【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を含む半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族物質を含む半導体素子及びその製造方法に係り、該半導体素子は、溝を含むシリコン基板３０と、溝周囲の基板上に形成されたハードマスク３２と、溝を充填する、ハードマスク上に形成された第１物質層３４と、第１物質層上に形成された上部物質層３６、及び上部物質層上に形成された素子層と、を含み、該第１物質層は、ＩＩＩ−Ｖ族物質層であり、該上部物質層は、第１物質層の一部でもあり、該上部物質層は、第１物質層と同一物質または異なる物質であってもよい。 （もっと読む）

【課題】混合ガス内の原料濃度を正確に調整し、高精度な流量制御の下でプロセスチャンバへ安定供給できる原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置を提供する。
【解決手段】マスフローコントローラ３を通してキャリアガスＧ_Ｋをソースタンク５内へ供給し、恒温部により一定温度に保持して発生させた原料４の飽和蒸気Ｇをプロセスチャンバへ供給する原料気化供給装置において、前記ソースタンクからの混合ガスＧ_Ｓの流出通路に自動圧力調整装置８を設け、その下流側にマスフローメータ９を設け、前記自動圧力調整装置のコントロールバルブ８ａを開閉制御することによりソースタンク５の内部圧力Ｐｏを所定値に制御する。マスフローコントローラ３によるキャリアガスＧ_Ｋの流量Ｑ_１と前記ソースタンク内圧Ｐｏとマスフローメータ９の混合ガスＧｓの流量Ｑ_Sの各検出値を原料濃度演算部へ入力して原料４の流量Ｑ_２を演算し、更に原料濃度Ｋを演算し、表示する。 （もっと読む）

【課題】結晶膜を基板の上に成長させる化学気相成長（ＣＶＤ）の量産では、均一性を改良しながらバッチサイズを大きくする装置構造が課題である。装置の部品の洗浄交換周期を長くし、ＣＶＤガスの基板上での消費効率を上げて、排気系のポンプや排気配管への付着を減らしたい。さらに有機金属ガスをＣＶＤガスとして用いるとき、気相で重合反応を起こし粒子ゴミを発生させるので、加熱空間を横切る流路を短くしたい。これらの要求を満たす装置の構造が課題である。
【解決手段】表面に基板を載せる複数の加熱されるサセプタを立てて放射状に配置させ、当該放射状配置のサセプタを回転させながら外周から熱分解ＣＶＤガスを供給して当該基板の上にＣＶＤ膜を成長せしめ、当該放射状配置サセプタの配置中心に加熱可能な排気管が配置されてあり、当該ＣＶＤガスを当該排気管から排気することで、課題を解決する結晶膜の気相成長装置が可能である。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ成長装置内の基板以外の部材への原料ガスによるＧａＰの析出数を制御することができるハイドライド気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】歪みを減少し、品質を向上させることができる成長基板及び発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例による発光素子は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成され、前記シリコン基板の一部を露出する第１バッファ層と、前記第１バッファ層及び前記露出されたシリコン基板を覆い、前記シリコン基板と共晶反応する物質からなる第２バッファ層と、前記第２バッファ層上に形成される第３バッファ層と、前記第３バッファ層上に形成される発光構造物とを備え、前記第２バッファ層はボイドを含む。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥が発生することを防止した発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１０は、基板１００と、第一半導体層１２０と、第二半導体層１４０と、活性層１３０と、第一電極１５０と、第二電極１６０と、を含む。第一半導体層、活性層、及び第二半導体層は、基板から離れる方向に沿って、基板に順次的に積層され、第一電極は、第一半導体層に電気的に接続され、第二電極は、第二半導体層に電気的に接続され、第一半導体層の基板と隣接する表面は、複数の空隙を含むパターン化されたカーボンナノチューブ層１０２である。第一半導体層のパターン化された表面が基板に接続することによって複数のキャビティが形成される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉオフ基板上にＧａＡｓを低欠陥密度でヘテロエピタキシャル成長させることのできる半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体基板４は、主表面を｛１ ０ ０｝面から＜０ １ １＞方向へ傾斜させたＳｉオフ基板１と、Ｇａ_１−ｘＩｎ_ｘＰ（０≦ｘ≦０．５）からなり、積層方向に沿って組成比ｘが連続的に増大するバッファ層２と、バッファ層２上に形成されたＧａＡｓ層３とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造方法を有し、コストが低く、高品質のエピタキシャル構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板１００を提供する第一ステップと、前記基板１００の結晶面１０１に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層１０２を配置し、前記基板１００の結晶面１０１の一部を前記カーボンナノチューブ層１０２の複数の空隙によって露出させる第二ステップと、前記基板１００の結晶面１０１にエピタキシャル層１０４を成長させ、前記カーボンナノチューブ層１０２を覆う第三ステップと、前記カーボンナノチューブ層１０２を除去する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体上のｐ型チャネルＦＥＴにおいてオン抵抗を低くすることの可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体からなる基板１０上に、ｎ型チャネルＦＥＴ領域２とｐ型チャネルＦＥＴ領域３とが併設されている。ｐ型チャネルＦＥＴ領域３において、チャネル層１６の下面に接するバッファ層１５が、チャネル層１６よりも広いバンドギャップを有する第２バッファ層１５Ｂだけで構成された単層構造となっている。さらに、第２バッファ層１５Ｂは、チャネル層１６と電子走行層１３との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることのできる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、第１半導体層と、第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる発光層とを有する半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０の一方の面上に設けられ、線状表面電極部を有する表面電極５０と、半導体積層構造１０の表面電極５０が設けられる側の反対の面側に設けられ、光を反射する反射層３２と、半導体積層構造１０と反射層３２との間に設けられる誘電体層と、半導体積層構造１０と反射層３２とを電気的に接続し、線状界面電極部を有する界面電極４０とを備え、線状表面電極部と線状界面電極部とがそれぞれ、平面視にて予め定められた方向に沿って延び、半導体積層構造１０が、半導体積層構造１０の反射層３２の反対側の表面に、予め定められた方向とは異なる方向に沿って設けられる溝８０を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料を堆積させる新規な方法及び堆積システムを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板に堆積させる方法は、複数のガスコラムに対する基板の空間的位置づけを変更することによってＩＩＩ族元素のガス状前駆体及びＶ族元素のガス状前駆体を基板に連続的に導入するステップを含む。例えば、基板は、各々が異なる前駆体を配置する複数の実質的に位置合わせされたガスコラムに対して移動することができる。前駆体を生成するための熱運動化ガス噴射器は、入口と、熱運動化管路と、液体試薬を保持するように構成された液体容器と、出口とを含むことができる。１つ又は複数のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板の表面に形成するための堆積システムは、前駆体を複数のガスコラムを介して基板に誘導するように構成された１つ又は複数のそのような熱運動化ガス噴射器を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】逆相境界（ＡＰＢ）の無いＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料の製造方法は、ａ）｛００１｝配向を有する第１半導体材料からなる基板と、基板の上に位置し、これと接触する絶縁層と、絶縁層内に、少なくとも部分的に基板を露出させる凹部領域を用意する工程と、ｂ）凹部領域において露出基板の上に位置し、これと接触するバッファ層を形成する工程工程と、ｃ）バッファ層の表面を粗面化するために、熱処理を印加する工程とを含み、バッファ層が、熱処理の印加後に二重ステップ表面を有する丸み形状をなし、ｄ）凹部領域を、バッファ層の二重ステップ表面の上に位置し、これと接触するＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料で少なくとも部分的に充填する工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】基板の端部近傍から作製する素子、例えば発光素子の発光波長が長波長にならず、基板中心部から作製する発光素子との違いを小さくすることができる、基板中心部と基板周辺部から作製する素子の特性差を小さくすることができる化合物半導体膜の気相成長に好適な化合物半導体膜気相成長用サセプタを提供する。
【解決手段】化合物半導体膜の気相成長の際に基板を支持するサセプタであって、該サセプタは、前記基板が配置されるザグリ部を少なくとも１つ以上備え、該ザグリ部は、底部底面がすり鉢状に湾曲しており、該湾曲部の凹部の最大深さが２５０〜５００μｍとなっているものであることを特徴とする化合物半導体膜気相成長用サセプタ。 （もっと読む）

【課題】従来の化合物半導体基板に比べて反りが小さく、これによって割れにくく、またハンドリングが容易であるという化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板１１上に発光層１３をエピタキシャル成長させる工程と、該発光層の前記ＧａＡｓ基板と反対側となる片方の主表面（第一主面）にｐ型ＧａＰ窓層１４を気相成長させる工程とを有する化合物半導体基板の製造方法において、前記ｐ型ＧａＰ窓層を気相成長させた後に、該ｐ型ＧａＰ窓層の表面上に厚さ１μｍ以上のＧａＡｓ層１５を気相成長させることを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層を形成する際に混入するＳｉによって発生する順方向電圧（Ｖｆ）の不良を従来より低減させ、順方向電圧が良好なエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層をエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ｐ型ドーパントガスを前記ｐ型層のエピタキシャル成長時より多く流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造でサセプタの回転軸の振れを抑制してエピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきを低減できる気相成長装置、及びそれを利用した化合物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、リアクタと、該リアクタの内部に配置され、回転軸周りに回転するバレル型サセプタとを備えた気相成長装置において、前記サセプタの回転軸はコレットチャック機構により固定されているものであることを特徴とする気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハ表面平坦度およびダイオードチップを製造する際の発光強度の歩留まりを向上できるＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】Ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層４、ＡｌＧａＩｎＰ系活性層５、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層６、及びＧａＰからなる電流拡散層７を有するＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハ１において、電流拡散層７が、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層６上に形成されたＶ／ＩＩＩ比が１以上１００以下の低Ｖ／ＩＩＩ比部分８と、低Ｖ／ＩＩＩ比部分上に形成されたＶ／ＩＩＩ比が１００以上５００以下の高Ｖ／ＩＩＩ比部分９とからなるものである。 （もっと読む）

【課題】複数の異なる周波数を出力する半導体基板を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体またはｎ型半導体を含む第１の不純物半導体と、第１の不純物半導体に接する複数の空乏領域を有する空乏化半導体とを備え、複数の空乏領域のそれぞれは、第１の不純物半導体との第１界面と、第１界面と対向する表面とを有し、複数の空乏領域のそれぞれは、第１界面に垂直な方向における第１界面と表面との平均距離および組成の少なくとも一つが異なる半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウエーハの膜厚のばらつきを従来より更に小さくするために、サセプタの公転の有無に拘らずウエーハを自由に自転させることができ、また気相成長条件が変動してもウエーハの自転に影響を出さずに気相成長を行うことができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】リアクタ１１と、該リアクタの内部に配置されたバレル型サセプタ１２と、ウエーハＷを装着するために該サセプタの表面に配置されたトレイ１３とを備えた気相成長装置１０において、前記トレイ１３は前記バレル型サセプタ１２とは異なる回転軸で回転するものであり、かつ前記バレル型サセプタ１２は公転用電動モータ１４によって回転し、前記トレイ１３は自転用電動モータ１５によって回転する。 （もっと読む）