【課題】光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が１０乃至１００ｎｍの微細多結晶からなる第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２上に粒径が１０乃至１００μｍの第２のβ−ＦｅＳｉ_２層３を形成する。 （もっと読む）

本明細書に記載される実施形態は、基板上の自然酸化表面を取り除くと同時に、下層の基板表面をパッシベートするための方法を提供する。一実施形態において、プロセスチャンバ内に、酸化物層を有する基板の位置決めを行い、基板の第１の温度を約８０℃未満に調整し、プロセスチャンバ内において、約１０以上のＮＨ_３／ＮＦ_３モル比を有するアンモニア及び三フッ化窒素を含むガス混合物からクリーニングプラズマを生成し、基板上にクリーニングプラズマを凝縮することを含む方法が提供される。ヘキサフルオロ酸アンモニウムを含む薄膜が、プラズマクリーニングプロセスの間に、自然酸化物から部分的に形成される。本方法は、さらに、プロセスチャンバ内において、約１００℃以上の第２の温度まで基板を加熱しつつ、基板から薄膜を取り除き、その上にパッシベーション表面を形成することを含む。
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金属シリケート膜を形成する方法が提供される。本方法は、基板を、金属源化学物質、ケイ素源化学物質及び酸化剤の交互且つ連続した気相パルスに接触させることを含む。好ましい実施形態では、アルキルアミド金属化合物及びハロゲン化ケイ素化合物が使用される。好ましい実施形態による方法を使用して、高アスペクト比の形状（たとえばビア及び／又はトレンチ）を有する基板表面上に、膜カバレッジがほぼ均一であるハフニウムシリケート膜及びジルコニウムシリケート膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜処理装置において処理容器内の隅々まで成膜時に各部に付着した不所望な被膜を効果的にクリーニングすること。
【解決手段】成膜工程において、反応ガスの分解生成物または反応生成物の大部分は半導体ウエハ１４の表面に堆積するが、一部はサセプタ１２の外周縁部やウエハ保持部材に付着し、処理容器１０の内壁面にもわずかであるが付着する。成膜工程が所定回数実施されると、処理容器１０内に半導体ウエハ１４が入っていない状態で、Ｈ2 ガスまたはＮ2 ガス等によるパージングが行われ、パージング工程の終了後にクリーニング工程が行われる。クリーニング工程においては、クリーニングガス供給系２４よりＣｌＦ3 ガスをＮ2 ガスで所定の濃度に希釈したクリーニングガスが多孔板１８より処理容器１０内に供給される。 （もっと読む）

【課題】 電界緩和を図り高耐圧化を実現することに加え、デバイスサイズの更なる減少化、正孔の引き抜きを容易にして、信頼性の高い優れた化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】 本発明の化合物半導体装置は、ＧａＡｓ等の第１の化合物半導体層上に、電子に対する障壁が伝導帯にあり、且つ正孔に対する障壁が価電子帯にない、即ちタイプＩＩ構造のバンド構造を有する属元素と６属元素の化合物からなるアモルファス層、例えばアモルファスＧａＳ層（ａ−ＧａＳ層）を有するものである。 （もっと読む）