【課題】 半導体装置において、欠陥を減少させ、静電気放電に対する保護能力を高める。
【解決手段】 上面１２Ａおよび上面１２Ａに配置された複数のバンプ３０を備えた基板１であって、バンプ３０の各々が、上面１２Ａに対して実質的に平行な頂面３２および頂面３２と上面１２Ａとの間の複数の壁面３４を有するものである基板１２、および基板１２上に配置されたエピタキシャル層であって、基板１２の上面１２Ａおよびバンプ３０の壁面３４に実質的に同じ結晶方位を有するエピタキシャル層を備える。また、別の態様において、エピタキシャル層は、基板１２上に配置され、実質的に単一の結晶方位を有し、実質的に空隙なく、基板１２の上面１２Ａおよびバンプ３０の壁面３４を被覆するものであってよい。 （もっと読む）

【課題】高い光利得を得ながら閾値電流値を低減することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された複数の量子ドット層１２と、複数の量子ドット層１２間に位置する中間層と、が設けられている。量子ドット層１２に含まれる量子ドット１２ａの組成が、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ_yＳｂ_1-y（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表わされる。中間層には、組成がＩｎ_aＧａ_1-aＡｓ_bＰ_1-b（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１）で表わされ、厚さが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下のＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５と、ＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５の底面から１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満の高さに位置し、厚さが０．３ｎｍ以上２ｎｍ以下のＩｎＰ層１４と、が含まれている。 （もっと読む）

【課題】 寄生ダイオードを介したリーク電流を抑えること。
【解決手段】 半導体装置１は、ｃ面を表面とする窒化物半導体の半導体層１３と、厚みが減少する厚み減少部１４ａを有する窒化物半導体のｐ型の埋込み層１４と、を備える。埋込み層１４では、厚み減少部１４ａの内部に酸素濃度がピークとなる部分が存在しており、そのピーク部分と厚み減少部１４ａの傾斜面の間のｐ型不純物の濃度が酸素濃度よりも高い部分が存在する。 （もっと読む）

【課題】好適な有機金属化学気相成長法による、高品質のＮ面ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法を提供する。
【解決手段】Ｎ面ＩＩＩ族窒化物膜を成長させるための方法であって、（ａ）ミラー指数結晶面に対して誤配向角を伴う成長表面を有する基板を提供すること、（ｂ）前記成長表面上または前記成長表面の上方で層を形成することであって、前記層は、前記層上で形成される１つ以上の後続の層に対するＮ極性配向を設定すること、および、（ｃ）前記層上でＮ面ＩＩＩ族窒化物膜を成長させることであって、前記Ｎ面ＩＩＩ族窒化物膜は、前記層によって設定されるＮ極性配向を有することを含む。 （もっと読む）

【課題】ＳｉあるいはＧａＰ技術をベースとする集積回路にモノリシックに集積化される、新しいＩＩＩ／Ｖ半導体を用いた、発光ダイオードおよびレーザダイオードの半導体構造及び製造方法、あるいはまた、モジュレータ構造および検出器構造への使用法を提供する。
【解決手段】ドープされたＳｉあるいはドープされたＧａＰをベースとするキャリア層Ａ、およびそこに配設されたＩＩＩ／Ｖ半導体Ｄを備え、組成Ｇａ_ｘＩｎ_ｙＮ_ａＡｓ_ｂＰ_ｃＳｂ_ｄを有するモノリシック集積回路構造であって、ここで、ｘ＝７０−１００モル−％、ｙ＝０−３０モル−％、ａ＝０．５−１５モル−％、ｂ＝６７．５−９９．５モル−％、ｃ＝０−３２．０モル−％およびｄ＝０−１５モル−％、ｘとｙの合計は、常に１００モル−％であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄの合計は、常に１００モル−％であり、そして、一方のｘとｙの合計と他方のａないしｄの合計の比率は、実質的に１：１である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を含む半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族物質を含む半導体素子及びその製造方法に係り、該半導体素子は、溝を含むシリコン基板３０と、溝周囲の基板上に形成されたハードマスク３２と、溝を充填する、ハードマスク上に形成された第１物質層３４と、第１物質層上に形成された上部物質層３６、及び上部物質層上に形成された素子層と、を含み、該第１物質層は、ＩＩＩ−Ｖ族物質層であり、該上部物質層は、第１物質層の一部でもあり、該上部物質層は、第１物質層と同一物質または異なる物質であってもよい。 （もっと読む）

【課題】比較的簡素な構成で電流コラプスの発生を抑制し、デバイス特性の劣化を抑えた信頼性の高い高耐圧のＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴを実現する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１上に化合物半導体積層構造２を備えたＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴにおいて、３層のキャップ層２ｅを用いることに加え、キャップ層２ｅのドレイン電極５の近傍（ゲート電極６とドレイン電極５との間で、ドレイン電極５の隣接箇所）に高濃度ｎ型部位２ｅＡを形成し、高濃度ｎ型部位２ｅＡでは、そのキャリア濃度が電子供給層２ｄのキャリア濃度よりも高く、そのエネルギー準位がフェルミエネルギーよりも低い。 （もっと読む）

【課題】サセプタ上の複数の領域毎に材料ガスの混合比および流量を調整する。
【解決手段】被処理基板１０が載置されるサセプタ１２０と、サセプタ１２０と対向し、被処理基板１０上に複数の材料ガスを供給するシャワーヘッド１３０と、シャワーヘッド１３０に複数の材料ガスのうちの所定の複数の材料ガスを混合してそれぞれ導入する複数の混合配管と、複数の材料ガスの各々において流量を調整しつつ分岐してそれぞれを、複数の混合配管のいずれかに送る複数のガス分岐機構とを備える。シャワーヘッド１３０は、複数の混合配管のそれぞれで混合された複数の混合ガスをサセプタ上の複数の領域にそれぞれ噴き付ける。複数の混合ガスの各々においては、上記所定の複数の材料ガスの各々の濃度および流量が調節されている。 （もっと読む）

【課題】光吸収の低減された発光ダイオード、製造方法、ランプ、照明装置を提供する。
【解決手段】基板１上に設けられた発光層２４を含む化合物半導体層１０と、基板１と化合物半導体層１０との間に設けられたオーミックコンタクト電極７と、化合物半導体層１０の基板１の反対側に設けられたオーミック電極１１と、オーミック電極１１の表面を覆うように設けられた枝部１２ｂと枝部１２ｂに連結されたパッド部１２ａとを含む表面電極１２と、発光層２４のうちパッド部１２ａと平面視で重なる領域に配置されたパッド下発光層２４ａと、パッド部１２ａと平面視で重なる領域を除く領域に配置された発光層２４との間に設けられ、パッド下発光層２４ａに供給される電流を妨げる電流遮断部１３とを備える発光ダイオード１００とする。 （もっと読む）

【課題】 急激な加熱に起因するサセプタの割れ、大型化による機械的強度の低下に起因するサセプタの割れを防止することが可能なサセプタ及びそれを用いた気相成長装置を提供する。
【解決手段】 中央部の孔、及び周辺部に基板ホルダーを収納するための孔を有するサセプタであって、中央部の孔と基板ホルダーを収納するための孔の間にスリットが設けられてなるサセプタとする。また、基板ホルダーを収納するためのサセプタ、該サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、該反応炉へ原料ガスを供給する原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有する気相成長装置であって、前記のサセプタを用いた気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体デバイス用の半導体積層構造を成長させるために改善されたバッファ層構造を有する基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板は、Ｓｉ単結晶基板の（１１１）主面上に形成された窒化ケイ素層、この窒化ケイ素層上に堆積されたＡｌＮ結晶層、およびこのＡｌＮ層上に堆積された複数のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（１＞ｘ＞０）結晶層を含み、これら複数のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ結晶層においてはその下層に比べて上層ほど小さなＡｌ組成比ｘを有しており、複数のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層結晶中の一層は非晶質と結晶質が混在するＡｌＮ中間層を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板に元々付着していた不純物及び成長炉内の不純物を低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板を成長炉内に搬入する搬入工程と、該基板の上と該成長炉の内壁に、該基板表面と該成長炉内の不純物を吸収する不純物吸収層を形成する吸収層形成工程と、該不純物吸収層と、該基板の一部とをエッチングすることで該基板を薄化基板にするエッチング工程と、該薄化基板の上にバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、該バッファ層の上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮからなる半導体表面上に設けられると共に向上されたトランジスタ特性を有するIII族窒化物半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】５×１０^７ｃｍ^−２以下の転位密度を有しＡｌＮからなる半導体表面２１ａ上に、第１のエピタキシャル半導体層１３はコヒーレントに設けられる。第２のエピタキシャル半導体層１５は、第１のエピタキシャル半導体層１３にヘテロ接合２３ａを成すように第１のエピタキシャル半導体層１３上に設けられる。第１のエピタキシャル半導体層１３がこの半導体表面２１ａへのコヒーレントな成長により、第１のエピタキシャル半導体層１３は、半導体表面２１ａの格子定数に合わせて歪んであり、緩和していない。ＡｌＮに対してコヒーレントに設けられた第１のエピタキシャル半導体層１３により、III族窒化物半導体電子デバイス１１のトランジスタ特性が向上可能である。 （もっと読む）

【課題】低転位密度の窒化物半導体を成長することが可能な窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体成長用基板を用いて作製される窒化物半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板のＣ面である主面に、前記主面に対して９０°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部が格子状に配置して形成されており、前記主面からの前記凸部の高さが０.５μｍ以上３μｍ以下で、隣接する前記凸部間の距離が１μｍ
以上６μｍ以下であって、前記凸部の前記側面の表面粗さＲＭＳが１０ｎｍ以下である窒化物半導体成長用基板である。 （もっと読む）

【課題】オフ角を有するＳｉ基板を用いて、反りが小さく結晶性の高い窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】（１１１）結晶方位面に対して２．０°以上６．０°以下のオフ角を有するＳｉ基板Ｗと、Ｓｉ基板Ｗ上に形成されＡｌＮ単結晶層２０ａ上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ単結晶層（０＜ｘ＜１）２０ｂが積層された第一バッファ領域Ａと、第一バッファ領域Ａ上に形成され厚さが３００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下のＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ単結晶（０≦ｙ＜０．１）からなる第１単層３０ａと厚さが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下のＡｌ_ｚＧａ_１−ｚＮ単結晶（０．９＜ｚ≦１）からなる第２単層３０ｂとが交互に複数積層された第二バッファ領域Ｂと、第二バッファ領域Ｂ上に形成された窒化物半導体活性層５０と、からなる窒化物半導体基板Ｚ。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第１下側層と、第１ドープ層と、第１上側層と、を含む。第１下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ、下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第１ドープ層は、第１下側層の上に設けられ、第１下側層の格子定数以上の格子定数を有し１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^２１ｃｍ^−３未満の濃度で不純物を含有する。第１上側層は、第１ドープ層の上に設けられ、第１ドープ層の格子定数以上で第１下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】平坦な表面を有し、結晶性の高い窒化物半導体下地層を、反りを抑えて、大きな成長速度で成長させることができる窒化物半導体構造の製造方法を提供する。
【解決手段】第３の窒化物半導体下地層を形成する工程において、第３の窒化物半導体下地層の成長時に単位時間当たりに供給されるＶ族原料ガスのモル量と単位時間当たりに供給されるＩＩＩ族原料ガスのモル量との比であるＶ／ＩＩＩ比を７００以下とし、第３の窒化物半導体下地層の成長時の圧力を２６．６ｋＰａ以上とし、第３の窒化物半導体下地層の成長速度を２．５μｍ／時以上とする、窒化物半導体構造の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】LEDまたはSiCデバイスのコスト低減のために、GaN、AlNまたはSiCバファー膜を大量に堆積できる装置、及び、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスの低減法、基板形成方法を提供する。
【解決手段】縦型ホットウォールタイプのクリーニング用プラズマ手段つき、減圧CVDおよびリモートプラズマCVD装置によりデバイスのコストを低減する。基板のデバイス形成領域の周辺に深い溝を形成することで、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスを低減する。さらに基板表面を異方性、等方性パターンをエッチングにより形成する基板形成する。LEDデバイス基板に関しては、その表面にSiO₂パターンを形成し、マイクロチャネルエピタキシーによって良好なエピタキシャル膜を形成し、欠陥の少ない良好な膜を得るようにする。 （もっと読む）