【課題】誘導結合プラズマ処理装置において、大きな面積であっても効率的に高周波エネルギーを供給する高周波コイル配置を提供する。
【解決手段】誘電結合プラズマチャンバー２００のためにＲＦエネルギーを結合するための配置であり、ＲＦコイル２１５又はＲＦ放射体は、チャンバー２００のシーリング２２０に形成された溝の内部に組み込まれており、絶縁フィラーは、溝内のコイルを覆っている。シーリング２２０は、二つのプレート、つまり、導電性物質からなる上部プレートと誘電体物質からなる底部プレートからなり、物理的に接触している。コイルからの磁場の拡散を制御する磁気シールドはコイル２１５の上方に設けられてもよく、流体流路は、熱制御を提供するために導電性プレート内に設けられてもよい。また、流体導管は、金属プレートと誘電体プレートとの間のスペース中にガスを注入できるように設けられてもよい。 （もっと読む）

【課題】基体の温度を高くしなくも緻密なＳｉ系アモルファス膜を形成でき安定性に優れるプラズマＣＶＤ装置及びＳｉ系アモルファス膜の形成方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１００４において、誘導エネルギー蓄積型のパルス電源１０２８からチャンバの内部に収容された電極対１０１２，１０１６へ直流パルス電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】平行平板型のプラズマ処理装置において、上部電極４０を温度調整機構４７により設定温度に調整しながらプラズマ処理を行うにあたり、処理の環境雰囲気が変わることに起因する基板間の処理の均一性の低下を抑えること。
【解決手段】プラズマ処理を行うための処理レシピが格納されたレシピ格納部５６と、新たな第２の電極の使用を開始した後におけるプラズマ処理の積算時間または基板の処理枚数と、第２の電極の設定温度の補正値と、を入力画面で設定する補正値設定部５４と、補正された設定値を記憶する記憶部５５と、処理レシピに書き込まれている上部電極４０の設定温度を前記記憶部５５内の補正値と加算し、補正後の設定温度に基づいて温度調整機構４７を制御するプログラムとを備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】電力利用効率を向上できる高周波電力供給装置、プラズマ処理装置、及び半導体薄膜の製造方法を得ること。
【解決手段】高周波電力供給装置は、変動負荷に高周波電力を供給する高周波電力供給装置であって、高周波電源と、前記高周波電源と前記変動負荷との間に配され、前記変動負荷からの反射電力を分離するサーキュレータと、前記サーキュレータにより分離された反射電力の位相及び振幅を調整する調整部と、前記高周波電源から出力された電力と前記調整部により調整された反射電力とを合成して前記サーキュレータへ出力する電力合成部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】所望の膜厚分布を有する薄膜を堆積可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】少なくとも第１の原料ガスおよび第２の原料ガスを基板に対して交互に供給することにより、第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応により生じる反応生成物質の薄膜を基板に堆積する成膜方法が開示される。この方法は、基板が収容される処理容器内にガスを供給することなく処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に不活性ガスを所定の圧力まで供給するステップと、処理容器内の真空排気を停止した状態で、不活性ガスが所定の圧力に満たされた処理容器内に第１の原料ガスを供給するステップと、第１の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に第２の原料ガスを供給するステップと、第２の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマを発生させて成膜する際に膜厚の測定精度を高めることを目的とする。
【解決手段】成膜装置１は、真空チャンバ２と成膜基体支持体２１とを備える。成膜基体支持体２１に支持された成膜基体７とスパッタリングターゲット４との間にはプラズマ３が発生する。また、真空チャンバ２内には、成膜基体７と成膜レートが異なる位置にモニタ基板３０が配置される。モニタ基板３０には、モニタ光照射器２５からモニタ光が照射される。モニタ光がモニタ基板３０の表面に形成されたモニタ膜で反射した反射光およびプラズマ３が発光してモニタ膜を透過した透過光は受光器２６で受光される。制御器９は、プラズマ光測定器８が測定したプラズマ３の発光強度に基づいて、受光器２６が受光した光のうち反射光の強度を補正して求める。反射光の強度に基づいて、モニタ膜の厚さ、およびそれに比例する成膜基体７上の膜厚が求められる。 （もっと読む）

薄膜太陽電池を堆積するためのクランプユニットおよび信号給電方法を提供する。クランプユニットは、電極板モジュール、信号給電モジュール（２０１）および支持フレームを含む。電極板モジュールにシールドカバー（２０４）が設けられる。信号給電モジュール（２０１）は、胴部セクションおよびヘッド部セクションを含み、ヘッド部セクションが矩形形状の信号給電表面である。信号給電モジュール（２０１）のヘッド部セクションは、電極板モジュールの給電ポートと表面接触して接続される。給電ポートは、電極板モジュールのカソード板の背面側の中心部分に配置されるくぼんだ矩形表面上に設けられる。クランプユニットは、事実上、定在波効果および表皮効果を除去し、歩留まりを改善し、コストを低減することができる。
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【課題】導電体の熱断線の発生を抑制することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】反応性ガスが導入される密封可能なチャンバーと、前記チャンバー内に対向状に配置されたカソード電極およびアノード電極を有し前記カソード電極と前記アノード電極の間でプラズマ放電を発生する放電部と、前記カソード電極に電力を供給する電源と、前記電源と前記カソード電極とを電気的に接続する導電体と、前記導電体を冷却する空冷手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】成膜した膜の膜厚の面内均一性の低下を抑制することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに膜を形成する成膜装置２において、処理容器４と、ガスを噴射するガス噴射口３４Ａ，３６Ａを有するガス供給手段２８，３０と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段１２と、保持手段をガス噴射口に対して相対的に回転又は周期的に移動させる駆動機構２１と、少なくとも１種類以上のガスの供給を行う供給期間と供給の停止を行う供給停止期間とを１回行うサイクルを複数回繰り返す時に、サイクルの繰り返し数をＰ（Ｐは２以上の自然数）として被処理体の中心から見て、Ｐ回の各サイクル毎におけるガス供給開始位置を、被処理体の１周分の周囲を任意の分割数Ｋ（Ｋ＝Ｐ）個に分割した１つ分ずつだけ被処理体の周方向へ順次移動する様に制御する制御手段４８とを備える。 （もっと読む）

【課題】高周波ノイズによる影響を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ヒータ２０７に電力を供給するヒータ用電源線２０８に高周波ノイズを除去するノイズ除去フィルタ２１２を接続し、ヒータ用電源線２０８の導電性配線２０９を被覆した絶縁性の配線被覆部材２１０の内部には、高周波ノイズをシールドするシールド部材２１１をヒータ２０７とノイズ除去フィルタ２１２との間に組み込む。熱電対２６３の補償導線２６４に高周波ノイズを除去するノイズ除去フィルタ２６２を接続し、補償導線２６４の導電性配線２６５を被覆した絶縁性の配線被覆部材２６６の内部には、高周波ノイズをシールドするシールド部材２６８を熱電対２６３とノイズ除去フィルタ２６２との間に組み込む。 （もっと読む）

半導体、光電地、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイおよび微小電気機械システムのプラズマによって補助された製造のために、およびチャンバの清浄化のために、Ｆ_２またはＣＯＦ_２がエッチング剤として適用される。１５ＭＨｚ以上の周波数を有するマイクロ波を提供するプラズマエミッターがプラズマを非常に有効に提供することが見出された。 （もっと読む）

【課題】基板の温度制御変動を抑制し、高品質の膜を再現性よく成膜することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】蒸発源１２およびプラズマ生成空間と、基板保持部に保持された基板１４とをシャッター２０で隔てた状態で、蒸発源を加熱し、プラズマ１０５を生成する。基板サセプタ１３に内蔵された加熱源１３ａにより基板を加熱するとともに、シャッターの基板側の面に配置された輻射熱源により、蒸発源およびプラズマからシャッターに到達している熱量と同等の輻射熱量を供給して基板を加熱する。基板の温度が所定の温度に達した状態で、シャッターを開き、蒸発源からの蒸気をプラズマを通過させて、基板上に堆積させる。これにより、シャッターを開いても基板温度の変動を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】コイルとプラズマ間の容量結合を減らし、プラズマチューブ内表面の腐食を有意に減らすＲＦプラズマソースの提供。
【解決手段】プラズマソース２００は、第１コイルセグメント２０４と第２コイルセグメント２０６を有するコイル２０２、コイル２０２に接続されたＲＦ電源２０８、および第１コイルセグメント２０４と第２コイルセグメント２０６間に配設されたエンクロージャ２１０を備える。さらに中間コイルセグメント２２２は、第１コイルセグメント２０４、第２コイルセグメント２０６間に電圧ノード（接地に関連する低電圧領域）を提供する。 （もっと読む）

堆積処理中に、材料が基板上だけでなく他のチャンバ構成要素の上にも堆積することがある。ＭＯＣＶＤチャンバでは、これらの構成要素の１つはガス分配シャワーヘッドである。シャワーヘッドは、不活性ガスおよび塩素を含むプラズマで発生させたラジカルでシャワーヘッドをボンバードすることによって洗浄することができる。プラズマを発生させるために、シャワーヘッドを基板支持体に対して負にバイアスするか、またはフローティングさせることができる。シャワーヘッドはステンレス鋼を含み、セラミックコーティングでコーティングすることができる。
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【課題】給電コネクタの屈曲部に生じる隙間の変化を最小限に抑え、給電コネクタを流れる高周波電力の反射波発生を防止または抑制して、信頼性や耐久性を向上させた真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室２外に配置された高周波電源から整合器１０ａ，１０ｂを介して真空処理室２内に配置された放電電極６に給電される高周波伝送路において、前記整合器１０ａ，１０ｂと前記放電電極６との間に略９０度の方向転換をして接続されている給電コネクタ９ａ，９ｂが配設された製膜装置１において、給電コネクタ９ａ，９ｂの方向転換が滑らかなＲ形状の屈曲部Ｒにより行われている。 （もっと読む）

【課題】高周波電源の異常を検出することが出来るプラズマ処理装置及び基板処理方法の提供。
【解決手段】高周波電源２の出力側に設置された反射波パワーメータ６及び進行波パワーメータ８によって検出される反射波電力、進行波電力および供給電力の設定に基づき、高周波電源２の異常を検出する機能を備えてお
り、例えば、高周波電源２の４．５ＫＷの設定出力に対し、１０００ｍｓ経過後、進行波電力の値が４４５５〜４５４５Ｗの範囲（±１％の範囲）にない場合、または、反射波電力の値が進行波電力の値の３％以上に達した場合は、高周波電源２の異常と判別する。 （もっと読む）

【課題】電圧印加電極をシールドする金属製支持枠と枠体との間のインダクタンス成分を低減する。
【解決手段】電圧印加電極８の背面に金属製支持枠２１を配置するとともに、電圧印加電極８の前方に突き出すようにして電圧印加電極８の周囲に枠体２２を配置し、枠体２２の外周面を覆うように配置された金属板２７にて金属製支持枠２１と枠体２２とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜全体の誘電率を損なうことなく、不純物濃度の低い高誘電率絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の温度を第１の温度とした状態で、基板に対して原料ガスを供給して基板上に高誘電率絶縁膜を形成する成膜ステップと、基板の温度を前記第１の温度よりも低い第２の温度とした状態で、基板上に形成された前記高誘電率絶縁膜を、酸素ラジカルを含む雰囲気に晒すことにより前記高誘電率絶縁膜を改質する改質ステップと、を１サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返す。このサイクルの繰り返しにより、基板上に所定膜厚の高誘電率絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、成膜速度を確保したまま、被処理物に到達するドロップレット量を低減化すると共に、メンテナンス性の優れたプラズマ発生装置及び同加工装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明は、真空アーク放電によりプラズマを発生させるプラズマ発生部２と、プラズマ進行路３０と、前記陰極１０から副生されるドロップレット４４をプラズマ流１４から分離させるために前記陰極１０の正面方向に開口を有する１つ以上のドロップレット捕集部６から構成され、前記プラズマ流１４を前記プラズマ進行路３０に沿って前記ドロップレット捕集部６以外の方向に屈曲させるプラズマ発生装置２において、前記ドロップレット捕集部６内に前記ドロップレット４４を静電付着させる１つ以上の静電電極８を有する静電トラップ７が設けられるプラズマ発生装置２及び同加工装置１である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分布の調整を容易に行うことができるプラズマ源およびプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ源２は、マイクロ波を生成するマイクロ波生成機構３０と、生成されたマイクロ波をチャンバ１内に導入する複数のアンテナモジュール４１と、チャンバ１に隣接して設けられ、複数のアンテナモジュール４１から放射されたマイクロ波を合成するマイクロ波合成部７０とを具備し、マイクロ波合成部７０は、複数のアンテナモジュール４１から放射されたマイクロ波を空間合成する合成空間７４と、合成空間７４とチャンバ１との間に設けられた誘電体部材７２とを有し、合成空間７４で合成されたマイクロ波が誘電体部材７２を介してチャンバ１内に導入される。 （もっと読む）