【課題】バックライトの間接光に起因するリーク電流を低減可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】表示装置用のボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、基板１と、ゲート電極配線２と、ゲート絶縁膜３と、チャネルとなる第１の半導体層４と、第１及び第２のコンタクト層５ａ、５ｂとなる第２の半導体層と、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂとを有し、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂに対して露出する第２の半導体層の露出部に、絶縁性半導体層６ａ、６ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面のプラズマ酸化により、界面準位密度が低くリーク電流の少ない高品質な酸化膜をシリコン表面上に形成する。
【解決手段】
酸化膜の形成方法は、ＫｒとＯ_２の混合ガス中にプラズマを形成することにより原子状酸素Ｏ＊を発生させ、前記原子状酸素Ｏ＊によりシリコン表面をプラズマ酸化するプラズマ酸化工程を含み、前記プラズマ酸化工程は、８００〜１２００ｍＴｏｒｒの圧力範囲において実行される。 （もっと読む）

【課題】一定のドレイン電圧及びゲート電圧に対して得られるドレイン電流を増大することの出来る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンネル領域と、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続する合計二つの第１の電極と、前記チャンネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられた第２の電極とを備えた半導体装置の製造に際し、前記ゲート絶縁膜を、酸素の含有量を１ｐｐｂ以下にした水素添加超純水にＩＰＡを添加した洗浄液を用いて、酸素含有量１ｐｐｂ以下の窒素雰囲気でしかも遮光した状態で表面の洗浄を行ない、かつ等方性酸化または窒化で形成することにより、前記チャンネル領域と前記ゲート絶縁膜との界面の平坦度を、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向での長さ２ｎｍにおけるピーク・トゥ・バレイ値が０．３ｎｍ以下となるようにするとともに、前記第１の電極から前記チャンネル領域までの抵抗率を４Ω・μｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】higher-k材料であるチタン酸化膜の半導体基板との界面を安定化でき、さらなる微細化に対応できるゲート構造を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１の上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを備えている。ゲート絶縁膜は、アナターゼ型酸化チタンを主成分とする高誘電率絶縁膜５であり、ゲート電極は、第１の金属膜６又は第２の金属膜８を含む導電膜から構成されている。 （もっと読む）

【課題】簡易なプロセスでパターン欠陥を抑制することが可能な金属パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムを含む金属パターン２０を製造する際に、真空雰囲気下にて、気相法により、基板上にアルミニウムを含む金属膜２１を成膜する工程（１）と、金属膜２１の表面に酸化処理により酸化膜２２を形成する工程（２）と、酸化膜２２上に金属パターンに対応したレジストパターン３０を形成する工程（３）と、レジストパターン３０をマスクとして、金属膜２１をエッチングする工程（４）とを順次実施する。工程（１）と工程（２）との間において、少なくとも工程（２）の実施直前には、基板の雰囲気を真空雰囲気とする。 （もっと読む）

【課題】排気口の位置を変更することなく、複数の処理領域の雰囲気を互いに混合させずに夫々対応する排気口へ排気させること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に、互いに離れて設けられ、反応ガス供給手段を備える複数の処理領域と、複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置し、分離ガスを供給する分離ガス供給手段が設けられた分離領域と、前記複数の処理領域の雰囲気を夫々排気するために処理容器に設けられた複数の排気口と、前記複数の処理領域に各々開口する開口部と、各開口部から対応する排気口に処理領域の雰囲気を案内する排気路とを、排気される各処理領域の雰囲気同士が混合しないように処理領域毎に独立して形成する排気路形成部材と、を備え、前記回転方向における前記開口部の位置が、排気路形成部材により変更できるように構成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ酸化によりシリコン基板上に形成される酸化膜の金属汚染量を低減すること。
【解決手段】酸化膜の形成方法は、不活性ガスと、前記不活性ガスに対する混合割合が０よりも大きく且つ０．００７以下である酸化ガスと、を含む混合ガスからプラズマを生成する工程と、前記プラズマを用いてシリコン基板の表面に酸化膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理で被処理基体上の層を、例えば窒化又は酸化するＡＬＤ法で、パージに要する時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ヘッド１６が、第１の空間Ｓ１内の第１の領域で第１のプロセスガスをステージ１４に向けて供給する。ヘッド１６は、第２の領域Ｒ２に退避可能である。ヘッド１６は、第１の空間Ｓ１内の第１の領域の上方の上部領域Ｒａと第１の領域の下方の下部領域Ｒｂとを画成する。供給源１８は、上部領域Ｒａに電磁界エネルギーを供給する。上部領域Ｒａには、第２のプロセスガスが供給される。ヘッド１６は、ステージ１４を覆い、且つ、下部領域Ｒｂに面する連通路Ｐの開口を覆う大きさを有する。 （もっと読む）

【課題】界面準位密度およびフラットバンド電圧がともに良好な界面特性を有する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】まず、炭化珪素基板１の表面を洗浄する（ステップＳ１）。つぎに、原料ガスをＥＣＲプラズマ化し、原料ガスに含まれる原子を炭化珪素基板１に照射することで、炭化珪素基板１の表面にシリコン窒化膜２を成長させる（ステップＳ２）。つぎに、ＥＣＲプラズマ化学気相成長法により、シリコン窒化膜２の表面にシリコン酸化膜３を堆積する（ステップＳ３）。つぎに、窒素雰囲気中で、シリコン窒化膜２およびシリコン酸化膜３が形成された炭化珪素基板１のアニール処理を行う（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴデバイスにおける高品質ゲート誘電体層を形成するのに有用な方法及び装置を提供する。
【解決手段】高密度プラズマ酸化（ＨＤＰＯ）処理層がチャネル、ソース、及びドレイン領域上に形成されて誘電体インターフェースを構成し、次に、１つ以上の誘電体層をＨＤＰＯ層上に堆積して高品質ゲート誘電体層を形成する。ＨＤＰＯ処理は、一般的に、誘導及び／又は容量結合ＲＦ伝達デバイスを用いてプラズマを発生し、基板上で発生したプラズマを制御し、また酸化源を含有するガスを注入して界面層を成長させる。次に、第２誘電体層をＣＶＤ又はＰＥＣＶＤ堆積処理を用いて基板上に堆積する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたトレンチ側面の酸化膜を薄膜化し、且つトレンチ上のパターン上部の角がエッチングされることを抑制する。
【解決手段】熱酸化膜６０形成後にトレンチ６１が形成されたウェハＷをプラズマによって酸化処理するプラズマ処理方法であって、ウェハＷはイオン引き込み用の高周波電圧が印加されるサセプタに載置され、プラズマによる酸化処理は、イオン引き込み用の高周波電圧をウェハＷに印加しながら行われる。プラズマ酸化処理における処理ガスは、ヘリウムと酸素を含む混合ガスであり、プラズマ処理は、処理容器内において６．７〜１３３Ｐａの圧力で行われる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＴＩプロセスにおけるシリコンのトレンチの内壁面に沿って、酸素の拡散に対するバリア性を有する数ｎｍ程度の厚みの薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００では、平面アンテナ３１からマイクロ波透過板２８を経て処理容器１内に放射されたマイクロ波により、処理容器１内で電磁界が形成され、ＡｒガスおよびＮ_２ガスがそれぞれプラズマ化する。プラズマ中の活性種の作用によりウエハＷのトレンチの内壁面が極薄く窒化されることにより、緻密なライナーＳｉＮ膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】Ｇｅ基板と絶縁膜との界面に、良好なＧｅ酸化膜を形成する。
【解決手段】上面に絶縁膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）３２が積層されたＧｅ基板３１の絶縁膜３２の表面から、酸素原子含有ガスを含む処理ガスのプラズマを照射する。絶縁膜３２越しにＧｅ基板３１を酸化させて、絶縁膜３２とＧｅ基板３１との界面にＧｅ酸化膜３３を形成する。絶縁膜３２がＧｅ酸化膜３３に対して保護膜として機能し、形成されたＧｅ酸化膜３３の劣化を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】基板表面に、均一な高品質シリコン酸化膜を、基板温度２００−５００度の低温で形成すること、および、シリコン酸化膜を用いた半導体装置を提供し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さ３０％以内に抑え、デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】シリコン酸化膜中にＫｒを含有することを特徴とする。シリコン酸化膜中にＫｒを含有させることにより、シリコン酸化膜中および、シリコン／シリコン酸化膜界面でのストレスを緩和することにより、低温で形成したにも係わらず高品質なシリコン酸化膜を形成し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さの均一性を３０％以内にする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を促進させる方向を制御する。
【解決手段】インピーダンス調整部のインピーダンスを制御することで、基板の処理面に加わる電界の少なくとも垂直成分の強度を調整しつつ、プラズマ生成部による電力を制御することで、基板の処理面に加わる電界の少なくとも水平成分の強度を調整して、プラズマ処理を促進させる方向の電界を強くする。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のホール内に、良好なステップカバレッジを有する均一な膜厚の窒化シリコン層を形成する。
【解決手段】ホールを形成後、１回の第１サイクルと、１回以上の第２サイクルを行う。第１サイクルでは、ホールの上部内壁上に２原子層の第１のシリコン層、ホールの下部内壁上に１原子層の第１のシリコン層を形成後、ホール上部のシリコン層の表面を１分子層の第１の酸化シリコン層とする。ホールの下部内壁上の第１のシリコン層に更に、１原子層の第２のシリコン層を形成後、窒化処理によりホールの内壁全面に第１の窒化シリコン層を形成する。第２サイクルでは、ホール上部の窒化シリコン層上に１分子層の第２の酸化シリコン層を形成後、ホール下部の第１の窒化シリコン層上に１原子層の第４のシリコン層を形成する。この後、窒化処理により、ホールの内壁全面に第２の窒化シリコン層を形成する。 （もっと読む）

【課題】バックチャネル部の表面のアルミニウム汚染に起因する漏れ電流を抑制を防止でき、高い信頼性と、高い歩留を実現できる構造の薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】この発明に係る薄膜トランジスタは、シリコンを半導体層とするバックチャネル部を有するボトムゲート構造の薄膜トランジスタであって、アルミニウムを含むソース電極またはドレイン電極と、バックチャネル部の一部であって半導体層の表層を覆うサイアロン化合物の層とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン上において高品質な絶縁膜を形成できる絶縁膜の形成方法を提供する
【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、基板上にポリシリコン膜を堆積する工程と、
前記ポリシリコン膜の表面を、酸素を含むガスとＫｒガスを主体とする不活性ガスとよりなる混合ガスにマイクロ波によりプラズマを励起することで形成される原子状酸素Ｏ*に曝すことにより、前記ポリシリコン膜の表面にシリコン酸化膜を形成する工程とよりなる。 （もっと読む）

【課題】被処理体を載置する載置台の電極にバイアス用の高周波電力を供給する方式のプラズマ処理装置において、プラズマ電位の振動を抑制し、安定なプラズマを生成させると共に、金属製の対向電極のスパッタリングによるコンタミネーションの発生を防止する。
【解決手段】蓋部材２７の内周側には、拡張突出部６０が形成されている。拡張突出部６０は、プラズマ生成空間Ｓに臨んで形成されており、載置台５の電極７に対してプラズマ生成空間Ｓを隔てて対をなす対向電極として機能する主要部分である。バイアス用電極面積に対する対向電極表面積の比（対向電極表面積／バイアス用電極面積）は、１以上５以下の範囲内が好ましい。 （もっと読む）