本発明は、ポリマー基板上に層を形成する方法において；少なくとも１つの前駆体とポリマー基板を接触させるステップと、紫外線光を適用して少なくとも１つの前駆体を分解させ、ポリマー基板上に層を被着させるステップと、を含む方法を提供している。同じく提供されているのは、ポリマー基板の入った容器内に亜鉛とドーパントを含む少なくとも１つの前駆体を導入するステップと、紫外線光を適用して少なくとも１つの前駆体を分解させ、ポリマー基板上にドープ酸化亜鉛を含む層を被着させるステップと、によって得られる、ポリマー基板上に被着された酸化亜鉛を含むドープ層である。 （もっと読む）

【課題】ウェハ面内膜厚分布を均一に成膜できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に処理ガスをシャワー状に供給するシャワーヘッド２４０と、シャワーヘッド２４０と対向する位置に設けられ処理室２０１内でウェハ２００を支持する支持台２０３と、支持台２０３よりも下方に設けられ処理室２０１内を排気する排気口２６０と、シャワーヘッド２４０の上部からシャワーヘッド２４０内に処理ガスを導入する処理ガス導入口２１０とを備えた基板処理装置において、シャワーヘッド２４０の外周にシャワーヘッド２４０内を排気する複数の排気口２４１を周方向に等間隔に開設し、各排気口２４１に排気流量調整器２４３を接続する。複数の排気口２４１から排気される処理ガスの排気流量を調整することで、シャワーヘッド２４０内部の中心部から外周方向への圧力勾配を制御する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧電子デバイスおよび耐環境電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明においては、ダイオードやトランジスタ等の電子デバイス中で電子が走行する領域に、高純度の酸化モリブデンであって、その禁制帯幅が３．４５ｅＶ以上であるような酸化モリブデンが用いられる。本発明によれば、高耐圧特性および高耐環境特性を有する電子デバイスが実現できる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶層の割れ（クラック）、結晶欠陥等の発生を抑制しつつ、窒化物半導体単結晶層の厚膜化を図ることができる化合物半導体基板の提供。
【解決手段】結晶面方位が｛１１１｝面であるＳｉ単結晶基板１００上に形成され、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＶＣ、ＶＮのうちいずれか一種で構成された第１の金属化合物層１１０ａと、前記第１の金属化合物層１１０ａと異なるＴｉＣ、ＴｉＮ、ＶＣ、ＶＮのうちいずれか一種で構成された第２の金属化合物層１１０ｂとが互いに積層された第１の中間層１１０を備える。 （もっと読む）

例えばＬａ、Ｙ、ＳｃまたはＡｃなど２つ以上のＩＩＩＢ族元素を含む組成傾斜窒化物合金層５を含むバッファ構造１を使用してシリコン基板３を改質して、例えばＧａＮなどの一連のターゲット材７をその上に堆積させることができる一般的な基板を生成して、電子工学的／光学的用途の半導体デバイスを生成する。結果として得られる格子定数Ｌは、基板全体にわたって厚さＴとともに変化する。
（もっと読む）

【課題】 透明膜の欠損部分を効率よく修正すること。
【解決手段】 基板上に成膜された透明膜の欠損部分の透明膜が除去され、予め定められた立体形状の整形後除去部が整形され（Ｓ１０１）、整形後除去部の表面形状が測定され（Ｓ１０２）、表面形状に応じて整形後除去部の体積が算出され（Ｓ１０３）、整形後除去部の体積に応じて透明膜相当材料の塗布量が算出され（Ｓ１０４，１０５）、塗布量の透明膜相当材料が整形後除去部に塗布され（Ｓ１０６）、硬化した硬化後透明膜相当材料の表面形状が測定され（Ｓ１１１，１２１）、表面形状に応じて硬化後透明膜相当材料の体積を除いた未塗布除去部の体積が算出され（Ｓ１１２，１２２）、未塗布除去部の体積に応じて透明膜相当材料の塗布量が算出され（Ｓ１１３〜１１５，１２３〜１２５）、塗布量の透明膜相当材料が未塗布除去部に塗布される（Ｓ１１６，１２６）。 （もっと読む）