【課題】 処理ガスの使用効率が良く、かつ、被処理体の面積が巨大であっても、ＡＬＤ法の適用も可能となるバッチ式処理装置を提供すること。
【解決手段】 メインチャンバ３１ａと、メインチャンバ３１ａ内に、このメインチャンバの高さ方向に積み重ねて設けられた、被処理体Ｇを載置する複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙと、ステージ１０１ａ〜１０１ｙごとに設けられ、ステージ１０１ａ〜１０１ｙに載置された被処理体Ｇをカバーする複数のカバー１０２ａ〜１０２ｙと、を備え、複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙと複数のカバー１０２ａ〜１０２ｙとで、複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙに載置された複数の被処理体Ｇの各々を取り囲むように、メインチャンバ３１ａよりも容量が小さい処理用小空間１０６を形成する。 （もっと読む）

【課題】給電側電極棒と接地側電極棒とを通電可能に接続する接続部材の取り付け容易性を向上する。
【解決手段】交流電源の給電側に接続され、処理室内で軸心を鉛直方向に沿わせて垂下支持される給電側電極棒５１と、交流電源の接地側に接続され、給電側電極棒５１に対向して処理室内で垂下支持される接地側電極棒５２と、給電側電極棒５１および接地側電極棒５２の先端が進入可能な進入部６２が本体６１に設けられ、両電極棒５１、５２の先端をそれぞれ進入部６２に進入させた状態で両電極棒５１、５２の先端近傍に懸架される連結部材６０と、進入部６２の内部に位置して両電極棒５１、５２の先端に接触する一対の接触部５３ａ、および、これら一対の接触部５３ａを接続する接続部５３ｂを有する接続部材５３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基体ホルダー外周面に残留したダストが円筒状補助基体と円筒状基体の端面間の隙間から飛散することを防ぐことができる真空処理方法を提供し、画像欠陥の原因となる電子写真感光体の球状突起を低減することにある。
【解決手段】真空処理方法であって、チャッキング部材の一部と円筒状補助基体の円筒状基体とは反対側の端面とが接触することによりチャッキング部材が円筒状補助基体を加圧し、円筒状補助基体が円筒状基体を押圧して両者の端面同士を密着させる工程と、円筒状基体と円筒状補助基体の端面同士が密着した状態で、搬送容器内を真空排気する排気工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により微結晶シリコン膜を形成する際に副生成物として形成されるポリシラン類を安全に処理する方法の提供。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により、基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を処理する方法であって、真空ポンプ内へ潤滑油から選ばれた有機溶媒を注入・充填し、所定の時間放置し、次いで真空ポンプを分解し、ポリシラン分散有機溶媒が付着している分解された構成部品を洗浄油で洗浄することからなる。 （もっと読む）

【課題】 基板ごとに処理条件の指定を可能にする。
【解決手段】 基板に対する処理を実行するプロセスモジュールを制御するプロセスモジュール制御装置を備え、プロセスモジュール制御装置は、処理すべき基板がプロセスモジュールに搬送される搬送タイミングを取得する搬送タイミング取得手段と、プロセスモジュールにおける基板の処理条件に関する処理条件基本情報を取得する基本情報取得手段と、プロセスモジュールにおける基板の処理条件の一部であって、基板ごとに設定される処理条件に関する処理条件差分情報を取得する差分情報取得手段と、搬送タイミング取得手段により取得される基板の搬送タイミングに応じ、基本情報取得手段及び差分情報取得手段により取得される処理条件に基づいて、プロセスモジュールに対し搬送される基板の処理条件を設定する制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の薄膜蒸着装置、システム、それを利用した太陽電池の製造方法及び異種接合の太陽電池の製造方法、並びにこれによって製造された異種接合の太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池の薄膜蒸着装置は、基板Ｗを境界として区分される複数個の単位チャンバー１１０ａ，１１０ｂと、複数個の単位チャンバーに蒸着ガスＧ１，Ｇ２を独立的に注入させるための蒸着ガス注入部１２０ａ，１２０ｂと、前記単位チャンバー内にそれぞれ備えられ、前記注入された蒸着ガスを分解するための分解手段１３０ａ，１３０ｂと、を備え、前記基板の両面それぞれは、前記複数個の単位チャンバーに露出され、太陽電池の薄膜蒸着装置及びそれを利用した製造方法は、基板の回転なしに固定された状態で基板の両面蒸着を可能にする。したがって、一面に対して一層のみが積層される従来の技術に比べて、要求される設備の数が画期的に減ることができる。 （もっと読む）

【課題】アノード電極側に生じる変異電流を整合回路に容易に戻すことができるようにする。
【解決手段】成膜室１０は、表面枠体５及び裏面枠体６により形成されている。表面枠体５は、カソード電極３を保持しており、カソード電極３とは絶縁されている。裏面枠体６は、表面枠体５に対して離間可能であり、アノード電極４を保持し、かつアノード電極４に電気的に接続している。そして表面枠体５及び裏面枠体６は、プラズマ処理時に、基板１の一部（例えば縁）を互いの間に位置させる。そして成膜室１０は、さらに、接続部材９を備えている。接続部材９は、裏面枠体６の外周面を表面枠体５の外周面に接続している。 （もっと読む）

【課題】ステップ搬送の停止期間中に非成膜ゾーンで発生する張力上昇とそれに伴う応力集中を防止できるステッピングロール方式の薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】帯状の可撓性基板１に機能性薄膜を積層形成するための薄膜形成装置で、成膜ユニット５，６，７，８を含む成膜ゾーンＺ１，Ｚ２と、成膜ゾーンの上流側および下流側に配設された第１および第２搬送制御ロール１６，２６と、搬送の停止期間中に各成膜ユニットに密閉空間を画成すべく各成膜ユニットに併設された遮蔽手段５３，５４，６３，６４，７３，７４，８３，８４と、搬送中に基板の張力を制御する第１張力制御手段１６，１７，１８，１９と、成膜ゾーンの下流側に隣接した非成膜ゾーンＺ３，Ｚ４とを備え、搬送の停止期間中に、遮蔽手段が基板を挟んで閉じた状態で、非成膜ゾーンにおける基板の張力を制御する第２張力制御手段３，４を備えた。 （もっと読む）

【課題】性能を向上できるＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置の製造方法は、以下の工程を備える。少なくとも一部に不純物が注入された第１の表面を含むＳｉＣ半導体を準備する（ステップＳ１〜Ｓ３）。ＳｉＣ半導体の第１の表面を洗浄することにより、第２の表面を形成する（ステップＳ４）。第２の表面上にＳｉ元素を含む膜を形成する（ステップＳ５）。Ｓｉ元素を含む膜を酸化することにより、ＳｉＣ半導体装置を構成する酸化膜を形成する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】キャリアの数が少数であってもプロセスチャンバの稼働率の向上を図ることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１は、２つのプロセスチャンバＰＣ１，ＰＣ２と３つのロードロックチャンバＬＬ１，ＬＬ２，ＬＬ３が交互に直列に連結されており、隣り合うプロセスチャンバＰＣ１（ＰＣ２）とロードロックチャンバＬＬ１（ＬＬ２，ＬＬ３）との間でだけ複数のキャリアを搬送する搬送装置を備えている。搬送装置によってキャリアがプロセスチャンバＰＣ１（ＰＣ２）内に位置するとき被成膜材は成膜処理され、ロードロックチャンバＬＬ１（ＬＬ２，ＬＬ３）内に位置するとき被成膜材が交換される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置が備える処理モジュール毎のレシピ設定により生じる煩雑さやミスを軽減する。
【解決手段】本発明は、最終的な生産物や基板に対する処理を基準とした処理レシピの設定が可能な方法及びそれを可能にするユーザインターフェースを備えた基板処理設定支援装置を提供する。本発明によると、ユーザは、表示機器に表示された基板への処理ごとのレシピ設定、又は処理に係る処理モジュール毎若しくは処理に係る処理モジュール一括でのレシピ設定を行うことができる。さらに、本発明によると、ユーザは、入力したレシピ設定値に基づき、処理結果物の推定結果の情報を利用することができる。本発明により、基板処理装置が備える処理モジュール毎のレシピ設定により生じる煩雑さやミスを軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】ドーパント濃度を精度よく検出でき、製品管理能力が高い薄膜製造装置を提供すること。
【解決手段】この薄膜製造装置１は、フィルム基板１０の搬送方向の上流側から下流側に向けて設けられ、減圧条件下でフィルム基板１０上に薄膜を形成する第１成膜室１３ａ〜第３成膜室１３ｃと、第１成膜室１３ａ〜第３成膜室１３ｃの下流側に隣接して設けられた第１サンプリング室１４ａ及び第２サンプリング室１４ｂとを備える。第１サンプリング室１４ａには、第１成膜室１３ａで第１薄膜層４１が形成されたフィルム基板１０が搬入され、減圧条件下でフィルム基板１０から試料を採取する。 （もっと読む）

【課題】外部リークをより少なくして真空状態を維持することができ、ロール交換時に巻き出し室や巻取り室を素早く大気圧状態に戻し、ロール交換後も素早く真空状態に戻すことができるフィルム製造装置を提供する。
【解決手段】フィルム製造装置１は、巻き出し手段６、巻き取り手段７、３つの反応室４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、フィルム搬送路５より構成され、フィルムが通過する少なくとも一の開口部を有する反応室内に配置され、かつ、開口部には、該フィルムを挟みながら封止することにより真空室を密封可能とする弁体を有するバルブ機構１１〜１６が具備されている。 （もっと読む）

【課題】電極を大面積化しても、電極の中心部と電極の周辺部とでプラズマ生成空間におけるガスの組成が異なることを抑制できるようにする。
【解決手段】成膜室１００は、第１電極１２０及び第２電極１４０を有している。第１電極１２０には高周波が入力される。第２電極１４０は、第１電極１２０に対向して配置され、孔を有するフレキシブル基板１０が接する。第２電極１４０には、排気孔が形成されている。排気孔は、フレキシブル基板１０の孔を介して第１電極１２０及び第２電極１４０の間のプラズマ生成空間を排気する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業をより簡便なものとすることで、メンテナンスコスト及びランニングコストの低減に寄与する基板支持装置及び基板支持装置を備える真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板３を搭載して真空処理装置Ｓ内を搬送される基板支持装置１は、基板３を一端部側で支持する弾性体からなる少なくとも１つの基板支持爪１５と、基板支持爪１５の他端部側が配置されるホルダー１１と、ホルダー１１に取り付けられるホルダカバー１３と、を有してなり、ホルダカバー１３をホルダー１１に取り付けることにより、基板支持爪１５をホルダカバー１３とホルダー１１との間に挟んで所定位置に支持することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の状態を個別に認識した上で、プロセスガス中の特定ガスの分圧について測定値が閾値を上回っているか下回っているかを個別に認識することが可能なプロセスモニタ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプロセスモニタ装置１は、バルブにより仕切られたチャンバを有する成膜装置５０に接続して使用され、前記成膜装置に接続されたガス分析手段３０を制御するコンピュータ１０には、予め、プロセスガス中の特定ガスの分圧について、バルブが開いた第一状態における警告閾値と、バルブが閉じた第二状態における異常閾値とが、それぞれ設定されており、前記コンピュータは、前記ガス分析手段により検出された特定ガスの分圧を監視し、該分圧が、信号送信手段２０により送信された前記チャンバの状態に応じた警告閾値又は異常閾値を超えた場合に、警告信号又は異常信号を前記成膜装置に送信すること、を特徴とする。 （もっと読む）

ロールツーロールＣＶＤシステムは、ＣＶＤ処理の際、堆積チャンバを通して、ウェブを搬送する、少なくとも２つのローラーを含む。堆積チャンバは、少なくとも２つのローラーによって搬送される間、ウェブを通過させるための通路を画定する。堆積チャンバは、複数の処理チャンバのそれぞれ内に別個の処理化学物質を維持する、障壁によって隔離される、複数の処理チャンバを含む。複数の処理チャンバはそれぞれ、ガス流入ポートおよびガス排出ポートと、複数のＣＶＤガス源とを含む。複数のＣＶＤガス源のうちの少なくとも２つは、複数の処理チャンバのそれぞれのガス流入ポートに連結される。
（もっと読む）

堆積ガスをプラズマ相へと転換し、真空チャンバ内で基板搬送方向に動いている基板上に薄膜をプラズマ相から堆積させるためのプラズマ堆積ソースが説明される。プラズマ堆積ソースは、真空チャンバ内に設置された多領域電極デバイスであって、動いている基板の反対側に配置された少なくとも１つのＲＦ電極を含む多領域電極デバイスと、ＲＦ電極にＲＦ電力を供給するＲＦ電力発生器とを含む。ＲＦ電極は、ＲＦ電極の一方の端部に配置された少なくとも１つのガス注入部およびＲＦ電極の反対側の端部に配置された少なくとも１つのガス排出部を有する。規格化されたプラズマ体積は、電極表面と反対側の基板位置との間に画定されるプラズマ体積を、電極長さで除算することによって与えられる。規格化されたプラズマ体積は、堆積ガスの欠乏長さに合わせて調節される。
（もっと読む）

【課題】複数のシャワー電極が設けられたプラズマ処理装置において、生産性を高めるとともに、プラズマ処理の均一性を維持できるようにする。
【解決手段】プラズマチャンバ２１，２２に、複数のシャワー電極６が隙間８をあけて設けられる。複数の基板４が等間隔に並べられたトレイ５が、シャワー電極６と下部電極７との間に搬送される。成膜開始時、隣り合うシャワー電極６間の隙間８の真下に基板４がくるように、トレイ５が位置決めされる。成膜中、トレイ５は隙間８の大きさに応じた搬送速度で進行方向に移動する。トレイ５は、基板４の長さよりも短い距離だけ移動する。この間に、基板４上に薄膜が形成されるが、シャワー電極７間の隙間８の真下に発生した強いプラズマ放電の影響を受ける領域が基板４上を移動するので、膜厚のばらつきが低減する。 （もっと読む）

本発明の実施例は、一般的に、化学蒸着プロセスの装置に関する。一の実施例では、蒸着用反応装置蓋アセンブリが提供されており、これは、第１のシャワーヘッドアセンブリとアイソレータアセンブリとが蓋サポートの上に隣り合って配置されており、第２のシャワーヘッドアセンブリと排気アセンブリとが、蓋サポートの上に隣り合って配置されており、アイソレータアセンブリが、第１及び第２のシャワーヘッドアセンブリの間に配置されており、第２のシャワーヘッドアセンブリがアイソレータアセンブリと排気アセンブリとの間に配置されている。 （もっと読む）