【課題】リーク電流を低減でき、かつ、良好な電流コラプス特性が得られる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓi基板１上に順に積層されたチャネルＧaＮ層５およびそのチャネルＧaＮ層５とヘテロ界面を形成するバリアＡlＧaＮ層６を含む窒化物半導体層を備える。上記バリアＡlＧaＮ層６は、炭素濃度を５×１０^１７／ｃｍ^３以上とする。また、チャネルＧaＮ層５は、炭素濃度を６×１０^１６／ｃｍ^３未満とし、かつ、膜厚を５００ｎｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理で被処理基体上の層を、例えば窒化又は酸化するＡＬＤ法で、パージに要する時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ヘッド１６が、第１の空間Ｓ１内の第１の領域で第１のプロセスガスをステージ１４に向けて供給する。ヘッド１６は、第２の領域Ｒ２に退避可能である。ヘッド１６は、第１の空間Ｓ１内の第１の領域の上方の上部領域Ｒａと第１の領域の下方の下部領域Ｒｂとを画成する。供給源１８は、上部領域Ｒａに電磁界エネルギーを供給する。上部領域Ｒａには、第２のプロセスガスが供給される。ヘッド１６は、ステージ１４を覆い、且つ、下部領域Ｒｂに面する連通路Ｐの開口を覆う大きさを有する。 （もっと読む）

【課題】転写プロセスを用いずに、所期のグラフェンを制御性良く容易且つ確実に安定形成し、信頼性の高い高性能の微細な電子デバイスを実現する。
【解決手段】基板１上に絶縁層２を形成し、絶縁層２に空隙２Ａを形成し、空隙２Ａに触媒材料４を充填し、絶縁層２における触媒材料４の露出面４ａにグラフェン５を形成し、絶縁層２上でグラフェン５の両端部に接続するように一対の電極５，６を形成し、グラフェン５を一部除去してグラフェンリボン８を形成し、グラフェンリボン８の除去された部位である間隙２Ａ１，２Ａ２を通じて触媒材料４を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に形成される絶縁膜の付着力を高め歩留りを向上させる。
【解決手段】基板１０の上方に形成された半導体層２０〜２３と、前記半導体層２０〜２３上に形成された絶縁膜３１，３２と、前記絶縁膜上３１，３２に形成された電極４１と、を有し、前記絶縁膜３１，３２は、前記電極４１の側における膜応力よりも、前記半導体層２０〜２３の側における膜応力が低いことを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】液体原料中の溶存ガスに起因して出現し得る気泡が気化器における気化量制御に悪影響を及ぼすのを回避する。
【解決手段】液体原料を不活性ガスにより圧送する液体原料供給源と、液体原料供給源が圧送する液体原料の流路となる液体原料供給管と、液体原料供給源から液体原料供給管を通じて供給された液体原料を気化して気化ガスを生成する気化器と、気化器が生成した気化ガスが供給される処理室とを有する基板処理装置において、液体原料供給管の経路途中に液体原料供給管内を流れる液体原料を貯留する液体原料溜め部を設け、液体原料供給管内での圧力低下によって液体原料中に現れる気泡を液体原料溜め部内にて除去する。 （もっと読む）

【課題】磁気特性の低下の抑制を図る。
【解決手段】磁気抵抗素子の製造方法は、磁化の方向が不変の固定層４、コバルトまたは鉄を含み、磁化の方向が可変の自由層６、および前記固定層と前記自由層との間に挟まれる非磁性層５で構成される積層体を形成し、前記積層体上に、ハードマスク１１を形成し、前記ハードマスクをマスクとして塩素を含むガスで前記積層体をエッチングし、エッチングされた前記固定層および前記自由層の側面に、ボロンと窒素とを含む絶縁膜１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜の形成に寄与しなかったガスを排気トラップにおいて十分にトラップすることができる原子層堆積方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積方法であって、薄膜の原料である原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを供給する反応ガス供給工程と、反応ガスのプラズマを間欠的に発生させるプラズマ発生工程と、プラズマ発生工程の後に、成膜室から排気された反応ガスに活性ガスを間欠的に供給し、排気トラップにトラップさせる活性ガス供給工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電膜もしくは絶縁膜を効率的に除去する半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する第１の工程と、処理室内に複数の原料ガスを供給して基板上に導電膜もしくは絶縁膜を形成する第２の工程と、処理室内から処理後の基板を搬出する第３の工程と、処理室内に改質ガスを供給して、処理室内に付着した導電膜もしくは絶縁膜を改質する第４の工程と、を１サイクルとして複数サイクル繰り返した後、処理室内にクリーニングガスを供給して、改質された導電膜もしくは絶縁膜を含む処理室内に付着した堆積物を除去する第５の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】配線表面の酸化膜を除去する際の低誘電率絶縁膜の変質を抑える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０上のＳｉＯＣ膜１１表面に配線１２を形成する工程と、配線１２が表面に形成されたＳｉＯＣ膜１１を希ガス、又は希ガスとＮ_２ガスの混合ガスを含むプラズマに曝してＳｉＯＣ膜１１表面に緻密層１４を形成する工程と、緻密層１４が形成された後に、配線１２の表面に形成された酸化膜１３を除去する工程と、酸化膜１３が除去された配線１２、及び緻密層１４上に絶縁膜としての拡散防止膜１５を形成する工程と、を含み、酸化膜１３を除去する工程から拡散防止膜１５を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の分布特性を制御することで、プラズマ処理の均一性と歩留まりの向上を実現可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】内部が真空に保持可能な処理室を含む処理容器と、該処理室で基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、前記基板の周縁を囲むように配され、前記載置台により一端が支持され、他端が前記処理容器の構成部材で支持された円環状部材と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記円環状部材の中間を支持する前記処理容器の構成部材であって、前記処理室外に延在する第１の中間導電体と、前記給電体とを電気的に接続又は非接続可能とする第１の可動導電体を有している。 （もっと読む）

【課題】炭窒化ケイ素膜形成用前駆体の化学気相成長により基材上に膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】


式中、Ｒが、直鎖、分枝若しくは環状の飽和若しくは不飽和のＣ₁〜Ｃ₁₀アルキル基、芳香族、複素環、又は式Ｃのシリルから選択され、Ｒ¹が、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ₂〜Ｃ₁₀アルキル基、芳香族、複素環、水素、シリル基から選択され、置換基を選択的に有無し、式Ａ中のＲとＲ¹を結合して環状基（ＣＨ₂）_n（式中、ｎは１〜６）にしてもよく、Ｒ²が、単結合、（ＣＨ₂）_n鎖、環、ＳｉＲ₂又はＳｉＨ₂を表すアミノシランからなる前駆体及び混合物を用いる。 （もっと読む）

【課題】安定した低誘電率と高い硬度（ヤング率）を有するＢＣＮ膜が形成できる半導体装置の製造方法が提供する。
【解決手段】従来のＢＣｌ_３ガスに代わる、腐食性のない有機アミノボロン系ガスを用いてＢＣＮ膜を成膜する。その例として、トリスジメチルアミノボロンを用いて、プラズマＣＶＤにより成膜を行うことで、 比誘電率が２．５以下で弾性率（ヤング率）が８ＧＰａ以上であるＢＣＮ系の低い誘電率を持つ絶縁体材料膜を得る。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができ、且つエッチングストッパ膜や層間絶縁膜等の絶縁膜として十分機能する絶縁膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にＳｉＢＣＮ薄膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスの３種類のガスの同時供給と窒化ガスの供給とを間欠的に且つ交互に行うようにする。これにより、比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、クリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低リーク電流、高機械的強度の特性を備え、これらの特性の経時変化が小さく、耐水性を備えた半導体装置用絶縁膜及びその製造装置、当該半導体装置用絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】キャリアガスとボラジン骨格系分子を有する材料を気化した原料ガスとを含有する混合原料ガスを、チャンバ内に供給し、混合ガスをプラズマ状態とし、チャンバ内に載置した基板にバイアスを印加し、ボラジン骨格系分子を基本単位として気相重合して、チャンバ内に載置した基板に半導体装置用絶縁膜として成膜する成膜工程と、成膜工程の後、基板に印加するバイアスを、成膜工程におけるバイアスとは異なる大きさとし、ボラジン骨格系分子を有する材料を気化した原料ガスのみ漸減しながら供給し、キャリアガスが主となるプラズマで当該膜を処理する反応促進工程とを有する。 （もっと読む）

【目的】 本発明は上記の状況に鑑みてなされたもので、窒化ホウ素膜を用いて
表面保護および表面不活性化を実現できる半導体表面処理、成膜方法およびその
表面保護技術や表面下活性化技術を用いて作製した高性能半導体装置並びに半導
体装置を含む通信システムの電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくともホウ素及び窒素原子を含むことを特徴とする膜を有する
ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅含有金属膜の表面にＳｉを導入し、その部分を窒化してＣｕＳｉＮバリアを形成する技術を採用する際に、層間絶縁膜へのダメージおよび大気開放による水分吸着の生じ難い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】表面に銅含有金属膜が露出した状態の半導体基板を準備する工程と、銅含有金属膜の表面をラジカルまたは熱化学的手法により清浄化処理する工程と、銅含有金属膜の表面にＳｉを導入する工程と、銅含有金属膜のＳｉが導入された部分をラジカルにより窒化する工程とによって半導体装置を製造する際に、清浄化処理工程、Ｓｉ導入工程、および窒化工程を真空を破ることなく連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】下地膜との密着性を上げるためのプラズマ処理後に行われる成膜過程において発生する膜の異常成長を防止する。
【解決手段】ヘリウムプラズマ４により、半導体装置基板１に絶縁膜を堆積する前に、下地膜との密着性を上げるために基板表面の改質を図る。除電処理にて、半導体装置基板１を、リフトピン５にて、一旦、半導体装置基板１をステージ３から上昇させ、そこに不活性ガスであるヘリウムガス６を排気しながら数秒流す。その後、ヘリウムガス６を止め、リフトピン５を下げ、再びステージ３の上に半導体装置基板１を載置する。半導体装置基板１をリフトピン５にて上昇させ、半導体装置基板１の表面と裏面とをヘリウムガス６にさらすことによって、効率的に除電する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流防止のためにシャワープレートの縦孔内に配置されるガス放出孔部材（セラミックス部材あるいは多孔質ガス流通体）が隙間無く一体的に焼結結合され、シャワープレートの使用時に縦孔から脱落することがなく、また各縦孔からのガス放出量のバラツキがなく、プラズマの逆流の発生をより完全に防止でき、効率の良いプラズマ励起が可能なシャワープレートを提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、プラズマ励起用ガスの放出経路となる多数個の縦孔１０５内に、孔径が２０μｍ乃至７０μｍのガス放出孔を複数個有するセラミックス部材、および／または最大気孔径が７５μｍ以下のガス流通方向に連通した気孔を有する多孔質ガス流通体を一体的に焼結結合して配置した。 （もっと読む）

【課題】溶射プロセスにおいて液体前駆体をプラズマ・トーチのプラズマ・ガス流内に完全に浸透させること。
【解決手段】プラズマ溶射デバイス１は、加熱区域６内でプラズマ・ガス５を加熱するためのプラズマ・トーチ４を含み、このプラズマ・トーチ４は、プラズマ・ガス流８を生成するためのノズル本体７を含み、且つこのノズル本体７を通って中心長手方向軸線１０に沿って延びるアパーチャ９を有している。アパーチャ９は、プラズマ・ガス５用の入口１２を有する収束セクション１１と、アパーチャの最小断面領域を含むスロート・セクション１３と、プラズマ・ガス流８用の出口１５を有する発散セクション１４とを有し、導入管１６が、プラズマ・ガス流８内に液体前駆体１７を導入するために提供される。本発明によれば、浸透手段１８、１８２が、プラズマ・ガス流８内部に液体前駆体１７を浸透させるために提供される。 （もっと読む）

【課題】 光学窓のクリーニング効果を従来よりもさらに高めて、メインテナンス周期を飛躍的に増大させることができる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】 真空処理装置は、真空処理室１０と、真空処理室１０の壁部１２に配置された透光性部材２２を有する光学窓２０と、真空処理室の内側にて透光性部材２２の周縁側に配置された、第１開口１４を有する接地電極１２と、真空処理室１０の外側にて透光性部材２２の周縁側に配置された、第１開口１４と対向する第２開口３２を有するＲＦ電極３０とを有する。真空処理室１０内に処理用ガスが導入され、ＲＦ電極３０及び接地電極１２間の電界によってプラズマを生成し、負の自己バイアス電位Ｖｆに帯電された透光性部材２２をプラズマ中のイオンによりスパッタしてクリーニングする。 （もっと読む）