【課題】セレン化または硫化用高圧炉を提供する。
【解決手段】処理炉(100)は、第一チャンバー(110)と、第一チャンバー(110)を内部に収納する第二チャンバー(120)と、第一チャンバー(110)にセレン化用ガスを供給する処理ガス供給源(130)と、第一チャンバー(110)の内部を加熱する加熱装置(140)と、第一チャンバー(110)の内圧及び第二チャンバー(120)の内圧並びに第一チャンバー(110)の内部の温度を制御する制御装置(150)と、からなり、制御装置(150)は第二チャンバー(120)の内圧を第一チャンバー(110)の内圧よりも高く維持する。 （もっと読む）

【課題】カルコゲン元素を含む化合物半導体の均一な薄膜を容易に生産する。
【解決手段】カルコゲン元素を含む化合物半導体の薄膜の製造時に、該化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素とカルコゲン元素とを含んでいる皮膜が一主面上に各々配されている複数の基板が準備される。そして、一加熱炉内の基板配置領域に複数の基板のうちの２以上の基板が配置される。更に、複数のガス排出部による一加熱炉内からの排気が調整されることによって、２以上の基板に配されている各皮膜に接している所定サイズの空間領域に、前記カルコゲン元素を含む気体を、前記２以上の基板に配されている各前記皮膜についての前記金属元素の含有量と前記カルコゲン元素の含有量との差を示す指標に応じて単位時間当たりの前記カルコゲン元素の供給量が異なるように流されながら、２以上の基板が加熱されることで、該２以上の基板上に化合物半導体の薄膜が各々形成される。 （もっと読む）

【課題】反応室内に収容した複数の基板を、温度を均一に支持しながら短時間で加熱することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を収容する反応室と、前記反応室に処理ガスを供給するガス供給管と、前記反応室内の雰囲気を排気する排気管と、前記反応室内に設けられた加熱部と、前記反応室内に設けられ、前記反応室内の雰囲気を循環させるファンとから、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイドを含む均一且つ良好な化合物半導体を製造する。
【解決手段】カルコゲン元素を含む化合物半導体の薄膜が製造される際に、該化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素を少なくとも含む皮膜が一主面に配されている１以上の基板が準備され、該１以上の基板が加熱炉内の基板配置領域に配置される。そして、該加熱炉内において、該１以上の基板の一主面および端面のうちの少なくとも一方の面に対向する位置にカルコゲン元素が付着している付着部が配置されている状態で、非酸化性の気体の流れが発生されながら、該１以上の基板が加熱されることによって、該１以上の基板の一主面に化合物半導体の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイドを含む均一且つ良好な化合物半導体を製造する。
【解決手段】カルコゲン元素を含む化合物半導体の薄膜が製造される際に、該化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素を少なくとも含む皮膜が一主面の上に配されている１以上の基板が準備され、該１以上の基板が加熱炉内の基板配置領域に配置される。そして、該加熱炉内において基板配置領域に向かって流れる非酸化性の気体が接する位置にカルコゲン元素が付着している付着部が配置されている状態で、上記１以上の基板が加熱されることによって、該１以上の基板の上に化合物半導体の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 セレン化を均一に且つ短時間で行うことができるセレン化炉及び化合物半導体薄膜の製造方法並びに化合物薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンバー１１、１４と、前記チャンバー１１内にセレン化ガスを含む処理ガスを高圧で導入するガス供給源２５、２６と、前記ガス供給源と前記チャンバーとの間に設けられて当該チャンバー内に導入されるガスを常圧より高く所定の圧力に調整するガス圧調整手段２８と、前記チャンバー内を加熱する加熱手段１２と、前記チャンバー１１内のガスを排出する排出手段２２、２９と、前記チャンバー内に被処理物２を載置するための置台１８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】カルコゲン元素を含む化合物半導体の均一な薄膜を容易に大量に生産する。
【解決手段】カルコゲン元素と化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素とを含む皮膜が一主面の上にそれぞれ配されている複数の基板が準備される。次に、各皮膜について、カルコゲン元素の物質量と化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素の物質量との差を示す指標が得られる。次に、各皮膜に係る指標に基づいて、一加熱炉内の基板配列領域に複数の基板が上記物質量の差の順に配列される。次に、一加熱炉内において、各皮膜に接している所定サイズの空間領域に、各指標に応じた物質量のカルコゲン元素を含む気体が単位時間毎に流されながら、複数の基板が加熱されることで、各基板の上に化合物半導体の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＣＩＳ系太陽電池の光吸収層形成のためのセレン化又は硫化処理を行う基板処理装置において、石英製のチャンバーと比較して、加工が容易な炉体を有する基板処理装置を提供することにある。また、石英製のチャンバーと比較して、取り扱いが容易なチャンバーを提供することにある。
【解決手段】銅−インジウム、銅−ガリウム、又は、銅−インジウム−ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を収納する処理室と、処理室を構成するように形成される反応管と、処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、処理室内の雰囲気を排気する排気管と、反応管を囲うように設けられた加熱部と、を具備し、反応管の基材は、ステンレス等の金属材料で形成される基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】複数の異なる周波数を出力する半導体基板を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体またはｎ型半導体を含む第１の不純物半導体と、第１の不純物半導体に接する複数の空乏領域を有する空乏化半導体とを備え、複数の空乏領域のそれぞれは、第１の不純物半導体との第１界面と、第１界面と対向する表面とを有し、複数の空乏領域のそれぞれは、第１界面に垂直な方向における第１界面と表面との平均距離および組成の少なくとも一つが異なる半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】緻密で良好な膜質の光応答性化合物半導体薄膜を安価にかつ簡便に製造する。
【解決手段】ガス中に化合物半導体の原料粒子を分散させたエアロゾルを基板に向けて噴射、衝突させて、基板上に化合物半導体薄膜を形成するエアロゾルデポジション法（ＡＤ法）により化合物半導体薄膜を製造する方法。ＡＤ法によれば、高真空、あるいはセレン化ないし硫化工程を経ることなく、化合物半導体の結晶構造やバンド構造が保持されたまま、室温において光応答性を有する、太陽電池用途に適した膜質の良好な緻密質膜を容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】低コストで、太陽電池の大面積化を可能にし、異なるバンドギャップを有する薄い複数の光吸収層を多段階に積層させて効率を向上させる光吸収層の形成方法を提供する。
【解決手段】カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物半導体の構成元素（Ｃｕ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｅ）と有機溶媒とを混合した組成の異なる複数の溶液を、裏面電極を表面に備えた基板上に、塗布、乾燥、急速焼成する工程を繰り返す。ここで、各溶液は、Ｇａの組成比率が高い方から順番に、塗布、乾燥、急速焼成される。 （もっと読む）

【課題】ＣｕＩｎＳ₂ナノ粒子を含む前駆体層のセレン化
【解決手段】太陽電池用途又は電子回路用途のための薄膜を製造する方法を提供する。本方法は、ナノ結晶前駆体層を製造する工程並びにセレン含有雰囲気中で前記ナノ結晶前駆体層をセレン化する工程を含む。該ナノ結晶前駆体層は、ＣｕＩｎＳ₂、ＣｕＩｎ（Ｓ_y，Ｓｅ_1-y）₂、ＣｕＧａＳ₂、ＣｕＧａ（Ｓ_y，Ｓｅ-_1-y）₂、Ｃｕ（Ｉｎ_xＧａ-_1-x）Ｓ₂、
及びＣｕ（Ｉｎ_xＧａ_1-x）（Ｓ_y，Ｓｅ_1-y）₂ナノ粒子（式中、０≦ｘ≦１、及び１≦ｙ
≦０である）及びそれらの組み合わせの一種を含む。 （もっと読む）

半導体層と被覆基板、特には少なくとも１つの導体層、半導体層、および／または絶縁層を含む平坦基板を、セレン元素および／または硫黄元素処理によって製造する方法に関する。少なくとも１つの金属層および／または少なくとも１つの金属含有層を備える少なくとも１つの基板を、処理チャンバ内に導入し、所定の温度にまで加熱し、それをセレンまたは硫黄と目標通りに化学反応させるために、処理チャンバの内部および／または外部に配置されたソースからのセレン元素および／または硫黄元素の蒸気を、軽い真空状態または大気圧状態または加圧状態の下で、キャリアガス、特には不活性のキャリアガスによって、金属層および／または金属含有層の上を通過させ、基板を、少なくとも１つのガスを配合した強制対流によって加熱する。本発明はまたそのような方法を実行するプロセス装置にも関する。
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光ルミネセンス撮像を使用して半導体薄膜の堆積処理及び／又は事後堆積処理を監視するための方法および装置が提供される。光ルミネセンス画像は、半導体膜の１つ以上の特性および該膜にわたる特性の変化を決定するために解析される。これらの特性は堆積プロセスに関する情報を推定するために使用され、その後、前記情報を使用して、堆積プロセス条件およびその後の処理ステップの条件を調整することができる。方法および装置は、薄膜に基づく太陽電池に対して特定の用途を有する。
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【課題】 本発明の目的は半導体をその基板から分離する方法を提供することである。
【解決手段】 複数の棒状体を基板上に形成し、複数の棒状体上で半導体層をエピタキシー成長させ、更に、複数の棒状体の間の空隙にエッチング液を注入することによって、半導体層をその基板から分離する。複数の棒状体の間の空隙がエッチングの反応面積を大幅に増加させることができるため、本発明による方法によれば、エッチングによって半導体層を基板から分離する効率を向上させ、製造工程のコストを低減させることができ、しかも、基板に使われる材料も前記分離方法に制限されない。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、基板上に、ＩＩＩ族及びＶＩ族元素を含む単一前駆体と、Ｉ族金属を含む前駆体と、ＶＩ族元素を含む前駆体またはＶＩ族元素を含有するガスとを共に供給しながら蒸着させ、単一の有機金属化学気相蒸着工程によりＩ−ＩＩＩ−ＶＩ_２化合物薄膜を形成する方法を提供する。これによれば、従来の方法に比べて、一回の蒸着工程で最終薄膜が形成されるため、工程が簡素化されて経済的になり、製造された薄膜の内部気孔が少なく、均一な表面が形成されるので、太陽電池用吸収層として有用である。 （もっと読む）

【解決手段】基板（１０）が、信号処理のための電子回路の一部を備えるように製造されるデバイス及びデバイス形成方法が開示されている。バルク単結晶材料（１４）は、基板（１０）上に直接形成されるか、中間の薄膜層上に形成されるか、又は、遷移領域（１２）上に形成される。このデバイスの特別な用途は、放射線検出器である。 （もっと読む）

本発明は、太陽電池吸収層として用いられるＣｕＩｎＳｅ₂及びＣｕＩｎ_1-xＧａ_xＳｅ₂薄膜を、化学当量比に近い構造を有するように製造する方法に関する。本発明は、基板上に、［Ｍｅ₂Ｉｎ−（μＳｅＭｅ）］₂前駆体を用いた有機金属化学気相成長法によって、ＩｎＳｅ薄膜を形成させるステップと、前記ＩｎＳｅ薄膜上に、（ｈｆａｃ）Ｃｕ（ＤＭＢ）前駆体を用いた有機金属化学気相成長法によって、Ｃｕ₂Ｓｅ薄膜を形成させるステップと、前記Ｃｕ₂Ｓｅ薄膜上に、［Ｍｅ₂Ｉｎ−（μＳｅＭｅ）］₂前駆体を用いた有機金属化学気相成長法によって、ＣｕＩｎＳｅ₂薄膜を形成させるステップとを含む、太陽電池用薄膜の製造方法を提供する。さらには、前記ＣｕＩｎＳｅ₂薄膜上に、［Ｍｅ₂Ｇａ−（μＳｅＭｅ）］₂前駆体を用いた有機金属化学気相成長法によって、ＣｕＩｎ_1-xＧａ_xＳｅ₂薄膜を形成させるステップをさらに含んでもよい。 （もっと読む）