【課題】一般的な結晶成長方法による窒化物半導体層の積層で、分極効果が制御できるようにする。
【解決手段】ｃ軸方向に結晶成長された窒化物半導体から構成されて主表面がＩＩＩ族極性面１０４ａとされた第２半導体層１０４の主表面に、第１半導体層１０３のＩＩＩ族極性面１０３ａを貼り合わせた後、第１半導体層１０３と基板１０１とを、分離層１０２で分離する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮを用いた窒化物半導体装置において、電流が流れる経路に、再結晶成長などによる界面が存在することがない状態で、十分な耐圧が得られるようにする。
【解決手段】ＧａＮからなるチャネル層（第２半導体層）１０１と、チャネル層１０１の一方の面であるＮ極性面に形成された第１障壁層（第１半導体層）１０２と、チャネル層１０１の他方の面であるＩＩＩ族極性面に形成された第２障壁層（第３半導体層）１０３とを備える。第１障壁層１０２および第２障壁層１０３は、例えば、ＡｌＧａＮから構成されている。また、ドレイン電極（第１電極）１０４が、第１障壁層１０２の上に形成され、ゲート電極１０５が、ドレイン電極１０４に対向して第２障壁層１０３の上に形成されている。ソース電極（第２電極）１０６は、ゲート電極１０５と離間して第２障壁層１０３の上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ、Ｂ）ＮまたはＩＩＩ族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶である。
【解決手段】具体的には、結晶は、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）ＮまたはＩＩＩ族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶であって、該表面は少なくとも幅１０μｍであり、半極性方位を有し、 該結晶はｘ線回折により測定される半値全幅（ＦＷＨＭ）が０．５５°未満であるロッキング・カーブにより特徴づけられる結晶品質を有することを特徴とする結晶を提供する。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される１以上のＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてリチウム、銅、銀、または金を含む。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、５×１０^１６ｃｍ^−３〜５×１０^１８ｃｍ^−３である。 （もっと読む）

【課題】
ＭＯＣＶＤ装置の基板など移動台の上に置かれた被測定物の形状測定を行う場合、速度計測装置の使用状態で異なるオフセット値の影響により、測定精度が低下することと、回転台に複数の被測定物を配置する装置で測定精度が低下すること、回転台の振動や回転軸の傾きなどで測定精度が低下することなどで、精度よく測定することができなかった。
【解決手段】
被測定物を移動させる移動台と、レーザ光線によるドップラー効果を利用した速度計測手段と、被測定物検出手段と、演算処理手段と記録手段により、被測定物の形状を測定する。前記演算処理手段は、前記被測定物の速度を抽出する被測定物速度抽出手段と、速度データから速度平均値を算出する速度平均算出手段と、速度データから速度平均値を減算する減算手段と、速度を積分する積算手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体活性領域からの電荷キャリアの脱出を阻止して、電荷キャリアのより有効な閉じ込めを示すＨＥＭＴを提供する。
【解決手段】希土類添加物をドープされた第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層２０９ａを備えた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）２００Ａであって、前記真性層の上に形成された第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層２１０ａ及び該第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層の上に形成されたＩＩＩ−Ｖ族半導体層２２０も備える。ＨＥＭＴの製造方法は、第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層２０９ａを形成し、該第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層に希土類添加物をドーピングして絶縁層を形成する。更に前記絶縁層の上に第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層２１０ａを形成し、該第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層の上にＩＩＩ−Ｖ族半導体層２２０を形成する。前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と前記第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層とのヘテロ接合界面に二次元電子ガス（２ＤＥＧ）２１２が形成される。 （もっと読む）

【課題】高い表面処理能力を発揮することを可能とする。
【解決手段】処理室と、前記処理室内の基板の縁の外側でのガスの流れを制限する制限手段と、活性化室と、前記活性化室及び処理室にガスを供給するガス供給手段と、前記活性化室に供給されたガスを活性化させる活性化手段と、前記活性化室及び前記処理室内に磁場を形成する磁場形成手段と、前記磁場の作用を与えられた前記イオン、前記電子を含む電荷を持った粒子が前記処理室に供給されるのを制限する抑制手段と、前記処理室の粒子及び前記ガスを吸気するための吸気室とを有し、前記活性化室から処理室に供給されたラジカルを含む粒子と、処理室に供給された前記ガスとを反応させて生成されたラジカル、イオン、電子、分子、及び原子を含む粒子を、前記基板と反応させて前記基板を処理する。 （もっと読む）

【課題】珪素基板の上に、バッファ層として多層構造層を制御性良く結晶成長させることにより、多層構造層の上に、クラックを生じることなく、窒化物半導体層を厚く結晶成長する。
【解決手段】窒化物半導体多層構造体の製造方法は、珪素基板の上に窒化アルミニウム層を結晶成長させる工程（ａ）と、窒化アルミニウム層の上に、窒化ホウ素層と窒化ガリウム層とを交互に繰り返して結晶成長させて、窒化ホウ素層と窒化ガリウム層とを交互に積層する多層構造層を形成する工程（ｂ）と、多層構造層の上に、窒化物半導体層を成長させる工程（ｃ）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶基板上に、欠陥密度が低く高品質なエピタキシャル層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バッファ層１２は、シリコン基板１１の格子定数と、エピタキシャル層１３の格子定数との間の格子定数をもつ、第３族元素と第５族元素との化合物が選択されればよい。例えば、エピタキシャル層１３が上述した３Ｃ−ＳｉＣから形成される場合、シリコン基板１１の格子定数０．５４３ｎｍと、エピタキシャル層１３の格子定数０．４３５ｎｍとの間の、０．４６９ｎｍの格子定数をもつ砒化ホウ素が好ましく選択される。 （もっと読む）

【課題】基板の面内において成長温度に分布が生じるのを緩和し、目的とする窒化物系化合物半導体の結晶品質を面内で均一化できる、窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板および窒化物系化合物半導体の結晶成長方法を提供すること。
【解決手段】窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板であって、Ｓｉ（１１１）基板を例とする結晶形成用基板１の、結晶成長が起こる側とは反対側の面に、炭素膜を例とする赤外線吸収層２を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板を構成する。 （もっと読む）

【課題】ウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜構造およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜構造３００は、ｃ軸の格子定数が６．６６オングストローム未満であるウルツ鉱型の結晶構造を有する基板３０１であって、主方位面３０１Ａが（０００１）面から±１０度以内のオフ角であり、基板３０１の主方位面３０１Ａ上に複数の穴３０１Ｂを有する基板３０１と、基板３０１の主方位面３０１Ａの複数の穴３０１Ｂを除く部分を覆うアモルファス構造のマスク３０２と、マスク３０２上のウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜３０３であって、基板３０１の複数の穴３０１Ｂを充填する単結晶薄膜３０３とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体層に生ずる格子歪みを効果的に緩和する。
【解決手段】Ｓｉからなり、面方位が（１１１）または（１１１）と等価な面方位である半導体結晶成長用基板１１の半導体層を形成する表面に、凹凸の少ない表面状態を有する鏡面な部分１２と、鏡面な部分１２の表面粗さよりも大きい表面粗さを有する荒れた部分１３とを形成する。この場合、荒れた部分１３を周期的に形成し、荒れた部分１３のパターン形状を四角形の格子状とする。また、荒れた部分１３の中心間の寸法を５ｍｍとし、荒れた部分１３の幅を１０μｍとして、荒れた部分１３が形成された周期ｘを５ｍｍとし、また荒れた部分１３と鏡面な部分１２との面積比ｙを約０．００４とする。 （もっと読む）

【課題】
新たな結晶構造をもったＢＮ薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】
ＢＮ薄膜は、Ｓｐ^３−結合性６Ｈ−ＢＮとｓｐ^３−結合性１０Ｈ−ＢＮを含有することを特徴とするものであり、その製造方法は、ｓｐ^３−結合性ＢＮ高密度相を有するＢＮ薄膜の製造方法であって、基材上に形成したアモルファスＢＮ薄膜（又は、sp2結合性BN薄膜）にレーザ照射して、相変化を生じさせ、照射箇所に高密度相を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 二硼化物単結晶上に成長させる窒化ガリウム系化合物半導体の極性を制御することによって、高品質、低転位の窒化ガリウム系化合物半導体を得ること。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体は、ＸＢ_２（ただし、ＸはＺｒ，Ｔｉ及びＨｆから選択される１種以上の元素である。）から成る基板１０の主面上に形成されたＸＢ_２から成る膜１１上に形成されたＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＮ単結晶層（ただし、０＜ｘ＋ｙ≦１、０≦ｙ＜０．１）１２と、その上に形成されたＧａ極性の窒化ガリウム系化合物半導体層１３とを有している。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上への窒化物半導体薄膜成長時における、各材料間の格子定数差および熱膨張係数差から生じる、該薄膜の歪み、および熱応力に伴うクラック・反りの問題を低減した、窒化物半導体薄膜形成に好適な窒化物半導体薄膜形成用基板を提供すること。
【解決手段】 シリコン単結晶基板片面上に、相対的に多孔度の高い第２多孔質シリコン層および酸化膜除去された相対的に多孔度の低い第１多孔質シリコン層が順次設けられてなることを特徴とする窒素化物半導体形成用基板およびシリコン単結晶基板片面を、電解液中で相対的に低い電流密度で陽極酸化することによって、相対的に低い多孔度の第１多孔質シリコン層を形成する工程、電解液中で相対的に高い電流密度で陽極酸化することによって、シリコン単結晶基板と前記第１シリコン層の間に相対的に高い多孔度の第２多孔質シリコン層を形成する工程、前記第１多孔質層シリコン層および第２多孔質シリコン層を形成した後、酸化膜を除去する工程を含む窒化物半導体形成用基板の製造法。 （もっと読む）

【課題】 自然酸化膜を除去するためにＺｒＢ_２等の二硼化物単結晶からなる基板を熱処理する際に、硼素抜けによるＺｒ等元素の偏析を抑制して、基板表面の化学量論組成比を基板自体の化学量論組成比となるように安定に制御した表面処理方法を提供すこと。
【解決手段】 基板の表面処理方法は、熱処理装置内に設置した化学式ＸＢ_２（ただし、ＸはＴｉ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｈｆ及びＺｒのうち少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成る基板を加熱して基板の表面の自然酸化膜を除去する工程１と、次に熱処理装置内に硼素化合物を供給するとともに基板を加熱して基板の表面の硼素欠損部に硼素を補充する工程２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】六方晶窒化ホウ素単結晶膜を有する半導体積層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体積層構造は、ＳｉＣ単結晶基板と、その基板の表面に形成されたグラファイト層と、そのグラファイト層上に形成された六方晶窒化ホウ素単結晶膜とを備える。また、この半導体積層構造は、ＳｉＣ単結晶基板の所定の面の、少なくとも最表面のＳｉを蒸発させて、前記ＳｉＣ単結晶基板とグラファイト層との積層を形成する工程と、前記グラファイト層上に六方晶窒化ホウ素単結晶膜をヘテロエピタキシャル成長させる工程とを有する製造方法により製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率と高機械強度を長期に渡り安定して得られるとともに、絶縁特性を確保した膜を製造することができるプラズマＣＶＤ方法を提供する。
【解決手段】 ボラジン骨格を有する化合物を供給する導入口を有する反応容器と、上記反応容器内に設置され、基板を支持するとともに負電荷を印加する給電電極と、上記基板を介し、上記給電電極に対向して設けられ、上記反応容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備えるプラズマＣＶＤ装置を用いた、絶縁膜形成方法に依る。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を経ることなく、成膜中及び／又は成膜後にエピタキシャル膜にかかる応力を効果的に緩和して、良質なヘテロエピタキシャル膜を成長させる。
【解決手段】ヘテロエピタキシャル膜基板１は、基板１０上に、基板１０の基板面に対して非平行方向に延びる多数の柱状体２１からなる柱状構造膜２０を介して、ヘテロエピタキシャル膜４０が形成されたものである。柱状構造膜２０は、成膜中及び／又は成膜後のヘテロエピタキシャル膜４０にかかる応力を緩和する応力緩和層として機能することができる。 （もっと読む）

【課題】ＡｌやＢ等の単原子状態で存在していられる寿命が短い活性の高い材料を用いて成膜を行う場合にも、均質で結晶品質が良好な膜を成膜することを可能とする。
【解決手段】基板２００上に１種又は複数種の成膜原料Ｇを気相で供給し、成膜原料Ｇの少なくとも一部を分解させて、基板２００上に成膜原料Ｇの構成元素を含む膜を気相成長させるに際して、基板２００の直上を基板面に対して略水平方向にレーザ光Ｌが通るように、基板２００に対して少なくとも一方向からレーザ光Ｌを照射しながら、成膜原料Ｇの供給を実施する。 （もっと読む）