電気 | 基本的電気素子 | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 | 半導体装置またはその部品の製造または処理 | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合，空乏層，キャリア集中層，を有する装置 | 不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない周期律表第ＩＶ族の元素またはＡ↓Ｉ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ化合物から成る半導体本体を有する装置 | ２１／２０〜２１／２６に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 | 半導体本体上への絶縁層の形成，例．マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの；これらの層の後処理；これらの層のための材料の選択

後処理
有機物層，例．フォトレジスト
無機物層，
マスクを用いるもの
絶縁層へ非絶縁層，例．導電層または抵抗層，の付着；これらの層の後処理

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【課題】プラズマプロセス装置において反応生成物の堆積による光学窓の曇りを防ぎ、装置内の観察継続の為に必要なメンテナンス作業の頻度を抑制する。
【解決手段】反応チャンバ１と、反応チャンバ１からの光の一部が投影される光学窓８を有するビューポート９とを備えたプラズマプロセス装置において、ビューポート９内に設けられ、シャッター１１及び光透過性を有する複数の保護窓１２を備えるプレート１３と、保護窓１２及びシャッター１１のうちの一つが反応チャンバ１から光学窓８への光路上に位置するようにプレート１３の位置を切り換える切換手段１５とを有するプラズマプロセス装置を提供する。これにより、観察時、非観察時のいずれにおいても反応生成物が光学窓８に堆積しなくなる。プレート１３のメンテナンス作業は必要となるが、その頻度は従来のメンテナンス作業と比べて大幅に抑制される。

【課題】石英へのダメージ低減と堆積物の除去速度の向上を両立させるクリーニングを実現する。
【解決手段】基板を収容した処理容器内に処理ガスを供給して基板上に薄膜を形成する工程と、薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、処理容器内にクリーニングガスを供給して処理容器内をクリーニングする工程と、を有し、処理容器内をクリーニングする工程では、加熱された大気圧未満の圧力下にある処理容器内にクリーニングガスとして、フッ素含有ガスと、酸素含有ガスと、水素含有ガスとを供給して、処理容器内に付着した薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去するようにした。

【課題】プラズマ密度を高め、誘導結合効率の高い高密度プラズマを均一に分布させることができるプラズマ発生装置の提供。
【解決手段】アンテナシステム２０を構成する並列構造の３本のアンテナコイル２２，２３，２４は、仮想円の中心を基準に、各アンテナコイル２２，２３，２４のパワーエンドＰとグラウンドエンドＧを、相互対称の位置にさせ、各アンテナコイル２２，２３，２４は、互いに一定の間隔で交差するように巻かれて三重螺旋状に形成される。

【課題】処理容器内壁の腐食の問題が生じ難い処理装置を提供すること。また、耐プラズマ性および耐腐食ガス性に優れた、処理装置に用いられる耐食性部材およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板を収容する処理容器と、処理容器内の被処理基板に処理を施す処理機構とを具備する処理装置であって、処理容器は、基材と、その内壁に溶射により形成された周期律表第３ａ族素化合物を含む膜とを具備し、その溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜の表面が研磨されている。

【課題】
本発明は、成膜の生成効率を向上できる光ＣＶＤ法を用いた基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、真空室である処理室に処理用ガスを導入し、前真空室である処理室に処理用ガスを導入し、前記処理用ガスに第１の光を、前記第１の光を透過する第１の透過窓を介して第１の照射をし、前記第１の照射によって発生した第１の成膜ガスを前記処理室内の基板に堆積させて成膜する際に、前記処理室に前記処理用ガスを導入する前に、前記処理用ガスを所定の温度まで加熱し、前記加熱された処理用ガスに第２の光を、前記第２の光を透過する第２の透過窓を介して第２の照射をし、前記第２の照射によって第２の成膜ガスを発生させ、前記第２の成膜ガスと第２の照射によって未反応である前記処理用ガスとを前記処理室に導入し、前記第１の成膜ガスと第２の成膜ガスとを前記基板に堆積させて成膜することを特徴とする。

【課題】ポッドオープナでのウエハの位置ずれを検出可能とする。
【解決手段】ポッドのドアを開閉するポッドオープナ２０のウエハ出し入れ口５０にロータリーアクチュエータ６０を設置し、ロータリーアクチュエータ６０のアーム６１にブラケット６２によってマッピング装置とウエハ位置ずれ検出装置とを設置する。ウエハ位置ずれ検出装置は複数個の限定反射形センサにより構成し、各限定反射形センサは投光部と受光部とを略同じ方向を向いてウエハに非接触に配置し、投光部からの検出光がウエハの外周面で反射し、反射光が受光部によって受光されたか否かで、ウエハの位置ずれの有無を判断するように構成する。ウエハの位置ずれを検出することで、ウエハ移載装置のツィーザがウエハに衝突する事故を未然に防止できる。

【課題】トラップ機能とバイパス機能とを有する小型のトラップ装置を低コストで提供する。
【解決手段】基板を処理するためのガスを導入するためのガス供給部が接続されているチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置５０であって、前記チャンバーと接続される吸入口５２と、前記排気部と接続される排出口５３と、第１の空間５７を有するバイパス部５１と、前記ガスに含まれる未反応成分を冷却して凝固させて除去する第２の空間６１を有する冷却トラップ部６０と、を有し、前記ガスは、第１の状態では前記第１の空間５７を介し流れ、第２の状態では前記第２の空間６１を介し流れるものであって、前記冷却トラップ部６０に対し第１の流路５５及び第２の流路５６を、回転部５４により相対的に移動させることにより、前記第１の状態と前記第２の状態とを切り替える。

【課題】基板表面へ供給される活性種の濃度を増大させ、基板処理工程の効率や生産性を向上させることが可能な基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板を所定の間隔で多段に積層して収容する処理室と、該処理室内で処理ガスを基板の表面へ噴出する複数のガス噴出口が設けられ基板の積層方向に沿って延在するガスノズル２７０ａと、を備え、前記ガス噴出口から噴出する処理ガスを活性化させて基板に供給するガス活性化部２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを、前記ガスノズル２７０ａの外側に、前記処理ガスの流れが基板の外周縁に対して垂直となるように通過可能な隙間を空けながら、前記ガス噴出口を囲むように、有する。

【課題】成膜材料のマスクパターンへの付着を低減し、大型の被処理基板の成膜にも好適な光ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】処理室と、該処理室内に設けられ、被処理体を載置するための基板載置部と、載置された前記被処理体の表面にＶＵＶ光を照射するためのＶＵＶ光源を備えた光ＣＶＤ装置であって、前記処理室の内部に、更に、前記被処理体の表面に接触して配置されるマスクを設け、このマスクの本体２０１には、梁２０２と共に、成膜用ガスの付着を抑制する温度（１００℃）に前記マスクを保持するための熱線２０３が一体に設けられ、又は、フレーム２０５にも前記マスクの温度を当該温度に保持するための熱線や加熱配管が一定に形成されている。

【課題】従来よりも低温でシリコン含有窒化膜を成膜することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハにＳｉＮ膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ウエハが収容される処理室に、ＤＣＳ（ジクロロシラン）を供給するシラン系ガス供給工程と、前記シラン系ガスの供給と同時ではないタイミングで、前記処理室にＮＨ_３（アンモニア）を供給する窒化ガス供給工程と、前記処理室にＴＥＡ（トリエチルアミン）を供給するアミン系ガス供給工程と、前記処理室の前記シラン系ガスまたは前記窒化ガスを排気する排気工程と、を有し、前記アミン系ガス供給工程は、前記シラン系ガス供給工程及び前記窒化ガス供給工程と合わせて行う。

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