【課題】膜厚の面間均一性を維持しつつ、膜厚の面内分布が中央凹の分布となることを抑止する。
【解決手段】複数枚の基板を処理する反応管と、反応管内を加熱するヒータと、反応管内で複数枚の基板を配列させて保持する保持具と、複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の複数箇所から反応管内に水素含有ガスを供給する第１ノズルと、基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の複数箇所から前記反応管内に酸素含有ガスを供給する第２ノズルと、反応管内を排気する排気口と、反応管内の圧力が大気圧よりも低い圧力となるように制御する圧力制御器と、を有し、第１ノズルには複数枚の基板の一枚一枚に対応しないように複数の第１ガス噴出孔が設けられ、第２ノズルには少なくとも複数枚の基板の一枚一枚に対応するように少なくとも複数枚の基板の枚数と同数の第２ガス噴出孔が設けられる。 （もっと読む）

【課題】消費エネルギーを抑制しつつ成膜性能を向上する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ウエハ２を処理室２０へ搬入する搬入工程（Ｓ１）と、処理室２０を排気する排気工程と、処理室２０を所定の圧力まで降下する降圧工程（Ｓ２）と、複数の処理ガスを供給してウエハ２に膜を形成する成膜工程（Ｓ４）と、処理室２０を所定の圧力まで上昇する昇圧工程（Ｓ７）と、ウエハ２を処理室２０から搬出する搬出工程（Ｓ８）と、成膜工程（Ｓ４）における排気量が、降圧工程（Ｓ２）及び昇圧工程（Ｓ７）における排気量よりも大きくなるように調整する調整工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】液体原料の温度を精度よく制御できる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００が収容される処理室２０１と、気化空間２７１を有し、気化空間内に封じ込められた液体原料２７０を気化して気化ガスを生成する液体原料容器２６０と、気化ガスを処理室内へ供給する気化ガス供給ライン２４０ａと、液体原料容器内の液体原料を加熱するための加熱装置２６３と、気化空間内の圧力を測定する圧力計２６１と、気化空間内の圧力計による測定圧力に基づいて加熱装置を制御する制御部２６６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理の終了後に余熱によって薄膜に所望しない反応が生じてしまうことを防止でき、薄膜の結晶構造を安定させ、搬送ロボット等の破損を低減する。
【解決手段】複数の処理領域を有する反応容器内に設けられた基板支持部に基板を載置する工程と、基板を所定の処理温度に加熱しつつ、第１のガスを第１の処理領域内に供給し、プラズマ状態とした第２のガスを第２の処理領域内に供給し、第１の処理領域及び第２の処理領域を基板が通過するようにさせて、基板上に薄膜を形成する工程と、反応容器内への第１のガス及び第２のガスの供給を停止し、反応容器内に不活性ガスを供給して処理済みの基板を冷却する工程と、反応容器外に処理後の基板を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】異なるガスを交互に流して成膜して、スループットが向上できるようにする。
【解決手段】反応炉２０、真空ポンプ２６に接続された排気配管４０、成膜に寄与する第１のガスを供給する第１供給配管４１、第２のガスを供給する第２供給配管３８、第１、第２供給配管の供給及び排気配管４０の排気を制御するバルブ２２〜２５、第１供給配管４１に設けられたガス溜り２１、制御手段２９を備える縦型半導体製造装置を使用して、制御手段によって、炉２０の排気を止めた状態で第１のガスを炉２０に供給することにより、炉２０を昇圧状態として基板Ｗを第１のガスに晒す。ポンプ２６で炉２０を排気しつつ第２のガスを第２供給配管３８を介して炉２０に供給することにより、基板を第２のガスに晒す。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を高める。
【解決手段】複数枚の基板を積層して収容した処理室１２の内周面に区画され、一対の電極を内部に収容する放電室に処理ガスを供給する工程と、前記電極に電力を印加してプラズマを形成し前記処理ガスを活性化させる工程と、を行い、活性化された前記処理ガスを用いて前記基板を処理する。 （もっと読む）

【課題】処理空間内の圧力を高めることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】処理容器２内に、基板であるウエハＷの載置領域を備えた載置台３と、この載置台３と対向する天板部材４とを設け、載置台３を昇降機構５により天板部材４側へ上昇させて、載置台３と天板部材４との間で処理空間Ｓを形成する。載置台３における載置領域の外側領域と天板部材４との少なくとも一方には突起部４３が設けられ、前記処理空間Ｓの形成時にその先端が他方に接触することにより、前記外側領域と天板部材４との間の離間距離が規制され、前記載置領域を囲むように排気用の１ｍｍ未満の隙間４０が形成される。隙間４０が狭小であることから、処理空間Ｓ内に反応ガスを封じ込めることができ、処理空間内の圧力が高められる。 （もっと読む）

【課題】排気口の位置を変更することなく、複数の処理領域の雰囲気を互いに混合させずに夫々対応する排気口へ排気させること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に、互いに離れて設けられ、反応ガス供給手段を備える複数の処理領域と、複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置し、分離ガスを供給する分離ガス供給手段が設けられた分離領域と、前記複数の処理領域の雰囲気を夫々排気するために処理容器に設けられた複数の排気口と、前記複数の処理領域に各々開口する開口部と、各開口部から対応する排気口に処理領域の雰囲気を案内する排気路とを、排気される各処理領域の雰囲気同士が混合しないように処理領域毎に独立して形成する排気路形成部材と、を備え、前記回転方向における前記開口部の位置が、排気路形成部材により変更できるように構成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率化、ウェットエッチング耐性の向上及びリーク電流の低減化が達成されたＳｉＢＣＮ膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、ボロン含有ガスと窒化ガスとシラン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にボロンと窒素とシリコンと炭素を含む薄膜を形成する成膜方法において、ボロン含有ガスと窒化ガスとを交互に間欠的に供給するサイクルを１回以上行ってＢＮ膜を形成する第１の工程と、シラン系ガスと炭化水素ガスと窒化ガスとを間欠的に供給するサイクルを１回以上行ってＳｉＣＮ膜を形成する第２の工程とを有する。これにより、低誘電率化、ウェットエッチング耐性の向上及びリーク電流の低減化が達成されたボロンと窒素とシリコンと炭素とを含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理で被処理基体上の層を、例えば窒化又は酸化するＡＬＤ法で、パージに要する時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ヘッド１６が、第１の空間Ｓ１内の第１の領域で第１のプロセスガスをステージ１４に向けて供給する。ヘッド１６は、第２の領域Ｒ２に退避可能である。ヘッド１６は、第１の空間Ｓ１内の第１の領域の上方の上部領域Ｒａと第１の領域の下方の下部領域Ｒｂとを画成する。供給源１８は、上部領域Ｒａに電磁界エネルギーを供給する。上部領域Ｒａには、第２のプロセスガスが供給される。ヘッド１６は、ステージ１４を覆い、且つ、下部領域Ｒｂに面する連通路Ｐの開口を覆う大きさを有する。 （もっと読む）

【課題】断熱構造体やプロセスチューブ全体を均一に急冷可能とする。
【解決手段】縦置きの加熱装置に使用される断熱構造体４２であって、円筒形状に形成された側壁部４３を有し、該側壁部４３が内外複数層構造に形成されており、該側壁部の複数層のうちの外側に配置された側壁外層４４の上部に設けられる冷却ガス供給口７４と、前記側壁部の複数層のうちの内側に配置された側壁内層４５と前記側壁外層との間に設けられる冷却ガス通路４７と、前記側壁内層の内側に設けられる空間７５と、前記冷却ガス通路から前記空間へ冷却ガスを吹出すように、前記側壁内層の前記冷却ガス供給口より下方に設けられる複数の吹出孔７８と、前記側壁内層の内周面の前記吹出孔の対向する位置に設けられ、前記冷却ガス通路側から前記空間側に向けて開口面積が広くなるように形成される切欠部７９と、を有する断熱構造体。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制し、発生するパーティクルが膜に混入することを防ぎ、均一で高品質な薄膜を形成できるプラズマＣＶＤ装置および方法を提供する。
【解決手段】真空容器内に、メインロール６と、プラズマ発生電極７とを備え、長尺基材を前記メインロールの表面に沿わせて搬送しながら前記長尺基材の表面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、前記メインロールと前記プラズマ発生電極とで挟まれる成膜空間を囲むように、前記成膜空間を挟んで前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側に、前記長尺基材の幅方向に延在する少なくとも１枚ずつの側壁８を設け、前記側壁は前記プラズマ発生電極とは電気的に絶縁されており、前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側のいずれか一方の側壁に、前記長尺基材の幅方向に一列に並んだ複数のガス供給孔が形成するガス供給孔列９を１列以上備えるプラズマＣＶＤ装置。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたトレンチ側面の酸化膜を薄膜化し、且つトレンチ上のパターン上部の角がエッチングされることを抑制する。
【解決手段】熱酸化膜６０形成後にトレンチ６１が形成されたウェハＷをプラズマによって酸化処理するプラズマ処理方法であって、ウェハＷはイオン引き込み用の高周波電圧が印加されるサセプタに載置され、プラズマによる酸化処理は、イオン引き込み用の高周波電圧をウェハＷに印加しながら行われる。プラズマ酸化処理における処理ガスは、ヘリウムと酸素を含む混合ガスであり、プラズマ処理は、処理容器内において６．７〜１３３Ｐａの圧力で行われる。 （もっと読む）

【課題】 低温領域において、膜中の塩素濃度が低く、フッ化水素に対する耐性の高いシリコン窒化膜を形成する。
【解決手段】 処理室内の基板に対してモノクロロシランガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起させた水素含有ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起または熱励起させた窒素含有ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起させた窒素ガスおよびプラズマ励起させた希ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上にシリコン窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】リリースエッチング後の大気暴露の問題を解決するための、例えばＭＥＭＳデバイス作製用の真空一貫基板処理装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】多角形の搬送室１１、並びに該多角形の各辺にそれぞれ接続されたリリースエッチング装置１２、ＡＬＤ装置１３及びロードロック室１８等を備えた真空一貫基板処理装置である。リリースエッチングとＡＬＤ成膜とを真空一貫で行うことにより、最終的に得られたデバイスにおける電気的特性・光学的特性が改善されると共にディスプレイの生産歩留まりが改善され得る。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの利用効率及び置換効率を高めると共に、処理対象物以外に付着した薄膜の処理を容易にする真空成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】複数の原料ガスを交互にパルス的に反応室に供給し、昇降自在の支持ステージ上に載置される処理対象物Ｓ上に成膜する真空成膜装置１であって、開閉自在の天板１１ａを備えた外チャンバー１１と、外チャンバー１１内の下方部分に設置され、開閉自在の天板１２ａを備えた内チャンバー１２との二重構造チャンバーにより構成されており、内チャンバー１２内に原料ガスを供給するガスノズル１５が処理対象物Ｓの表面に対して平行になるように内チャンバー１２内に設けられており、内チャンバー１２内のガスの排出径路に、成膜に寄与しなかった原料ガスを導入するトラップが設けられており、その下流側に真空成膜装置１内の圧力を調整するための圧力調整用バルブ及び排気系が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に棚状に積載された複数枚の基板に対して、互いに反応する複数種類の処理ガスを順番に供給して成膜処理を行うにあたり、処理ガスを切り替える時の雰囲気を容易に置換すること。
【解決手段】Ｚｒ系ガスやＯ_３ガスなどの処理ガスを反応管１２内に供給するためのガス吐出口５２の各々形成された第１のガスインジェクター５１ａ、５１ｂとは別に、反応管１２の長さ方向に沿うようにスリット５０の形成された第３のガスインジェクター５１ｃを設けて、処理ガスを切り替える時には、このスリット５０から反応管１２内にパージガスを供給して当該反応管１２内の雰囲気を置換する。 （もっと読む）

【課題】膜中の酸素濃度を制御しつつ、段差被覆性を向上させ、抵抗率の低い薄膜を形成することができる。
【解決手段】基板を収容した処理室内にＣＶＤ反応が生じる条件下で、タンタルを含む原料ガスを供給し排気して、前記基板上にタンタル含有層を形成する工程と、前記処理室内にオゾンガスを短パルスで供給し排気することで、前記タンタル含有層の表面を酸化して、前記タンタル含有層の表面に酸化タンタル層を形成する工程と、を行うことで基板上に酸化タンタル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜温度が１８０℃以下で形成される絶縁膜の絶縁性を高めることの可能な絶縁膜の形成方法及び該絶縁膜を形成する成膜装置を提供する。
【解決手段】
マスフローコントローラＭＦＣ１から原料タンクＴＫにＡｒガスを供給することによって押し出されたＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスと、マイクロ波プラズマ源ＰＬで励起することによって活性状態にされた酸素原子を含むガスとを、シャワープレート３６に設けられた複数の孔から別々に基板Ｓ表面の空間に供給する。この際、活性状態にされた酸素原子を含むガスの供給を連続的に行う間に、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４昇華ガスの供給を間欠的に複数回行ってもよい。これにより、ジルコニウムと、ホウ素と、酸素とを含む絶縁膜であるＺｒＢＯ膜を基板Ｓの表面及び該基板Ｓの有する貫通孔の内面に形成する。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＮ膜の上部に形成するＴｉＯ膜の少なくとも一部の結晶構造をブルッカイト型構造又はルチル型構造とし、ＴｉＯ膜の誘電率を高める。
【解決手段】ジルコニウム酸化膜の膜厚を制御することにより、ジルコニウム酸化膜の少なくとも一部の結晶構造を立方晶系構造又は正方晶系構造とし、これにより、チタン酸化膜の少なくとも一部の結晶構造をブルッカイト型構造又はルチル型構造とする。 （もっと読む）