【課題】環境負荷が小さく、歪量が大きい液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電体層７０と圧電体層７０に設けられた電極６０，８０とを具備する圧電素子３００を備え、圧電体層７０は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、圧電体層７０に駆動電圧Ｖ_ａを印加したときの変位量をＺ_ｍａｘ、その後印加電圧を０Ｖにしたときの変位量をＺ_０としたとき、（Ｚ_ｍａｘ−Ｚ_０）／Ｖ_ａが７０ｐｍ／Ｖ以上且つ比誘電率が７００以下である。 （もっと読む）

【課題】強誘電体ゲート薄膜トランジスターの伝達特性が劣化し易い（例えばメモリウインドウの幅が狭くなり易い）という問題をはじめとして、ＰＺＴ層から酸化物導電体層にＰｂ原子が拡散することに起因して生ずることがある種々の問題が解決された強誘電体ゲート薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】強誘電体ゲート薄膜トランジスター２０は、チャネル層２８と、チャネル層２８の導通状態を制御するゲート電極層２２と、チャネル層２８とゲート電極層２２との間に配置された強誘電体層からなるゲート絶縁層２５とを備え、ゲート絶縁層（強誘電体層）２５は、ＰＺＴ層２３と、ＢＬＴ層２４（Ｐｂ拡散防止層）とが積層された構造を有し、チャネル層２８（酸化物導電体層）は、ゲート絶縁層（強誘電体層）２５におけるＢＬＴ層（Ｐｂ拡散防止層）２４側の面に配置されている。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物薄膜パターンの形成に適した成型材料、及び当該材料を用いて成型体を製造する際の最適条件を提供すること。
【解決手段】本発明の成型材料は、金属アルコキシドのオリゴマーを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強誘電体材料層の電気特性をより一層向上させることが可能な強誘電体材料層の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の１つの強誘電体材料層の製造方法は、基材上にゾルゲル溶液を塗布することにより、強誘電体材料の前駆体層を形成する強誘電体材料前駆体層形成工程と、その前駆体層を１２０℃〜２５０℃の範囲内にある第１温度で乾燥させる乾燥工程と、その前駆体層を第１温度よりも高く、かつ、１５０℃〜３００℃の範囲内にある第２温度に加熱した状態で前述の前駆体層に対して型押し加工を施す型押し工程と、その前駆体層を第２温度よりも高い第３温度で熱処理することにより、その前駆体層から強誘電体材料層を形成する強誘電体材料層形成工程とを、この順序で含む。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリの高誘電率材料を均一にコーティングするのに有用な金属前駆体を提供する。
【解決手段】チタネート薄膜の原子層堆積（ＡＬＤ）及び化学蒸着（ＣＶＤ）に有用なバリウム、ストロンチウム、タンタル及びランタン前駆体組成物。前駆体は、式Ｍ（Ｃｐ）_２で表され、式中、Ｍはストロンチウム、バリウム、タンタル又はランタンであり、Ｃｐは、特定のシクロペンタジエニルであり、官能基を有するペンダントリガンドが、金属中心Ｍにさらに配位する。 （もっと読む）

【課題】少なくともＢｉ、Ｂａ、Ｆｅ及びＴｉを含む圧電体層を有する圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置の性能を向上させることにある。
【解決手段】少なくともビスマス、バリウム、鉄及びチタンを含むペロブスカイト型酸化物を形成するための圧電体前駆体溶液は、少なくとも、ビスマス塩、バリウム塩、鉄塩、並びに、チタンの部分アルコキシド（チタンにアルコキシ基及び該アルコキシ基以外の官能基が結合したチタン化合物）を含む。圧電セラミックスの製造方法は、前記圧電体前駆体溶液を塗布する工程と、該塗布した前駆体溶液を結晶化させてペロブスカイト型酸化物を含む圧電セラミックスを形成する工程と、を備える。圧電素子の製造方法は、前記圧電セラミックスに電極を形成する工程を備える。液体噴射ヘッドの製造方法は、前記圧電素子の製造方法により圧電素子を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】フラッシュ加熱処理時における薄膜の過度の加熱を抑制することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】表面に二酸化ケイ素の基材を形成し、さらにその上にアモルファスシリコンの薄膜を形成した半導体ウェハーＷをチャンバー６内に搬入する。フラッシュランプＦＬへの電力供給回路には絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）が接続されており、そのＩＧＢＴによってフラッシュランプＦＬへの通電時間を０．０１ミリ秒以上１ミリ秒以下とすることにより、フラッシュ光照射時間を０．０１ミリ秒以上１ミリ秒以下としている。顕著に短いフラッシュ光照射時間にてフラッシュ加熱処理を行うため、アモルファスシリコンの薄膜が過度に加熱されることは抑制され、当該薄膜が剥離するなどの弊害が防止される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板、半導体回路素子または絶縁層にクラックが発生することのない高信頼度のＴＳＶを有する半導体基板、電子デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】貫通電極を囲む環状の溝に形成された絶縁層３は、シリカ微粒子３１１と、シリカ微粒子３１１−３１１間に生じる隙間に浸透してこれを埋めるナノ結晶またはナノアモルファスのシリカ３２０とからなるナノコンポジット構造である。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく且つ歪み量の大きい圧電素子を有する液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射装置の製造方法及び圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０、弾性膜５０、密着層５６、電極６０を形成する工程と、電極６０の上方に、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含む前駆体溶液を塗布して塗布膜を形成する工程と、塗布膜を実温１６５℃以上１８５℃以下の温度で加熱する乾燥工程と、乾燥工程の後、実温３３０℃以上４４０℃以下の温度で加熱する脱脂工程と、脱脂工程の後、脱脂した塗布膜を加熱して結晶化させ圧電膜７２を形成する結晶化工程、を具備し、所定厚さの圧電層７０を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属膜あるいは金属酸化膜の成膜量に伴うことなく含有している金属元素の濃度分布に偏りのないゲート絶縁膜を提供する。
【解決手段】図２に示すように、半導体基板１上に、シリコン酸化膜より高い誘電率を有する高誘電体膜１０を形成する高誘電体膜形成工程と、高誘電体膜１０上に、第１の金属元素を有する第１の金属膜あるいは金属酸化膜２０を成膜する第１の成膜工程と、高誘電体膜１０に第１の金属元素を拡散させる拡散工程と、高誘電体膜１０上に金属元素吸収膜５０を成膜する第２の成膜工程と、金属元素吸収膜５０に、第１の金属元素を含ませる吸収工程と、金属元素吸収膜６０を選択的に除去する除去工程の６工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた低温プロセスで形成する信頼性の高い薄膜トランジスタ、その製造方法、および表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、基板１００と、前記基板上の一部に設けられたゲート電極１１０と、前記ゲート電極を覆う第１の絶縁膜１２０と、前記第１の絶縁膜を介して前記ゲート電極上に設けられた酸化物半導体膜１３０と、前記酸化物半導体膜上の一部に設けられた第２の絶縁膜１５０と、前記酸化物半導体膜から露出する酸化物半導体膜の一部と接続されたソース電極１４０Ｓおよびドレイン電極１４０Ｄと、を備え、前記酸化物半導体膜はＩｎと、Ｇａと、Ｚｎのうち少なくとも一つの元素を含む酸化物半導体を有し、前記第１の絶縁膜中に含有される水素濃度が５×１０^２０atm/ｃｍ^−３以上であり、かつ、前記第２の絶縁膜中に含有される水素濃度が１０^１９atm/ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】所望パターンの電気機械変換膜を形成することができる。
【解決手段】ＰＺＴ前駆体溶液１７の成分の一部を含むバンク形成溶液１５を液滴吐出ヘッド１４により基板１１の第１の電極上の所定部分に選択的に塗布することで、基板１１の第１の電極上の所定部分を囲むように形成されたバンク膜１６が所定部分の周縁に向って盛り上がる。そして、このバンク膜１６を乾燥させてバンクを形成する。このバンクで囲まれた内側の当該所定部分に、電気機械変換膜１８を形成するための原料を含むＰＺＴ前駆体溶液１７の液滴を液滴吐出ヘッド１４のノズルから吐出させて塗布する。 （もっと読む）

【課題】熱処理方法としてレーザーを使用して薄膜を製造する薄膜製造装置であって、最適なレーザー条件を算出、制御することができる薄膜製造装置を提供すること。
【解決手段】基板上に機能性インクを所定のパターンで塗布する塗布手段と、塗布された前記機能性インクを加熱して結晶化するための１つ又は２つ以上のレーザー光源と、前記機能性インクの結晶状態を測定するためのＸ線回折装置と、前記Ｘ線回折装置により測定された前記機能性インクの前記結晶状態の情報を記録する記録部と、前記レーザー光源のレーザー照射条件を制御する制御装置と、を有し、前記制御部は、前記記録部に記録された、事前の前記レーザー光源によるレーザー照射した前記機能性インクの前記結晶状態の情報に基づいて、前記レーザー光源のレーザー照射条件を調整するようにする、基板上に薄膜を形成する薄膜製造装置。 （もっと読む）

【課題】基板温度の過度の上昇を抑え、加熱対象のポリイミド膜やＨｉｇｈ−ｋ膜を含む基板を加熱処理することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられる導電性の基板支持台と、前記基板支持台上に設けられ基板が載置される誘電体板と、前記処理室外に設けられるマイクロ波発生部と、前記マイクロ波発生部で発生されたマイクロ波を前記処理室内へ供給するマイクロ波供給部と、を備えるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】良質な薄膜を製造することができる。
【解決手段】液滴吐出ヘッド３００によって基板１１に吐出された機能性インク膜３０２にレーザ光を照射して加熱すると溶媒が蒸発して溶液が乾燥する。リアルタイムレーザ制御装置６００によって機能性インク膜３０２の乾燥状態を検出する。そして、機能性インク膜３０２の乾燥状態に対する最適なレーザ光照射条件の関係の特性データと照合しながら検出した機能性インク膜３０２の乾燥状態に対応する最適なレーザ光照射条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５上にシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン層９１０が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６には、バリア層として機能する酸化シリコン層９０９を介して、窒化シリコン層９１０が設けられる。そのため、酸化物半導体層９０５には、酸化物半導体層９０６よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５の抵抗値が、薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６の抵抗値よりも低くなる。 （もっと読む）