
【００５６】
図５は、ステップ３０８に記載の湿式酸化処理を実行できる湿式処理タンク５００の概略横断面図を示す。湿式処理タンク５００は通常、ステップ３０８を参照して説明したものなど、湿式酸化処理溶液５０４を含むことができる内部体積を有するタンク５０２を含む。タンク５０２内で他の適切な液体、流体、槽などを使用して、湿式酸化処理を実行することもできることに留意されたい。タンク５０２にラック５０８を配置し、処理の際にはラック５０８内に複数または１組の基板４００が位置決めされるように支持することができる。別法として、複数の基板４００は、カセット内に挿入および支持するなど、任意の他の適切な方法でタンク５０２内に固定または位置決めすることができ、それによって基板４００を所望の位置で保持および固定することができる。必要に応じて単一の基板に対して湿式酸化処理を実行するために、タンク５０２を利用することもできることに留意されたい。
【００５７】
複数の基板４００は、処理の際にはタンク５０２内に配置された処理溶液５０４内に浸漬し、湛水し、配置し、湿らせ、処理し、噴霧し、または浸す。タンク５０２は、入り口５１０を通って処理液体または処理溶液をタンク５０２内へ供給できる第１の供給源５１２および第２の供給源５１４を含むことができる。一実施形態では、第１の供給源５１２は、脱イオン（ＤＩ）水をタンク５０２内へ供給することができ、第２の供給源５１４は、酸素含有源をタンク５０２内へ供給することができる。上記で論じたように、第２の供給源５１４からタンク５０２へ供給できる適切な酸素含有源は、Ｏ３、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｈ２Ｏ蒸気またはスチーム、Ｈ２Ｏ２、これらの組合せなどを含むことができる。別法として、第２の供給源５１４は、ＳＣ１（たとえば、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２の希釈剤）またはＳＣ２溶液（たとえば、ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２の希釈剤）などの他の適切な酸性またはベースの溶液をタンク５０２内へ供給して、湿式酸化処理を実行することもできる。本明細書に示す１つの例示的な実施形態では、第２の供給源５１４から供給される酸素含有源は、連続してタンク５０２内へ吹き出し、または供給することができるオゾンであり、第１の供給源５１２から供給される脱イオン（ＤＩ）水と混合して、タンク５０２内に処理溶液５０４を形成し、タンク５０２内に浸漬された基板４００上で湿式酸化処理を実行する。
【００５８】
したがって、誘電体層を堆積させる方法は、ケイ素含有誘電体材料上で湿式酸化処理を実行するステップを含む。この方法は、基板内に画定されたトレンチまたはビアを充填する誘電体材料を堆積させるのに特に適している。湿式酸化処理は、ケイ素含有誘電体材料内に形成されたケイ素−窒素および／またはケイ素−水素結合をケイ素−酸素結合に有利に置き換えて変換し、それによって強い結合構造および高い膜品質を有する所望の酸化ケイ素層を提供する。
【００５９】
上記は、本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他のさらなる実施形態を考案することができ、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決まる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハなどの基板を処理する方法に関し、より詳細には、基板上に配置された誘電体材料を湿式酸化させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
サブハーフミクロン以下の特徴を確実に作り出すことは、半導体デバイスの次世代の超大規模集積（ＶＬＳＩ）および極超大規模集積（ＵＬＳＩ）のための主要な技術の１つである。しかし、集積回路技術の限界に挑むとき、ＶＬＳＩおよびＵＬＳＩ技術における相互接続の寸法を縮小することで、処理能力にさらなる要求が加えられてきた。集積回路は、回路内で様々な機能を実行するように基板（たとえば、半導体ウエハ）上に形成されて協働する百万個を超える微小電界効果トランジスタ（たとえば、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）電界効果トランジスタ）を含むことができる。ゲートパターンおよび浅いトレンチ隔離（ＳＴＩ）領域を確実に形成することは、集積回路の成功にとって重要であり、また個々の基板およびダイの回路密度および品質を増大させるための継続的な努力にとって重要である。より大きい回路密度を実現するには、デバイス特徴の寸法を低減させなければならないだけでなく、デバイス間の隔離構造の寸法も同様に低減させなければならない。
【０００３】
現在の隔離技法は、浅いトレンチ隔離（ＳＴＩ）処理を含む。ＳＴＩ処理は、第１に基板内へ所定の幅および深さを有するトレンチをエッチングすることを含む。次いでトレンチは、誘電体材料層で充填される。次いで誘電体材料は、たとえば、化学機械研磨（ＣＭＰ）処理によって平坦化される。
【０００４】
トレンチの幅が縮小し続けるため、アスペクト比（深さを幅で割った値）は増加し続ける。アスペクト比の高いトレンチの製造に関する１つの難題は、トレンチ内での誘電体材料の堆積中にボイドの形成を回避することである。
【０００５】
トレンチを充填するには、酸化ケイ素などの誘電体材料層が堆積される。誘電体層は通常、トレンチの領域、ならびに壁および底部を覆う。トレンチが広くて浅い場合、そのトレンチを完全に充填するのは比較的容易である。しかし、アスペクト比が増大するにつれて、トレンチの開口が「分離」してトレンチ内にボイドを形成する可能性が高まる。
【０００６】
トレンチ内にボイドを形成する可能性、またはトレンチ内にシームを形成する可能性を低減させるために、欠陥なくトレンチを誘電体材料で充填する多くの異なる処理技法が開発されてきた。たとえば、従来のスプレー塗装処理を使用すると、液体の前駆体でトレンチを充填して、ボイドまたはシームのない誘電体材料をトレンチ内に形成することができる。通常、液体の前駆体がトレンチを充填した後、高温のアニール処理を実行して、液体の前駆体から湿気を除去し、それによってトレンチ内に誘電体材料を固相で形成する。しかし、トレンチを充填するために使用される液体の前駆体は、形成された誘電体材料の電気的特性を逆に劣化させうる汚染物質を含むことがあるため、この堆積技法では、膜の不純物濃度が高いことが多く、それによってデバイス性能に悪影響を与える。
【０００７】
別の例では、高アスペクト比処理（ＨＡＲＰ）を使用して、誘電体材料を形成することができる。これらの処理は、堆積処理の異なる段階中に異なる速度で誘電体材料を堆積させることを含む。より低い堆積速度を使用すると、より共形の誘電体層をトレンチ内に形成することができ、より高い堆積速度を使用すると、トレンチの上にバルク誘電体層を形成することができる。しかし、ＨＡＲＰ処理は、処理量が低いことが多く、その結果、製造コストが高くなる。
【０００８】
したがって、高アスペクト比隔離構造を作り出す処理および装置の改善が必要とされている。
【発明の概要】
【０００９】
本発明の実施形態は、酸化させた誘電体材料を基板上に形成する処理について説明する。この処理は、酸化させた誘電体材料による実質上ボイドまたはシームのないトレンチの間隙充填を提供する。この処理を利用して、様々な絶縁構造およびデバイスを形成することができる。たとえば、この処理は、他の構造の中でも、浅いトレンチ隔離（ＳＴＩ）デバイスおよび層間絶縁層を形成する際に使用することができる。一実施形態では、酸化させた誘電体材料を基板上に形成する方法は、流動性ＣＶＤ処理によって誘電体材料を基板上に形成するステップと、基板上に配置された誘電体材料を硬化させるステップと、基板上に配置された誘電体材料上で湿式酸化処理を実行するステップと、酸化させた誘電体材料を基板上に形成するステップとを含む。
【００１０】
別の実施形態では、酸化させた誘電体材料を基板上に形成する方法は、流動性ＣＶＤ処理によって、式ＳｉｘＮｙＨｚを有するケイ素含有層を基板上に形成するステップと、基板上に配置されたケイ素含有層を硬化させるステップと、酸素源を有する処理溶液にケイ素含有層を浸漬するステップであって、処理溶液中の酸素源が、ケイ素含有層内のケイ素窒素またはケイ素水素結合をケイ素酸素結合と少なくとも部分的に置き換える、ステップと、酸化させたケイ素含有層を基板上に形成するステップとを含む。
【００１１】
さらに別の実施形態では、酸化させた誘電体材料を基板上に形成する方法は、流動性ＣＶＤ処理によってケイ素含有層を基板上に形成するステップであって、ケイ素含有層が、トリシリルアミン（ＴＳＡ）およびＮＨ３を含有する混合ガスに露出させることによって形成される、ステップと、基板上に配置されたケイ素含有層を硬化させるステップと、脱イオン（ＤＩ）水の中にＯ３を含んだ処理溶液でケイ素含有層を湿らせるステップであって、脱イオン（ＤＩ）水の中に配置されたオゾンが、１リットル（Ｌ）当たり約１ミリグラム（ｍｇ）〜１リットル当たり約１０００ミリグラム（ｍｇ）の濃度を有する、ステップと、酸化させたケイ素含有層を基板上に形成するステップとを含む。
【００１２】
本発明の上記の特徴を詳細に理解できるように、実施形態を参照すれば、上記で簡単に要約した本発明についてのより具体的な説明を得ることができる。実施形態の一部を、添付の図面に示す。しかし、本発明は他の等しく効果的な実施形態も許容しうるため、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを示し、したがって本発明の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。それでもなお、本発明の教示は、添付の図面と一緒に以下の詳細な説明を考慮することによって容易に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】処理器具の一実施形態の上面図である。
【図２】処理チャンバの一実施形態の概略横断面図である。
【図３】本発明の一実施形態を組み込む方法を示す処理流れ図である。
【図４】Ａ〜Ｅは基板上に画定されたトレンチ内に形成された誘電体材料を有する基板の概略横断面図である。
【図５】本発明の一実施形態によって使用できる湿式処理タンクの概略横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
理解を容易にするために、可能な場合、複数の図に共通の同一の要素を指すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態で開示する要素は、具体的な記述がなくても、他の実施形態で有益に利用できることも企図される。
【００１５】
図１は、開示する実施形態による堆積チャンバ、焼成チャンバ、および硬化チャンバの処理器具１００の一実施形態の上面図である。処理器具１００では、１対のＦＯＵＰ（前方開口型統一ポッド）１０２が基板（たとえば、直径３００ｍｍのウエハ）を供給し、基板はロボットアーム１０４によって受け取られ、ロードロックチャンバ１０６内へ配置される。ロードロックチャンバ１０６に結合された移送チャンバ１１２内には、第２のロボットアーム１１０が配置される。第２のロボットアーム１１０は、基板をロードロックチャンバ１０６から、移送チャンバ１１２に結合された処理チャンバ１０８ａ〜ｆへ輸送するために使用される。
【００１６】
処理チャンバ１０８ａ〜ｆは、基板ウエハ上で流動性のある誘電体膜を堆積、アニール、硬化、および／またはエッチングする１つまたは複数のシステム構成要素を含むことができる。一構成では、２対の処理チャンバ（たとえば、１０８ｃ〜ｄおよび１０８ｅ〜ｆ）を使用して、基板上に流動性のある誘電体材料を堆積させることができ、第３の対の処理チャンバ（たとえば、１０８ａ〜ｂ）を使用して、堆積させた誘電体をアニール／硬化させることができる。別の構成では、同じ２対の処理チャンバ（たとえば、１０８ｃ〜ｄおよび１０８ｅ〜ｆ）は、基板上で流動性のある誘電体膜の堆積とアニール／硬化をどちらも行うように構成することができ、第３の対のチャンバ（たとえば、１０８ａ〜ｂ）は、堆積させた膜のＵＶまたは電子ビーム硬化に使用することができる。さらに別の構成では、３対のチャンバ（たとえば、１０８ａ〜ｆ）すべてを、基板上で流動性のある誘電体材料を堆積させて硬化させるように構成することができる。
【００１７】
さらに別の構成では、２対の処理チャンバ（たとえば、１０８ｃ〜ｄおよび１０８ｅ〜ｆ）を、流動性のある誘電体材料の堆積とＵＶまたは電子ビーム硬化の両方に使用することができ、第３の対の処理チャンバ（たとえば、１０８ａ〜ｂ）を、誘電体材料のアニールに使用することができる。処理器具１００によって、流動性のある誘電体膜向けの堆積チャンバ、アニールチャンバ、および硬化チャンバの追加の構成も企図されることを理解されたい。
【００１８】
さらに、処理チャンバ１０８ａ〜ｆの１つまたは複数は、湿式処理／酸化チャンバとして構成することができる。これらの処理チャンバは、処理溶液を含む環境で流動性のある誘電体材料を湿式処理することを含む。したがって、処理器具１００の実施形態は、堆積させた誘電体材料上で湿式処理と乾式処理の両方を実行するために、湿式処理／酸化チャンバ１０８ａ〜ｂおよびアニール処理チャンバ１０８ｃ〜ｄを含むことができる。
【００１９】
図２は、分割されたプラズマ発生領域を有する流動性化学気相堆積（すなわち、処理）チャンバ２００の一実施形態の横断面図である。処理チャンバ２００は、流動性のある誘電体材料を基板上に堆積させるように少なくとも構成される処理チャンバ１０８ａ〜ｆのいずれかとすることができる。膜の堆積（酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、または酸炭化ケイ素の堆積）中、ガス入り口アセンブリ２０５を通って第１のプラズマ領域２１５内へプロセスガスを流すことができる。プロセスガスは、遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）２０１内の第１のプラズマ領域２１５に入る前に励起させることができる。処理チャンバ２００は、リッド２１２およびシャワーヘッド２２５を含む。リッド２１２は、交流電圧源が印加されたところを示し、シャワーヘッド２２５は接地されており、第１のプラズマ領域２１５内のプラズマ発生と一致する。リッド２１２とシャワーヘッド２２５の間に絶縁リング２２０が位置決めされ、第１のプラズマ領域２１５内に容量結合プラズマ（ＣＣＰ）を形成することができる。リッド２１２およびシャワーヘッド２２５は、絶縁リング２２０が間に位置するところを示し、それによってシャワーヘッド２２５に対してリッド２１２に交流電位を印加することができる。
【００２０】
リッド２１２は、処理チャンバとともに使用するためのデュアルソースリッドとすることができる。ガス入り口アセンブリ２０５内に、２つの別個のガス供給チャネルが見える。第１のチャネル２０２は、遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）２０１を通過するガスを運び、第２のチャネル２０４は、ＲＰＳ２０１を迂回する。第１のチャネル２０２は、プロセスガスに使用することができ、第２のチャネル２０４は、処理ガスに使用することができる。第１のプラズマ領域２１５内へ流れるガスは、バッフル２０６によって分散させることができる。
【００２１】
前駆体などの流体は、シャワーヘッド２２５を通って処理チャンバ２００の第２のプラズマ領域２３３内へ流すことができる。第１のプラズマ領域２１５内の前駆体から導出される励起種は、シャワーヘッド２２５内の開孔２１４を通って進み、シャワーヘッド２２５から第２のプラズマ領域２３３内へ流れる前駆体と反応する。第２のプラズマ領域２３３内には、プラズマはほとんどまたはまったく存在しない。前駆体の励起された誘導体は、第２のプラズマ領域２３３内で組み合わさり、基板上に流動性のある誘電体材料を形成する。誘電体材料が成長するため、より最近追加された材料は、下にある材料より高い移動度を保持する。移動度は、蒸発によって有機含有量が低減されるにつれて低減する。この技法を使用して、流動性のある誘電体材料によって間隙を充填することができ、堆積が完了した後、誘電体材料内に従来の密度の有機含有量を残さない。それでもなお、硬化ステップを使用して、堆積させた膜から有機含有量をさらに低減または除去することができる。
【００２２】
第１のプラズマ領域２１５内の前駆体を単独で、または遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）２０１と組み合わせて励起させることで、いくつかの利益を提供する。第１のプラズマ領域２１５内のプラズマのため、前駆体から導出される励起種の濃度は、第２のプラズマ領域２３３内で増大させることができる。この増大は、第１のプラズマ領域２１５内のプラズマの位置から得ることができる。第２のプラズマ領域２３３は、遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）２０１より第１のプラズマ領域２１５の近くに位置し、励起種が他の気体分子、チャンバの壁、およびシャワーヘッドの表面との衝突を通じて励起状態から抜け出す時間をほとんど残さない。
【００２３】
前駆体から導出される励起種の濃度の均一性はまた、第２のプラズマ領域２３３内で増大させることができる。これは、第２のプラズマ領域２３３の形状により類似している第１のプラズマ領域２１５の形状から得ることができる。遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）２０１内で作られた励起種は、シャワーヘッド２２５のエッジ付近で開孔２１４を通過するには、シャワーヘッド２２５の中心付近で開孔２１４を通過する種に比べてより大きい距離を進む。距離がより大きい結果、励起種の励起が低減され、たとえばその結果、基板のエッジ付近の成長速度がより遅くなることがある。第１のプラズマ領域２１５内で前駆体を励起させることで、このばらつきを緩和する。
【００２４】
前駆体に加えて、様々な目的のために、様々な時点で他のガスを導入することができる。処理ガスを導入して、チャンバ壁、基板、堆積させた膜、および／または堆積中の膜から望ましくない種を除去することができる。処理ガスは、Ｈ２、Ｈ２／Ｎ２混合物、ＮＨ３、ＮＨ４ＯＨ、Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ２、および水蒸気を含む群からのガスの少なくとも１つを含むことができる。処理ガスをプラズマ内で励起し、次いでこれを使用して、堆積させた膜から残留有機含有量を低減または除去することができる。他の実施形態では、処理ガスは、プラズマとともに使用することができる。処理ガスが水蒸気を含むとき、供給は、質量流量計（ＭＦＭ）および噴射弁を使用して、または他の適切な水蒸気ジェネレータによって実現することができる。
【００２５】
実施形態では、誘電体材料前駆体、たとえばケイ素含有前駆体を導入し、第２のプラズマ領域２３３内で処理前駆体を反応させることによって、誘電体層を堆積させることができる。誘電体材料前駆体の例は、シラン、ジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、トリエトキシシラン（ＴＥＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、テトラメチル−ジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、テトラメチル−ジエトキシル−ジシロキサン（ＴＭＤＤＳＯ）、ジメチル−ジメトキシル−シラン（ＤＭＤＭＳ）、またはこれらの組合せを含むケイ素含有前駆体である。窒化ケイ素を堆積させるための追加の前駆体には、シリル−アミンなどのＳｉｘＮｙＨｚ含有前駆体、ならびにトリシリルアミン（ＴＳＡ）およびジシリルアミン（ＤＳＡ）を含むその誘導体、ＳｉｘＮｙＨｚＯｚｚ含有前駆体、ＳｉｘＮｙＨｚＣｌｚｚ含有前駆体、またはこれらの組合せが含まれる。
【００２６】
処理前駆体には、水素含有化合物、酸素含有化合物、窒素含有化合物、またはこれらの組合せが含まれる。適切な処理前駆体の例には、Ｈ２、Ｈ２／Ｎ２混合物、ＮＨ３、ＮＨ４ＯＨ、Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ２、Ｎ２、Ｎ２Ｈ４蒸気を含むＮｘＨｙ化合物、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、水蒸気、またはこれらの組合せを含む群から選択された化合物の１つまたは複数が含まれる。処理前駆体は、Ｎ＊および／またはＨ＊および／またはＯ＊含有基またはプラズマ、たとえばＮＨ３、ＮＨ２＊、ＮＨ＊、Ｎ＊、Ｈ＊、Ｏ＊、Ｎ＊Ｏ＊、またはこれらの組合せを含むように、ＲＰＳユニット内などでプラズマ励起することができる。別法として、処理前駆体は、本明細書に記載する前駆体の１つまたは複数を含むことができる。
【００２７】
処理前駆体は、第１のプラズマ領域２１５内でプラズマ励起して、Ｎ＊および／またはＨ＊および／またはＯ＊含有基またはプラズマ、たとえばＮＨ３、ＮＨ２＊、ＮＨ＊、Ｎ＊、Ｈ＊、Ｏ＊、Ｎ＊Ｏ＊、またはこれらの組合せを含むプロセスガスプラズマおよび基を作り出すことができる。別法として、処理前駆体は、遠隔プラズマシステムを通過した後、第１のプラズマ領域２１５へ導入する前にすでにプラズマ状態にすることができる。
【００２８】
次いで、励起された処理前駆体２９０は、開孔２１４を通って、前駆体と反応させるために第２のプラズマ領域２３３へ供給される。処理体積内に入った後、処理前駆体は混合および反応して、誘電体材料を堆積させることができる。
【００２９】
一実施形態では、処理チャンバ２００内で実行される流動性ＣＶＤ処理は、ポリシラザンベースのケイ素含有膜（ＰＳＺ状膜）として誘電体材料を堆積させることができる。ポリシラザンベースのケイ素含有膜は、ポリシラザンベースのケイ素含有膜が堆積された基板内に画定されたトレンチ、特徴、ビア、または他の開孔内でリフロー可能および充填可能とすることができる。
【００３０】
誘電体材料前駆体および処理前駆体に加えて、様々な目的のために、様々な時点で他のガスを導入することができる。処理ガスを導入して、チャンバ壁、基板、堆積させた膜、および／または堆積中の膜から、水素、炭素、およびフッ素などの望ましくない種を除去することができる。処理前駆体および／または処理ガスは、Ｈ２、Ｈ２／Ｎ２混合物、ＮＨ３、ＮＨ４ＯＨ、Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ２、Ｎ２、Ｎ２Ｈ４蒸気、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、水蒸気、またはこれらの組合せを含む群からのガスの少なくとも１つを含むことができる。処理ガスをプラズマ内で励起し、次いでこれを使用して、堆積させた膜から残留有機含有量を低減または除去することができる。開示する他の実施形態では、処理ガスは、プラズマなしで使用することができる。処理ガスが水蒸気を含むとき、供給は、質量流量計（ＭＦＭ）および噴射弁を使用して、または市販の水蒸気ジェネレータによって実現することができる。処理ガスは、ＲＰＳユニットを通って、またはＲＰＳユニットを迂回して、第１の処理領域内へ導入することができ、第１のプラズマ領域内でさらに励起することができる。
【００３１】
窒化ケイ素材料には、窒化ケイ素ＳｉｘＮｙ、水素含有窒化ケイ素ＳｉｘＮｙＨｚ、水素含有酸窒化ケイ素ＳｉｘＮｙＨｚＯｚｚを含む酸窒化ケイ素、および塩素化窒化ケイ素ＳｉｘＮｙＨｚＣｌｚｚを含むハロゲン含有窒化ケイ素が含まれる。次いで、堆積させた誘電体材料を、酸化ケイ素状の材料に変換することができる。
【００３２】
処理チャンバ、処理、および器具は、２００８年９月１５日出願の特許出願第１２／２１０，９４０号、および２００８年９月１５日出願の特許出願第１２／２１０，９８２号に、より詳細に記載されている。同願を、全体として参照により本明細書に組み込む。
【００３３】
図３は、図２に示すチャンバ２００、または他の適切な処理チャンバ内で実行できる処理３００の一実施形態の流れ図である。図４Ａ〜４Ｅは、処理３００の様々な段階に対応する基板の一部分の概略横断面図である。図４Ａ〜４Ｅに示す浅いトレンチ隔離（ＳＴＩ）構造製造処理など、基板内に画定されたトレンチ内に誘電体の絶縁材料を形成する処理３００を示すが、処理３００を有益に利用して、基板上に層間誘電体（ＩＬＤ）構造などの他の構造を形成することもできる。
【００３４】
処理３００は、ステップ３０２で、図４Ａに示すような基板４００を、図２に示す流動性化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ２００などの堆積処理チャンバへ移送（すなわち、提供）することによって始まる。一実施形態では、基板４００は、基板４００上に形成された浅いトレンチ隔離（ＳＴＩ）構造４０４などの構造を形成するために利用される１つまたは複数の層が形成されたシリコン半導体基板とすることができる。別の実施形態では、基板４００は、異なるパターンおよび／または特徴を形成するために利用される複数の層、たとえば積層膜を有するシリコン半導体基板とすることができる。基板４００は、結晶シリコン（たとえば、Ｓｉ＜１００＞またはＳｉ＜１１１＞）、酸化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコンゲルマニウム、ドープまたは非ドープポリシリコン、ドープまたは非ドープシリコンウエハおよびパターン付きまたはパターンなしウエハの絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）、炭素ドープ酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープシリコン、ゲルマニウム、砒化ガリウム、ガラス、サファイア、シリコン上に配置された金属層などの材料とすることができる。基板４００は、直径２００ｍｍまたは３００ｍｍのウエハ、ならびに方形または正方形のパネルなどの様々な寸法を有することができる。本発明に示す実施形態では、基板４００は、シリコン半導体基板とすることができる。
【００３５】
一実施形態では、図４Ａに示すように、基板４００上に層４０２が配置され、ＳＴＩ構造４０４を製作するのに適している。層４０２は、シリコン膜、たとえばブランケットベアシリコン膜とすることができる。別法として、層４０２が存在しない実施形態では、層４０２上で実行されると説明する処理は、基板４００上で行うことができる。
【００３６】
一実施形態では、浅いトレンチ隔離（ＳＴＩ）構造を製造するために、層４０２をエッチングまたはパターニングして層４０２内にトレンチ４０６を形成してもよく、この構造を使用して、集積回路内のデバイスを互いから電気的に隔離することができる。さらに、基板４００によって、トランジスタゲート構築物および隣接するトランジスタソース／ドレイン領域に対して、ＳＴＩ構造４０４を形成することができる。トレンチ４０６は、デバイス隔離のために層４０２内に形成される。
【００３７】
ステップ３０４で、図４Ｂに示すように、基板４００上に誘電体材料４０８が堆積され、層４０２内に画定されたトレンチ４０６を充填する。誘電体材料４０８は、図２を参照して上述したように、処理チャンバ２００内で実行される流動性化学気相堆積処理によって堆積させることができる。一実施形態では、誘電体材料４０８は、処理チャンバ２００内へ供給される混合ガスによって堆積されたケイ素含有材料である。
【００３８】
一実施形態では、誘電体材料４０８を形成するために処理チャンバ２００内へ供給される混合ガスは、誘電体材料前駆体および処理前駆体を含むことができる。誘電体材料前駆体の適切な例には、シラン、ジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、トリエトキシシラン（ＴＥＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、テトラメチル−ジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、テトラメチル−ジエトキシル−ジシロキサン（ＴＭＤＤＳＯ）、ジメチル−ジメトキシル−シラン（ＤＭＤＭＳ）、またはこれらの組合せが含まれる。窒化ケイ素を堆積させるための追加の前駆体には、シリル−アミンなどのＳｉｘＮｙＨｚ含有前駆体、ならびにトリシリルアミン（ＴＳＡ）およびジシリルアミン（ＤＳＡ）を含むその誘導体、ＳｉｘＮｙＨｚＯｚｚ含有前駆体、ＳｉｘＮｙＨｚＣｌｚｚ含有前駆体、またはこれらの組合せが含まれる。１つの例示的な実施形態では、誘電体材料４０８を堆積させるために使用されるケイ素含有前駆体は、トリシリルアミン（ＴＳＡ）である。さらに、処理前駆体の適切な例は、窒素含有前駆体を含むことができる。窒素含有前駆体の適切な例には、Ｈ２／Ｎ２混合物、Ｎ２、ＮＨ３、ＮＨ４ＯＨ、Ｎ２、Ｎ２Ｈ４蒸気を含むＮｘＨｙ化合物、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２などが含まれる。さらに、処理前駆体はまた、水素含有化合物、酸素含有化合物、またはこれらの組合せを含むことができる。適切な処理前駆体の例には、Ｈ２、Ｈ２／Ｎ２混合物、Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ２、水蒸気、またはこれらの組合せを含む群から選択された化合物の１つまたは複数が含まれる。処理前駆体は、Ｎ＊および／またはＨ＊および／またはＯ＊含有基またはプラズマ、たとえばＮＨ３、ＮＨ２＊、ＮＨ＊、Ｎ＊、Ｈ＊、Ｏ＊、Ｎ＊Ｏ＊、またはこれらの組合せを含むように、ＲＰＳユニット内などでプラズマ励起することができる。別法として、処理前駆体は、必要に応じてこれらの前駆体の１つまたは複数を含むことができる。一実施形態では、誘電体材料４０８を堆積させるために使用される処理前駆体は、ＮＨ３ガスである。
【００３９】
一実施形態では、堆積処理中の基板温度は、所定の範囲で維持される。一実施形態では、基板温度は、流動性を有するように基板上に形成された誘電体材料４０８がトレンチ４０６内でリフローおよび充填できるように、摂氏１００度未満など、摂氏約２００度未満で維持される。摂氏１００度未満など、相対的なより低い基板温度は、基板表面上に最初に形成された膜を液体状の流動状態で維持して、基板上に形成されたその結果得られる膜の流動性および粘性を保つのを助けることができると考えられる。その結果得られる膜は、ある程度の流動性および粘性を有して基板上に形成されるため、後の熱および湿式処理後、膜の結合構造を、異なる官能基または結合構造と、および異なる官能基または結合構造に変形、変換、交換することができる。一実施形態では、処理チャンバ内の基板温度は、摂氏約１００度未満など、ほぼ室温から摂氏約２００度の範囲、たとえば摂氏約３０度および摂氏約８０度で維持される。
【００４０】
誘電体材料前駆体は、約１ｓｃｃｍ〜約５０００ｓｃｃｍの流量で、処理チャンバ内へ供給することができる。処理前駆体は、約１ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍの流量で、処理チャンバ内へ供給することができる。別法として、処理中に供給される混合ガスはまた、約０．１〜約１００の誘電体材料前駆体と処理前駆体の流量比で制御することができる。処理圧力は、約０．５トルおよび約０．７トルなど、約０．１０トル〜約１０トル、たとえば約０．１トルおよび約１トルで維持される。
【００４１】
処理チャンバ２００に混合ガスが提供されるとき、１つまたは複数の不活性ガスを含むこともできる。不活性ガスは、Ａｒ、Ｈｅ、Ｘｅなどの希ガスを含むことができるが、それだけに限定されるものではない。不活性ガスは、約１ｓｃｃｍ〜約５００００ｓｃｃｍの流量比で、処理チャンバに供給することができる。
【００４２】
堆積中にプラズマを維持するために、ＲＦ出力が印加される。ＲＦ出力は、約３５０ｋＨｚまたは約１３．５６ＭＨｚなど、約１００ｋＨｚ〜約１００ＭＨｚで提供される。別法として、ＶＨＦ出力を利用して、最高約２７ＭＨｚ〜約２００ＭＨｚの周波数を提供することもできる。一実施形態では、ＲＦ出力は、約１０００ワット〜約１００００ワットで供給することができる。基板からシャワーヘッド２２５までの間隔は、基板寸法に従って制御することができる。一実施形態では、処理間隔は、約１００ミル〜約５インチで制御される。
【００４３】
一実施形態では、基板４００上に形成される誘電体材料４０８は、基板４００内に形成されたＳｉｘＮｙＨｚまたは−Ｓｉ−Ｎ−Ｈ−結合など、窒素または水素原子を有するケイ素含有材料である。ここで、ｘは２〜２００の整数であり、ｙ、ｚは０〜４００の整数である。混合ガス中で供給される処理前駆体は、堆積中に窒素および水素種を提供することができるため、誘電体材料４０８内に形成されるケイ素原子は、−Ｓｉ−Ｎ−Ｈ−、−Ｓｉ−Ｎ−、もしくは−Ｓｉ−Ｈ−、または他の異なる結合を含有することができる。さらに、後の熱および湿式処理によってＳｉ−Ｎ、Ｎ−Ｈ、Ｓｉ−Ｈ結合をＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合と置き換えて、酸化ケイ素層として誘電体材料４０８を形成する。
【００４４】
ステップ３０６で、基板４００上に誘電体材料４０８を形成した後、基板４００を硬化および／または熱処理して、誘電体材料４０８を焼成する。硬化／焼成処理は、図４Ｃに示すように、堆積させた誘電体材料４０８から湿気を除去して、固相の誘電体材料４０８を形成する。誘電体材料４０８を硬化させると、堆積させた誘電体材料４０８内の湿気および溶剤が除去され、その結果、堆積させた誘電体材料４０８は、基板４００内に画定されたトレンチ４０６内で再充填およびリフローし、それによって基板４００上に実質上平面の表面４１０を形成する。一実施形態では、ステップ３０６で実行される硬化処理は、基板４００に十分な熱を提供できる熱板、炉、加熱されたチャンバ、または適切な器具上で実行することができる。
【００４５】
一実施形態では、硬化温度は、摂氏８０度未満など、摂氏１００度未満、たとえば摂氏約５０度で制御することができる。硬化時間は、約１秒〜約１０時間で制御することができる。
【００４６】
ステップ３０６の硬化処理後、ステップ３０８で、湿式酸化処理を基板４００上で実行することができる。ステップ３０６の硬化処理後、基板４００上に形成された誘電体材料４０８はまだ高密度化されておらず、Ｓｉ−Ｎ、Ｎ−Ｈ、Ｓｉ−Ｈ結合の構造はやはり、誘電体材料４０８内に形成された主な結合構造として残っている。したがって、ステップ３０８で実行される湿式酸化処理は、誘電体材料４０８の化学組成を修正して、Ｓｉ−Ｎ、Ｎ−Ｈ、Ｓｉ−Ｈ結合をＳｉ−Ｏ−ＳｉまたはＳｉ−Ｏ結合およびネットワーク構造と置き換え、誘電体材料４０８を酸化させる。湿式酸化処理は、誘電体材料４０８内で形成される酸素元素の重量百分率を増大させながら、誘電体材料４０８内で形成される窒素および水素元素の重量百分率を低減させる。
【００４７】
一実施形態では、ステップ３０８で、基板４００を配置し、浸漬し、浸し、湛水し、または湿式処理して、湿式酸化処理を実行する。一実施形態では、湿式処理タンク５００などの湿式タンク内に含まれる液体槽によって基板４００を湿らせて、湿式酸化処理を実行する。これについては、図５を参照してさらに後述する。基板４００はまた、他の製造者からの容器を含めて、任意の他の適切な処理容器内でも処理できることに留意されたい。湿式酸化処理は、誘電体材料４０８内で酸素交換処理を開始し、それによって誘電体材料４０８内で連鎖反応状の処理を起こし、窒素および／または水素結合を酸素結合と急速に置き換えることができると考えられる。酸化交換処理後、図４Ｅに示すように、酸化させた誘電体材料４１２内に、強い酸化ケイ素結合（−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ）を形成することができる。
【００４８】
基板４００上で湿式酸化処理を実行するために使用される湿式酸化処理溶液は、酸素源を提供し、誘電体材料４０８内で形成される窒素および水素元素を酸素元素に置き換えて変換する。一実施形態では、湿式酸化処理溶液は、脱イオン（ＤＩ）オゾン水、たとえば脱イオン（ＤＩ）水内にオゾンが含まれたものを含むことができる。脱イオン（ＤＩ）水の中で、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｈ２Ｏ蒸気またはスチーム、Ｈ２Ｏ２などの他の酸素源を使用して、湿式酸化処理を実行することもできる。さらに、ＳＣ１などの適切な酸性またはベースの溶液（たとえば、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２の希釈剤）、またはＳＣ２溶液（たとえば、ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２の希釈剤）を使用して、湿式酸化処理を実行することもできる。一実施形態では、オゾン源は常に吹き出して、脱イオン（ＤＩ）水溶液中へ供給され、飽和した脱イオン（ＤＩ）オゾン水を形成し、溶液中に浸漬された基板４００を湿式酸化させる。一実施形態では、湿式酸化処理のための脱イオン（ＤＩ）水の中に含まれるオゾンの濃度は、１リットル（Ｌ）当たり約１ミリグラム（ｍｇ）〜１リットル（Ｌ）当たり約１０００ミリグラム（ｍｇ）で制御される。
【００４９】
一実施形態では、湿式酸化溶液／槽は、摂氏約８０度未満など、摂氏１００度未満、たとえば摂氏約７５度未満の温度で制御することができる。比較的低い温度の湿式酸化処理は、基板４００へ生成される熱量を低減させ、それによって基板４００上に形成される膜層またはデバイス構造を損傷する可能性を低減させることができると考えられる。さらに、摂氏４５度より高い温度で湿式酸化処理を実行することで、誘電体材料４０８のより速い酸化速度を促進でき、誘電体材料４０８をより短い時間で効率的に酸化させることができることも分かる。一例では、湿式酸化処理の温度は、摂氏４０度を上回るが摂氏１００度未満で制御することができる。たとえば、湿式酸化処理の温度は、摂氏約４５度で制御することができる。
【００５０】
さらに、湿式酸化処理溶液は、低コストで速く簡単な処理を提供し、したがって全体的な処理の複雑さを低減させながら、製造コストおよび処理サイクル時間も低減させることができる。一実施形態では、基板４００上で実行される湿式酸化処理に対する処理時間は、約１秒〜約１０時間で制御することができる。別法として、処理時間はまた、誘電体材料４０８内の所望の百分率または原子重量のケイ素−窒素および／またはケイ素−水素結合がケイ素−酸素結合に変換されるまで、酸化させた誘電体材料４１２内に形成された結合構造を観察することによって制御することができる。酸化させた誘電体材料４１２の結合構造は、ＦＴＩＲ、ＳＩＭＳ、またはＸＰＳによって検査または観察することができる。
【００５１】
一例では、ＦＴＩＲ測定機器を利用して、酸化させた誘電体材料４１２の結合構造を検査することができる。ＦＴＩＲスペクトルでは、約１０８０ｎｍのＳｉ−Ｏ信号が増大され、約８３５〜８６０ｎｍのＳｉ−Ｎ信号および／または約２１５４〜２１８０ｎｍのＳｉ−Ｈ信号が低減されるとき、ケイ素窒素結合および／またはケイ素水素結合の少なくとも一部は、ケイ素−酸素結合に置き換えられ、または変換されている。ケイ素酸素信号は、湿式酸化処理時間が増大したときに増大される。したがって、ケイ素−酸素結合信号が所望の強度に到達したとき、正しい処理時間と判断することができる。一実施形態では、湿式酸化処理は、ケイ素−酸素信号の強度がピーク強度の和の約９０パーセントを上回ったときに終了させることができる。例示的な実施形態では、湿式酸化処理に対する処理時間は、約０．５時間〜約３時間で制御される。
【００５２】
ＳＩＭＳまたはＸＰＳ測定機器が使用される実施形態では、湿式酸化処理は、酸化させた誘電体材料４１２内で形成される酸素元素が原子重量で５０パーセントを上回ったときに終了させることができる。
【００５３】
ステップ３１０で、図４Ｅに示すように、酸化させた誘電体材料４１２を熱アニール処理に露出させて、アニールされた誘電体材料４１４を形成する。ステップ３１０を実行できる適切な熱アニールチャンバの一例は、とりわけ、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能なＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）ＲＡＤＩＡＮＣＥ（登録商標）ＲＴＰチャンバである。他の製造者からのチャンバを含めて、他のタイプのアニールチャンバまたはＲＴＰチャンバを利用して、ステップ３１０に記載の熱アニール処理を実行することもできることに留意されたい。
【００５４】
ステップ３１０の一実施形態では、基板４００は、摂氏約１００度〜摂氏約１０００度の温度まで加熱することができる。一実施形態では、熱アニール処理の持続時間は、約５秒〜約３０秒など、約１秒〜約１８０秒、たとえば約２秒〜約６０秒とすることができる。熱アニール処理用のチャンバ内へ、少なくとも１つのアニールガスが供給される。アニールガスの例には、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、原子状酸素（Ｏ）、水（Ｈ２Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、五酸化二窒素（Ｎ２Ｏ５）、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、これらの誘導体、またはこれらの組合せが含まれる。アニールガスは、窒素と、酸素などの少なくとも１つの酸素含有ガスとを含有することができる。チャンバは、０．５トルなど、約０．１トル〜約１００トル、たとえば約０．１〜約５０トルの圧力を有することができる。熱アニール処理の一例では、基板４００は、酸素雰囲気中で約６０秒間、摂氏約６００度の温度まで加熱される。別の例では、基板４００は、アニール処理中に、同等の体積量の窒素および酸素を含有する雰囲気中で約１０秒〜約６０秒間、摂氏約１０００度の温度まで加熱される。
【００５５】
ステップ３１０で実行される熱アニール処理は、膜構造を高密度化するのを助け、基板４００上に形成された誘電体材料４１４の化学構造を修正し、それによって、その結果得られるアニールされた誘電体材料４１４内でより強い結合構造およびケイ素酸素結合を提供することができると考えられる。さらに、熱アニール処理はまた、誘電体材料４１４からダングリングボンドまたは弱いケイ素−水素結合を除去するのを助け、それによって膜の漏れを低減させ、膜品質を改善することができる。
【００５６】
図５は、ステップ３０８に記載の湿式酸化処理を実行できる湿式処理タンク５００の概略横断面図を示す。湿式処理タンク５００は通常、ステップ３０８を参照して説明したものなど、湿式酸化処理溶液５０４を含むことができる内部体積を有するタンク５０２を含む。タンク５０２内で他の適切な液体、流体、槽などを使用して、湿式酸化処理を実行することもできることに留意されたい。タンク５０２にラック５０８を配置し、処理の際にはラック５０８内に複数または１組の基板４００が位置決めされるように支持することができる。別法として、複数の基板４００は、カセット内に挿入および支持するなど、任意の他の適切な方法でタンク５０２内に固定または位置決めすることができ、それによって基板４００を所望の位置で保持および固定することができる。必要に応じて単一の基板に対して湿式酸化処理を実行するために、タンク５０２を利用することもできることに留意されたい。
【００５７】
複数の基板４００は、処理の際にはタンク５０２内に配置された処理溶液５０４内に浸漬し、湛水し、配置し、湿らせ、処理し、噴霧し、または浸す。タンク５０２は、入り口５１０を通って処理液体または処理溶液をタンク５０２内へ供給できる第１の供給源５１２および第２の供給源５１４を含むことができる。一実施形態では、第１の供給源５１２は、脱イオン（ＤＩ）水をタンク５０２内へ供給することができ、第２の供給源５１４は、酸素含有源をタンク５０２内へ供給することができる。上記で論じたように、第２の供給源５１４からタンク５０２へ供給できる適切な酸素含有源は、Ｏ３、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｈ２Ｏ蒸気またはスチーム、Ｈ２Ｏ２、これらの組合せなどを含むことができる。別法として、第２の供給源５１４は、ＳＣ１（たとえば、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２の希釈剤）またはＳＣ２溶液（たとえば、ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２の希釈剤）などの他の適切な酸性またはベースの溶液をタンク５０２内へ供給して、湿式酸化処理を実行することもできる。本明細書に示す１つの例示的な実施形態では、第２の供給源５１４から供給される酸素含有源は、連続してタンク５０２内へ吹き出し、または供給することができるオゾンであり、第１の供給源５１２から供給される脱イオン（ＤＩ）水と混合して、タンク５０２内に処理溶液５０４を形成し、タンク５０２内に浸漬された基板４００上で湿式酸化処理を実行する。
【００５８】
したがって、誘電体層を堆積させる方法は、ケイ素含有誘電体材料上で湿式酸化処理を実行するステップを含む。この方法は、基板内に画定されたトレンチまたはビアを充填する誘電体材料を堆積させるのに特に適している。湿式酸化処理は、ケイ素含有誘電体材料内に形成されたケイ素−窒素および／またはケイ素−水素結合をケイ素−酸素結合に有利に置き換えて変換し、それによって強い結合構造および高い膜品質を有する所望の酸化ケイ素層を提供する。
【００５９】
上記は、本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他のさらなる実施形態を考案することができ、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決まる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に酸化させた誘電体材料を形成する方法であって、
流動性ＣＶＤ処理によって基板上に誘電体材料を形成するステップと、
基板上の誘電体材料を硬化させるステップと、
基板上の電体材料上で湿式酸化処理を実行するステップと、
基板上に酸化させた誘電体材料を形成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
流動性ＣＶＤ処理によって誘電体材料を基板上に形成するステップが、
流動性ＣＶＤ処理チャンバ内へ少なくともケイ素含有前駆体および処理前駆体を含む混合ガスを供給することをさらに含み、ケイ素含有前駆体が、シラン、ジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、トリエトキシシラン（ＴＥＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、テトラメチル−ジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、テトラメチル−ジエトキシル−ジシロキサン（ＴＭＤＤＳＯ）、ジメチル−ジメトキシル−シラン（ＤＭＤＭＳ）、トリシリルアミン（ＴＳＡ）、ジシリルアミン（ＤＳＡ）、ＳｉｘＮｙＨｚＯｚｚ含有前駆体、ＳｉｘＮｙＨｚＣｌｚｚ含有前駆体、およびこれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
処理前駆体が、Ｈ２／Ｎ２混合物、Ｎ２、ＮＨ３、ＮＨ４ＯＨ、Ｎ２、Ｎ２Ｈ４蒸気、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｈ２、Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ２、水蒸気、およびこれらの組合せからなる群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ケイ素含有前駆体がトリシリルアミン（ＴＳＡ）であり、処理前駆体がＮＨ３である、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
基板温度が摂氏１００度未満で制御される請求項２に記載の方法。
【請求項６】
誘電体材料上で湿式酸化処理を実行するステップが、
酸素源を含有する処理溶液で基板を湿らせることをさらに含み、酸素源が、Ｏ３、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｈ２Ｏ蒸気もしくはスチーム、Ｈ２Ｏ２、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２溶液、ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２溶液の希釈剤、およびこれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
酸素源がＯ３である請求項６に記載の方法。
【請求項８】
処理溶液が、１リットル（Ｌ）当たり約１ミリグラム（ｍｇ）〜１リットル（Ｌ）当たり約１０００ミリグラム（ｍｇ）のオゾン濃度を有する脱イオン（ＤＩ）オゾン水である、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
処理溶液が、摂氏４０度を上回るが摂氏１００度未満で制御された温度を有する、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
誘電体材料上で湿式酸化処理を実行するステップが、
誘電体材料内のケイ素−窒素および／またはケイ素−水素結合をケイ素−酸化物結合と置き換えることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
基板上の酸化させた誘電体材料上で熱アニール処理を実行するステップ
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
熱アニール処理が、
基板を摂氏約１００度〜摂氏約１０００度の温度までアニールすることをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
酸化させた誘電体材料が酸化ケイ素層である請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
酸化させた誘電体材料を基板上に形成する方法であって、
流動性ＣＶＤ処理によって、式ＳｉｘＮｙＨｚを有するケイ素含有層を基板上に形成するステップと、
基板上のケイ素含有層を硬化させるステップと、
酸素源を有する処理溶液にケイ素含有層を浸漬するステップであって、処理溶液中の酸素源が、ケイ素含有層内のケイ素窒素またはケイ素水素結合を、ケイ素酸素結合と少なくとも部分的に置き換えるステップと、
酸化させたケイ素含有層を基板上に形成するステップと
を含む方法。
【請求項１５】
基板上に酸化させた誘電体材料を形成する方法であって、
流動性ＣＶＤ処理によってケイ素含有層を基板上に形成するステップであって、トリシリルアミン（ＴＳＡ）およびＮＨ３を含有する混合ガスに露出させることによってケイ素含有層を形成するステップと、
基板上のケイ素含有層を硬化させるステップと、
脱イオン（ＤＩ）水の中にＯ３を含んだ処理溶液でケイ素含有層を湿らせるステップであって、脱イオン（ＤＩ）水の中のオゾンが、１リットル（Ｌ）当たり約１ミリグラム（ｍｇ）〜１リットル（Ｌ）当たり約１ミリグラム（ｍｇ）の濃度を有するステップと、
酸化させたケイ素含有層を基板上に形成するステップと
を含む方法。
【請求項１】
基板上に酸化させた誘電体材料を形成する方法であって、
流動性ＣＶＤ処理によって基板上に誘電体材料を形成するステップと、
基板上の誘電体材料を硬化させるステップと、
基板上の電体材料上で湿式酸化処理を実行するステップと、
基板上に酸化させた誘電体材料を形成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
流動性ＣＶＤ処理によって誘電体材料を基板上に形成するステップが、
流動性ＣＶＤ処理チャンバ内へ少なくともケイ素含有前駆体および処理前駆体を含む混合ガスを供給することをさらに含み、ケイ素含有前駆体が、シラン、ジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、トリエトキシシラン（ＴＥＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、テトラメチル−ジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、テトラメチル−ジエトキシル−ジシロキサン（ＴＭＤＤＳＯ）、ジメチル−ジメトキシル−シラン（ＤＭＤＭＳ）、トリシリルアミン（ＴＳＡ）、ジシリルアミン（ＤＳＡ）、ＳｉｘＮｙＨｚＯｚｚ含有前駆体、ＳｉｘＮｙＨｚＣｌｚｚ含有前駆体、およびこれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
処理前駆体が、Ｈ２／Ｎ２混合物、Ｎ２、ＮＨ３、ＮＨ４ＯＨ、Ｎ２、Ｎ２Ｈ４蒸気、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｈ２、Ｏ３、Ｏ２、Ｈ２Ｏ２、水蒸気、およびこれらの組合せからなる群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ケイ素含有前駆体がトリシリルアミン（ＴＳＡ）であり、処理前駆体がＮＨ３である、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
基板温度が摂氏１００度未満で制御される請求項２に記載の方法。
【請求項６】
誘電体材料上で湿式酸化処理を実行するステップが、
酸素源を含有する処理溶液で基板を湿らせることをさらに含み、酸素源が、Ｏ３、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｈ２Ｏ蒸気もしくはスチーム、Ｈ２Ｏ２、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２溶液、ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２溶液の希釈剤、およびこれらの組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
酸素源がＯ３である請求項６に記載の方法。
【請求項８】
処理溶液が、１リットル（Ｌ）当たり約１ミリグラム（ｍｇ）〜１リットル（Ｌ）当たり約１０００ミリグラム（ｍｇ）のオゾン濃度を有する脱イオン（ＤＩ）オゾン水である、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
処理溶液が、摂氏４０度を上回るが摂氏１００度未満で制御された温度を有する、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
誘電体材料上で湿式酸化処理を実行するステップが、
誘電体材料内のケイ素−窒素および／またはケイ素−水素結合をケイ素−酸化物結合と置き換えることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
基板上の酸化させた誘電体材料上で熱アニール処理を実行するステップ
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
熱アニール処理が、
基板を摂氏約１００度〜摂氏約１０００度の温度までアニールすることをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
酸化させた誘電体材料が酸化ケイ素層である請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
酸化させた誘電体材料を基板上に形成する方法であって、
流動性ＣＶＤ処理によって、式ＳｉｘＮｙＨｚを有するケイ素含有層を基板上に形成するステップと、
基板上のケイ素含有層を硬化させるステップと、
酸素源を有する処理溶液にケイ素含有層を浸漬するステップであって、処理溶液中の酸素源が、ケイ素含有層内のケイ素窒素またはケイ素水素結合を、ケイ素酸素結合と少なくとも部分的に置き換えるステップと、
酸化させたケイ素含有層を基板上に形成するステップと
を含む方法。
【請求項１５】
基板上に酸化させた誘電体材料を形成する方法であって、
流動性ＣＶＤ処理によってケイ素含有層を基板上に形成するステップであって、トリシリルアミン（ＴＳＡ）およびＮＨ３を含有する混合ガスに露出させることによってケイ素含有層を形成するステップと、
基板上のケイ素含有層を硬化させるステップと、
脱イオン（ＤＩ）水の中にＯ３を含んだ処理溶液でケイ素含有層を湿らせるステップであって、脱イオン（ＤＩ）水の中のオゾンが、１リットル（Ｌ）当たり約１ミリグラム（ｍｇ）〜１リットル（Ｌ）当たり約１ミリグラム（ｍｇ）の濃度を有するステップと、
酸化させたケイ素含有層を基板上に形成するステップと
を含む方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公表番号】特表２０１３−５１５３５５（Ｐ２０１３−５１５３５５Ａ）
【公表日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５４４５１３（Ｐ２０１２−５４４５１３）
【出願日】平成２２年１１月４日（２０１０．１１．４）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０５５４０２
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０８４２２３
【国際公開日】平成２３年７月１４日（２０１１．７．１４）
【出願人】（３９００４０６６０）アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド (1,346)
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１１月４日（２０１０．１１．４）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０５５４０２
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０８４２２３
【国際公開日】平成２３年７月１４日（２０１１．７．１４）
【出願人】（３９００４０６６０）アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド (1,346)
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【Ｆターム（参考）】
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