【課題】透明導電膜の透過率を低下させることなく、絶縁保護膜を形成することができる絶縁保護膜形成方法を提供する。
【解決手段】透明基板に形成された透明導電膜上にプラズマ処理により絶縁保護膜を形成する絶縁保護膜形成方法において、基板の単位面積当たりのプラズマのＲＦパワーを１．８４Ｗ／ｃｍ²以下とし、加熱時間を６０秒以下として、プラズマにより透明基板を加熱し（Ｓ１）、ＲＦパワーを１．８４Ｗ／ｃｍ²以下として、透明導電膜上に第１の絶縁保護膜を形成し（Ｓ２）、ＲＦパワーを１．８４Ｗ／ｃｍ²より大きくして、第１の絶縁保護膜上に第２の絶縁保護膜を形成する（Ｓ３）。 （もっと読む）

【課題】ＬＯＣＯＳ酸化膜端部の直下の電界集中が容易に緩和され、ＬＯＣＯＳ酸化膜直下の半導体導電層の良好な耐圧および抵抗を実現することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置（１）は、ＬＯＣＯＳ酸化膜（２２）の半導体基板の表面に対してラテラル方向に終端しているエッジ（２２ａ、２２ｂ）の少なくとも一部（２２ａ、２２ｂ）が、上面と下面とに１５度以上３０度以下の角度（θ）で挟まれて終端するプロファイルを有している。 （もっと読む）

【課題】太陽電池（光電変換素子）の反射防止膜等に適応可能な、チタニア・シリカを主成分とする被膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】アルコキシシラン化合物の加水分解物および／またはその部分縮合体と、過酸化チタンと、シリカ微粒子と水とを少なくとも含有する被膜形成用組成物であって、その被膜形成用組成物の製造工程は、シリカ微粒子を含有し、ｐＨが７．０〜１１．０のコロイダルシリカゾルと、アルコキシシラン化合物の加水分解物および／またはその部分縮合体を含有し、そのｐＨが６．０〜８．０の組成物とを混合する工程を少なくとも含む被膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】 表面ラフネスが良好なシリコン酸化物膜を得ることが可能なシリコン酸化物膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地１上にシード層２を形成する工程と、シード層２上にシリコン膜３を形成する工程と、シリコン膜３及びシード層２を酸化し、下地１上にシリコン酸化物膜４を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）