【課題】低い基板温度でナノ構造体またはナノ材料を製作する方法を提供する。
【解決手段】熱コントロールバリアを基板上に実質的に連続した層として提供するステップと、ガスプラズマを提供するステップと、当該ガスプラズマとは異なる熱源によって熱コントロールバリアを層の上方から追加加熱を先行して提供するステップと、追加加熱する間にガスプラズマを使用するプラズマ化学気相堆積法によって、ナノ構造体またはナノ材料を基板の層上に形成するステップと、を含んでいる製作方法。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業の手間を低減させ、プラズマＣＶＤ装置の稼動率を向上させながらも、被処理体の膜厚のばらつきを抑制できるノズルを提供する。
【解決手段】被処理体１の表面に成膜処理を施すプラズマＣＶＤ装置に取り付けられ、被処理体１が配置された放電空間に放電ガスおよび成膜ガスを供給し、放電ガスを供給する放電ガス流路１４と成膜ガスを供給する成膜ガス流路１６とを各別に設け、放電ガス流路１４の下流側の端部に、放電ガスを吐出する放電ガス吐出口１５を設けるとともに、成膜ガス流路１６の下流側の端部に、放電ガス吐出口１５から吐出される放電ガスを挟み込み又は包囲する領域に成膜ガスを吐出する成膜ガス吐出口１７を設けてある。 （もっと読む）

【課題】装置構成を簡単化しつつ、複数の真空チャンバ内に交互にプラズマを発生させることができるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置は、N個の真空チャンバ（２−１〜２−３）の真空チャンバ壁（１５−１〜１５−３）と一方の極で接続される電源（１０）と、所定の周期でパルス信号を出力する発振器（１１）と、電源の他方の極及び発振器に対して互いに並列に接続され、電源から供給される電力を用いて増幅したパルス信号を真空チャンバ内に配置されたN個の電極（１４−１〜１４−３）の何れかへ出力するN個のパルス増幅回路（１３−１〜１３−３）と、少なくとも(N-1)個のパルス増幅回路と発振器の間にそれぞれ接続され、各時刻において一つのパルス増幅回路にのみパルス信号が入力されるように互いに異なる遅延期間だけパルス信号を遅延させる少なくとも(N-1)個のタイミング生成回路（１２−１〜１２−３）を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性酸化物の量産性を高めこと、また、そのような絶縁性酸化物を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与すること、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】亜鉛のように４００〜７００℃で加熱した際にガリウムよりも揮発しやすい材料を酸化ガリウムに添加したターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング、パルスＤＣスパッタリング等の大きな基板に適用できる量産性の高いスパッタリング方法で成膜し、これを４００〜７００℃で加熱することにより、添加された材料を膜の表面近傍に偏析させる。膜のその他の部分は添加された材料の濃度が低下し、十分な絶縁性を呈するため、半導体装置のゲート絶縁物等に利用できる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることができ、しかも安価で大面積なダイヤモンドを成長させることができるダイヤモンド成長用基材、及び安価に大面積高結晶性単結晶ダイヤモンドを製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０，１０’であって、少なくとも、種基材１１、１１’と、該種基材１１、１１’の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、白金膜、ロジウム膜のいずれか１２からなり、前記種基材１１，１１’は、グラファイト１１’か、またはベース基材１１ａ上にグラファイト層１１ｂが形成されたものである単結晶ダイヤモンド成長用の基材。 （もっと読む）

【課題】珪素粒子の欠陥密度を可及的に低減すること。
【解決手段】珪素粒子１を積載する第一の電極２と、水素プラズマの発生領域を挟んで第一の電極２に対向して配設されている第二の電極４と、第一の電極２の温度が第二の電極４の温度よりも高くなるように温度制御して第一の電極２と第二の電極４との間に原料ガスの対流を起こす温度制御手段（ヒーター３、冷却管６）と、を備え、原料ガスの対流によって第一の電極２に積載されている珪素粒子１を水素プラズマ中に浮遊させて水素プラズマに曝露する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リン原子がドープされたｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜を備えた（１００）面方位を有するダイヤモンド半導体デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 （１００）面から１０度以下のオフ角を持ち、エピタキシャル成長させるためのダイヤモンド基板と、前記基板上にリンをドープしてエピタキシャル成長させて形成したｎ型ダイヤモンド半導体単結晶膜とを備え、前記ｎ型ダイヤモンド半導体単結晶膜は、前記基板と同じオフ角ならびに（１００）面方位を有することを特徴とするダイヤモンド半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣ基板１１の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０であって、イリジウム膜又はロジウム膜１２は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。単結晶ＳｉＣ基板１１とイリジウム膜又はロジウム膜１２の間に、ヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１３をさらに有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０’であってもよい。基材１０’がＭｇＯ膜１３を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜１２の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合に良好な分離層として利用できる。 （もっと読む）

【課題】種々の分野で利用可能とするべく、大気圧条件下で、新たなガスの供給を行うことなく、低温で、安定的にプラズマを発生させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物をプラズマで処理するプラズマ処理装置１００であって、電源に接続された第１電極１０と、被処理物を設置可能なように、第１電極１０から離間させた状態で対向配置された第２電極２０と、第１電極１０と第２電極２０との間に設けられた第３電極３０と、を備え、第１電極１０と第３電極３０との間にプラズマを発生させるための、パルス発生手段８０を設け、発生した前記プラズマを引き出す引出電圧が、第２電極２０と第３電極３０との間に印加されている。 （もっと読む）

磁界が存在する中でのプラズマ堆積プロセスにより薄膜を形成する方法。前駆体が、堆積チャンバに配送され、活性化され、プラズマを形成する。プラズマは、磁界が在る時に開始され得るか、又は、開始後に磁界に曝され得る。プラズマは、前駆体から誘導されるイオン種と中性種とを含む。磁界は、プラズマを操作して、イオン種の濃度の低減と中性種の濃度の増加に影響を与える。続いて、薄膜材料は、その結果得られる中性種濃縮堆積媒体から形成される。本方法により、欠陥濃度が低い薄膜材料を形成することができる。一実施形態では、薄膜材料は、光起電力材料であり、欠陥の抑制により、光起電力効率が高められることになる。 （もっと読む）

【課題】装置の大幅な改造をせず汎用的な真空チャンバを用いて、プラズマＣＶＤ法によりダイヤモンドライクカーボン膜の高速成膜を安定して行う方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法で基材上にダイヤモンドライクカーボン膜を形成する方法であって、基材に印加する電圧をバイポーラＤＣパルス電圧とすると共に、チャンバ内に供給するガスとしてトルエン含有ガスを用い、かつ、チャンバ内のガスの全圧を４Ｐａ以上７Ｐａ以下にしてダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】固定電極での生成物の落下による欠陥の発生の無い、高品質なダイヤモンド等の気相成長膜を得ることができる直流プラズマＣＶＤ装置及びその装置を用いた高品質ダイヤモンドの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、固定電極と、基板を載置するための電極を兼ねる基板ステージと、を有する直流プラズマＣＶＤ装置であって、前記固定電極の中心から鉛直方向に延ばした線上に前記基板ステージが位置せず、かつ前記基板ステージ中心と前記固定電極中心とを結ぶ直線と、前記鉛直方向に延ばした線との成す角が、９０°以下であることを特徴とする直流プラズマＣＶＤ装置。 （もっと読む）

【課題】成長面内における膜質および内部応力などが均一にして、完全性の高い、直径１インチ（２.５４ｃｍ）以上の大面積の単結晶膜を得ることができるエピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】排気系５１、マスフローコントローラ５２を備え、装置中央部には、水冷台５３上部に設置された下地基板４０の上方に、直流電源５６が接続された平板型陰極５５が配置され、さらに、接地と浮動電位との切り替えが可能に構成された可動式のＭo製シャッタ５７を備えた平行平板型対向電極直流プラズマＣＶＤ装置５０において、平行平板型対向電極５５間に発生する直流プラズマを用いて、エピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】低電力のプラズマを容易に生成、維持、制御することができるようにし、もって低誘電率のプラズマ重合高分子膜を容易に形成することができるようにする。
【解決手段】原料ガスを真空チャンバ１内に導入し、真空チャンバ１内の基板２と該基板２と相対向する対向電極４との間にグロー放電によるプラズマを励起して基板２表面に薄膜を形成する成膜方法において、基板２表面の仕事関数以上のエネルギーの光を基板２へ照射すると共に、基板２と対向電極４間へのＤＣパルス電圧の印加を行うことによって、基板２と対向電極４間にグロー放電を開始させる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置に設けられた遮蔽部材に付着した付着物の簡易なクリーニング方法の提供。
【解決手段】 真空チャンバー１１内にプラズマを発生せしめるプラズマ発生手段３、真空チャンバーの底部に設けられた基板ステージ４、及び前記基板ステージに対向して配置され、発生したプラズマに基板が曝されないようにプラズマを遮蔽する遮蔽部材５を備えたプラズマＣＶＤ装置１のクリーニング方法において、酸素含有雰囲気で、プラズマ発生手段によりプラズマを発生せしめて遮蔽部材のクリーニングを行う。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を使用してイリジウム下地上に直径１インチ（２.５ｃｍ）以上の大面積化された高品質のダイヤモンドをエピタキシャル成長させることができるエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板およびその製造方法並びにこのエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板により製造されるエピタキシャルダイヤモンド膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶酸化マグネシウム（ＭｇＯ）または単結晶サファイア（α-Ａl₂Ｏ₃）基板上に、真空蒸着法またはスパッタリング法によりイリジウム（Ｉｒ）膜をエピタキシャル成長により成膜し、この成膜されたイリジウム（Ｉｒ）下地の表面へ、イオンを含む直流プラズマを暴露することによりエピタキシャルダイヤモンド核を形成するバイアス核発生処理を施す。 （もっと読む）

【課題】均一な超撥水膜を成膜することができるプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】円柱状又は短冊状で軸中心部３１ａが周辺部３１よりも密度が高い分布をもつプラズマを用い、圧力が高く気体の拡散が少ない雰囲気下で気相成長もしくは重合により基板２８に成膜を行う成膜装置において、反応ガス３２を供給するガス管２７が複数に分岐され、該分岐されたガス管の噴出口はガス流が該プラズマの軸中心の周辺部に向かって噴出されるように配置され、かつ、該基板は成膜面３３の背面側から覆われるように囲い３６が設置されていることを特徴とするプラズマ成膜装置。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性に優れた電極を製造するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１０内の陽極１１ａの載置面に基板１が載置される。陽極に対向する陰極１３には流路１３ａが形成され、冷却水が通される。陽極１１ａと陰極１３とに電圧を印加して、プラズマにより基板１上に、カーボンナノウォールの層を形成し、その後、陽極１１ａを冷却部材１２で冷却して基板１を所定の温度に急冷する。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスで高品位かつ大面積の薄膜を形成する。
【解決手段】真空減圧雰囲気下にて、原料ガスを基板８に照射して、半導体薄膜、金属薄膜または絶縁性薄膜を基板８上に形成する。基板８の温度を、基板８に照射する原料ガスの付着確率が脱離確率を上回る温度以下に保持した状態で、原料ガスを基板８に付着させるとともに、基板８に付着した薄膜形成用ガスおよび薄膜に対して、電子等の反応促進粒子を照射することにより、原料ガス分子の分解および分解物質の重合反応を生じさせ、基板８上に薄膜を形成する。 （もっと読む）