プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
【課題】プラズマ処理で被処理基体上の層を、例えば窒化又は酸化するＡＬＤ法で、パージに要する時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ヘッド１６が、第１の空間Ｓ１内の第１の領域で第１のプロセスガスをステージ１４に向けて供給する。ヘッド１６は、第２の領域Ｒ２に退避可能である。ヘッド１６は、第１の空間Ｓ１内の第１の領域の上方の上部領域Ｒａと第１の領域の下方の下部領域Ｒｂとを画成する。供給源１８は、上部領域Ｒａに電磁界エネルギーを供給する。上部領域Ｒａには、第２のプロセスガスが供給される。ヘッド１６は、ステージ１４を覆い、且つ、下部領域Ｒｂに面する連通路Ｐの開口を覆う大きさを有する。
【解決手段】ヘッド１６が、第１の空間Ｓ１内の第１の領域で第１のプロセスガスをステージ１４に向けて供給する。ヘッド１６は、第２の領域Ｒ２に退避可能である。ヘッド１６は、第１の空間Ｓ１内の第１の領域の上方の上部領域Ｒａと第１の領域の下方の下部領域Ｒｂとを画成する。供給源１８は、上部領域Ｒａに電磁界エネルギーを供給する。上部領域Ｒａには、第２のプロセスガスが供給される。ヘッド１６は、ステージ１４を覆い、且つ、下部領域Ｒｂに面する連通路Ｐの開口を覆う大きさを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の種々の側面及び実施形態は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
被処理基体上に層を形成する方法として、ラジカル反応を用いた原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が知られている。ＡＬＤ法では、第１のプロセス工程において原料ガスが被処理基体上に供給される。続く第１のパージ工程において、パージが行われ、これにより、被処理基体上に化学吸着している層（例えば、単一の原子層又は単一の分子層）が残され、被処理基体に物理吸着又は化学吸着している残部が除去される。続く第２のプロセス工程では、被処理基体上の層にプラズマ処理が施される。このプラズマ処理で、被処理基体上の層が、例えば窒化又は酸化される。続く第２のパージ工程において、再びパージが行われる。このようなＡＬＤ法には、例えば、特許文献１に記載されたプラズマ処理装置が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００８−５３７９７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されたプラズマ処理装置では、第１のプロセス工程及び第２のプロセス工程が同じ処理空間で行われる。また、被処理基体に対するプラズマ処理を均一化するために、プラズマ源から被処理基体までの距離は大きくなっている。したがって、この処理空間は比較的大きなものとなり、その結果、パージに要する時間が長くなり得る。
【０００５】
このような事情により、当技術分野においては、パージに要する時間を短縮することが要請されている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係るプラズマ処理装置は、処理容器、ステージ、ヘッド、供給源、第１の排気手段、及び、第２の排気手段を備えている。処理容器は、第１の空間及び第２の空間を画成する。ステージは、第１の空間の下方且つ前記第２の空間の上方に設けられている。ステージは、第１の空間と第２の空間とを連通させる連通路をその外周に沿って画成する。ヘッドは、層形成用の第１のプロセスガスをステージに向けて供給する。ヘッドは、第１の領域と第２の領域との間で移動可能である。第１の領域は、第１の空間内且つステージの上方の領域である。第２の領域は、ヘッドを退避させるための領域である。ヘッドは、第１の領域に位置するときに第１の空間内に第１の領域の上方の上部領域と第１の領域の下方の下部領域とを画成する。供給源は、上部領域に電磁界エネルギーを供給する。この上部領域には、プラズマ処理用の第２のプロセスガスが供給される。第１の排気手段は、上部領域に連通する。第２の排気手段は、第２の空間に連通する。ヘッドは、第１の領域に位置するときにステージを覆い、且つ、下部領域に面する連通路の開口を覆う大きさを有する。
【０００７】
このプラズマ処理装置では、第１の排気手段と第２の排気手段により上部領域と連通路に通じる第２の空間が個別に排気される。したがって、ヘッドが第１の領域に位置するときに第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを同時に供給しても、第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域への拡散が抑制され得る。その結果、第１のプロセスガスを用いた処理後に行なわれるパージは、下部領域及び／又はヘッドの内部の第１のプロセスガスを対象とすることができる。したがって、当該パージに要する時間を短縮することが可能である。
【０００８】
一実施形態においては、処理容器内にはパージガス（第１のパージガス）の供給経路（第１のパージガス供給経路）が設けられており、この供給経路は下部領域に面する開口を含んでおり、当該供給経路の開口は、ステージに対して連通路の上記開口よりも側方に設けられており、ヘッドは、更に当該供給経路の開口を覆う大きさを有していてもよい。この実施形態によれば、ヘッドが第１の領域に位置するときに、パージガスを供給することにより、第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域への拡散がより効果的に抑制され得る。
【０００９】
一実施形態においては、処理容器には、第１の排気手段に接続する排気経路が設けられており、当該排気経路は開口を含んでおり、当該開口は、上記パージガスの供給経路の開口よりもステージに対して側方に設けられており、ヘッドは、更に当該排気経路の開口を覆う大きさを有していてもよい。この実施形態によれば、ヘッドが第１の領域に位置するときに、ヘッドの周縁部分の下方において上部領域から拡散する第２のプロセスガスを排気することができる。その結果、ヘッドが第１の領域に位置するときの第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び第２のプロセスガスの下部領域への拡散が、更により効果的に抑制され得る。
【００１０】
一実施形態においては、プラズマ処理装置は、処理容器内において昇降可能に構成された昇降壁を更に備えていてもよい。昇降壁は、ステージに対して連通路よりも側方に設けられる。この昇降壁は、ヘッドに対面する上面を含む。この実施形態によれば、ヘッドの周縁部に対面する上面を有する昇降壁により、上部領域と下部領域との間のコンダクタンスを低くすることができる。その結果、ヘッドが第１の領域に位置するときの第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域への拡散が、より効果的に抑制され得る。
【００１１】
一実施形態においては、昇降壁には、パージガスの供給経路（第１のパージガス供給経路）が設けられており、当該供給経路の開口は昇降壁の上面に設けられていてもよい。この実施形態によれば、ヘッドが第１の領域に位置するときに、パージガス（第１のパージガス）を供給することにより、第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び第２のプロセスガスの下部領域への拡散が、更により効果的に抑制され得る。
【００１２】
一実施形態においては、処理容器内には、第２の空間に連通するパージガスの供給経路（第２のパージガス供給経路）が設けられていてもよい。このパージガス（第２のパージガス）により、第２の空間内に第２のプロセスガスが流入することが抑制され得る。その結果、第２の空間内でのパーティクルの発生が抑制され得る。
【００１３】
一実施形態においては、プラズマ処理装置は、ステージを下方から回転可能に支持する支柱を更に備え得る。支柱はその外周面に沿って第３の空間を画成し、当該第３の空間は第２の空間に連通しており、第２の空間に連通するパージガスの供給経路（第２のパージガス供給経路）は、第３の空間を介して第２の空間に連通していてもよい。この実施形態によれば、例えばヘッドの移動中にステージを回転させることができ、これにより、被処理基体に対する処理を均一化することが可能となる。また、ステージの回転中に第３の空間にパージガスを供給することにより、支柱の外周面に沿ってプロセスガスが外部に流出することを抑制することができる。
【００１４】
本発明の別の側面は、上述したプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法に関するものである。このプラズマ処理方法は、（ａ）ヘッドを第１の領域に移動させる工程と、（ｂ）第１の領域に配置されたヘッドから第１のプロセスガスを供給する工程と、（ｃ）第１のプロセスガスを供給する工程と並行して、上部領域に電磁界エネルギーを供給し、上部領域に第２のプロセスガスを供給する工程と、（ｄ）第１のプロセスガスを供給する工程と並行して、第１の排気手段及び第２の排気手段による排気を行う工程と、（ｅ）第１のプロセスガスの供給を停止して、第２の排気手段による排気を行う工程と、（ｆ）ヘッドを第２の領域に移動させる工程と、（ｇ）ヘッドを第２の領域に移動させた後に、上部領域に電磁界エネルギーを供給し、上部領域に第２のプロセスガスを供給する工程と、（ｈ）第１の排気手段及び第２の排気手段による排気を行う工程と、を含む。
【００１５】
このプラズマ処理方法では、第１のプロセスガスを供給する工程と並行して、上部領域に電磁界エネルギーが供給され、当該上部領域に第２のプロセスガスが供給される。また、第１のプロセスガスを供給する工程と並行して、第１の排気手段及び第２の排気手段による排気が行なわれる。その結果、ヘッドが第１の領域に位置するときの第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域への拡散が抑制され得る。その結果、第１のプロセスガスを用いた処理後に行なわれるパージ（即ち、工程（ｅ））は、下部領域及び／又はヘッドの内部の第１のプロセスガスを対象とすることができる。したがって、当該パージに要する時間を短縮することが可能である。
【００１６】
一実施形態においては、上述したように、プラズマ処理装置の処理容器内には、パージガスの供給経路（第１のパージガス供給経路）が設けられており、当該供給経路は下部領域に面する開口を含んでおり、当該供給経路の開口は、ステージに対して連通路の開口よりも側方に設けられており、ヘッドは、更に当該供給経路の開口を覆う大きさを有していてもよい。この実施形態のプラズマ処理装置を用いる場合には、プラズマ処理方法は、第１のプロセスガスを供給する工程と並行して、当該供給経路からパージガス（第１のパージガス）を供給する工程を更に含み得る。この実施形態によれば、ヘッドが第１の領域に位置するときにパージガスが供給されるので、上部領域と下部領域との間に、当該パージガスを用いた障壁が形成される。その結果、第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域への拡散が、より効果的に抑制され得る。
【００１７】
一実施形態においては、上述したように、プラズマ処理装置は、処理容器内において昇降可能に構成された昇降壁を更に備え、当該昇降壁は、ステージに対して連通路よりも側方に設けられ、当該昇降壁は、ヘッドに対面する上面を含んでいてもよい。この実施形態のプラズマ処理装置を用いる場合には、プラズマ処理方法は、ヘッドを第１の領域に移動させる工程の後に、昇降壁を上方に移動させる工程を更に含んでいてもよい。この実施形態によれば、昇降壁の移動によってヘッドの移動が阻害されることを防止することができる。また、昇降壁をヘッドに近づけることにより、上部領域と下部領域との間のコンダクタンスを低くすることができる。その結果、ヘッドが第１の領域に位置するときの第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域への拡散が、より効果的に抑制され得る。
【００１８】
一実施形態においては、上述したように、昇降壁にはパージガスの供給経路（第１のパージガス供給経路）が設けられており、当該供給経路の開口は昇降壁の上面に設けられていてもよい。この実施形態のプラズマ処理装置を用いる場合には、プラズマ処理方法は、昇降壁を上方に移動させる工程と並行して、供給経路の開口からパージガス（第１のパージガス）を供給する工程を更に含み得る。この実施形態によれば、ヘッドが第１の領域に位置するときにパージガスが供給されることにより、上部領域と下部領域との間に当該パージガスを用いた障壁が形成される。その結果、第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域への拡散が、更により効果的に抑制され得る。
【００１９】
一実施形態においては、上述したように、プラズマ処理装置の処理容器内には、第２の空間に連通するパージガスの供給経路（第２のパージガス供給経路）が設けられていてもよい。この実施形態のプラズマ処理装置を用いる場合には、プラズマ処理方法は、ヘッドを第２の領域に移動させる工程と並行して、及び／又は、ヘッドが第２の領域に配置されているときに、第２の空間に連通する供給経路から第２の空間にパージガス（第２のパージガス）を供給する工程を更に含み得る。この実施形態では、ヘッドが第１の領域に配置されていないときに、第２の空間内に第２のプロセスガスが流入することが抑制され得る。その結果、第２の空間内でのパーティクルの発生が抑制され得る。
【００２０】
一実施形態においては、プラズマ処理方法は、第２の空間に連通する供給経路（第２のパージガス供給経路）から第２の空間にパージガス（第２のパージガス）を供給する上記工程において、当該パージガスの供給量は、第２の排気手段の排気量より多くてもよい。この実施形態によれば、第２の空間への第２のプロセスガスの流入をより効果的に抑制することができる。
【００２１】
一実施形態においては、上述したように、プラズマ処理装置は、ステージを下方から回転可能に支持する支柱を更に備え、支柱はその外周面に沿って第３の空間を画成し、当該第３の空間は第２の空間に連通しており、第２の空間に連通する上記供給経路（第２のパージガス供給経路）は、第３の空間を介して第２の空間に連通していてもよい。このプラズマ処理装置を用いる場合には、プラズマ処理方法は、ヘッドを第１の領域に移動させる工程及び／又はヘッドを第２の領域に移動させる工程と並行して、ステージを回転させつつ、第２の空間に連通する供給経路（第２のパージガス供給経路）からパージガス（第２のパージガス）を供給する工程を更に含み得る。この実施形態によれば、ステージの回転により被処理基体に対する処理を均一化することが可能となる。また、第３の空間にパージガスが供給されるので、支柱の外周面に沿ってプロセスガスが外部に流出ことが抑制され得る。
【００２２】
本発明の別の実施形態に係るプラズマ処理装置は、ステージ、処理容器、供給源、第１の排気手段、及び第２の排気手段を備えている。処理容器は、ステージの上方の処理空間、及び、処理空間の側方に位置するプラズマ生成空間を画成する。処理容器には、層形成用の第１のプロセスガスの第１の供給経路が設けられている。この第１の供給経路は、処理空間に接続している。また、処理容器には、プラズマ処理用の第２のプロセスガスの第２の供給経路が設けられている。この第２の供給経路は、プラズマ生成空間に接続している。供給源は、プラズマ生成空間に電磁界エネルギーを供給する。第１の排気手段は、処理空間に連通する。第２の排気手段は、プラズマ生成空間に連通する。
【００２３】
このプラズマ処理装置では、第１の排気手段と第２の排気手段により、処理空間とプラズマ生成空間が個別に排気され得る。これにより、処理空間に第１のプロセスガス供給し、同時にプラズマ生成空間に第２のプロセスガスを供給しても、両プロセスガスが拡散して、互いに混合されることが抑制され得る。その結果、第１のプロセスガスを用いた処理後のパージは処理空間のみを対象とすることができので、当該パージに要する時間を短縮することが可能である。
【００２４】
一実施形態においては、処理容器は、処理空間を画成する第１の容器と、当該第１の容器の側方外面に取り付けられた第２の容器でありプラズマ生成空間を画成する第２の容器と、を含み得る。
【００２５】
一実施形態においては、プラズマ処理装置は、処理空間とプラズマ生成空間との間の領域に配置可能であり、且つ、当該領域から退避可能な可動壁を更に備え得る。この実施形態では、第１のプロセスガスによる処理中に処理空間とプラズマ生成空間との間の領域に可動壁を配置することができる。これにより、処理空間とプラズマ生成空間との間の領域におけるコンダクタンスを低くすることができる。その結果、第１のプロセスガスによる処理中に第２のプロセスガスをプラズマ生成空間に供給しても、当該第２のプロセスガスが処理空間に拡散することをより効果的に抑制することができる。
【００２６】
一実施形態においては、第２の排気手段は、処理空間とプラズマ生成空間との間の領域に面する開口を含む排気経路に接続していてもよい。この実施形態によれば、処理空間とプラズマ生成空間との間の領域が第２の排気手段によって排気される。その結果、第１のプロセスガスによる処理中に第２のプロセスガスをプラズマ生成空間に供給しても、当該第２のプロセスガスが処理空間に拡散することをより効果的に抑制することができる。
【発明の効果】
【００２７】
以上説明したように、本発明の種々の側面及び種々の実施形態によれば、パージに要する時間を短縮可能なプラズマ処理装置が提供される。また、当該プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図であり、ヘッドが第１の領域に配置された状態を示す図である。
【図２】一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図であり、ヘッドが第２の領域に配置された状態を示す図である。
【図３】一実施形態に係るプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法のシーケンスを示す図である。
【図４】一実施形態に係るプラズマ処理装置の制御部を示す図である。
【図５】別の実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図であり、ヘッドが第１の領域に配置された状態を示す図である。
【図６】別の実施形態に係るプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法のシーケンスを示す図である。
【図７】別の実施形態に係るプラズマ処理装置の制御部を示す図である。
【図８】更に別の実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
【図９】更に別の実施形態に係るプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法のシーケンスを示す図である。
【図１０】更に別の実施形態に係るプラズマ処理装置の制御部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００３０】
図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図であり、ヘッドが第１の領域に配置された状態を示す図である。また、図２は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図であり、ヘッドが第２の領域に配置された状態を示す図である。図１及び図２に示すプラズマ処理装置１０は、処理容器１２、ステージ１４、ヘッド１６、電磁界エネルギーの供給源１８、第１の排気装置２０、及び、第２の排気装置２２を備えている。
【００３１】
処理容器１２は、その内部空間にステージ１４を収容している。処理容器１２の内部空間は、第１の空間Ｓ１及び第２の空間Ｓ２を含んでいる。処理容器１２は、ステージ１４の上方（図中、Ｘ方向）に第１の空間Ｓ１を画成しており、ステージ１４の下方（図中、−（マイナス）Ｘ方向）に第２の空間Ｓ２を画成している。
【００３２】
一実施形態においては、この処理容器１２は、側壁１２ａ、底部１２ｂ、及び上部１２ｃを含み得る。側壁１２ａは、軸線Ｘに沿って延在する略円筒形状を有している。底部１２ｂは、側壁１２ａの下端に結合されている。また、上部１２ｃは、側壁１２ａの上端に結合されている。
【００３３】
第１の空間Ｓ１は、側壁１２ａの上側部分の内面によって、当該内面の内方に画成されている。また、第２の空間Ｓ２は、側壁１２ａの下側部分によって画成されている。第２の空間Ｓ２は、ステージ１４の下方において、軸線Ｘ中心の環状の閉曲線に沿って提供され得る。一実施形態においては、ステージ１４は、軸線Ｘ中心に延在する略円板形状を有している。ステージ１４は、その外周に沿って連通路Ｐを画成している。この連通路Ｐは、第１の空間Ｓ１と第２の空間Ｓ２とを連通させている。
【００３４】
ステージ１４の上面（又は載置面）には、被処理基体Ｗが載置される。ステージ１４は、例えば、静電チャックにより被処理基体Ｗを吸着することができる。ステージ１４は、温度制御器２６に接続されている。この温度制御器２６によって、ステージ１４上に載置された被処理基体Ｗの温度を制御することができる。
【００３５】
一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、支柱２４を備え得る。支柱２４は、軸線Ｘに沿って延在する円柱形状を有している。ステージ１４は、支柱２４によって下方から支持され得る。この支柱２４は、モータといった駆動装置２８に接続されている。駆動装置２８は、支柱２４を軸線Ｘ中心に回転させることにより、ステージ１４を軸線Ｘ中心に回転させることができる。
【００３６】
第１の空間Ｓ１は、ステージ１４の上方に当該ステージ１４から離間した第１の領域Ｒ１を含んでいる。処理容器１２は、第１の領域Ｒ１に対して側方（図中、Ｙ方向）に第２の領域Ｒ２も画成している。処理容器１２の内部空間には、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との間で移動可能なヘッド１６が設けられている。
【００３７】
ヘッド１６は、層形成用の第１のプロセスガスを被処理基体Ｗに向けて供給するためのシャワーヘッドである。第１のプロセスガスとしては、例えば、シリコン原子を含むガス、例えばＢＴＢＡＳ（ビスターシャルブチルアミノシラン）等のアミノシランを用いることができる。
【００３８】
ヘッド１６は、略円板形状を有している。ヘッド１６の下面には、第１のプロセスガスを被処理基体Ｗ上に供給するための複数の供給孔１６ｈが形成されている。ヘッド１６には、支持部３６の一端が結合されている。この支持部３６は、駆動装置３０に連結されている。駆動装置３０は、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との間でヘッド１６を移動させる。なお、第２の領域Ｒ２は、ヘッド１６をステージ１４の上方から退避させることができれば、任意の位置に形成されていてもよい。また、ヘッド１６は、軸線Ｘと並行な軸線中心に支持部３６を軸支することによって、第１の領域Ｒ１と第２の領域との間で移動可能であってもよい。
【００３９】
ヘッド１６と支持部３６には、複数の供給孔１６ｈに第１のプロセスガスを供給するための供給経路１６ｐが形成されている。この供給経路１６ｐには、ガス供給系３２が接続されている。
【００４０】
ガス供給系３２は、ガス源３２ａ、弁３２ｂ、及び流量制御器３２ｃを含んでいる。ガス源３２ａは、第１のプロセスガスのガス源である。ガス源３２ａからのガスの供給及び供給停止は、弁３２ｂの開閉動作により切替えられる。また、ガス源３２ａからのガスの流量は、マスフローコントローラといった流量制御器３２ｃによって調整される。
【００４１】
また、供給経路１６ｐには、パージガス供給系３４が接続されている（以下、パージガス供給系３４によって供給されるガスを「第３のパージガス」ということがある）。この供給系３４は、ガス源３４ａ、弁３４ｂ、及び流量制御器３４ｃを含んでいる。ガス源３４ａは、アルゴンのような不活性ガスのガス源である。ガス源３４ａからのガスの供給及び供給停止は、弁３４ｂの開閉動作により切替えられる。また、ガス源３４ａからのガスの流量は、マスフローコントローラといった流量制御器３４ｃによって調整される。
【００４２】
上述した構成を有するヘッド１６は、第１のプロセス工程において、第１の領域Ｒ１に配置される（図１を参照）。ヘッド１６は、第１の領域Ｒ１に配置されているときに、第１の空間Ｓ１内において、その上方に上部領域Ｒａを画成し、その下方に下部領域Ｒｂを画成する。第１のプロセス工程においては、ヘッド１６は、ステージ１４上に載置された被処理基体Ｗに、下部領域Ｒｂを介して第１のプロセスガスを供給する。これにより、被処理基体Ｗ上に第１のプロセスガスに含まれる原料が吸着される。
【００４３】
ヘッド１６は、第１のプロセス工程に続く第１のパージ工程において、ガス供給系３４からの不活性ガスを被処理基体Ｗに供給することができる。これにより、第１のプロセス工程において吸着された層のうち、被処理基体Ｗに化学吸着している部分（例えば単一の分子層又は単一の原子層）は残存し、被処理基体Ｗに物理吸着又は化学吸着している残部は除去される。また、第１のパージ工程では、ヘッド１６内に残留した第１のプロセスガスが不活性ガスで置換される。ヘッド１６は、第１のプロセス工程及び第１のパージ工程の後に、第２の領域Ｒ２に移動される（図２を参照）。
【００４４】
処理容器１２には、上述した上部領域Ｒａに第２のプロセスガスを供給するための供給経路Ｐ２が設けられている。第２のプロセスガスは、第２のプロセス工程におけるプラズマ処理用のガスである。第２のプロセス工程においては、被処理基体Ｗに吸着された層が窒化又は酸化される。第２のプロセス工程において窒化処理が行なわれる場合には、第２のプロセスガスとして、窒素ガス又はＮＨ３ガスといった窒素元素を含むガスが用いられる。一方、第２のプロセス工程において酸化処理が行なわれる場合には、第２のプロセスガスとして、酸素ガスといった酸素元素を含むガスが用いられる。
【００４５】
供給経路Ｐ２は、上部領域Ｒａを画成する側壁１２ａに形成されている。一実施形態においては、供給経路Ｐ２は、空洞Ｐ２１及び供給孔Ｐ２２を含んでいる。空洞Ｐ２１は、側壁１２ａの内部に形成されており、軸線Ｘ中心の環状の閉曲線に沿って延在し得る。供給孔Ｐ２２は、空洞Ｐ２１から軸線Ｘに向かう方向に延びるように形成されている。この供給経路Ｐ２には、ガス供給系３８が接続されている。
【００４６】
ガス供給系３８は、ガス源３８ａ、弁３８ｂ、及び流量制御器３８ｃを含んでいる。ガス源３８ａは、第２のプロセスガスのガス源である。ガス源３８ａからのガスの供給及び供給停止は、弁３８ｂの開閉動作により切替えられる。また、ガス源３８ａからのガスの流量は、マスフローコントローラといった流量制御器３８ｃによって調整される。このガス供給系３８によって供給されるガスは、ガス供給経路Ｐ２に供給され、当該ガス供給経路Ｐ２の供給孔Ｐ２２から上部領域Ｒａに供給される。この上部領域Ｒａには、供給源１８からプラズマ源として電磁界エネルギーが供給される。
【００４７】
一実施形態においては、供給源１８は、上部領域Ｒａに磁場を加えずにマイクロ波を供給する。一例においては、供給源１８は、ラジアルスロットラインアンテナによってマイクロ波を上部領域Ｒａに供給する。この一例においては、供給源１８は、マイクロ波発生器４０、矩形導波管４２、モード変換器４４、同軸導波管４６、アンテナ４８、及び誘電体窓５０を含んでいる。
【００４８】
マイクロ波発生器４０は、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生する。マイクロ波発生器４０には矩形導波管４２の一端が接続されており、当該矩形導波管４２の他端はモード変換器４４に接続されている。モード変換器４４は、マイクロ波発生器４０によって発生され矩形導波管４２によって導波されたマイクロ波のモードを変更する。モード変換器４４は、軸線Ｘに沿って延在する同軸導波管４６を介してアンテナ４８に接続されている。
【００４９】
アンテナ４８は、スロット板４８ａ、誘電体板４８ｂ、及び、冷却ジャケット４８ｃを含んでいる。スロット板４８ａは、略円板状の導体である。アンテナ４８は、ラジアルラインスロットアンテナであってもよく、スロット板４８ａには、互いに交差又は直交する方向に延びる二つのスロットをそれぞれ含む複数のスロット対が形成されている。スロット板４８ａにおいては、複数のスロット対は、径方向に所定の間隔で配置され、また、周方向に所定の間隔で配置され得る。スロット板４８ａと冷却ジャケット４８ｃとの間には、略円板状の誘電体板４８ｂが設けられている。スロット板４８ａには、同軸導波管４６の内側導体４６ｂが接続されている。同軸導波管４６の外側導体４６ａは、冷却ジャケット４８ｃに接続されている。
【００５０】
アンテナ４８とステージ１４とは、軸線Ｘ方向において対面している。このアンテナ４８の直下には略円板上の誘電体窓５０が設けられている。誘電体窓５０は、例えば石英製であり、この誘電体窓５０は、第１の空間Ｓ１を上方から画成している。
【００５１】
このような供給源１８によれば、マイクロ波発生器４０により発生されたマイクロ波は、導波管４２、モード変換器４４、及び同軸導波管４６を介して導波され、誘電体板４８ｂ内で伝播され、スロット板４８ａのスロットから誘電体窓５０を透過して、上部領域Ｒａに供給される。
【００５２】
上部領域Ｒａには、第１の排気装置２０が連通している。一実施形態においては、第１の排気装置２０は、弁５２及び処理容器１２の側壁１２ａに形成された排気経路Ｐｖ１を介して上部領域Ｒａに連通している。排気経路Ｐｖ１は、第１の空間Ｓ１側の開口Ｐｖ１ｏから側壁１２ａの外面まで延在している。一実施形態においては、排気経路Ｐｖ１の開口Ｐｖ１ｏは軸線Ｘを中心とした環状の開口であり得る。
【００５３】
また、下部領域Ｒｂには、連通路Ｐの開口Ｐｏが面している。したがって、ヘッド１６は、第１の領域Ｒ１に配置されているときに、連通路Ｐの開口Ｐｏを上方から覆う大きさを有している。換言すると、ヘッド１６は、連通路Ｐの開口Ｐｏに軸線Ｘ方向において対面する周縁部分を有している。この連通路Ｐに接続する第２の空間Ｓ２には、排気装置２２が連通している。排気装置２２は、弁５４及び側壁１２ａに形成された排気経路Ｐｖ２を介して第２の空間Ｓ２に接続している。
【００５４】
このように、プラズマ処理装置１０は、連通路Ｐに接続された第２の空間Ｓ２に連通する第２の排気装置２２と、上部領域Ｒａに連通する第１の排気装置２０とを備えている。したがって、プラズマ処理装置１０では、ヘッド１６が第１の領域Ｒ１に配置されているときに、第１の排気装置２０と第２の排気装置２２により、上部領域Ｒａと下部領域Ｒｂがそれぞれ個別に排気される。したがって、第１の領域Ｒ１に配置されたヘッド１６から第１のプロセスガスを供給し、同時に上部領域Ｒａに第２のプロセスガスを供給しても、第１のプロセスガスの上部領域Ｒａへの拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域Ｒｂへの拡散が抑制され得る。その結果、後述する第１のパージ工程の時間が短縮され得る。
【００５５】
一実施形態においては、処理容器１２には、パージガス供給経路Ｐｓ１が設けられている（以下、パージガス供給経路Ｐｓ１から供給されるガスを「第１のパージガス」ということがある）。このパージガス供給経路Ｐｓ１の第１の空間Ｓ１側の開口Ｐｓ１ｏは、連通路Ｐの開口Ｐｏよりもステージ１４に対して側方に設けられている。開口Ｐｓ１ｏは、例えば、軸線Ｘを中心とした環状の開口であり得る。一実施形態においては、ヘッド１６は、第１の領域Ｒ１に配置されているときに、パージガス供給経路Ｐｓ１の開口Ｐｓ１ｏを上方から更に覆うことができる大きさを有し得る。即ち、ヘッド１６の周縁部分は、軸線Ｘ方向において、開口Ｐｏに加えて開口Ｐｓ１ｏにも対面してもよい。このパージガス供給経路Ｐｓ１には、パージガス供給系５６が接続している。
【００５６】
パージガス供給系５６は、ガス源５６ａ、弁５６ｂ、及び流量制御器５６ｃを含み得る。ガス源５６ａは、アルゴンといった不活性ガスのガス源である。ガス源５６ａからのガスの供給及び供給停止は、弁５６ｂの開閉動作により切替えられる。また、ガス源５６ａからのガスの流量は、マスフローコントローラといった流量制御器５６ｃによって調整される。
【００５７】
このパージガス供給経路Ｐｓ１によって供給されるパージガスは、ヘッド１６が第１の領域Ｒ１に配置されているときに、上部領域Ｒａと下部領域Ｒｂとの間に当該パージガスによる障壁を形成する。この障壁により、第１の領域Ｒ１に配置されたヘッド１６から第１のプロセスガスを供給し、同時に上部領域Ｒａに第２のプロセスガスを供給しても、第１のプロセスガスの上部領域Ｒａへの拡散、及び第２のプロセスガスの下部領域Ｒｂへの拡散が、効果的に抑制され得る。
【００５８】
一実施形態においては、排気経路Ｐｖ１の第１の空間Ｓ１側の開口Ｐｖ１ｏは、パージガス供給経路Ｐｓ１の開口Ｐｓ１ｏよりもステージ１４に対して側方に設けられている。ヘッド１６は、第１の領域Ｒ１に配置されているときに、排気経路Ｐｖ１の開口Ｐｖ１ｏを上方から更に覆うことができる大きさを有していてもよい。即ち、ヘッド１６の周縁部分は、ヘッド１６の周縁部分は、軸線Ｘ方向において、開口Ｐｏ及び開口Ｐｓ１ｏ加えて、開口Ｐｖ１ｏに対面してもよい。この実施形態では、ヘッド１６が第１の領域Ｒ１に配置されているときに、排気経路Ｐｖ１の開口Ｐｖ１ｏは、ヘッド１６の周縁部分下面と処理容器１２との間の比較的コンダクタンスが低い位置に存在する。その結果、第２のプロセスガスが下部領域Ｒｂに拡散することをより効果的に抑制することができる。
【００５９】
一実施形態においては、処理容器１２には、第２の空間Ｓ２にパージガスを供給するためのパージガス供給経路Ｐｓ２が設けられている（以下、パージガス供給経路Ｐｓ２から供給されるガスを「第２のパージガス」ということがある）。このパージガス供給経路Ｐｓ２には、パージガス供給系５８が接続している。
【００６０】
パージガス供給系５８は、ガス源５８ａ、弁５８ｂ、及び流量制御器５８ｃを含み得る。ガス源５８ａは、アルゴンといった不活性ガスのガス源である。ガス源５８ａからのガスの供給及び供給停止は、弁５８ｂの開閉動作により切替えられる。また、ガス源５８ａからのガスの流量は、マスフローコントローラといった流量制御器５８ｃによって調整される。
【００６１】
パージガス供給経路Ｐｓ２から第２の空間Ｓ２内にパージガスが供給されることにより、例えば、ヘッド１６が第１の領域Ｒ１に配置されていないときに、第２のプロセスガスが第２の空間Ｓ２に流入することを抑制することができる。この第２の空間Ｓ２へのパージガスの供給量は、排気装置２２の排気量に対して相対的に大きくなるように調整されてもよい。これにより、第２のプロセスガスが第２の空間Ｓ２に流入することをより確実に抑制することができる。
【００６２】
一実施形態においては、支柱２４は、その外周面と処理容器１２との間に、第３の空間Ｓ３を画成している。この第３の空間Ｓ３は、ヘッド１６の下面と処理容器１２との間の空洞を介して、第２の空間Ｓ２に接続している。上述したパージガス供給経路Ｐｓ２は、この第３の空間Ｓ３を介して第２の空間Ｓ２に連通されていてもよい。
【００６３】
プラズマ処理装置１０においては、支柱２４と処理容器１２（底部１２ｂ）との間に、処理容器１２の内部空間を密閉するためにＯリング６０が設けられている。一方、上述したように、支柱２４は駆動装置２８によって回転される。したがって、支柱２４の回転時にＯリング６０による気密封止の完全性が損なわれて、第３の空間Ｓ３に流入したプロセスガスが支柱２４と処理容器１２との間の間隙から漏れ出ることもあり得る。しかしながら、パージガス供給経路Ｐｓ２から第３の空間Ｓ３にパージガスを供給することにより、第３の空間Ｓ３内の気圧を高めることができる。これにより、第３の空間Ｓ３にプロセスガスが流入することを防止することができる。その結果、支柱２４の外周面に沿ってプロセスガスが処理容器１２の外部に漏れ出すことを抑制することができる。
【００６４】
以下、プラズマ処理装置１０を用いたプラズマ処理方法の一実施形態について説明する。図３は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法のシーケンスを示す図である。図３に示すプラズマ処理方法は、ＡＬＤ法により被処理基体Ｗ上に層を形成するものである。このプラズマ処理方法は、第１のプロセス工程で開始する。
【００６５】
（第１のプロセス工程）
【００６６】
図３に示すように、一実施形態に係るプラズマ処理方法では、まず、第１のプロセス工程が実施される。なお、この第１のプロセス工程に先立って、ヘッド１６は、第１の領域Ｒ１に配置されている。
【００６７】
第１のプロセス工程においては、第１の領域Ｒ１に配置されたヘッド１６から、第１のプロセスガスが供給される。図３においては、第１のプロセスガスがＯＮであることは、第１のプロセスガスがヘッド１６から供給されることを示している。一方、第１のプロセスガスがＯＦＦであることは、ヘッド１６からの第１のプロセスガスの供給が停止されていることを示している。第１のプロセスガスを供給するために、ガス供給系３２の弁３２ｂが開かれ、ガス源３２ａからのガスの供給量を調整するよう流量制御器３２ｃが制御される。これにより、被処理基体Ｗ上に第１のプロセスガスの原料が吸着する。
【００６８】
また、第１のプロセスガスの供給と並行して、第２のプロセスガスが上部領域Ｒａに供給され、供給源１８からのマイクロ波が上部領域Ｒａに供給される。図３においては、第２のプロセスガスがＯＮであることは、第２のプロセスガスが供給されることを示している。一方、第２のプロセスガスがＯＦＦであることは、第２のプロセスガスの供給が停止されていることを示している。また、マイクロ波がＯＮであることは、マイクロ波が供給されていることを示している。一方、マイクロ波がＯＦＦであることは、マイクロ波の供給が停止されていることを示している。
【００６９】
第２のプロセスガスを供給するために、ガス供給系３８の弁３８ｂが開かれ、ガス源３２ａからのガスの供給量を調整するよう流量制御器３２ｃが制御される。また、マイクロ波を供給するためにマイクロ波発生器４０に電力が与えられる。なお、図３に示すように、本実施形態のプラズマ処理方法においては、全ての工程を通じて、第２のプロセスガスの供給、マイクロ波の供給、及び第１の排気装置２０による排気（第１の排気）が継続される。
【００７０】
また、第１のプロセスガスの供給及び第２のプロセスガスの供給と並行して、第１の排気装置２０及び第２の排気装置２２による排気（第２の排気）が実施される。図３においては、排気がＯＮであることは、排気装置が動作し当該排気装置に接続された弁が開いていることを示している。一方、排気がＯＦＦであることは、排気装置が停止されているか、又は当該排気装置に接続する弁が閉じられていることを示している。
【００７１】
本実施形態のプラズマ処理方法では、第１のプロセスガスの供給及び第２のプロセスガスの供給と並行して、第１の排気装置２０及び第２の排気装置２２による排気が行なわれるので、第１のプロセスガスの上部領域Ｒａへの拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域Ｒｂへの拡散が抑制される。
【００７２】
また、第１のプロセスガスの供給及び第２のプロセスガスの供給と並行して、第１のパージガスがパージガス供給経路Ｐｓ１から供給される。図３においては、パージガスがＨｉｇｈであることは、パージガスが比較的大きな供給量で供給されていることを示している。一方、パージガスがＬｏｗであることは、パージガスが比較的小さな供給量で供給されているか又は停止されていることを示している。第１のパージガスを供給するために、パージガス供給系５６の弁５６ｂが開かれ、第１のパージガスの供給量を調整するよう流量制御器５６ｃが制御される。この第１のパージガスにより上部領域Ｒａと下部領域Ｒｂとの間に障壁が形成される。この障壁により、第１のプロセスガスの上部領域Ｒａへの拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域Ｒｂへの拡散がより効果的に抑制される。
【００７３】
（第１のパージ工程）
【００７４】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、第１のパージ工程が実施される。第１のパージ工程においては、第１のプロセスガスの供給が停止される。同時に、第１のパージガスの供給が継続され、また、第３のパージガスの供給が開始されるか、又は、その供給量が増大される。更に同時に、第１の排気装置２０及び第２の排気装置２２による排気が行なわれる。第３のパージガスを供給するために、パージガス供給系３２の弁３２ｂが開かれ、第３のパージガスの供給量を調整するよう流量制御器３２ｃが制御される。この工程において設定された第３のパージガスの供給量は、第１のプロセス工程の期間を除いて維持され得る。
【００７５】
第１のパージ工程により、第１のプロセス工程において被処理基体Ｗに吸着された層のうち、被処理基体Ｗに化学吸着している部分（例えば単一の分子層又は単一の原子層）は残存し、被処理基体Ｗに物理吸着又は化学吸着している残部は除去される。また、第１のパージ工程では、ヘッド１６内及び下部領域Ｒｂに残留した第１のプロセスガスが不活性ガスで置換される。この第１のパージ工程におけるガスの置換は、下部領域Ｒｂ及びヘッド１６内を対象としているので、短い時間で完了し得る。
【００７６】
（ヘッド移動）
【００７７】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、ヘッド１６が駆動装置３０により第２の領域Ｒ２まで移動される。これと同時に、ステージ１４が駆動装置２８により回転される。これにより、ヘッド１６が移動している期間においてもラジカルによる被処理基体Ｗ上の層に対する処理が均一化される。より詳細に説明すると、ヘッド１６はその移動中に上部領域Ｒａとステージ１４との間を横切るので、上部領域Ｒａからステージ１４に向かうラジカルの流れが一部において阻害され得る。しかしながら、ステージ１４が回転されることにより、ラジカルによる処理の不均一性が被処理基体Ｗの面内（ＹＺ平面内）において抑制され得る。なお、ステージ１４は、図３に示すように、全工程にわたって回転されていてもよい。これにより、全工程にわたる処理の更なる均一化がもたらされ得る。
【００７８】
また、ヘッド１６の第２の領域Ｒ２への移動と並行して、第２のパージガスの供給が開始されるか、又は、その供給量が増大され、また、第２の排気装置２２による排気が停止される。第２のパージガスを供給するために、パージガス供給系５８の弁５８ｂが開かれ、第２のパージガスの流量を調整するよう流量制御器５８ｃが制御される。これにより、第２の空間Ｓ２内に第２のプロセスガスが流入することが抑制され得る。
【００７９】
（第２のプロセス工程）
【００８０】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、第２のプロセス工程が実施される。第２のプロセス工程では、上部領域Ｒａに第２のプロセスガス及びマイクロ波が供給されることにより発生するラジカルを用いて、被処理基体Ｗ上の層が処理される。この処理により、被処理基体Ｗ上の層は、例えば窒化又は酸化される。第２のプロセス工程においては、第２の空間Ｓ２内への第２のプロセスガスの流入を抑制するために、第２のパージガスの供給量が維持され、第２の排気装置２２による排気の停止が継続される。また、第１のパージガスの供給は停止されるか、又は、その供給量が減少される。
【００８１】
（ヘッド移動）
【００８２】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、ヘッド１６が駆動装置３０により第１の領域まで移動される。この工程においては、第１のパージガスの供給が再び開始されるか、又はその供給量が増大される。また、この工程においても、被処理基体Ｗ上の層の処理の均一化のために、ステージ１４が駆動装置２８により回転される。
【００８３】
（第２のパージ工程）
【００８４】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、第２のパージ工程が実施される。この工程においては、第２のパージガスの供給が停止されるか、又はその供給量が減少され、第１の排気装置２０による排気の継続と共に、第２の排気装置２２による排気が開始される。これにより、下部領域Ｒｂにおけるガスが不活性ガスにより置換される。
【００８５】
一実施形態においては、第１のプロセス工程から第２のパージ工程までの全工程が、複数回繰り返される。これにより、被処理基体Ｗ上にプラズマ処理された複数の層（原子層又は分子層）が形成される。
【００８６】
以上説明したプラズマ処理方法を実施するために、プラズマ処理装置１０は、更に、制御部６２を備え得る。図４は、一実施形態に係るプラズマ処理装置の制御部を示す図である。制御部６２は、例えば、中央処理装置（ＣＰＵ）及びメモリといった記憶装置を備えるコンピュータであってもよい。制御部６２は、記憶装置に記憶されたプログラムによって種々の制御信号を出力することができる。制御部６２からの種々の制御信号は、駆動装置２８、駆動装置３０、マイクロ波発生器４０、弁３２ｂ、流量制御器３２ｃ、弁３４ｂ、流量制御器３４ｃ、弁３８ｂ、流量制御器３８ｃ、弁５６ｂ、流量制御器５６ｃ、弁５８ｂ、流量制御器５８ｃ、温度制御器２６、第１の排気装置２０、弁５２、第２の排気装置２２、及び弁５４に与えられる。これにより、図３に示したシーケンスに従った処理をプラズマ処理装置１０は自動的に実施することが可能なる。なお、制御部６２は、上述した全ての制御対象に制御信号を出力する必要はなく、これら制御対象のうち一つ以上の任意個数の制御対象に制御信号を出力してもよい。
【００８７】
以下、別の実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。図５は、別の実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図であり、ヘッドが第１の領域に配置された状態を示す図である。図５に示すプラズマ処理装置１００は、主に、昇降壁１０２及び駆動装置１０４を備える点において、プラズマ処理装置１０と異なっている。以下、プラズマ処理装置１００に関して、プラズマ処理装置１０と異なる点を説明する。
【００８８】
プラズマ処理装置１００では、昇降壁１０２が、ステージ１４と処理容器１２との間に設けられている。昇降壁１０２は、駆動装置１０４に接続されており、当該駆動装置１０４から与えられる駆動力により、軸線Ｘ方向及び−Ｘ方向において昇降可能に構成されている。一実施形態においては、昇降壁１０２は、軸線Ｘに沿って延在する略円筒形状を有し得る。
【００８９】
昇降壁１０２は、上面１０２ａを含んでいる。この上面１０２ａは、第１の領域Ｒ１に配置されたヘッド１６の周縁部分の下面に対面する。一実施形態においては、昇降壁１０２には、第１のパージガスの供給経路Ｐｓ１が設けられている。このガス供給経路Ｐｓ１の開口Ｐｓ１ｏは、昇降壁１０２の上面１０２ａに形成されている。また、プラズマ処理装置１００では、ガス供給経路Ｐｓ２及び排気経路Ｐｖ２は、処理容器１２の底部１２ｂに形成されている。さらに、第１の空間Ｓ１と第２の空間Ｓ２とを連通させる連通路Ｐは、昇降壁１０２とステージ１４の外周面との間に画成されている。
【００９０】
また、プラズマ処理装置１００は、ガス供給系１０６を更に備えている。ガス供給系１０６は、処理容器１２の底部１２ｂと昇降壁１０２との間の間隙からプロセスガスが漏出することを防止するために、アルゴンといった不活性ガスを当該間隙に供給する。
【００９１】
ガス供給系１０６は、ガス源１０６ａ、弁１０６ｂ、及び流量制御器１０６ｃを含んでいる。ガス源１０６ａは、不活性ガスのガス源である。ガス源１０６ａからのガスの供給及び供給停止は、弁１０６ｂの開閉動作により切替えられる。また、ガス源１０６ａからのガスの流量は、マスフローコントローラといった流量制御器１０６ｃによって調整される。なお、本実施形態のプラズマ処理装置１００を用いる後述のプラズマ処理方法においては、ガス供給系１０６からの不活性ガスは、全工程にわたって所定の供給量に維持される。
【００９２】
プラズマ処理装置１００では、第１のプロセス工程を実施するときに、昇降壁１０２を上方へ移動させて、当該昇降壁１０２をヘッド１６に近づけることで、ヘッド１６と昇降壁１０２の上面１０２ａとの間のコンダクタンスを低下させることが可能である。これにより、第１のプロセス工程の実施時に、第１のプロセスガスの上部領域Ｒａの拡散、及び第２のプロセスガスの下部領域Ｒｂへの拡散を抑制し得る。更に、第１のプロセス工程の実施時に、ガス供給経路Ｐｓ１から第１のパージガスを供給することにより、ヘッド１６と昇降壁１０２の上面１０２ａとの間に、当該第１のパージガスを用いた障壁を形成することができる。これにより、第１のプロセスガスの上部領域Ｒａの拡散、及び第２のプロセスガスの下部領域Ｒｂへの拡散をより効果的に抑制し得る。
【００９３】
以下、プラズマ処理装置１００を用いたプラズマ処理方法の一実施形態について説明する。図６は、別の実施形態に係るプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法のシーケンスを示す図である。図６に示すプラズマ処理方法も、ＡＬＤ法により被処理基体Ｗ上に層を形成するものである。ここで、図６における表記は、図３に示した表記と同様である。なお、図６において、昇降壁が「上」であることは、当該昇降壁が上方向に移動されて停止した状態を示している。一方、昇降壁が「下」であることは、当該昇降壁が下方向に移動されて停止した状態を示している。以下、図６に示すプラズマ処理方法について、図３に示したプラズマ処理方法と異なる点を説明する。
【００９４】
図６に示すプラズマ処理方法では、第１のパージ工程と第２の領域Ｒ２にヘッド１６を移動させる工程との間に、昇降壁を下方向へ移動させる工程が含まれている。また、第１の領域Ｒ１にヘッド１６を移動させる工程と第２のパージ工程との間に、昇降壁を上方向へ移動させる工程が含まれている。
【００９５】
昇降壁を下方向へ移動させる工程では、昇降壁１０２は、ヘッド１６に近づけられた位置（上位置）から下方向に移動される。この工程では、同時に、第２のパージガスの供給が開始されるか、又は、その供給量が増大される。また、同時に、第２の排気装置２２による排気が停止される。
【００９６】
また、昇降壁を上方向へ移動させる工程では、昇降壁１０２は上方向に移動され、ヘッド１６に近づけられる。この工程では、同時に、第１のパージガスの供給量が維持され、また、第２のパージガスの供給量が維持され、第２の排気装置２２による排気の停止が継続される。
【００９７】
図６に示すプラズマ処理方法によれば、ヘッド１６が第１の領域Ｒ１に配置されているときに、ヘッド１６に昇降壁１０２が近づけられる。これにより、ヘッド１６と昇降壁１０２の上面１０２ａとの間のコンダクタンスを低下させることが可能である。その結果、第１のプロセス工程の実施時に、第１のプロセスガスの上部領域Ｒａの拡散、及び第２のプロセスガスの下部領域Ｒｂへの拡散を抑制し得る。また、第１のプロセス工程の実施時に、ガス供給経路Ｐｓ１から第１のパージガスを供給することにより、ヘッド１６と昇降壁１０２の上面１０２ａとの間に、当該第１のパージガスを用いた障壁を形成することができる。これにより、第１のプロセスガスの上部領域Ｒａの拡散、及び第２のプロセスガスの下部領域Ｒｂへの拡散をより効果的に抑制し得る。更に、ヘッド１６を第２の領域Ｒ２に移動させる前に昇降壁１０２を下方へ移動させ、ヘッド１６を第１の領域Ｒ１に移動させた後に昇降壁１０２を上方へ移動させている。これにより、昇降壁１０２によってヘッド１６の移動が阻害されることを防止することができる。
【００９８】
以上説明したプラズマ処理方法を実施するために、プラズマ処理装置１００は、更に、制御部１６２を備え得る。図７は、別の実施形態に係るプラズマ処理装置の制御部を示す図である。制御部１６２は、例えば、中央処理装置（ＣＰＵ）及びメモリといった記憶装置を備えるコンピュータであってもよい。制御部１６２は、記憶装置に記憶されたプログラムによって種々の制御信号を出力することができる。制御部１６２からの種々の制御信号は、駆動装置２８、駆動装置３０、マイクロ波発生器４０、弁３２ｂ、流量制御器３２ｃ、弁３４ｂ、流量制御器３４ｃ、弁３８ｂ、流量制御器３８ｃ、弁５６ｂ、流量制御器５６ｃ、弁５８ｂ、流量制御器５８ｃ、温度制御器２６、第１の排気装置２０、弁５２、第２の排気装置２２、弁５４、駆動装置１０４、弁１０６ｂ、及び流量制御器１０６ｃに与えられる。これにより、図７に示したシーケンスに従った処理をプラズマ処理装置１００は自動的に実施することが可能となる。なお、制御部１６２は、上述した全ての制御対象に制御信号を出力する必要はなく、これら制御対象のうち一つ以上の任意の個数の制御対象に制御信号を出力してもよい。
【００９９】
以下、更に別の実施形態について説明する。図８は、更に別の実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図８に示すプラズマ処理装置２００は、ステージ１４、処理容器２０２、電磁界エネルギーの供給源２０４、第１の排気装置２０６、及び、第２の排気装置２０８を備えている。
【０１００】
処理容器２０２の内部空間には、ステージ１４が収容されている。このステージ１４は、上述した実施形態と同様に支柱２４によって支持され、温度制御器２６及び駆動装置２８に接続されている。
【０１０１】
処理容器２０２は、ステージ１４の上方に処理空間Ｓａを画成し、また、プラズマ生成空間Ｓｂを画成する。一実施形態においては、処理容器２０２は、第１の容器２１０及び第２の容器２１２を含んでいる。第１の容器２１０は、ステージ１４を収容する空間、及び、処理空間Ｓａを画成している。
【０１０２】
一実施形態においては、第１の容器２１０は、側壁２１０ａ、底部２１０ｂ、及び上部２１０ｃを含んでいる。側壁２１０ａは、軸線Ｘに沿って延在する略円筒形状を有している。底部２１０ｂは、側壁２１０ａの下端に結合している。上部２１０ｃは、側壁２１０ａの上端に結合しており、当該上部２１０ｃとステージ１４の上面との間に処理空間Ｓａを画成している。
【０１０３】
上部２１０ｃには、処理空間Ｓａに接続するガス供給経路Ｐｓ２０１が形成されている。このガス供給経路Ｐｓ２０１は、第１のプロセスガスを処理空間Ｓａに供給するための経路である。ガス供給経路Ｐｓ２０１には、ガス供給系３２が接続されている。
【０１０４】
また、処理容器２０２には、処理空間Ｓａに接続する排気経路Ｐｖ２０１が設けられている。この排気経路Ｐｖ２０１には、弁２１４を介して排気装置２０６が接続されている。更に、処理容器２０２には、ガス供給経路Ｐｓ２０３が形成されている。このガス供給経路Ｐｓ２０３は、ステージ１４下方の空間及びステージ１４外周に沿った空間を通じて、処理空間Ｓａに連通している。ガス供給経路Ｐｓ２０３は、処理空間Ｓａにパージガスを供給する。このパージガスは、アルゴンといった不活性ガスであり得る。ガス供給経路Ｐｓ２０３には、ガス供給系２１６が接続されている。
【０１０５】
ガス供給系２１６は、ガス源２１６ａ、弁２１６ｂ、及び流量制御器２１６ｃを含んでいる。ガス源２１６ａは、不活性ガスのガス源である。ガス源２１６ａからのガスの供給及び供給停止は、弁２１６ｂの開閉動作により切替えられる。また、ガス源２１６ａからのガスの流量は、マスフローコントローラといった流量制御器２１６ｃによって調整される。
【０１０６】
第２の容器２１２は、第１の容器２１０の側方外面に取り付けられている。第２の容器２１２は、処理空間Ｓａの側方（図中、Ｙ方向）において、プラズマ生成空間Ｓｂを画成している。この第２の容器２１２には、ガス供給経路Ｐｓ２０２が形成されている。ガス供給経路Ｐｓ２０２は、プラズマ生成空間Ｓｂに接続している。プラズマ生成空間Ｓｂには、ガス供給経路Ｐｓ２０２を介してガス供給系３８が接続されており、当該ガス供給系３８から第２のプロセスガスが供給される。また、このプラズマ生成空間Ｓｂには、供給源２０４からマイクロ波が供給される。
【０１０７】
一実施形態においては、供給源２０４は、マイクロ波発生器２１８、導波管２２０、及び、誘電体窓２２２を含んでいる。マイクロ波発生器２１８は、マイクロ波を発生し、導波管２２０に当該マイクロ波を供給する。誘電体窓２２２は、第２の容器２１２の内部に設けられている。導波管２２０によって導波されたマイクロ波は、第２の容器２１２に形成されたスロット２１２ａ及び誘電体窓２２２を介してプラズマ生成空間Ｓｂに供給される。
【０１０８】
プラズマ処理装置２００では、第２の容器２１２は、処理空間Ｓａとプラズマ生成空間Ｓｂとの間に領域Ｒ２００のみが存在するように、プラズマ生成空間Ｓｂを提供している。この領域Ｒ２２０は、側壁２１０ａによって画成されており、処理空間Ｓａとプラズマ生成空間Ｓｂを連通させるための領域である。領域Ｒ２２０は、側壁２１０ａのＹ方向の厚みに等しいＹ方向の長さを有している。したがって、処理空間Ｓａとプラズマ生成空間Ｓｂとの間の距離は短い。故に、プラズマ生成空間Ｓｂで発生し処理空間Ｓａに到達するまでの間に失活するラジカルの量が低減される。
【０１０９】
一実施形態においては、プラズマ処理装置２００は、可動壁２２４を更に備え得る。可動壁２２４は、例えば、側壁２１０ａ及び底部２１０ｂにわたって埋め込まれている。この可動壁２２４は、当該可動壁２２４を上下方向に移動させる駆動装置２２６に接続されている。可動壁２２４は、上方に移動されることにより、処理空間Ｓａとプラズマ生成空間Ｓｂとの間の領域Ｒ２００に配置される。また、可動壁２２４は、領域Ｒ２００から退避するために、駆動装置２２６によって下方に移動される。
【０１１０】
一実施形態においては、側壁２１０ａには、排気経路Ｐｖ２０２が形成されている。排気経路Ｐｖ２０２は、領域Ｒ２００に面する開口Ｐｖ２０２ｏから可動壁２２４に沿って延在し、側壁２１０ａを通過して当該側壁２１０ａの外面にまで達している。この排気経路Ｐｖ２０２には、弁２２８を介して第２の排気装置２０８が接続されている。
【０１１１】
プラズマ処理装置２００では、第１の排気装置２０６が処理空間Ｓａに連通しており、第２の排気装置２０８がプラズマ生成空間Ｓｂに連通しており、これら排気装置が処理空間Ｓａ及びプラズマ生成空間Ｓｂを個別に排気する。したがって、処理空間Ｓａに第１のプロセスガスを供給する第１のプロセス工程と並行して、プラズマ生成空間Ｓｂに第２のプロセスガスを供給しても、処理空間Ｓａに第２のプロセスガスが拡散することが抑制される。また、プラズマ生成空間Ｓｂに第１のプロセスガスが拡散することが抑制される。
【０１１２】
また、可動壁２２４を領域Ｒ２００に配置することにより、領域Ｒ２００におけるコンダクタンスを低下させることができる。これにより、両プロセスガスの上述した拡散をより効果的に抑制することができる。
【０１１３】
さらに、排気経路Ｐｖ２０２の開口Ｐｖ２０２ｏが処理空間Ｓａとプラズマ生成空間Ｓｂとの間の領域Ｒ２００に面している。これにより、両プロセスガスの上述した拡散を更により効果的に抑制することができる。
【０１１４】
以下、プラズマ処理装置２００を用いたプラズマ処理方法の一実施形態について説明する。図９は、更に別の実施形態に係るプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法のシーケンスを示す図である。図９に示すプラズマ処理方法は、ＡＬＤ法により被処理基体Ｗ上に層を形成するものである。なお、図９における表記は、図３及び図４に示した表記と同様である。本実施形態のプラズマ処理方法も、第１のプロセス工程で開始する。
【０１１５】
（第１のプロセス工程）
【０１１６】
本実施形態のプラズマ処理方法では、まず、第１のプロセス工程が実施される。なお、可動壁２２４は、領域Ｒ２００内に位置するように、前もって上方へ移動されている。
【０１１７】
第１のプロセス工程においては、ガス供給系３２から供給経路Ｐｓ２０１を介して第１のプロセスガスが処理空間Ｓａに供給される。第１のプロセスガスが供給されているとき、ステージ１４は駆動装置２８によって回転される。これにより、第１のプロセスガスに含まれる原料が均一な厚みで被処理基体Ｗ上に吸着される。なお、本実施形態では、全ての工程にわたって、ステージ１４は回転される。
【０１１８】
また、第１のプロセスガスの供給と並行して、ガス供給系３８から供給経路Ｐｓ２０２を介してプラズマ生成空間Ｓｂに第２のプロセスガスが供給され、同時に、供給源２０４からプラズマ生成空間Ｓｂにマイクロ波が供給される。更に、第１のプロセスガスの供給と並行して、第１の排気装置２０６による排気、第２の排気装置２０８による排気が行なわれる。なお、本実施形態においても、第２のプロセスガスの供給及びマイクロ波の供給は、全工程にわたって継続される。
【０１１９】
（第１のパージ工程）
【０１２０】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、第１のパージ工程が実施される。第１のパージ工程では、ガス供給系３２からの第１のプロセスガスの供給が停止される。これと同時に、パージガスがガス供給系２１６から処理空間Ｓａに供給され、第１の排気装置２０６による排気、第２の排気装置２０８による排気が行なわれる。
【０１２１】
第１のパージ工程により、第１のプロセス工程において被処理基体Ｗに吸着された層のうち、被処理基体Ｗに化学吸着している部分（例えば単一の分子層又は単一の原子層）は残存し、被処理基体Ｗに物理吸着又は化学吸着している残部は除去される。また、処理空間Ｓａ内のガスがパージガス、即ち、不活性ガスで置換される。
【０１２２】
（可動壁移動）
【０１２３】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、ガス供給系２１６からのパージガスの供給が停止され、可動壁２２４が、駆動装置２２６により下方へ移動される。これにより、領域Ｒ２００を介して処理空間Ｓａとプラズマ生成空間Ｓｂとが連通する。
【０１２４】
（第２のプロセス工程）
【０１２５】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、第２のプロセス工程が実施される。第２のプロセス工程においては、プラズマ生成空間Ｓｂにおいて発生したラジカルが処理空間Ｓａに供給され、当該ラジカルによって、被処理基体Ｗ上の層が処理される。この処理により、被処理基体Ｗ上の層は、例えば窒化又は酸化される。なお、第２のプロセス工程においては、第２の排気装置２０８による排気は停止される。
【０１２６】
（可動壁移動）
【０１２７】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、第２の排気装置２０８による排気が再開され、可動壁２２４が、駆動装置２２６により上方へ移動される。これにより、可動壁２２４は、領域Ｒ２００に再び位置するようになる。
【０１２８】
（第２のパージ工程）
【０１２９】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、第２のパージ工程が実施される。第２のパージ工程では、パージガスがガス供給系２１６から処理空間Ｓａに供給され、第１の排気装置２０６による排気、第２の排気装置２０８による排気が行なわれる。これにより、処理空間Ｓａ内のガスが不活性ガスにより置換される。
【０１３０】
本実施形態のプラズマ処理方法においても、第１のプロセス工程から第２のパージ工程までの全工程が、複数回繰り返される。これにより、被処理基体Ｗ上にプラズマ処理された複数の層（原子層又は分子層）が形成される。
【０１３１】
以上説明したプラズマ処理方法を実施するために、プラズマ処理装置２００は、更に、制御部２６２を備え得る。図１０は、一実施形態に係るプラズマ処理装置の制御部を示す図である。制御部２６２は、例えば、中央処理装置（ＣＰＵ）及びメモリといった記憶装置を備えるコンピュータであってもよい。制御部２６２は、記憶装置に記憶されたプログラムによって種々の制御信号を出力することができる。制御部２６２からの種々の制御信号は、温度制御器２６、駆動装置２８、駆動装置２２６、マイクロ波発生器２１８、弁３２ｂ、流量制御器３２ｃ、弁３８ｂ、流量制御器３８ｃ、弁２１６ｂ、流量制御器２１６ｃ、第１の排気装置２０６、弁２１４、第２の排気装置２０８、及び弁２２８に与えられる。これにより、図９に示したシーケンスに従った処理をプラズマ処理装置２００は自動的に実施することが可能となる。なお、制御部２６２は、上述した全ての制御対象に制御信号を出力する必要はなく、これら制御対象のうち一つ以上の任意の個数の制御対象に制御信号を出力してもよい。
【０１３２】
なお、上述した実施形態に限定されることなく、種々の変形態様を構成することが可能である。例えば、マイクロ波の供給源としては、ラジアルラインスロットアンテナを有する供給源に代えて、所謂ＳＷＰ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ、表面波プラズマ）型のプラズマ処理装置における供給源が用いられてもよい。また、第３のパージガスとしては、窒素を含むガスが用いられてもよい。
【符号の説明】
【０１３３】
１０…プラズマ処理装置、１２…処理容器、１４…ステージ、１６…ヘッド、１８…供給源、２０…第１の排気装置、２２…第２の排気装置、２４…支柱、２６…温度制御器、２８…駆動装置、３０…駆動装置、３２…ガス供給系（第１のプロセスガスの供給系）、３４…ガス供給系（第３のパージガスの供給系）、３６…支持部、３８…ガス供給系（第２のプロセスガスの供給系）、４０…マイクロ波発生器、４２…導波管、４４…モード変換器、４６…同軸導波管、４８…アンテナ、５０…誘電体窓、５２…弁、５４…弁、５６…パージガス供給系（第１のパージガスの供給系）、５８…パージガス供給系（第２のパージガスの供給系）、６０…Ｏリング、６２…制御部、１００…プラズマ処理装置、１０２…昇降壁、１０２ａ…昇降壁の上面、１０４…駆動装置、Ｗ…被処理基体、Ｓ１…第１の空間、Ｓ２…第２の空間、Ｒ１…第１の領域、Ｒａ…上部領域、Ｒｂ…下部領域、Ｒ２…第２の領域、Ｐ…連通路、Ｐ２…ガス供給経路（第２のプロセスガスの供給経路）、Ｐｖ１…排気経路、Ｐｖ２…排気経路、Ｐｓ１…パージガス供給経路、Ｐｓ２…パージガス供給経路。
【技術分野】
【０００１】
本発明の種々の側面及び実施形態は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
被処理基体上に層を形成する方法として、ラジカル反応を用いた原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が知られている。ＡＬＤ法では、第１のプロセス工程において原料ガスが被処理基体上に供給される。続く第１のパージ工程において、パージが行われ、これにより、被処理基体上に化学吸着している層（例えば、単一の原子層又は単一の分子層）が残され、被処理基体に物理吸着又は化学吸着している残部が除去される。続く第２のプロセス工程では、被処理基体上の層にプラズマ処理が施される。このプラズマ処理で、被処理基体上の層が、例えば窒化又は酸化される。続く第２のパージ工程において、再びパージが行われる。このようなＡＬＤ法には、例えば、特許文献１に記載されたプラズマ処理装置が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００８−５３７９７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されたプラズマ処理装置では、第１のプロセス工程及び第２のプロセス工程が同じ処理空間で行われる。また、被処理基体に対するプラズマ処理を均一化するために、プラズマ源から被処理基体までの距離は大きくなっている。したがって、この処理空間は比較的大きなものとなり、その結果、パージに要する時間が長くなり得る。
【０００５】
このような事情により、当技術分野においては、パージに要する時間を短縮することが要請されている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係るプラズマ処理装置は、処理容器、ステージ、ヘッド、供給源、第１の排気手段、及び、第２の排気手段を備えている。処理容器は、第１の空間及び第２の空間を画成する。ステージは、第１の空間の下方且つ前記第２の空間の上方に設けられている。ステージは、第１の空間と第２の空間とを連通させる連通路をその外周に沿って画成する。ヘッドは、層形成用の第１のプロセスガスをステージに向けて供給する。ヘッドは、第１の領域と第２の領域との間で移動可能である。第１の領域は、第１の空間内且つステージの上方の領域である。第２の領域は、ヘッドを退避させるための領域である。ヘッドは、第１の領域に位置するときに第１の空間内に第１の領域の上方の上部領域と第１の領域の下方の下部領域とを画成する。供給源は、上部領域に電磁界エネルギーを供給する。この上部領域には、プラズマ処理用の第２のプロセスガスが供給される。第１の排気手段は、上部領域に連通する。第２の排気手段は、第２の空間に連通する。ヘッドは、第１の領域に位置するときにステージを覆い、且つ、下部領域に面する連通路の開口を覆う大きさを有する。
【０００７】
このプラズマ処理装置では、第１の排気手段と第２の排気手段により上部領域と連通路に通じる第２の空間が個別に排気される。したがって、ヘッドが第１の領域に位置するときに第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを同時に供給しても、第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域への拡散が抑制され得る。その結果、第１のプロセスガスを用いた処理後に行なわれるパージは、下部領域及び／又はヘッドの内部の第１のプロセスガスを対象とすることができる。したがって、当該パージに要する時間を短縮することが可能である。
【０００８】
一実施形態においては、処理容器内にはパージガス（第１のパージガス）の供給経路（第１のパージガス供給経路）が設けられており、この供給経路は下部領域に面する開口を含んでおり、当該供給経路の開口は、ステージに対して連通路の上記開口よりも側方に設けられており、ヘッドは、更に当該供給経路の開口を覆う大きさを有していてもよい。この実施形態によれば、ヘッドが第１の領域に位置するときに、パージガスを供給することにより、第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域への拡散がより効果的に抑制され得る。
【０００９】
一実施形態においては、処理容器には、第１の排気手段に接続する排気経路が設けられており、当該排気経路は開口を含んでおり、当該開口は、上記パージガスの供給経路の開口よりもステージに対して側方に設けられており、ヘッドは、更に当該排気経路の開口を覆う大きさを有していてもよい。この実施形態によれば、ヘッドが第１の領域に位置するときに、ヘッドの周縁部分の下方において上部領域から拡散する第２のプロセスガスを排気することができる。その結果、ヘッドが第１の領域に位置するときの第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び第２のプロセスガスの下部領域への拡散が、更により効果的に抑制され得る。
【００１０】
一実施形態においては、プラズマ処理装置は、処理容器内において昇降可能に構成された昇降壁を更に備えていてもよい。昇降壁は、ステージに対して連通路よりも側方に設けられる。この昇降壁は、ヘッドに対面する上面を含む。この実施形態によれば、ヘッドの周縁部に対面する上面を有する昇降壁により、上部領域と下部領域との間のコンダクタンスを低くすることができる。その結果、ヘッドが第１の領域に位置するときの第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域への拡散が、より効果的に抑制され得る。
【００１１】
一実施形態においては、昇降壁には、パージガスの供給経路（第１のパージガス供給経路）が設けられており、当該供給経路の開口は昇降壁の上面に設けられていてもよい。この実施形態によれば、ヘッドが第１の領域に位置するときに、パージガス（第１のパージガス）を供給することにより、第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び第２のプロセスガスの下部領域への拡散が、更により効果的に抑制され得る。
【００１２】
一実施形態においては、処理容器内には、第２の空間に連通するパージガスの供給経路（第２のパージガス供給経路）が設けられていてもよい。このパージガス（第２のパージガス）により、第２の空間内に第２のプロセスガスが流入することが抑制され得る。その結果、第２の空間内でのパーティクルの発生が抑制され得る。
【００１３】
一実施形態においては、プラズマ処理装置は、ステージを下方から回転可能に支持する支柱を更に備え得る。支柱はその外周面に沿って第３の空間を画成し、当該第３の空間は第２の空間に連通しており、第２の空間に連通するパージガスの供給経路（第２のパージガス供給経路）は、第３の空間を介して第２の空間に連通していてもよい。この実施形態によれば、例えばヘッドの移動中にステージを回転させることができ、これにより、被処理基体に対する処理を均一化することが可能となる。また、ステージの回転中に第３の空間にパージガスを供給することにより、支柱の外周面に沿ってプロセスガスが外部に流出することを抑制することができる。
【００１４】
本発明の別の側面は、上述したプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法に関するものである。このプラズマ処理方法は、（ａ）ヘッドを第１の領域に移動させる工程と、（ｂ）第１の領域に配置されたヘッドから第１のプロセスガスを供給する工程と、（ｃ）第１のプロセスガスを供給する工程と並行して、上部領域に電磁界エネルギーを供給し、上部領域に第２のプロセスガスを供給する工程と、（ｄ）第１のプロセスガスを供給する工程と並行して、第１の排気手段及び第２の排気手段による排気を行う工程と、（ｅ）第１のプロセスガスの供給を停止して、第２の排気手段による排気を行う工程と、（ｆ）ヘッドを第２の領域に移動させる工程と、（ｇ）ヘッドを第２の領域に移動させた後に、上部領域に電磁界エネルギーを供給し、上部領域に第２のプロセスガスを供給する工程と、（ｈ）第１の排気手段及び第２の排気手段による排気を行う工程と、を含む。
【００１５】
このプラズマ処理方法では、第１のプロセスガスを供給する工程と並行して、上部領域に電磁界エネルギーが供給され、当該上部領域に第２のプロセスガスが供給される。また、第１のプロセスガスを供給する工程と並行して、第１の排気手段及び第２の排気手段による排気が行なわれる。その結果、ヘッドが第１の領域に位置するときの第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域への拡散が抑制され得る。その結果、第１のプロセスガスを用いた処理後に行なわれるパージ（即ち、工程（ｅ））は、下部領域及び／又はヘッドの内部の第１のプロセスガスを対象とすることができる。したがって、当該パージに要する時間を短縮することが可能である。
【００１６】
一実施形態においては、上述したように、プラズマ処理装置の処理容器内には、パージガスの供給経路（第１のパージガス供給経路）が設けられており、当該供給経路は下部領域に面する開口を含んでおり、当該供給経路の開口は、ステージに対して連通路の開口よりも側方に設けられており、ヘッドは、更に当該供給経路の開口を覆う大きさを有していてもよい。この実施形態のプラズマ処理装置を用いる場合には、プラズマ処理方法は、第１のプロセスガスを供給する工程と並行して、当該供給経路からパージガス（第１のパージガス）を供給する工程を更に含み得る。この実施形態によれば、ヘッドが第１の領域に位置するときにパージガスが供給されるので、上部領域と下部領域との間に、当該パージガスを用いた障壁が形成される。その結果、第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域への拡散が、より効果的に抑制され得る。
【００１７】
一実施形態においては、上述したように、プラズマ処理装置は、処理容器内において昇降可能に構成された昇降壁を更に備え、当該昇降壁は、ステージに対して連通路よりも側方に設けられ、当該昇降壁は、ヘッドに対面する上面を含んでいてもよい。この実施形態のプラズマ処理装置を用いる場合には、プラズマ処理方法は、ヘッドを第１の領域に移動させる工程の後に、昇降壁を上方に移動させる工程を更に含んでいてもよい。この実施形態によれば、昇降壁の移動によってヘッドの移動が阻害されることを防止することができる。また、昇降壁をヘッドに近づけることにより、上部領域と下部領域との間のコンダクタンスを低くすることができる。その結果、ヘッドが第１の領域に位置するときの第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域への拡散が、より効果的に抑制され得る。
【００１８】
一実施形態においては、上述したように、昇降壁にはパージガスの供給経路（第１のパージガス供給経路）が設けられており、当該供給経路の開口は昇降壁の上面に設けられていてもよい。この実施形態のプラズマ処理装置を用いる場合には、プラズマ処理方法は、昇降壁を上方に移動させる工程と並行して、供給経路の開口からパージガス（第１のパージガス）を供給する工程を更に含み得る。この実施形態によれば、ヘッドが第１の領域に位置するときにパージガスが供給されることにより、上部領域と下部領域との間に当該パージガスを用いた障壁が形成される。その結果、第１のプロセスガスの上部領域への拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域への拡散が、更により効果的に抑制され得る。
【００１９】
一実施形態においては、上述したように、プラズマ処理装置の処理容器内には、第２の空間に連通するパージガスの供給経路（第２のパージガス供給経路）が設けられていてもよい。この実施形態のプラズマ処理装置を用いる場合には、プラズマ処理方法は、ヘッドを第２の領域に移動させる工程と並行して、及び／又は、ヘッドが第２の領域に配置されているときに、第２の空間に連通する供給経路から第２の空間にパージガス（第２のパージガス）を供給する工程を更に含み得る。この実施形態では、ヘッドが第１の領域に配置されていないときに、第２の空間内に第２のプロセスガスが流入することが抑制され得る。その結果、第２の空間内でのパーティクルの発生が抑制され得る。
【００２０】
一実施形態においては、プラズマ処理方法は、第２の空間に連通する供給経路（第２のパージガス供給経路）から第２の空間にパージガス（第２のパージガス）を供給する上記工程において、当該パージガスの供給量は、第２の排気手段の排気量より多くてもよい。この実施形態によれば、第２の空間への第２のプロセスガスの流入をより効果的に抑制することができる。
【００２１】
一実施形態においては、上述したように、プラズマ処理装置は、ステージを下方から回転可能に支持する支柱を更に備え、支柱はその外周面に沿って第３の空間を画成し、当該第３の空間は第２の空間に連通しており、第２の空間に連通する上記供給経路（第２のパージガス供給経路）は、第３の空間を介して第２の空間に連通していてもよい。このプラズマ処理装置を用いる場合には、プラズマ処理方法は、ヘッドを第１の領域に移動させる工程及び／又はヘッドを第２の領域に移動させる工程と並行して、ステージを回転させつつ、第２の空間に連通する供給経路（第２のパージガス供給経路）からパージガス（第２のパージガス）を供給する工程を更に含み得る。この実施形態によれば、ステージの回転により被処理基体に対する処理を均一化することが可能となる。また、第３の空間にパージガスが供給されるので、支柱の外周面に沿ってプロセスガスが外部に流出ことが抑制され得る。
【００２２】
本発明の別の実施形態に係るプラズマ処理装置は、ステージ、処理容器、供給源、第１の排気手段、及び第２の排気手段を備えている。処理容器は、ステージの上方の処理空間、及び、処理空間の側方に位置するプラズマ生成空間を画成する。処理容器には、層形成用の第１のプロセスガスの第１の供給経路が設けられている。この第１の供給経路は、処理空間に接続している。また、処理容器には、プラズマ処理用の第２のプロセスガスの第２の供給経路が設けられている。この第２の供給経路は、プラズマ生成空間に接続している。供給源は、プラズマ生成空間に電磁界エネルギーを供給する。第１の排気手段は、処理空間に連通する。第２の排気手段は、プラズマ生成空間に連通する。
【００２３】
このプラズマ処理装置では、第１の排気手段と第２の排気手段により、処理空間とプラズマ生成空間が個別に排気され得る。これにより、処理空間に第１のプロセスガス供給し、同時にプラズマ生成空間に第２のプロセスガスを供給しても、両プロセスガスが拡散して、互いに混合されることが抑制され得る。その結果、第１のプロセスガスを用いた処理後のパージは処理空間のみを対象とすることができので、当該パージに要する時間を短縮することが可能である。
【００２４】
一実施形態においては、処理容器は、処理空間を画成する第１の容器と、当該第１の容器の側方外面に取り付けられた第２の容器でありプラズマ生成空間を画成する第２の容器と、を含み得る。
【００２５】
一実施形態においては、プラズマ処理装置は、処理空間とプラズマ生成空間との間の領域に配置可能であり、且つ、当該領域から退避可能な可動壁を更に備え得る。この実施形態では、第１のプロセスガスによる処理中に処理空間とプラズマ生成空間との間の領域に可動壁を配置することができる。これにより、処理空間とプラズマ生成空間との間の領域におけるコンダクタンスを低くすることができる。その結果、第１のプロセスガスによる処理中に第２のプロセスガスをプラズマ生成空間に供給しても、当該第２のプロセスガスが処理空間に拡散することをより効果的に抑制することができる。
【００２６】
一実施形態においては、第２の排気手段は、処理空間とプラズマ生成空間との間の領域に面する開口を含む排気経路に接続していてもよい。この実施形態によれば、処理空間とプラズマ生成空間との間の領域が第２の排気手段によって排気される。その結果、第１のプロセスガスによる処理中に第２のプロセスガスをプラズマ生成空間に供給しても、当該第２のプロセスガスが処理空間に拡散することをより効果的に抑制することができる。
【発明の効果】
【００２７】
以上説明したように、本発明の種々の側面及び種々の実施形態によれば、パージに要する時間を短縮可能なプラズマ処理装置が提供される。また、当該プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図であり、ヘッドが第１の領域に配置された状態を示す図である。
【図２】一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図であり、ヘッドが第２の領域に配置された状態を示す図である。
【図３】一実施形態に係るプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法のシーケンスを示す図である。
【図４】一実施形態に係るプラズマ処理装置の制御部を示す図である。
【図５】別の実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図であり、ヘッドが第１の領域に配置された状態を示す図である。
【図６】別の実施形態に係るプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法のシーケンスを示す図である。
【図７】別の実施形態に係るプラズマ処理装置の制御部を示す図である。
【図８】更に別の実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
【図９】更に別の実施形態に係るプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法のシーケンスを示す図である。
【図１０】更に別の実施形態に係るプラズマ処理装置の制御部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００３０】
図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図であり、ヘッドが第１の領域に配置された状態を示す図である。また、図２は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図であり、ヘッドが第２の領域に配置された状態を示す図である。図１及び図２に示すプラズマ処理装置１０は、処理容器１２、ステージ１４、ヘッド１６、電磁界エネルギーの供給源１８、第１の排気装置２０、及び、第２の排気装置２２を備えている。
【００３１】
処理容器１２は、その内部空間にステージ１４を収容している。処理容器１２の内部空間は、第１の空間Ｓ１及び第２の空間Ｓ２を含んでいる。処理容器１２は、ステージ１４の上方（図中、Ｘ方向）に第１の空間Ｓ１を画成しており、ステージ１４の下方（図中、−（マイナス）Ｘ方向）に第２の空間Ｓ２を画成している。
【００３２】
一実施形態においては、この処理容器１２は、側壁１２ａ、底部１２ｂ、及び上部１２ｃを含み得る。側壁１２ａは、軸線Ｘに沿って延在する略円筒形状を有している。底部１２ｂは、側壁１２ａの下端に結合されている。また、上部１２ｃは、側壁１２ａの上端に結合されている。
【００３３】
第１の空間Ｓ１は、側壁１２ａの上側部分の内面によって、当該内面の内方に画成されている。また、第２の空間Ｓ２は、側壁１２ａの下側部分によって画成されている。第２の空間Ｓ２は、ステージ１４の下方において、軸線Ｘ中心の環状の閉曲線に沿って提供され得る。一実施形態においては、ステージ１４は、軸線Ｘ中心に延在する略円板形状を有している。ステージ１４は、その外周に沿って連通路Ｐを画成している。この連通路Ｐは、第１の空間Ｓ１と第２の空間Ｓ２とを連通させている。
【００３４】
ステージ１４の上面（又は載置面）には、被処理基体Ｗが載置される。ステージ１４は、例えば、静電チャックにより被処理基体Ｗを吸着することができる。ステージ１４は、温度制御器２６に接続されている。この温度制御器２６によって、ステージ１４上に載置された被処理基体Ｗの温度を制御することができる。
【００３５】
一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、支柱２４を備え得る。支柱２４は、軸線Ｘに沿って延在する円柱形状を有している。ステージ１４は、支柱２４によって下方から支持され得る。この支柱２４は、モータといった駆動装置２８に接続されている。駆動装置２８は、支柱２４を軸線Ｘ中心に回転させることにより、ステージ１４を軸線Ｘ中心に回転させることができる。
【００３６】
第１の空間Ｓ１は、ステージ１４の上方に当該ステージ１４から離間した第１の領域Ｒ１を含んでいる。処理容器１２は、第１の領域Ｒ１に対して側方（図中、Ｙ方向）に第２の領域Ｒ２も画成している。処理容器１２の内部空間には、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との間で移動可能なヘッド１６が設けられている。
【００３７】
ヘッド１６は、層形成用の第１のプロセスガスを被処理基体Ｗに向けて供給するためのシャワーヘッドである。第１のプロセスガスとしては、例えば、シリコン原子を含むガス、例えばＢＴＢＡＳ（ビスターシャルブチルアミノシラン）等のアミノシランを用いることができる。
【００３８】
ヘッド１６は、略円板形状を有している。ヘッド１６の下面には、第１のプロセスガスを被処理基体Ｗ上に供給するための複数の供給孔１６ｈが形成されている。ヘッド１６には、支持部３６の一端が結合されている。この支持部３６は、駆動装置３０に連結されている。駆動装置３０は、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との間でヘッド１６を移動させる。なお、第２の領域Ｒ２は、ヘッド１６をステージ１４の上方から退避させることができれば、任意の位置に形成されていてもよい。また、ヘッド１６は、軸線Ｘと並行な軸線中心に支持部３６を軸支することによって、第１の領域Ｒ１と第２の領域との間で移動可能であってもよい。
【００３９】
ヘッド１６と支持部３６には、複数の供給孔１６ｈに第１のプロセスガスを供給するための供給経路１６ｐが形成されている。この供給経路１６ｐには、ガス供給系３２が接続されている。
【００４０】
ガス供給系３２は、ガス源３２ａ、弁３２ｂ、及び流量制御器３２ｃを含んでいる。ガス源３２ａは、第１のプロセスガスのガス源である。ガス源３２ａからのガスの供給及び供給停止は、弁３２ｂの開閉動作により切替えられる。また、ガス源３２ａからのガスの流量は、マスフローコントローラといった流量制御器３２ｃによって調整される。
【００４１】
また、供給経路１６ｐには、パージガス供給系３４が接続されている（以下、パージガス供給系３４によって供給されるガスを「第３のパージガス」ということがある）。この供給系３４は、ガス源３４ａ、弁３４ｂ、及び流量制御器３４ｃを含んでいる。ガス源３４ａは、アルゴンのような不活性ガスのガス源である。ガス源３４ａからのガスの供給及び供給停止は、弁３４ｂの開閉動作により切替えられる。また、ガス源３４ａからのガスの流量は、マスフローコントローラといった流量制御器３４ｃによって調整される。
【００４２】
上述した構成を有するヘッド１６は、第１のプロセス工程において、第１の領域Ｒ１に配置される（図１を参照）。ヘッド１６は、第１の領域Ｒ１に配置されているときに、第１の空間Ｓ１内において、その上方に上部領域Ｒａを画成し、その下方に下部領域Ｒｂを画成する。第１のプロセス工程においては、ヘッド１６は、ステージ１４上に載置された被処理基体Ｗに、下部領域Ｒｂを介して第１のプロセスガスを供給する。これにより、被処理基体Ｗ上に第１のプロセスガスに含まれる原料が吸着される。
【００４３】
ヘッド１６は、第１のプロセス工程に続く第１のパージ工程において、ガス供給系３４からの不活性ガスを被処理基体Ｗに供給することができる。これにより、第１のプロセス工程において吸着された層のうち、被処理基体Ｗに化学吸着している部分（例えば単一の分子層又は単一の原子層）は残存し、被処理基体Ｗに物理吸着又は化学吸着している残部は除去される。また、第１のパージ工程では、ヘッド１６内に残留した第１のプロセスガスが不活性ガスで置換される。ヘッド１６は、第１のプロセス工程及び第１のパージ工程の後に、第２の領域Ｒ２に移動される（図２を参照）。
【００４４】
処理容器１２には、上述した上部領域Ｒａに第２のプロセスガスを供給するための供給経路Ｐ２が設けられている。第２のプロセスガスは、第２のプロセス工程におけるプラズマ処理用のガスである。第２のプロセス工程においては、被処理基体Ｗに吸着された層が窒化又は酸化される。第２のプロセス工程において窒化処理が行なわれる場合には、第２のプロセスガスとして、窒素ガス又はＮＨ３ガスといった窒素元素を含むガスが用いられる。一方、第２のプロセス工程において酸化処理が行なわれる場合には、第２のプロセスガスとして、酸素ガスといった酸素元素を含むガスが用いられる。
【００４５】
供給経路Ｐ２は、上部領域Ｒａを画成する側壁１２ａに形成されている。一実施形態においては、供給経路Ｐ２は、空洞Ｐ２１及び供給孔Ｐ２２を含んでいる。空洞Ｐ２１は、側壁１２ａの内部に形成されており、軸線Ｘ中心の環状の閉曲線に沿って延在し得る。供給孔Ｐ２２は、空洞Ｐ２１から軸線Ｘに向かう方向に延びるように形成されている。この供給経路Ｐ２には、ガス供給系３８が接続されている。
【００４６】
ガス供給系３８は、ガス源３８ａ、弁３８ｂ、及び流量制御器３８ｃを含んでいる。ガス源３８ａは、第２のプロセスガスのガス源である。ガス源３８ａからのガスの供給及び供給停止は、弁３８ｂの開閉動作により切替えられる。また、ガス源３８ａからのガスの流量は、マスフローコントローラといった流量制御器３８ｃによって調整される。このガス供給系３８によって供給されるガスは、ガス供給経路Ｐ２に供給され、当該ガス供給経路Ｐ２の供給孔Ｐ２２から上部領域Ｒａに供給される。この上部領域Ｒａには、供給源１８からプラズマ源として電磁界エネルギーが供給される。
【００４７】
一実施形態においては、供給源１８は、上部領域Ｒａに磁場を加えずにマイクロ波を供給する。一例においては、供給源１８は、ラジアルスロットラインアンテナによってマイクロ波を上部領域Ｒａに供給する。この一例においては、供給源１８は、マイクロ波発生器４０、矩形導波管４２、モード変換器４４、同軸導波管４６、アンテナ４８、及び誘電体窓５０を含んでいる。
【００４８】
マイクロ波発生器４０は、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生する。マイクロ波発生器４０には矩形導波管４２の一端が接続されており、当該矩形導波管４２の他端はモード変換器４４に接続されている。モード変換器４４は、マイクロ波発生器４０によって発生され矩形導波管４２によって導波されたマイクロ波のモードを変更する。モード変換器４４は、軸線Ｘに沿って延在する同軸導波管４６を介してアンテナ４８に接続されている。
【００４９】
アンテナ４８は、スロット板４８ａ、誘電体板４８ｂ、及び、冷却ジャケット４８ｃを含んでいる。スロット板４８ａは、略円板状の導体である。アンテナ４８は、ラジアルラインスロットアンテナであってもよく、スロット板４８ａには、互いに交差又は直交する方向に延びる二つのスロットをそれぞれ含む複数のスロット対が形成されている。スロット板４８ａにおいては、複数のスロット対は、径方向に所定の間隔で配置され、また、周方向に所定の間隔で配置され得る。スロット板４８ａと冷却ジャケット４８ｃとの間には、略円板状の誘電体板４８ｂが設けられている。スロット板４８ａには、同軸導波管４６の内側導体４６ｂが接続されている。同軸導波管４６の外側導体４６ａは、冷却ジャケット４８ｃに接続されている。
【００５０】
アンテナ４８とステージ１４とは、軸線Ｘ方向において対面している。このアンテナ４８の直下には略円板上の誘電体窓５０が設けられている。誘電体窓５０は、例えば石英製であり、この誘電体窓５０は、第１の空間Ｓ１を上方から画成している。
【００５１】
このような供給源１８によれば、マイクロ波発生器４０により発生されたマイクロ波は、導波管４２、モード変換器４４、及び同軸導波管４６を介して導波され、誘電体板４８ｂ内で伝播され、スロット板４８ａのスロットから誘電体窓５０を透過して、上部領域Ｒａに供給される。
【００５２】
上部領域Ｒａには、第１の排気装置２０が連通している。一実施形態においては、第１の排気装置２０は、弁５２及び処理容器１２の側壁１２ａに形成された排気経路Ｐｖ１を介して上部領域Ｒａに連通している。排気経路Ｐｖ１は、第１の空間Ｓ１側の開口Ｐｖ１ｏから側壁１２ａの外面まで延在している。一実施形態においては、排気経路Ｐｖ１の開口Ｐｖ１ｏは軸線Ｘを中心とした環状の開口であり得る。
【００５３】
また、下部領域Ｒｂには、連通路Ｐの開口Ｐｏが面している。したがって、ヘッド１６は、第１の領域Ｒ１に配置されているときに、連通路Ｐの開口Ｐｏを上方から覆う大きさを有している。換言すると、ヘッド１６は、連通路Ｐの開口Ｐｏに軸線Ｘ方向において対面する周縁部分を有している。この連通路Ｐに接続する第２の空間Ｓ２には、排気装置２２が連通している。排気装置２２は、弁５４及び側壁１２ａに形成された排気経路Ｐｖ２を介して第２の空間Ｓ２に接続している。
【００５４】
このように、プラズマ処理装置１０は、連通路Ｐに接続された第２の空間Ｓ２に連通する第２の排気装置２２と、上部領域Ｒａに連通する第１の排気装置２０とを備えている。したがって、プラズマ処理装置１０では、ヘッド１６が第１の領域Ｒ１に配置されているときに、第１の排気装置２０と第２の排気装置２２により、上部領域Ｒａと下部領域Ｒｂがそれぞれ個別に排気される。したがって、第１の領域Ｒ１に配置されたヘッド１６から第１のプロセスガスを供給し、同時に上部領域Ｒａに第２のプロセスガスを供給しても、第１のプロセスガスの上部領域Ｒａへの拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域Ｒｂへの拡散が抑制され得る。その結果、後述する第１のパージ工程の時間が短縮され得る。
【００５５】
一実施形態においては、処理容器１２には、パージガス供給経路Ｐｓ１が設けられている（以下、パージガス供給経路Ｐｓ１から供給されるガスを「第１のパージガス」ということがある）。このパージガス供給経路Ｐｓ１の第１の空間Ｓ１側の開口Ｐｓ１ｏは、連通路Ｐの開口Ｐｏよりもステージ１４に対して側方に設けられている。開口Ｐｓ１ｏは、例えば、軸線Ｘを中心とした環状の開口であり得る。一実施形態においては、ヘッド１６は、第１の領域Ｒ１に配置されているときに、パージガス供給経路Ｐｓ１の開口Ｐｓ１ｏを上方から更に覆うことができる大きさを有し得る。即ち、ヘッド１６の周縁部分は、軸線Ｘ方向において、開口Ｐｏに加えて開口Ｐｓ１ｏにも対面してもよい。このパージガス供給経路Ｐｓ１には、パージガス供給系５６が接続している。
【００５６】
パージガス供給系５６は、ガス源５６ａ、弁５６ｂ、及び流量制御器５６ｃを含み得る。ガス源５６ａは、アルゴンといった不活性ガスのガス源である。ガス源５６ａからのガスの供給及び供給停止は、弁５６ｂの開閉動作により切替えられる。また、ガス源５６ａからのガスの流量は、マスフローコントローラといった流量制御器５６ｃによって調整される。
【００５７】
このパージガス供給経路Ｐｓ１によって供給されるパージガスは、ヘッド１６が第１の領域Ｒ１に配置されているときに、上部領域Ｒａと下部領域Ｒｂとの間に当該パージガスによる障壁を形成する。この障壁により、第１の領域Ｒ１に配置されたヘッド１６から第１のプロセスガスを供給し、同時に上部領域Ｒａに第２のプロセスガスを供給しても、第１のプロセスガスの上部領域Ｒａへの拡散、及び第２のプロセスガスの下部領域Ｒｂへの拡散が、効果的に抑制され得る。
【００５８】
一実施形態においては、排気経路Ｐｖ１の第１の空間Ｓ１側の開口Ｐｖ１ｏは、パージガス供給経路Ｐｓ１の開口Ｐｓ１ｏよりもステージ１４に対して側方に設けられている。ヘッド１６は、第１の領域Ｒ１に配置されているときに、排気経路Ｐｖ１の開口Ｐｖ１ｏを上方から更に覆うことができる大きさを有していてもよい。即ち、ヘッド１６の周縁部分は、ヘッド１６の周縁部分は、軸線Ｘ方向において、開口Ｐｏ及び開口Ｐｓ１ｏ加えて、開口Ｐｖ１ｏに対面してもよい。この実施形態では、ヘッド１６が第１の領域Ｒ１に配置されているときに、排気経路Ｐｖ１の開口Ｐｖ１ｏは、ヘッド１６の周縁部分下面と処理容器１２との間の比較的コンダクタンスが低い位置に存在する。その結果、第２のプロセスガスが下部領域Ｒｂに拡散することをより効果的に抑制することができる。
【００５９】
一実施形態においては、処理容器１２には、第２の空間Ｓ２にパージガスを供給するためのパージガス供給経路Ｐｓ２が設けられている（以下、パージガス供給経路Ｐｓ２から供給されるガスを「第２のパージガス」ということがある）。このパージガス供給経路Ｐｓ２には、パージガス供給系５８が接続している。
【００６０】
パージガス供給系５８は、ガス源５８ａ、弁５８ｂ、及び流量制御器５８ｃを含み得る。ガス源５８ａは、アルゴンといった不活性ガスのガス源である。ガス源５８ａからのガスの供給及び供給停止は、弁５８ｂの開閉動作により切替えられる。また、ガス源５８ａからのガスの流量は、マスフローコントローラといった流量制御器５８ｃによって調整される。
【００６１】
パージガス供給経路Ｐｓ２から第２の空間Ｓ２内にパージガスが供給されることにより、例えば、ヘッド１６が第１の領域Ｒ１に配置されていないときに、第２のプロセスガスが第２の空間Ｓ２に流入することを抑制することができる。この第２の空間Ｓ２へのパージガスの供給量は、排気装置２２の排気量に対して相対的に大きくなるように調整されてもよい。これにより、第２のプロセスガスが第２の空間Ｓ２に流入することをより確実に抑制することができる。
【００６２】
一実施形態においては、支柱２４は、その外周面と処理容器１２との間に、第３の空間Ｓ３を画成している。この第３の空間Ｓ３は、ヘッド１６の下面と処理容器１２との間の空洞を介して、第２の空間Ｓ２に接続している。上述したパージガス供給経路Ｐｓ２は、この第３の空間Ｓ３を介して第２の空間Ｓ２に連通されていてもよい。
【００６３】
プラズマ処理装置１０においては、支柱２４と処理容器１２（底部１２ｂ）との間に、処理容器１２の内部空間を密閉するためにＯリング６０が設けられている。一方、上述したように、支柱２４は駆動装置２８によって回転される。したがって、支柱２４の回転時にＯリング６０による気密封止の完全性が損なわれて、第３の空間Ｓ３に流入したプロセスガスが支柱２４と処理容器１２との間の間隙から漏れ出ることもあり得る。しかしながら、パージガス供給経路Ｐｓ２から第３の空間Ｓ３にパージガスを供給することにより、第３の空間Ｓ３内の気圧を高めることができる。これにより、第３の空間Ｓ３にプロセスガスが流入することを防止することができる。その結果、支柱２４の外周面に沿ってプロセスガスが処理容器１２の外部に漏れ出すことを抑制することができる。
【００６４】
以下、プラズマ処理装置１０を用いたプラズマ処理方法の一実施形態について説明する。図３は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法のシーケンスを示す図である。図３に示すプラズマ処理方法は、ＡＬＤ法により被処理基体Ｗ上に層を形成するものである。このプラズマ処理方法は、第１のプロセス工程で開始する。
【００６５】
（第１のプロセス工程）
【００６６】
図３に示すように、一実施形態に係るプラズマ処理方法では、まず、第１のプロセス工程が実施される。なお、この第１のプロセス工程に先立って、ヘッド１６は、第１の領域Ｒ１に配置されている。
【００６７】
第１のプロセス工程においては、第１の領域Ｒ１に配置されたヘッド１６から、第１のプロセスガスが供給される。図３においては、第１のプロセスガスがＯＮであることは、第１のプロセスガスがヘッド１６から供給されることを示している。一方、第１のプロセスガスがＯＦＦであることは、ヘッド１６からの第１のプロセスガスの供給が停止されていることを示している。第１のプロセスガスを供給するために、ガス供給系３２の弁３２ｂが開かれ、ガス源３２ａからのガスの供給量を調整するよう流量制御器３２ｃが制御される。これにより、被処理基体Ｗ上に第１のプロセスガスの原料が吸着する。
【００６８】
また、第１のプロセスガスの供給と並行して、第２のプロセスガスが上部領域Ｒａに供給され、供給源１８からのマイクロ波が上部領域Ｒａに供給される。図３においては、第２のプロセスガスがＯＮであることは、第２のプロセスガスが供給されることを示している。一方、第２のプロセスガスがＯＦＦであることは、第２のプロセスガスの供給が停止されていることを示している。また、マイクロ波がＯＮであることは、マイクロ波が供給されていることを示している。一方、マイクロ波がＯＦＦであることは、マイクロ波の供給が停止されていることを示している。
【００６９】
第２のプロセスガスを供給するために、ガス供給系３８の弁３８ｂが開かれ、ガス源３２ａからのガスの供給量を調整するよう流量制御器３２ｃが制御される。また、マイクロ波を供給するためにマイクロ波発生器４０に電力が与えられる。なお、図３に示すように、本実施形態のプラズマ処理方法においては、全ての工程を通じて、第２のプロセスガスの供給、マイクロ波の供給、及び第１の排気装置２０による排気（第１の排気）が継続される。
【００７０】
また、第１のプロセスガスの供給及び第２のプロセスガスの供給と並行して、第１の排気装置２０及び第２の排気装置２２による排気（第２の排気）が実施される。図３においては、排気がＯＮであることは、排気装置が動作し当該排気装置に接続された弁が開いていることを示している。一方、排気がＯＦＦであることは、排気装置が停止されているか、又は当該排気装置に接続する弁が閉じられていることを示している。
【００７１】
本実施形態のプラズマ処理方法では、第１のプロセスガスの供給及び第２のプロセスガスの供給と並行して、第１の排気装置２０及び第２の排気装置２２による排気が行なわれるので、第１のプロセスガスの上部領域Ｒａへの拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域Ｒｂへの拡散が抑制される。
【００７２】
また、第１のプロセスガスの供給及び第２のプロセスガスの供給と並行して、第１のパージガスがパージガス供給経路Ｐｓ１から供給される。図３においては、パージガスがＨｉｇｈであることは、パージガスが比較的大きな供給量で供給されていることを示している。一方、パージガスがＬｏｗであることは、パージガスが比較的小さな供給量で供給されているか又は停止されていることを示している。第１のパージガスを供給するために、パージガス供給系５６の弁５６ｂが開かれ、第１のパージガスの供給量を調整するよう流量制御器５６ｃが制御される。この第１のパージガスにより上部領域Ｒａと下部領域Ｒｂとの間に障壁が形成される。この障壁により、第１のプロセスガスの上部領域Ｒａへの拡散、及び、第２のプロセスガスの下部領域Ｒｂへの拡散がより効果的に抑制される。
【００７３】
（第１のパージ工程）
【００７４】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、第１のパージ工程が実施される。第１のパージ工程においては、第１のプロセスガスの供給が停止される。同時に、第１のパージガスの供給が継続され、また、第３のパージガスの供給が開始されるか、又は、その供給量が増大される。更に同時に、第１の排気装置２０及び第２の排気装置２２による排気が行なわれる。第３のパージガスを供給するために、パージガス供給系３２の弁３２ｂが開かれ、第３のパージガスの供給量を調整するよう流量制御器３２ｃが制御される。この工程において設定された第３のパージガスの供給量は、第１のプロセス工程の期間を除いて維持され得る。
【００７５】
第１のパージ工程により、第１のプロセス工程において被処理基体Ｗに吸着された層のうち、被処理基体Ｗに化学吸着している部分（例えば単一の分子層又は単一の原子層）は残存し、被処理基体Ｗに物理吸着又は化学吸着している残部は除去される。また、第１のパージ工程では、ヘッド１６内及び下部領域Ｒｂに残留した第１のプロセスガスが不活性ガスで置換される。この第１のパージ工程におけるガスの置換は、下部領域Ｒｂ及びヘッド１６内を対象としているので、短い時間で完了し得る。
【００７６】
（ヘッド移動）
【００７７】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、ヘッド１６が駆動装置３０により第２の領域Ｒ２まで移動される。これと同時に、ステージ１４が駆動装置２８により回転される。これにより、ヘッド１６が移動している期間においてもラジカルによる被処理基体Ｗ上の層に対する処理が均一化される。より詳細に説明すると、ヘッド１６はその移動中に上部領域Ｒａとステージ１４との間を横切るので、上部領域Ｒａからステージ１４に向かうラジカルの流れが一部において阻害され得る。しかしながら、ステージ１４が回転されることにより、ラジカルによる処理の不均一性が被処理基体Ｗの面内（ＹＺ平面内）において抑制され得る。なお、ステージ１４は、図３に示すように、全工程にわたって回転されていてもよい。これにより、全工程にわたる処理の更なる均一化がもたらされ得る。
【００７８】
また、ヘッド１６の第２の領域Ｒ２への移動と並行して、第２のパージガスの供給が開始されるか、又は、その供給量が増大され、また、第２の排気装置２２による排気が停止される。第２のパージガスを供給するために、パージガス供給系５８の弁５８ｂが開かれ、第２のパージガスの流量を調整するよう流量制御器５８ｃが制御される。これにより、第２の空間Ｓ２内に第２のプロセスガスが流入することが抑制され得る。
【００７９】
（第２のプロセス工程）
【００８０】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、第２のプロセス工程が実施される。第２のプロセス工程では、上部領域Ｒａに第２のプロセスガス及びマイクロ波が供給されることにより発生するラジカルを用いて、被処理基体Ｗ上の層が処理される。この処理により、被処理基体Ｗ上の層は、例えば窒化又は酸化される。第２のプロセス工程においては、第２の空間Ｓ２内への第２のプロセスガスの流入を抑制するために、第２のパージガスの供給量が維持され、第２の排気装置２２による排気の停止が継続される。また、第１のパージガスの供給は停止されるか、又は、その供給量が減少される。
【００８１】
（ヘッド移動）
【００８２】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、ヘッド１６が駆動装置３０により第１の領域まで移動される。この工程においては、第１のパージガスの供給が再び開始されるか、又はその供給量が増大される。また、この工程においても、被処理基体Ｗ上の層の処理の均一化のために、ステージ１４が駆動装置２８により回転される。
【００８３】
（第２のパージ工程）
【００８４】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、第２のパージ工程が実施される。この工程においては、第２のパージガスの供給が停止されるか、又はその供給量が減少され、第１の排気装置２０による排気の継続と共に、第２の排気装置２２による排気が開始される。これにより、下部領域Ｒｂにおけるガスが不活性ガスにより置換される。
【００８５】
一実施形態においては、第１のプロセス工程から第２のパージ工程までの全工程が、複数回繰り返される。これにより、被処理基体Ｗ上にプラズマ処理された複数の層（原子層又は分子層）が形成される。
【００８６】
以上説明したプラズマ処理方法を実施するために、プラズマ処理装置１０は、更に、制御部６２を備え得る。図４は、一実施形態に係るプラズマ処理装置の制御部を示す図である。制御部６２は、例えば、中央処理装置（ＣＰＵ）及びメモリといった記憶装置を備えるコンピュータであってもよい。制御部６２は、記憶装置に記憶されたプログラムによって種々の制御信号を出力することができる。制御部６２からの種々の制御信号は、駆動装置２８、駆動装置３０、マイクロ波発生器４０、弁３２ｂ、流量制御器３２ｃ、弁３４ｂ、流量制御器３４ｃ、弁３８ｂ、流量制御器３８ｃ、弁５６ｂ、流量制御器５６ｃ、弁５８ｂ、流量制御器５８ｃ、温度制御器２６、第１の排気装置２０、弁５２、第２の排気装置２２、及び弁５４に与えられる。これにより、図３に示したシーケンスに従った処理をプラズマ処理装置１０は自動的に実施することが可能なる。なお、制御部６２は、上述した全ての制御対象に制御信号を出力する必要はなく、これら制御対象のうち一つ以上の任意個数の制御対象に制御信号を出力してもよい。
【００８７】
以下、別の実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。図５は、別の実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図であり、ヘッドが第１の領域に配置された状態を示す図である。図５に示すプラズマ処理装置１００は、主に、昇降壁１０２及び駆動装置１０４を備える点において、プラズマ処理装置１０と異なっている。以下、プラズマ処理装置１００に関して、プラズマ処理装置１０と異なる点を説明する。
【００８８】
プラズマ処理装置１００では、昇降壁１０２が、ステージ１４と処理容器１２との間に設けられている。昇降壁１０２は、駆動装置１０４に接続されており、当該駆動装置１０４から与えられる駆動力により、軸線Ｘ方向及び−Ｘ方向において昇降可能に構成されている。一実施形態においては、昇降壁１０２は、軸線Ｘに沿って延在する略円筒形状を有し得る。
【００８９】
昇降壁１０２は、上面１０２ａを含んでいる。この上面１０２ａは、第１の領域Ｒ１に配置されたヘッド１６の周縁部分の下面に対面する。一実施形態においては、昇降壁１０２には、第１のパージガスの供給経路Ｐｓ１が設けられている。このガス供給経路Ｐｓ１の開口Ｐｓ１ｏは、昇降壁１０２の上面１０２ａに形成されている。また、プラズマ処理装置１００では、ガス供給経路Ｐｓ２及び排気経路Ｐｖ２は、処理容器１２の底部１２ｂに形成されている。さらに、第１の空間Ｓ１と第２の空間Ｓ２とを連通させる連通路Ｐは、昇降壁１０２とステージ１４の外周面との間に画成されている。
【００９０】
また、プラズマ処理装置１００は、ガス供給系１０６を更に備えている。ガス供給系１０６は、処理容器１２の底部１２ｂと昇降壁１０２との間の間隙からプロセスガスが漏出することを防止するために、アルゴンといった不活性ガスを当該間隙に供給する。
【００９１】
ガス供給系１０６は、ガス源１０６ａ、弁１０６ｂ、及び流量制御器１０６ｃを含んでいる。ガス源１０６ａは、不活性ガスのガス源である。ガス源１０６ａからのガスの供給及び供給停止は、弁１０６ｂの開閉動作により切替えられる。また、ガス源１０６ａからのガスの流量は、マスフローコントローラといった流量制御器１０６ｃによって調整される。なお、本実施形態のプラズマ処理装置１００を用いる後述のプラズマ処理方法においては、ガス供給系１０６からの不活性ガスは、全工程にわたって所定の供給量に維持される。
【００９２】
プラズマ処理装置１００では、第１のプロセス工程を実施するときに、昇降壁１０２を上方へ移動させて、当該昇降壁１０２をヘッド１６に近づけることで、ヘッド１６と昇降壁１０２の上面１０２ａとの間のコンダクタンスを低下させることが可能である。これにより、第１のプロセス工程の実施時に、第１のプロセスガスの上部領域Ｒａの拡散、及び第２のプロセスガスの下部領域Ｒｂへの拡散を抑制し得る。更に、第１のプロセス工程の実施時に、ガス供給経路Ｐｓ１から第１のパージガスを供給することにより、ヘッド１６と昇降壁１０２の上面１０２ａとの間に、当該第１のパージガスを用いた障壁を形成することができる。これにより、第１のプロセスガスの上部領域Ｒａの拡散、及び第２のプロセスガスの下部領域Ｒｂへの拡散をより効果的に抑制し得る。
【００９３】
以下、プラズマ処理装置１００を用いたプラズマ処理方法の一実施形態について説明する。図６は、別の実施形態に係るプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法のシーケンスを示す図である。図６に示すプラズマ処理方法も、ＡＬＤ法により被処理基体Ｗ上に層を形成するものである。ここで、図６における表記は、図３に示した表記と同様である。なお、図６において、昇降壁が「上」であることは、当該昇降壁が上方向に移動されて停止した状態を示している。一方、昇降壁が「下」であることは、当該昇降壁が下方向に移動されて停止した状態を示している。以下、図６に示すプラズマ処理方法について、図３に示したプラズマ処理方法と異なる点を説明する。
【００９４】
図６に示すプラズマ処理方法では、第１のパージ工程と第２の領域Ｒ２にヘッド１６を移動させる工程との間に、昇降壁を下方向へ移動させる工程が含まれている。また、第１の領域Ｒ１にヘッド１６を移動させる工程と第２のパージ工程との間に、昇降壁を上方向へ移動させる工程が含まれている。
【００９５】
昇降壁を下方向へ移動させる工程では、昇降壁１０２は、ヘッド１６に近づけられた位置（上位置）から下方向に移動される。この工程では、同時に、第２のパージガスの供給が開始されるか、又は、その供給量が増大される。また、同時に、第２の排気装置２２による排気が停止される。
【００９６】
また、昇降壁を上方向へ移動させる工程では、昇降壁１０２は上方向に移動され、ヘッド１６に近づけられる。この工程では、同時に、第１のパージガスの供給量が維持され、また、第２のパージガスの供給量が維持され、第２の排気装置２２による排気の停止が継続される。
【００９７】
図６に示すプラズマ処理方法によれば、ヘッド１６が第１の領域Ｒ１に配置されているときに、ヘッド１６に昇降壁１０２が近づけられる。これにより、ヘッド１６と昇降壁１０２の上面１０２ａとの間のコンダクタンスを低下させることが可能である。その結果、第１のプロセス工程の実施時に、第１のプロセスガスの上部領域Ｒａの拡散、及び第２のプロセスガスの下部領域Ｒｂへの拡散を抑制し得る。また、第１のプロセス工程の実施時に、ガス供給経路Ｐｓ１から第１のパージガスを供給することにより、ヘッド１６と昇降壁１０２の上面１０２ａとの間に、当該第１のパージガスを用いた障壁を形成することができる。これにより、第１のプロセスガスの上部領域Ｒａの拡散、及び第２のプロセスガスの下部領域Ｒｂへの拡散をより効果的に抑制し得る。更に、ヘッド１６を第２の領域Ｒ２に移動させる前に昇降壁１０２を下方へ移動させ、ヘッド１６を第１の領域Ｒ１に移動させた後に昇降壁１０２を上方へ移動させている。これにより、昇降壁１０２によってヘッド１６の移動が阻害されることを防止することができる。
【００９８】
以上説明したプラズマ処理方法を実施するために、プラズマ処理装置１００は、更に、制御部１６２を備え得る。図７は、別の実施形態に係るプラズマ処理装置の制御部を示す図である。制御部１６２は、例えば、中央処理装置（ＣＰＵ）及びメモリといった記憶装置を備えるコンピュータであってもよい。制御部１６２は、記憶装置に記憶されたプログラムによって種々の制御信号を出力することができる。制御部１６２からの種々の制御信号は、駆動装置２８、駆動装置３０、マイクロ波発生器４０、弁３２ｂ、流量制御器３２ｃ、弁３４ｂ、流量制御器３４ｃ、弁３８ｂ、流量制御器３８ｃ、弁５６ｂ、流量制御器５６ｃ、弁５８ｂ、流量制御器５８ｃ、温度制御器２６、第１の排気装置２０、弁５２、第２の排気装置２２、弁５４、駆動装置１０４、弁１０６ｂ、及び流量制御器１０６ｃに与えられる。これにより、図７に示したシーケンスに従った処理をプラズマ処理装置１００は自動的に実施することが可能となる。なお、制御部１６２は、上述した全ての制御対象に制御信号を出力する必要はなく、これら制御対象のうち一つ以上の任意の個数の制御対象に制御信号を出力してもよい。
【００９９】
以下、更に別の実施形態について説明する。図８は、更に別の実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図８に示すプラズマ処理装置２００は、ステージ１４、処理容器２０２、電磁界エネルギーの供給源２０４、第１の排気装置２０６、及び、第２の排気装置２０８を備えている。
【０１００】
処理容器２０２の内部空間には、ステージ１４が収容されている。このステージ１４は、上述した実施形態と同様に支柱２４によって支持され、温度制御器２６及び駆動装置２８に接続されている。
【０１０１】
処理容器２０２は、ステージ１４の上方に処理空間Ｓａを画成し、また、プラズマ生成空間Ｓｂを画成する。一実施形態においては、処理容器２０２は、第１の容器２１０及び第２の容器２１２を含んでいる。第１の容器２１０は、ステージ１４を収容する空間、及び、処理空間Ｓａを画成している。
【０１０２】
一実施形態においては、第１の容器２１０は、側壁２１０ａ、底部２１０ｂ、及び上部２１０ｃを含んでいる。側壁２１０ａは、軸線Ｘに沿って延在する略円筒形状を有している。底部２１０ｂは、側壁２１０ａの下端に結合している。上部２１０ｃは、側壁２１０ａの上端に結合しており、当該上部２１０ｃとステージ１４の上面との間に処理空間Ｓａを画成している。
【０１０３】
上部２１０ｃには、処理空間Ｓａに接続するガス供給経路Ｐｓ２０１が形成されている。このガス供給経路Ｐｓ２０１は、第１のプロセスガスを処理空間Ｓａに供給するための経路である。ガス供給経路Ｐｓ２０１には、ガス供給系３２が接続されている。
【０１０４】
また、処理容器２０２には、処理空間Ｓａに接続する排気経路Ｐｖ２０１が設けられている。この排気経路Ｐｖ２０１には、弁２１４を介して排気装置２０６が接続されている。更に、処理容器２０２には、ガス供給経路Ｐｓ２０３が形成されている。このガス供給経路Ｐｓ２０３は、ステージ１４下方の空間及びステージ１４外周に沿った空間を通じて、処理空間Ｓａに連通している。ガス供給経路Ｐｓ２０３は、処理空間Ｓａにパージガスを供給する。このパージガスは、アルゴンといった不活性ガスであり得る。ガス供給経路Ｐｓ２０３には、ガス供給系２１６が接続されている。
【０１０５】
ガス供給系２１６は、ガス源２１６ａ、弁２１６ｂ、及び流量制御器２１６ｃを含んでいる。ガス源２１６ａは、不活性ガスのガス源である。ガス源２１６ａからのガスの供給及び供給停止は、弁２１６ｂの開閉動作により切替えられる。また、ガス源２１６ａからのガスの流量は、マスフローコントローラといった流量制御器２１６ｃによって調整される。
【０１０６】
第２の容器２１２は、第１の容器２１０の側方外面に取り付けられている。第２の容器２１２は、処理空間Ｓａの側方（図中、Ｙ方向）において、プラズマ生成空間Ｓｂを画成している。この第２の容器２１２には、ガス供給経路Ｐｓ２０２が形成されている。ガス供給経路Ｐｓ２０２は、プラズマ生成空間Ｓｂに接続している。プラズマ生成空間Ｓｂには、ガス供給経路Ｐｓ２０２を介してガス供給系３８が接続されており、当該ガス供給系３８から第２のプロセスガスが供給される。また、このプラズマ生成空間Ｓｂには、供給源２０４からマイクロ波が供給される。
【０１０７】
一実施形態においては、供給源２０４は、マイクロ波発生器２１８、導波管２２０、及び、誘電体窓２２２を含んでいる。マイクロ波発生器２１８は、マイクロ波を発生し、導波管２２０に当該マイクロ波を供給する。誘電体窓２２２は、第２の容器２１２の内部に設けられている。導波管２２０によって導波されたマイクロ波は、第２の容器２１２に形成されたスロット２１２ａ及び誘電体窓２２２を介してプラズマ生成空間Ｓｂに供給される。
【０１０８】
プラズマ処理装置２００では、第２の容器２１２は、処理空間Ｓａとプラズマ生成空間Ｓｂとの間に領域Ｒ２００のみが存在するように、プラズマ生成空間Ｓｂを提供している。この領域Ｒ２２０は、側壁２１０ａによって画成されており、処理空間Ｓａとプラズマ生成空間Ｓｂを連通させるための領域である。領域Ｒ２２０は、側壁２１０ａのＹ方向の厚みに等しいＹ方向の長さを有している。したがって、処理空間Ｓａとプラズマ生成空間Ｓｂとの間の距離は短い。故に、プラズマ生成空間Ｓｂで発生し処理空間Ｓａに到達するまでの間に失活するラジカルの量が低減される。
【０１０９】
一実施形態においては、プラズマ処理装置２００は、可動壁２２４を更に備え得る。可動壁２２４は、例えば、側壁２１０ａ及び底部２１０ｂにわたって埋め込まれている。この可動壁２２４は、当該可動壁２２４を上下方向に移動させる駆動装置２２６に接続されている。可動壁２２４は、上方に移動されることにより、処理空間Ｓａとプラズマ生成空間Ｓｂとの間の領域Ｒ２００に配置される。また、可動壁２２４は、領域Ｒ２００から退避するために、駆動装置２２６によって下方に移動される。
【０１１０】
一実施形態においては、側壁２１０ａには、排気経路Ｐｖ２０２が形成されている。排気経路Ｐｖ２０２は、領域Ｒ２００に面する開口Ｐｖ２０２ｏから可動壁２２４に沿って延在し、側壁２１０ａを通過して当該側壁２１０ａの外面にまで達している。この排気経路Ｐｖ２０２には、弁２２８を介して第２の排気装置２０８が接続されている。
【０１１１】
プラズマ処理装置２００では、第１の排気装置２０６が処理空間Ｓａに連通しており、第２の排気装置２０８がプラズマ生成空間Ｓｂに連通しており、これら排気装置が処理空間Ｓａ及びプラズマ生成空間Ｓｂを個別に排気する。したがって、処理空間Ｓａに第１のプロセスガスを供給する第１のプロセス工程と並行して、プラズマ生成空間Ｓｂに第２のプロセスガスを供給しても、処理空間Ｓａに第２のプロセスガスが拡散することが抑制される。また、プラズマ生成空間Ｓｂに第１のプロセスガスが拡散することが抑制される。
【０１１２】
また、可動壁２２４を領域Ｒ２００に配置することにより、領域Ｒ２００におけるコンダクタンスを低下させることができる。これにより、両プロセスガスの上述した拡散をより効果的に抑制することができる。
【０１１３】
さらに、排気経路Ｐｖ２０２の開口Ｐｖ２０２ｏが処理空間Ｓａとプラズマ生成空間Ｓｂとの間の領域Ｒ２００に面している。これにより、両プロセスガスの上述した拡散を更により効果的に抑制することができる。
【０１１４】
以下、プラズマ処理装置２００を用いたプラズマ処理方法の一実施形態について説明する。図９は、更に別の実施形態に係るプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法のシーケンスを示す図である。図９に示すプラズマ処理方法は、ＡＬＤ法により被処理基体Ｗ上に層を形成するものである。なお、図９における表記は、図３及び図４に示した表記と同様である。本実施形態のプラズマ処理方法も、第１のプロセス工程で開始する。
【０１１５】
（第１のプロセス工程）
【０１１６】
本実施形態のプラズマ処理方法では、まず、第１のプロセス工程が実施される。なお、可動壁２２４は、領域Ｒ２００内に位置するように、前もって上方へ移動されている。
【０１１７】
第１のプロセス工程においては、ガス供給系３２から供給経路Ｐｓ２０１を介して第１のプロセスガスが処理空間Ｓａに供給される。第１のプロセスガスが供給されているとき、ステージ１４は駆動装置２８によって回転される。これにより、第１のプロセスガスに含まれる原料が均一な厚みで被処理基体Ｗ上に吸着される。なお、本実施形態では、全ての工程にわたって、ステージ１４は回転される。
【０１１８】
また、第１のプロセスガスの供給と並行して、ガス供給系３８から供給経路Ｐｓ２０２を介してプラズマ生成空間Ｓｂに第２のプロセスガスが供給され、同時に、供給源２０４からプラズマ生成空間Ｓｂにマイクロ波が供給される。更に、第１のプロセスガスの供給と並行して、第１の排気装置２０６による排気、第２の排気装置２０８による排気が行なわれる。なお、本実施形態においても、第２のプロセスガスの供給及びマイクロ波の供給は、全工程にわたって継続される。
【０１１９】
（第１のパージ工程）
【０１２０】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、第１のパージ工程が実施される。第１のパージ工程では、ガス供給系３２からの第１のプロセスガスの供給が停止される。これと同時に、パージガスがガス供給系２１６から処理空間Ｓａに供給され、第１の排気装置２０６による排気、第２の排気装置２０８による排気が行なわれる。
【０１２１】
第１のパージ工程により、第１のプロセス工程において被処理基体Ｗに吸着された層のうち、被処理基体Ｗに化学吸着している部分（例えば単一の分子層又は単一の原子層）は残存し、被処理基体Ｗに物理吸着又は化学吸着している残部は除去される。また、処理空間Ｓａ内のガスがパージガス、即ち、不活性ガスで置換される。
【０１２２】
（可動壁移動）
【０１２３】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、ガス供給系２１６からのパージガスの供給が停止され、可動壁２２４が、駆動装置２２６により下方へ移動される。これにより、領域Ｒ２００を介して処理空間Ｓａとプラズマ生成空間Ｓｂとが連通する。
【０１２４】
（第２のプロセス工程）
【０１２５】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、第２のプロセス工程が実施される。第２のプロセス工程においては、プラズマ生成空間Ｓｂにおいて発生したラジカルが処理空間Ｓａに供給され、当該ラジカルによって、被処理基体Ｗ上の層が処理される。この処理により、被処理基体Ｗ上の層は、例えば窒化又は酸化される。なお、第２のプロセス工程においては、第２の排気装置２０８による排気は停止される。
【０１２６】
（可動壁移動）
【０１２７】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、第２の排気装置２０８による排気が再開され、可動壁２２４が、駆動装置２２６により上方へ移動される。これにより、可動壁２２４は、領域Ｒ２００に再び位置するようになる。
【０１２８】
（第２のパージ工程）
【０１２９】
次いで、本実施形態のプラズマ処理方法では、第２のパージ工程が実施される。第２のパージ工程では、パージガスがガス供給系２１６から処理空間Ｓａに供給され、第１の排気装置２０６による排気、第２の排気装置２０８による排気が行なわれる。これにより、処理空間Ｓａ内のガスが不活性ガスにより置換される。
【０１３０】
本実施形態のプラズマ処理方法においても、第１のプロセス工程から第２のパージ工程までの全工程が、複数回繰り返される。これにより、被処理基体Ｗ上にプラズマ処理された複数の層（原子層又は分子層）が形成される。
【０１３１】
以上説明したプラズマ処理方法を実施するために、プラズマ処理装置２００は、更に、制御部２６２を備え得る。図１０は、一実施形態に係るプラズマ処理装置の制御部を示す図である。制御部２６２は、例えば、中央処理装置（ＣＰＵ）及びメモリといった記憶装置を備えるコンピュータであってもよい。制御部２６２は、記憶装置に記憶されたプログラムによって種々の制御信号を出力することができる。制御部２６２からの種々の制御信号は、温度制御器２６、駆動装置２８、駆動装置２２６、マイクロ波発生器２１８、弁３２ｂ、流量制御器３２ｃ、弁３８ｂ、流量制御器３８ｃ、弁２１６ｂ、流量制御器２１６ｃ、第１の排気装置２０６、弁２１４、第２の排気装置２０８、及び弁２２８に与えられる。これにより、図９に示したシーケンスに従った処理をプラズマ処理装置２００は自動的に実施することが可能となる。なお、制御部２６２は、上述した全ての制御対象に制御信号を出力する必要はなく、これら制御対象のうち一つ以上の任意の個数の制御対象に制御信号を出力してもよい。
【０１３２】
なお、上述した実施形態に限定されることなく、種々の変形態様を構成することが可能である。例えば、マイクロ波の供給源としては、ラジアルラインスロットアンテナを有する供給源に代えて、所謂ＳＷＰ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ、表面波プラズマ）型のプラズマ処理装置における供給源が用いられてもよい。また、第３のパージガスとしては、窒素を含むガスが用いられてもよい。
【符号の説明】
【０１３３】
１０…プラズマ処理装置、１２…処理容器、１４…ステージ、１６…ヘッド、１８…供給源、２０…第１の排気装置、２２…第２の排気装置、２４…支柱、２６…温度制御器、２８…駆動装置、３０…駆動装置、３２…ガス供給系（第１のプロセスガスの供給系）、３４…ガス供給系（第３のパージガスの供給系）、３６…支持部、３８…ガス供給系（第２のプロセスガスの供給系）、４０…マイクロ波発生器、４２…導波管、４４…モード変換器、４６…同軸導波管、４８…アンテナ、５０…誘電体窓、５２…弁、５４…弁、５６…パージガス供給系（第１のパージガスの供給系）、５８…パージガス供給系（第２のパージガスの供給系）、６０…Ｏリング、６２…制御部、１００…プラズマ処理装置、１０２…昇降壁、１０２ａ…昇降壁の上面、１０４…駆動装置、Ｗ…被処理基体、Ｓ１…第１の空間、Ｓ２…第２の空間、Ｒ１…第１の領域、Ｒａ…上部領域、Ｒｂ…下部領域、Ｒ２…第２の領域、Ｐ…連通路、Ｐ２…ガス供給経路（第２のプロセスガスの供給経路）、Ｐｖ１…排気経路、Ｐｖ２…排気経路、Ｐｓ１…パージガス供給経路、Ｐｓ２…パージガス供給経路。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の空間及び第２の空間を画成する処理容器と、
前記第１の空間の下方且つ前記第２の空間の上方に設けられたステージであって、前記第１の空間と前記第２の空間とを連通させる連通路をその外周に沿って画成する該ステージと、
層形成用の第１のプロセスガスを前記ステージに向けて供給するヘッドであって、前記第１の空間内且つ前記ステージの上方の第１の領域と該ヘッドを退避させるための第２の領域との間で移動可能であり、前記第１の領域に位置するときに前記第１の空間内に該第１の領域の上方の上部領域と該第１の領域の下方の下部領域とを画成する該ヘッドと、
プラズマ処理用の第２のプロセスガスが供給される前記上部領域に電磁界エネルギーを供給する供給源と、
前記上部領域に連通する第１の排気手段と、
前記第２の空間に連通する第２の排気手段と、
を備え、
前記ヘッドは、前記第１の領域に位置するときに前記ステージを覆い、且つ、前記下部領域に面する前記連通路の開口を覆う大きさを有する、
プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記処理容器内には、パージガスの供給経路が設けられており、
前記供給経路は前記下部領域に面する開口を含んでおり、該供給経路の該開口は、前記ステージに対して前記連通路の前記開口よりも側方に設けられており、
前記ヘッドは、更に前記供給経路の前記開口を覆う大きさを有する、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記処理容器には、前記第１の排気手段に接続する排気経路が設けられており、該排気経路は開口を含んでおり、該排気経路の該開口は、前記供給経路の前記開口よりも前記ステージに対して側方に設けられており、
前記ヘッドは、更に前記排気経路の前記開口を覆う大きさを有する、
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記処理容器内において昇降可能に構成された昇降壁を更に備え、
該昇降壁は、前記ステージに対して前記連通路よりも側方に設けられており、該昇降壁は、前記ヘッドに対面する上面を含む、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記昇降壁には、パージガスの供給経路が設けられており、該供給経路の開口は該昇降壁の前記上面に設けられている、
請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記処理容器内には、前記第２の空間に連通するパージガスの供給経路が設けられている、請求項１〜５の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記ステージを下方から回転可能に支持する支柱を更に備え、
前記支柱はその外周面に沿って第３の空間を画成し、該第３の空間は前記第２の空間に連通しており、
前記第２の空間に連通する前記供給経路は、前記第３の空間を介して前記第２の空間に連通している、
請求項１〜６の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項１に記載のプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
前記ヘッドを前記第１の領域に移動させる工程と、
前記第１の領域に配置されたヘッドから前記第１のプロセスガスを供給する工程と、
前記第１のプロセスガスを供給する工程と並行して、前記上部領域に電磁界エネルギーを供給し、前記上部領域に前記第２のプロセスガスを供給する工程と、
前記第１のプロセスガスを供給する工程と並行して、前記第１の排気手段及び前記第２の排気手段による排気を行う工程と、
前記第１のプロセスガスの供給を停止して、前記第２の排気手段による排気を行う工程と、
前記ヘッドを前記第２の領域に移動させる工程と、
前記ヘッドを前記第２の領域に移動させた後に、前記上部領域に電磁界エネルギーを供給し、前記上部領域に前記第２のプロセスガスを供給する工程と、
前記第１の排気手段及び前記第２の排気手段による排気を行う工程と、
を含むプラズマ処理方法。
【請求項９】
前記処理容器内には、パージガスの供給経路が設けられており、
前記供給経路は前記下部領域に面する開口を含んでおり、該供給経路の該開口は、前記ステージに対して前記連通路の前記開口よりも側方に設けられており、
前記ヘッドは、更に前記供給経路の前記開口を覆う大きさを有し、
前記第１のプロセスガスを供給する前記工程と並行して、前記供給経路から前記パージガスを供給する工程を更に含む、
請求項８に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１０】
前記プラズマ処理装置は、処理容器内において昇降可能に構成された昇降壁を更に備え、
該昇降壁は、前記ステージに対して前記連通路よりも側方に設けられており、該昇降壁は、前記ヘッドに対面する上面を含み、
前記ヘッドを前記第１の領域に移動させる前記工程の後に、前記昇降壁を上方に移動させる工程を更に含む、請求項８に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１１】
前記昇降壁には、パージガスの供給経路が設けられており、該供給経路の開口は該昇降壁の前記上面に設けられており、
前記昇降壁を上方に移動させる前記工程と並行して、前記供給経路の前記開口からパージガスを供給する工程を更に含む、請求項１０に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１２】
前記処理容器内には、前記第２の空間に連通するパージガスの供給経路が設けられており、
前記ヘッドを前記第２の領域に移動させる前記工程と並行して、及び／又は、前記ヘッドが第２の領域に配置されているときに、前記第２の空間に連通する前記供給経路から前記第２の空間にパージガスを供給する工程を更に含む、
請求項８〜１１の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１３】
前記第２の空間に連通する前記供給経路から前記第２の空間にパージガスを供給する前記工程において、該パージガスの供給量は、第２の排気手段の排気量より多い、請求項１２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１４】
前記プラズマ処理装置は、前記ステージを下方から回転可能に支持する支柱を更に備え、
前記支柱はその外周面に沿って第３の空間を画成し、該第３の空間は前記第２の空間に連通しており、
前記第２の空間に連通する前記供給経路は、前記第３の空間を介して前記第２の空間に連通おり、
前記ヘッドを前記第１の領域に移動させる前記工程及び／又は前記ヘッドを前記第２の領域に移動させる前記工程と並行して、前記ステージを回転させつつ、前記第２の空間に連通する前記供給経路から前記パージガスを供給する工程を更に含む、
請求項８〜１３の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１５】
ステージと、
前記ステージの上方の処理空間、及び、前記処理空間の側方に位置するプラズマ生成空間を画成し、層形成用の第１のプロセスガスの第１の供給経路であり該処理空間に接続する該第１の供給経路が設けられており、プラズマ処理用の第２のプロセスガスの第２の供給経路であり前記プラズマ生成空間に接続する該第２の供給経路が設けられた処理容器と、
前記プラズマ生成空間に電磁界エネルギーを供給する供給源と、
前記処理空間に連通する第１の排気手段と、
前記プラズマ生成空間に連通する第２の排気手段と、
を備える、プラズマ処理装置。
【請求項１６】
前記処理容器は、前記処理空間を画成する第１の容器と、該第１の容器の側方外面に取り付けられた第２の容器であり前記プラズマ生成空間を画成する該第２の容器と、を含む、
請求項１５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１７】
前記処理空間と前記プラズマ生成空間との間の領域に配置可能であり、且つ、該領域から退避可能な可動壁を更に備える、請求項１５又は１６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１８】
前記第２の排気手段は、前記処理空間と前記プラズマ生成空間との間の領域に面する開口を含む排気経路に接続している、請求項１５〜１７の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１】
第１の空間及び第２の空間を画成する処理容器と、
前記第１の空間の下方且つ前記第２の空間の上方に設けられたステージであって、前記第１の空間と前記第２の空間とを連通させる連通路をその外周に沿って画成する該ステージと、
層形成用の第１のプロセスガスを前記ステージに向けて供給するヘッドであって、前記第１の空間内且つ前記ステージの上方の第１の領域と該ヘッドを退避させるための第２の領域との間で移動可能であり、前記第１の領域に位置するときに前記第１の空間内に該第１の領域の上方の上部領域と該第１の領域の下方の下部領域とを画成する該ヘッドと、
プラズマ処理用の第２のプロセスガスが供給される前記上部領域に電磁界エネルギーを供給する供給源と、
前記上部領域に連通する第１の排気手段と、
前記第２の空間に連通する第２の排気手段と、
を備え、
前記ヘッドは、前記第１の領域に位置するときに前記ステージを覆い、且つ、前記下部領域に面する前記連通路の開口を覆う大きさを有する、
プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記処理容器内には、パージガスの供給経路が設けられており、
前記供給経路は前記下部領域に面する開口を含んでおり、該供給経路の該開口は、前記ステージに対して前記連通路の前記開口よりも側方に設けられており、
前記ヘッドは、更に前記供給経路の前記開口を覆う大きさを有する、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記処理容器には、前記第１の排気手段に接続する排気経路が設けられており、該排気経路は開口を含んでおり、該排気経路の該開口は、前記供給経路の前記開口よりも前記ステージに対して側方に設けられており、
前記ヘッドは、更に前記排気経路の前記開口を覆う大きさを有する、
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記処理容器内において昇降可能に構成された昇降壁を更に備え、
該昇降壁は、前記ステージに対して前記連通路よりも側方に設けられており、該昇降壁は、前記ヘッドに対面する上面を含む、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記昇降壁には、パージガスの供給経路が設けられており、該供給経路の開口は該昇降壁の前記上面に設けられている、
請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記処理容器内には、前記第２の空間に連通するパージガスの供給経路が設けられている、請求項１〜５の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記ステージを下方から回転可能に支持する支柱を更に備え、
前記支柱はその外周面に沿って第３の空間を画成し、該第３の空間は前記第２の空間に連通しており、
前記第２の空間に連通する前記供給経路は、前記第３の空間を介して前記第２の空間に連通している、
請求項１〜６の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項１に記載のプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
前記ヘッドを前記第１の領域に移動させる工程と、
前記第１の領域に配置されたヘッドから前記第１のプロセスガスを供給する工程と、
前記第１のプロセスガスを供給する工程と並行して、前記上部領域に電磁界エネルギーを供給し、前記上部領域に前記第２のプロセスガスを供給する工程と、
前記第１のプロセスガスを供給する工程と並行して、前記第１の排気手段及び前記第２の排気手段による排気を行う工程と、
前記第１のプロセスガスの供給を停止して、前記第２の排気手段による排気を行う工程と、
前記ヘッドを前記第２の領域に移動させる工程と、
前記ヘッドを前記第２の領域に移動させた後に、前記上部領域に電磁界エネルギーを供給し、前記上部領域に前記第２のプロセスガスを供給する工程と、
前記第１の排気手段及び前記第２の排気手段による排気を行う工程と、
を含むプラズマ処理方法。
【請求項９】
前記処理容器内には、パージガスの供給経路が設けられており、
前記供給経路は前記下部領域に面する開口を含んでおり、該供給経路の該開口は、前記ステージに対して前記連通路の前記開口よりも側方に設けられており、
前記ヘッドは、更に前記供給経路の前記開口を覆う大きさを有し、
前記第１のプロセスガスを供給する前記工程と並行して、前記供給経路から前記パージガスを供給する工程を更に含む、
請求項８に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１０】
前記プラズマ処理装置は、処理容器内において昇降可能に構成された昇降壁を更に備え、
該昇降壁は、前記ステージに対して前記連通路よりも側方に設けられており、該昇降壁は、前記ヘッドに対面する上面を含み、
前記ヘッドを前記第１の領域に移動させる前記工程の後に、前記昇降壁を上方に移動させる工程を更に含む、請求項８に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１１】
前記昇降壁には、パージガスの供給経路が設けられており、該供給経路の開口は該昇降壁の前記上面に設けられており、
前記昇降壁を上方に移動させる前記工程と並行して、前記供給経路の前記開口からパージガスを供給する工程を更に含む、請求項１０に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１２】
前記処理容器内には、前記第２の空間に連通するパージガスの供給経路が設けられており、
前記ヘッドを前記第２の領域に移動させる前記工程と並行して、及び／又は、前記ヘッドが第２の領域に配置されているときに、前記第２の空間に連通する前記供給経路から前記第２の空間にパージガスを供給する工程を更に含む、
請求項８〜１１の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１３】
前記第２の空間に連通する前記供給経路から前記第２の空間にパージガスを供給する前記工程において、該パージガスの供給量は、第２の排気手段の排気量より多い、請求項１２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１４】
前記プラズマ処理装置は、前記ステージを下方から回転可能に支持する支柱を更に備え、
前記支柱はその外周面に沿って第３の空間を画成し、該第３の空間は前記第２の空間に連通しており、
前記第２の空間に連通する前記供給経路は、前記第３の空間を介して前記第２の空間に連通おり、
前記ヘッドを前記第１の領域に移動させる前記工程及び／又は前記ヘッドを前記第２の領域に移動させる前記工程と並行して、前記ステージを回転させつつ、前記第２の空間に連通する前記供給経路から前記パージガスを供給する工程を更に含む、
請求項８〜１３の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１５】
ステージと、
前記ステージの上方の処理空間、及び、前記処理空間の側方に位置するプラズマ生成空間を画成し、層形成用の第１のプロセスガスの第１の供給経路であり該処理空間に接続する該第１の供給経路が設けられており、プラズマ処理用の第２のプロセスガスの第２の供給経路であり前記プラズマ生成空間に接続する該第２の供給経路が設けられた処理容器と、
前記プラズマ生成空間に電磁界エネルギーを供給する供給源と、
前記処理空間に連通する第１の排気手段と、
前記プラズマ生成空間に連通する第２の排気手段と、
を備える、プラズマ処理装置。
【請求項１６】
前記処理容器は、前記処理空間を画成する第１の容器と、該第１の容器の側方外面に取り付けられた第２の容器であり前記プラズマ生成空間を画成する該第２の容器と、を含む、
請求項１５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１７】
前記処理空間と前記プラズマ生成空間との間の領域に配置可能であり、且つ、該領域から退避可能な可動壁を更に備える、請求項１５又は１６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１８】
前記第２の排気手段は、前記処理空間と前記プラズマ生成空間との間の領域に面する開口を含む排気経路に接続している、請求項１５〜１７の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１３−４７２０（Ｐ２０１３−４７２０Ａ）
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３４０９６（Ｐ２０１１−１３４０９６）
【出願日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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