【課題】基板処理装置の装置パラメータ設定戻し忘れや、設定変更漏れを防止し、基板のロットアウトの発生を未然に防止可能な基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置から送信される装置状態を示すデータを収集し、前記基板処理装置を制御装置５により管理する群管理装置を少なくとも有する基板処理システムであって、前記制御装置は作業前の装置パラメータを退避させる退避手段６，１４と、作業後の装置パラメータの各設定値を設定する設定手段６，１５と、前記退避手段により退避させた装置パラメータと前記設定手段に設定された装置パラメータとを比較する比較手段６，１６と、比較結果が不一致の場合に成膜処理の開始を禁止する判断手段６，１８とを少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】基板を保持するキャリアのクリーニングを行わなわずとも、高品質な被膜を基板に対して成膜することが可能であり、かつ、効率的な成膜を可能とする成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗがキャリア２１からヒータ（アノードユニット）９０に移載された後、キャリアは成膜室１１から搬出される。基板をヒータに渡した後のキャリアは、成膜中は、仕込・取出室内で待機すればよい。この後、成膜室と仕込・取出室とを隔てるドアバルブを閉状態にする。 （もっと読む）

【課題】第ＩＩＩ−Ｖ族含有薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】実施態様において、二成分化合物のエピタキシャル薄膜を形成するためのシステムと方法を含むエピタキシャル薄膜形成ためのシステムと方法が提供されている。本発明の実施形態の方法とシステムは、例えば、ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮ、ならびにこれらの化合物の混合合金、例えば、（Ｉｎ， Ｇａ）Ｎ、（Ａｌ， Ｇａ）Ｎ、（Ｉｎ， Ｇａ， Ａｌ）Ｎのような直接の禁止帯半導体二元素化合物エピタキシャル薄膜形成のために用いられる。前記方法および装置は、準単分子層薄膜蒸着の急速反復を可能にする多段階蒸着プロセスおよびシステムを含む。 （もっと読む）

【課題】２以上の半導体製造装置に正確に区分された量のプロセスガスを搬送するシステムを提供する。
【解決手段】単一のフローを所望の比率の２以上の二次フローに分割するため、前記単一のフローを受け取る入口１３と、前記入口に接続された少なくとも２つの二次フロー・ライン１４ａ，１４ｂと、所望のフロー比率を受け取る入力手段２２と、前記フロー・ラインのそれぞれによって生じた製品の測定値を提供するインサイチュ・プロセス・モニタ１００と、前記入力手段と前記インサイチュ・プロセス・モニタ１００とに接続されたコントローラ２４とを含む。このコントローラ２４は、前記入力手段を介して所望のフロー比率を受け取り、前記インサイチュ・プロセス・モニタ１００から前記製品の測定値を受け取り、前記所望のフロー比率と前記製品の測定値とに基づいて訂正されたフロー比率を計算するようにプログラムされている。 （もっと読む）

【課題】マルチ・チャンバ・ツールとの関係でオゾン濃度を制御する改良されたシステム及び方法を提供する。
【解決手段】オゾン発生器２０と組み合わされた第１及び第２の濃度コントローラ２５、３５を含む。第１の濃度コントローラ２５は、イベントを検出し、それに応答して、予測制御アルゴリズムに従いオゾン発生器２０に電力指示を提供する。第１の濃度コントローラ２５は、高速（すなわち、約１秒）の応答時間を有する。第２の濃度コントローラ３５は、イベントの間はオゾン発生器２０からマスクされているが、それ以外の場合には、イベントの発生からある時間間隔が経過した後で発生器２０を制御する。第２の濃度コントローラ３５は、第１の濃度コントローラ２５よりも低速の応答時間を有するが、システムに長期的な安定性を提供し、予測制御アルゴリズムに更新されたデータを提供するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、ＣＶＤ装置による成膜処理に対する新規な前処理を行うことができる基板処理装置及び成膜システムを提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、ＣＶＤ装置による成膜処理を行う基板の前処理を行なうための基板処理装置であって、前記基板を保持する基板ステージが配された基板処理室と、前記基板処理室内で前記基板ステージを介して前記基板を加熱する加熱部と、前記基板処理室内で、前記加熱部により加熱された前記基板の表面を酸化する酸化処理部と、前記基板処理室内で、前記酸化処理部により酸化された前記基板の表面に有機溶剤を塗布する塗布処理部とを備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】電圧印加手段から電圧が印加される給電部材の弾性の劣化やヘタリを評価することができる。
【解決手段】基板処理装置は、搬入口と搬出口を有するチャンバ８５と、チャンバ内にガスを供給するガス供給手段１２と、ガスをプラズマにするためのプラズマ発生手段と、基板を保持する基板ホルダ２０と、搬入口から搬入され、搬出口へと基板ホルダを保持しながら搬送するキャリア２と、基板ホルダ２０に電圧を印加するための電圧印加手段１６と、給電部材１３を可動して、該給電部材を基板ホルダ２０に接触又は非接触させることにより、電圧印加手段１６からの電圧を供給するための駆動手段１８と、給電部材１３に流れる電流を測定する電流測定手段１７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置構成を簡単化しつつ、複数の真空チャンバ内に交互にプラズマを発生させることができるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置は、N個の真空チャンバ（２−１〜２−３）の真空チャンバ壁（１５−１〜１５−３）と一方の極で接続される電源（１０）と、所定の周期でパルス信号を出力する発振器（１１）と、電源の他方の極及び発振器に対して互いに並列に接続され、電源から供給される電力を用いて増幅したパルス信号を真空チャンバ内に配置されたN個の電極（１４−１〜１４−３）の何れかへ出力するN個のパルス増幅回路（１３−１〜１３−３）と、少なくとも(N-1)個のパルス増幅回路と発振器の間にそれぞれ接続され、各時刻において一つのパルス増幅回路にのみパルス信号が入力されるように互いに異なる遅延期間だけパルス信号を遅延させる少なくとも(N-1)個のタイミング生成回路（１２−１〜１２−３）を有する。 （もっと読む）

【課題】均一な厚さおよび所望の特性を有する堆積膜を基板上に成膜することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、原料ガスが供給される真空容器２と、真空容器２内を減圧する真空ポンプ３と、真空容器２内に設置されたカソード電極４と、真空容器２内に設置されカソード電極４に対して基板８を略平行に支持する載置面５Ａを有するアノード電極５と、アノード電極５に設けられた基板加熱機構１０と、カソード電極４とアノード電極５との間にプラズマ９を発生させる高周波電源７とを備える。基板加熱機構１０は、相互に独立して駆動される第１加熱機構１１および第２加熱機構１２を有し、第１加熱機構１１は載置面５Ａ内の略全面を加熱し、第２加熱機構１２は載置面５Ａ内を部分的に加熱する。 （もっと読む）

【解決手段】 基板処理装置と、基板保管手段と、基板搬送手段と、基板処理装置、基板保管手段及び基板搬送手段に機能的に関連付けられている製造実行システムとを備えた半導体製造設備内の基板を取り扱う装置において、
−搬送手段により搬送され、保管手段内に保管される少なくとも１つの基板保管及び搬送箱と、
−基板保管及び搬送箱の内部雰囲気を形成するガスのための少なくとも１つのガス分析装置であって、保管及び搬送箱内に存在して分子汚染を作り出し得る臨界ガスの量を表す分析信号を生成するガス分析装置と、
−搬送手段及び保管手段を制御する実行装置であって、ガス分析装置から発せられた分析信号に応じて、分子汚染除去の必要性を検出するための命令を備えた実行装置とを備えている装置。 （もっと読む）

【課題】成膜工程において、膜質を低下させることなく、プロセスガスの廃棄率を低減させることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】第１のウェーハＷ上に第１のプロセスガスを供給するための第１のガス供給機構１７と、第１の排ガスを排出するための第１のガス排出機構１８と、を有し、第１のウェーハＷ上に第１の被膜を形成するための第１の反応室１１と、第１の反応室１１と接続され、第１の排ガスより所定のガス成分を抽出し、第２のプロセスガスを生成するガス再生部３１と、第２のウェーハＷ’上に第２のプロセスガスを供給するための第２のガス供給機構２７と、第２の排ガスを排出するための第２のガス排出機構２８と、を有し、第２のウェーハＷ’上に第２の被膜を形成するための第２の反応室２１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】生産性や製造コスト面に優れ、かつ、高スループットを実現することができるとともに、薄膜太陽電池としての変換効率の低下を防ぐことができる薄膜太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】真空中で基板に所望の膜を成膜する成膜室１１と、成膜室に第一開閉部を介して固定された仕込・取出室と、仕込・取出室と第二開閉部を介して固定され、キャリアに対して基板を脱着する基板脱着室と、基板を被成膜面が重力方向と略並行を成すように保持するキャリアと、を備え、仕込・取出室と成膜室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出可能に構成され、成膜室で、複数のキャリアに保持された複数の基板に同時に成膜を行うことができる薄膜太陽電池製造装置であって、成膜室内に付着している副生成物に対してガスを噴射可能な複数のガス噴出口１５７を有する供給管１５１と、供給管に窒素ガスを供給する窒素ガス供給源１５８が接続されている。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置の真空処理室内部のメンテナンス性を改善する。
【解決手段】真空処理装置１は、被処理物１０７を収容して真空処理を施す第１の処理室１０１と、真空処理される前の被処理物と、真空処理された後の被処理物と、を収容する真空排気可能な第２の処理室１０２と、第１の処理室と第２の処理室との間に、第１の処理室と着脱可能に介装されるゲート部１０３と、ゲート部１０３を通じて、真空処理される前の被処理物を搬入部１０８から真空処理部１０４へと搬入し、真空処理された後の被処理物を真空処理部１０４から搬出部１１９へと搬送する搬出する搬送装置２０２と、第１の処理室と第２の処理室とを離間させる移動機構２００とを備える。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、ＣＶＤによる成膜を含む複数の処理を連続的に行なう成膜装置であって、各室が、隣接する室の圧力による悪影響を受けることなく、また、反応ガスによる装置内の汚染も抑制できる成膜装置を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ成膜室と上流もしくは下流の処理室との間に排気手段を有する差圧室を設けて、この差圧室に、不活性ガスおよび／または両室に供給されるガスを導入することにより、成膜室および処理室の高圧な方よりも高い圧力とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の状態を個別に認識した上で、プロセスガス中の特定ガスの分圧について測定値が閾値を上回っているか下回っているかを個別に認識することが可能なプロセスモニタ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプロセスモニタ装置１は、バルブにより仕切られたチャンバを有する成膜装置５０に接続して使用され、前記成膜装置に接続されたガス分析手段３０を制御するコンピュータ１０には、予め、プロセスガス中の特定ガスの分圧について、バルブが開いた第一状態における警告閾値と、バルブが閉じた第二状態における異常閾値とが、それぞれ設定されており、前記コンピュータは、前記ガス分析手段により検出された特定ガスの分圧を監視し、該分圧が、信号送信手段２０により送信された前記チャンバの状態に応じた警告閾値又は異常閾値を超えた場合に、警告信号又は異常信号を前記成膜装置に送信すること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバー内の加熱手段から真空ゲートバルブへの伝熱を防いで真空ゲートバルブを効果的に保護する真空ゲートバルブ保護装置を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜チャンバー４Ｃと前段バッファチャンバー４Ｂとの間で開閉する真空ゲートバルブ７を保護する真空ゲートバルブ保護装置１０において、成膜チャンバー４Ｃ内に設けられると共に、加熱ヒータ９と成膜チャンバー４Ｃとの間における基板Ｗの経路Ｒｔ上への進出及び経路Ｒｔからの退避が可能であり、基板Ｗの経路Ｒｔ上に進出した状態で加熱ヒータ９側を向いて加熱ヒータ９からの熱線を反射する反射板２３を備える。 （もっと読む）

【課題】 真空中で基板全体の温度を正確に測定しその測定結果に基づいて、基板全面で均一な温度分布を与えるための温度分布の管理と、基板の温度制御と、が可能な基板処理技術を提供すること。
【解決手段】 基板処理装置は、第１の処理室内で、基板を加熱するための複数のヒータを有する加熱部と、第１の処理室から第２の処理室に基板を搬送する間に、加熱部により加熱された基板の温度を測定する複数の温度測定部と、第２の処理室内で、基板を再加熱するための複数のヒータを有する再加熱部と、温度測定部の測定結果に基づき、再加熱部の出力を制御する出力制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】一つの成膜装置で複数のウェハ上に成膜を行う際に、パーティクルの発生を抑制しつつウェハ毎に所望の膜厚の膜を成膜する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１のウェハ上および第２のウェハ上にシラン系ガスを含む第１のガスおよび第２のガスを供給した状態で、第２のプラズマ発生手段（ＲＦ）をオンとする工程と、この状態のまま、第１のプラズマ発生手段（ＲＦ）もオンとする工程と、第１のプラズマ発生手段および第２のプラズマ発生手段のオン状態を継続したままで、第１のガスの供給を停止する工程と、第１のガスの供給を停止した後に、第１のプラズマ発生手段および第２のプラズマ発生手段をオフとする工程とを含む。 （もっと読む）

本発明は、装置チャージ−ディスチャージロック内の圧力を大気圧から大気圧より低い移送圧力に下げるための方法に関し、前記ロックは、少なくとも１つの基板が大気圧で配置されるチャンバを備え、前記方法は、ポンピングレートが限定されている一次ポンプを使用して、前記チャンバのターボ分子ポンピングを隔離しながら大気圧から第１の特性閾値への第１の一次ポンピングが実行される第１のステップ１０１と、ターボ分子ポンピングの隔離を維持しながら前記第１のステップの場合より速く第２の特性閾値への第２の一次ポンピングが実行される、前記第１のステップ１０１に続く第２のステップ１０２と、第１のポンピングから上流で前記ターボ分子ポンピングを使用して第２のポンピングが実行され、一次ポンプチャンバが隔離される、前記第２のステップ１０２に続く第３のステップ１０３とを備える。本発明はまた、本方法を実装するための装置に関する。
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【課題】 低温で形成されたＳｉＯ_２膜は高温で形成されたＳｉＯ_２膜より特性が僅かに劣るため、そのままでは使う事が出来なかった。又、高温で形成されたＳｉＯ_２膜と同等の特性を得るためには、後工程で少なくとも５００℃以上でのアニールを行う必要があった。ところが、プロセス低温化の要求から、基板温度を５００℃以下に維持したまま、高品質なＳｉＯ_２膜を形成する技術の開発が必要とされていた。
【解決手段】
活性な酸素原子を用いて５００℃以下の低温でＳｉＯ_２膜を成膜後、紫外光をシリコン基板のシリコン酸化膜側表面に１回または複数回照射する事で、Ｓｉ基板を高温にする事なくＳｉＯ_２膜の特性を改善させる事が可能となった。前記紫外光とは、２００ｎｍ以上３７０ｎｍ以下の波長のみが含まれ、１回の照射時間が０．１マイクロ秒以下であり、照射１回当たりのエネルギー密度が０．０１Ｊ／ｃｍ^２以上であるという条件を満たす紫外光である。 （もっと読む）