ポリシラン類の処理方法
【課題】ＣＶＤ法により微結晶シリコン膜を形成する際に副生成物として形成されるポリシラン類を安全に処理する方法の提供。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により、基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を処理する方法であって、真空ポンプ内へ潤滑油から選ばれた有機溶媒を注入・充填し、所定の時間放置し、次いで真空ポンプを分解し、ポリシラン分散有機溶媒が付着している分解された構成部品を洗浄油で洗浄することからなる。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により、基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を処理する方法であって、真空ポンプ内へ潤滑油から選ばれた有機溶媒を注入・充填し、所定の時間放置し、次いで真空ポンプを分解し、ポリシラン分散有機溶媒が付着している分解された構成部品を洗浄油で洗浄することからなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリシラン類の処理方法に関し、特にＣＶＤ法により微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を形成する際に副生成物として形成されるポリシラン類を処理する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エネルギー源として太陽電池が脚光を浴びており、エネルギーを効率的に利用できることから、その普及には目覚ましいものがある。この太陽電池には、種々のタイプがあるが、その中でも単結晶Ｓｉタイプ及び多結晶Ｓｉタイプが大半を占めており、単結晶Ｓｉタイプの太陽電池（光電変換装置）は、単位面積当たりのエネルギー変換効率に優れている。
【０００３】
また、従来からのａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）タイプのみの薄膜太陽電池に加えて、近年、ａ−Ｓｉ膜とμｃ−Ｓｉ（微結晶シリコン）とを積層して変換効率の向上を図るタンデム型薄膜太陽電池が開発されている。微結晶ＳｉはアモルファスＳｉと比べて、その電子移動度が極めて高いからである。
【０００４】
上記Ｓｉ薄膜は、プラズマＣＶＤ法により形成される。このような薄膜を形成するための装置として、多くの従来技術が知られているが、例えば、製造コストやメンテナンスコストを低くすることを目的としたＣＶＤ装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
しかるに、例えば微結晶Ｓｉ膜を形成する場合には、シランガスを用いて、プラズマＣＶＤ法により形成するが、微結晶Ｓｉ膜を形成する際に副生成物としてポリシラン類が生成されてしまう。この生成ポリシラン類は、例えば、粒径３７ｎｍ程度の超微粉であり、装置内やその内壁に、装置内部品に、排気用等の配管内やその内壁に、また、真空ポンプ内に堆積・付着する。そのため、雰囲気の状態により、最悪の場合には粉塵爆発を起こす危険性があるので、各種の対策が取られている。
【０００６】
例えば、アモルファスＳｉ膜を形成する際に反応容器内に大量のポリシラン類が発生することから、急激に反応容器内を排気する場合、粉塵爆発などを起こす危険性があるために、通常スロー排気を行うが、それでもスロー排気径路が詰まるという問題が生じるので、スロー排気径路に不活性ガス導入用配管を設け、スロー排気時に不活性ガスをスロー排気する径路に流すことが提案されている（例えば、特許文献２参照）。しかし、スロー排気径路の詰まりが防止されたとしても、粉塵災害の可能性はなくならないという問題がある。
【０００７】
また、被処理物上に堆積膜を形成するための反応容器と反応容器内を排気する排気手段との間に切り替え手段を介し、この排気手段が、膜堆積時に使用する膜堆積用排気系と、反応容器のクリーニング時に使用するドライエッチング用排気系の少なくとも２つの排気系を有し、膜堆積時と反応容器のクリーニング時において、排気系を切り替え可能に構成し、この反応容器と切り替え手段との間に設けられた粉体トラップにより、膜堆積時に発生する副生成物を捕獲することが提案されている（例えば、特許文献３参照）。この特許文献には、オイルトラップを用いることが記載されているが、オイルが何であるかは示唆されていない。
【０００８】
しかしながら、特許文献３のように、反応容器と切り替え手段との間に、粉体トラップを設けたとしても、排気しながら成膜しているので、成膜プロセスの径路全体に形成されるポリシラン類等の副生成物を必ずしも全て処理することはできず、ポリシラン類による粉塵爆発の危険性は残っている。従って、より完全にポリシラン類を処理することが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−１３９５２４号公報
【特許文献２】特開平０８−２８３９４６号公報
【特許文献３】特開２００８−２１４６６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の課題は、上述の従来技術の問題点を解決することにあり、特にＣＶＤ法により微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を形成する際に副生成物として形成されるポリシラン類を安全に処理する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のポリシラン類の処理方法は、プラズマＣＶＤ法により、基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を処理する方法であって、該真空ポンプ内へ潤滑油から選ばれた有機溶媒を注入・充填し、所定の時間放置し、次いで該真空ポンプを分解し、ポリシラン分散有機溶媒が付着している分解された構成部品を洗浄油で洗浄することを特徴とする。
【００１２】
本発明のポリシラン類の処理方法はまた、プラズマＣＶＤ法により、基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、該真空チャンバー内に設置されている部品に堆積・付着するポリシラン類を処理する方法であって、該部品に対して潤滑油から選ばれた有機溶媒を適用し、次いで洗浄油を入れたシンク内にポリシラン分散有機溶媒が付着している部品を入れ、この部品を洗浄油で洗浄することを特徴とする。
【００１３】
本発明のポリシラン類の処理方法はさらに、プラズマＣＶＤ法により、基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、該真空チャンバー内、該真空チャンバー内に配置された部品、該真空チャンバーから該真空排気系までの配管内、及び該真空排気系の真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を有機溶媒に分散させ、処理することを特徴とする。
【００１４】
本発明のポリシラン類の処理方法はさらにまた、Ｓｉ基板が載置され、真空排気系を備えた減圧可能な真空チャンバーを用いて、シランガスを導入し、プラズマＣＶＤ法により、該基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、該真空チャンバー内で副生成物として生成し、該真空チャンバー内、該真空チャンバー内に配置された部品、該真空チャンバーから該真空排気系までの配管内、及び該真空排気系の真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を有機溶媒に分散させ、処理することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ＣＶＤ法により微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を形成する際に副生成物として形成されるポリシラン類を安全に処理することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】光電変換装置の製造方法の一形態を説明するための断面図。
【図２】光電変換装置の製造方法の別の形態を説明するための断面図。
【図３】実施例１における真空ポンプ内のポリシラン類の処理プロセスを説明するための写真。
【図４】実施例１において得られた構成部品の洗浄結果を示す写真。
【図５】実施例２における真空ポンプ内のポリシラン類の処理プロセスを説明するための写真。
【図６】実施例３におけるポリシラン類の付着した部品の処理プロセスを説明するための写真。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明に係るポリシラン類の処理方法の第一の実施の形態によれば、この処理方法は、Ｓｉ基板が載置され、真空排気系を備えた減圧可能な真空チャンバーを有する成膜装置を用いて、真空チャンバー内にシランガスを導入し、プラズマＣＶＤ法により、Ｓｉ基板上に微結晶シリコン膜及び／又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、真空排気系のドライポンプ等の真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を処理する方法であって、真空チャンバーから取り外した真空ポンプ内へ、以下述べるような鉱物油等の潤滑油から選ばれた有機溶媒を注入・充填し、所定の時間放置し、次いで真空ポンプを分解し、ポリシラン分散潤滑油が付着している分解された構成部品を、以下述べるような洗浄油で洗浄処理することからなる。
【００１８】
本発明に係るポリシラン類の処理方法の第二の実施の形態によれば、この処理方法は、Ｓｉ基板が載置され、真空排気系を備えた減圧可能な真空チャンバーを有する成膜装置を用いて、真空チャンバー内にシランガスを導入し、プラズマＣＶＤ法により、Ｓｉ基板上に微結晶シリコン膜及び／又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、真空チャンバー内に設置されている各種部品（例えば、基板を載置し、搬送する搬送用トレイ、電極等）に堆積・付着するポリシラン類を処理する方法であって、部品に対して、以下述べるような鉱物油（例えば、潤滑油）等から選ばれた有機溶媒を適用し（例えば、真空チャンバー内へ有機溶媒を供給し）、このポリシラン分散有機溶媒が付着している部品を取り出し、次いで以下述べるような洗浄油を入れたシンク内にポリシラン分散潤滑油が付着している部品を入れ、この部品を洗浄油で洗浄処理することからなる。配管に関しても、部品の場合と同様にシンク浸漬で処理できる。
【００１９】
本発明に係るポリシラン類の処理方法の第三の実施の形態によれば、この処理方法は、Ｓｉ基板が載置され、真空排気系を備えた減圧可能な真空チャンバーを有する成膜装置を用いて、真空チャンバー内にシランガスを導入し、プラズマＣＶＤ法により、Ｓｉ基板上に微結晶シリコン膜及び／又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、真空チャンバー内やその内壁、真空チャンバー内に配置された上記した各種部品、真空チャンバーから真空排気系までの排気用配管内やその内壁、並びに真空排気系のドライポンプ等の真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を、以下述べるような鉱物油等から選ばれた有機溶媒に分散させ、次いで以下述べるような洗浄油で洗浄処理することからなる。
【００２０】
上記したような副生成物としてのポリシラン類は、例えば、枚葉式ＰＥ−ＣＶＤ装置、インライン型ＰＥ−ＣＶＤ装置、バッチ型ＰＥ−ＣＶＤ装置等のプラズマＣＶＤ装置を用い、太陽電池等で利用するＳｉ膜（半導体層）を形成する際に形成される。
【００２１】
以下プラズマＣＶＤ装置の例について説明し、形成されたポリシラン類の処理について言及する。
【００２２】
上記プラズマＣＶＤ装置の第一の例として、例えば、真空中で基板に所望の膜を成膜する成膜室（真空チャンバー）と、成膜室に第一開閉部を介して固定され、真空排気可能な仕込・取出室とを備えた成膜装置であって、仕込・取出室の第一開閉部と対向する面に設けられた第二開閉部と、基板を被成膜面が重力方向と略並行を成すように保持するキャリアとを有し、キャリア又は基板が第二開閉部を通って仕込・取出室に搬入・搬出され、仕込・取出室に、複数のキャリアが並列に配置され、仕込・取出室と成膜室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出され、成膜室で、複数のキャリアに保持された複数の基板に同時に成膜を行うことからなる成膜装置を用いて、基板上に、例えば微結晶シリコン膜を形成する場合、微結晶シリコン層の形成時に副生成物としてポリシラン類が大量に形成される。
【００２３】
上記したポリシラン類は、成膜室内、その内壁及び成膜室内に設置された各種部品に堆積・付着すると共に、排気用配管内やその内壁に堆積・付着し、また、真空ポンプ内に堆積・付着し、上記したような粉塵爆発等という問題が発生する可能性が高いので、その対策が必要になる。
【００２４】
また、上記プラズマＣＶＤ装置の第二の例として、真空中で基板に対して所望の膜を成膜する成膜室（真空チャンバー）と、成膜室に第一開閉部を介して固定され、真空排気可能な仕込・取出室と、仕込・取出室と第二開閉部を介して固定され、基板を保持可能に構成されたキャリアに対して基板を脱着する基板脱着室とを備えた成膜装置であって、キャリアが、基板を被成膜面が重力方向と略並行を成すように保持し、基板脱着室内に、複数のキャリアが並列に配置され、基板脱着室と仕込・取出室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出され、仕込・取出室と成膜室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出され、成膜室で、複数のキャリアに保持された複数の基板に同時に成膜を行う成膜装置を用いて、基板上に、例えば微結晶シリコン膜を形成する場合、微結晶シリコン層の形成時に副生成物としてポリシラン類が大量に形成される。
【００２５】
この第二の例のＣＶＤ装置の場合にも、ポリシラン類が、成膜室内、その内壁及び成膜室内に設置された各種部品に堆積・付着すると共に、排気用配管内やその内壁に堆積・付着し、また、真空ポンプ内に堆積・付着し、上記したような粉塵爆発等という問題が発生する可能性が高いので、その対策が必要になる。
【００２６】
次に、上記した微結晶シリコン膜等を堆積して、太陽電池に利用する光電変換装置を作製する場合について、ＷＯ２０１０／０２９４７を参照して説明し、副生成物として生成されるポリシラン類の処理について言及する。
【００２７】
この光電変換装置の第一製造システムを図１に示す。第一製造システムは、図１に示すように、インライン型の第一成膜装置（真空チャンバー）６０と、バッチ式の第二成膜装置（真空チャンバー）７０Ａと、第一成膜装置６０で処理したＳｉ基板のような基板を大気（空気）に曝した後に第二成膜装置７０Ａへ移動する暴露装置８０Ａとから構成される。
【００２８】
第一製造システムにおける第一成膜装置６０には、基板が搬入され、内部圧力を減圧するロード室（Ｌ）６１が配置されている。なお、ロード室６１の後段に、成膜プロセスに応じて、基板温度を一定温度まで加熱する加熱チャンバーを設けても良い。
【００２９】
引き続き、第一光電変換ユニットのｐ型半導体層を形成するｐ層成膜反応室６２、ｉ型シリコン層（非晶質シリコン層）を形成するｉ層成膜反応室６３、ｎ型半導体層を形成するｎ層成膜反応室６４、第二光電変換ユニットのｐ型半導体層を形成するｐ層成膜反応室６５が連続して直線状に配置されている。
【００３０】
最後に、減圧雰囲気を大気雰囲気に戻して基板を搬出するアンロード室（ＵＬ：搬出装置）６６がｐ層成膜反応室６５に接続されている。
【００３１】
これにより、ロード室６１、ｐ層成膜反応室６２、ｉ層成膜反応室６３、ｎ層成膜反応室６４、ｐ層成膜反応室６５、アンロード室６６の間は、減圧雰囲気を維持して基板を搬送することができる。
【００３２】
この際、図１に示すＡ地点においては、透明導電膜が形成された絶縁性透明基板が準備される。
【００３３】
また、図１に示すＢ地点においては、透明導電膜上に、上記第一光電変換ユニットのｐ型半導体層、ｉ型シリコン層（非晶質シリコン層）、及びｎ型半導体層と、第二光電変換ユニットのｐ型半導体層が設けられた光電変換装置の第一中間品が形成される。
【００３４】
また、第一製造システムにおける暴露装置８０Ａは、大気雰囲気（空気雰囲気）において、ｐ型半導体層の表面が露出している第一中間品を一時的に載置したり或いは保管したりするために用いる棚である。また、暴露装置８０Ａは、複数の第一中間品を一つの纏まりとして取り扱うために用いる基板収容カセットでもよい。また、暴露装置８０Ａは、第一成膜装置６０から第二成膜装置７０Ａに向けて第一中間品を大気雰囲気において搬送する搬送機構（大気搬送機構）を有してもよい。また、第一製造システムがクリーンルームにおいて稼動している場合には、湿度、温度、或いは単位体積あたりのパーティクル量等が制御されたクリーンルーム内の空気雰囲気において、暴露装置８０Ａは第一中間品を暴露させている。
【００３５】
さらに、第一製造システムにおける第二成膜装置７０Ａは、ロード・アンロード室（Ｌ／ＵＬ）７１とｉｎ層成膜反応室７２とを有する。このロード・アンロード室は、第一成膜装置６０で処理された光電変換装置の第一中間品を搬入し、基板が搬入された後に内部圧力を減圧したり、基板を搬出する際に、減圧雰囲気を大気雰囲気に戻したりする機能を有する。このｉｎ層成膜反応室７２は、ロード・アンロード室７１に続いて接続されている。
【００３６】
ｉｎ層成膜反応室７２においては、第二光電変換ユニットのｐ型半導体層上に、第二光電変換ユニットのｉ型シリコン層（結晶質シリコン層）及びｎ型半導体層が順次に同じ反応室内で形成される。
【００３７】
また、この成膜処理は複数の基板に対して同時に行われる。
【００３８】
この際、図１に示すＣ地点において、第一光電変換ユニット上に、第二光電変換ユニットが設けられた光電変換装置の第二中間品が形成される。
【００３９】
また、図１に示すように、インライン型の第一成膜装置６０においては、２つの基板に対して同時に成膜処理が行われ、ｉ層成膜反応室６３は４つの反応室６３ａ、６３ｂ、６３ｃ、６３ｄによって構成されている。
【００４０】
また、図１において、バッチ型の第二成膜装置７０Ａは、６つの基板を同時に処理するように構成されている。
【００４１】
上記したように、インライン型の第一成膜装置（ＣＶＤ装置：真空チャンバー）６０においてアモルファスシリコンのｐｉｎ発電層と微結晶シリコンのｐ層とを形成した後、バッチ型の第二成膜装置（ＣＶＤ装置：真空チャンバー）７０Ａにおいて微結晶シリコンのｉｎ層を形成する。この微結晶シリコン層の形成時に、特にバッチ型のＣＶＤ装置での微結晶シリコン層の形成時に、副生成物としてポリシラン類が大量に形成される。そして、このポリシラン類が、成膜装置（真空チャンバー）内、その内壁及び成膜装置内に設置された各種部品に堆積・付着すると共に、排気用配管内やその内壁に堆積・付着し、また、真空ポンプ内に堆積・付着し、上記したような粉塵爆発等の問題が発生する可能性が高いので、その対策が必要になる。なお、インライン型の装置の場合も、副生成物としてポリシラン類が形成されるので、この場合もバッチ型のＣＶＤ装置の場合と同様な問題が生じる可能性があるので、その対策が必要である。インライン装置で対策してもよい。
【００４２】
次に、上記光電変換装置の第二製造システムを図２に示す。第二製造システムは、図２に示すように、第一成膜装置（ＣＶＤ装置：真空チャンバー）６０と、第二成膜装置（ＣＶＤ装置：真空チャンバー）７０Ｂと、第一成膜装置６０で処理した基板を大気（空気）に曝した後に第二成膜装置７０Ｂへ移動する暴露装置８０Ｂとから構成される。
【００４３】
第二製造システムにおける第一成膜装置６０は、第一製造システムにおける第一成膜装置６０と同様に、基板が搬入された後に内部圧力を減圧するロード室（Ｌ）６１を有する。なお、ロード室６１の後段に、プロセスに応じて、基板温度を一定温度まで加熱する加熱チャンバーを設けても良い。
【００４４】
引き続き、第一光電変換ユニットのｐ型半導体層を形成するｐ層成膜反応室６２、ｉ型シリコン層（非晶質シリコン層）を形成するｉ層成膜反応室６３、ｎ型半導体層を形成するｎ層成膜反応室６４、第二光電変換ユニットのｐ型半導体層を形成するｐ層成膜反応室６５が連続して直線状に配置されている。
【００４５】
最後に、減圧雰囲気を大気雰囲気に戻して基板を搬出するアンロード室（ＵＬ）６６がｐ層成膜反応室６５に接続されている。
【００４６】
これにより、ロード室６１、ｐ層成膜反応室６２、ｉ層成膜反応室６３、ｎ層成膜反応室６４、ｐ層成膜反応室６５、アンロード室６６の間は、減圧雰囲気を維持して基板を搬送することができる。
【００４７】
この際、図２に示すＤ地点において、透明導電膜が成膜された絶縁性透明基板が準備される。
【００４８】
また、図２に示すＥ地点においては、透明導電膜上に第一光電変換ユニットのｐ型半導体層、ｉ型シリコン層（非晶質シリコン層）、及びｎ型半導体層と、第二光電変換ユニットのｐ型半導体層の各層が設けられた光電変換装置の第一中間品が形成される。
【００４９】
また、第二製造システムにおける暴露装置８０Ｂの構成は、第一製造システムにおける暴露装置８０Ａと同じである。この暴露装置８０Ｂは、第一成膜装置６０から第二成膜装置７０Ｂに向けて第一中間品を大気雰囲気において搬送する搬送機構（大気搬送機構）を有してもよい。
【００５０】
また、第二製造システムにおける第二成膜装置７０Ｂは、環状に配置されたロード・アンロード室７３、ｉ層成膜反応室７４、ｎ層成膜反応室７５、及び中間室７７を有する。
【００５１】
ロード・アンロード室７３は、第一成膜装置６０で処理された光電変換装置の第一中間品が搬入された後に内部圧力を減圧したり、基板を搬出する際に減圧雰囲気を大気雰囲気に戻したりする。
【００５２】
引き続き、このロード・アンロード室７３を介して、基板は、中間室７７に搬入される。また、中間室７７とｉ層成膜反応室７４との間、中間室７７とｎ層成膜反応室７５との間を搬送される。
【００５３】
ｉ層成膜反応室７４においては、第二光電変換ユニットのｐ型半導体層上に、第二光電変換ユニットのｉ型シリコン層（結晶質シリコン層）が形成される。また、ｎ層成膜反応室７５においては、ｉ型シリコン層（結晶質シリコン層）上に、ｎ型半導体層が形成される。
【００５４】
ｉ層成膜反応室７４及びｎ層成膜反応室７５の各々においては、ｉ型シリコン層、及びｎ型半導体層のうちの一つの層が一枚の基板に形成される。
【００５５】
また、中間室７７に設けられた搬送装置（不図示）は、ｉ型シリコン層及びｎ型半導体層を積層するために、反応室７４および７５の各々に基板を搬送したり、反応室の各々から基板を搬出したりする。
【００５６】
なお、第二成膜装置７０Ｂは、成膜プロセスに応じて、基板温度を一定温度まで加熱する加熱チャンバーを有しても良い。
【００５７】
この際、図２に示すＦ地点において、第一光電変換ユニット上に第二光電変換ユニットが設けられた光電変換装置の第二中間品が形成される。
【００５８】
また、図２において、インライン型の第一成膜装置６０においては、２つの基板に対して同時に成膜処理が行われ、ｉ層成膜反応室６３は４つの反応室６３ａ、６３ｂ、６３ｃ、６３ｄによって構成されている。
【００５９】
また、図２において、枚葉型の第二成膜装置７０Ｂにおいては、７つの基板が同時に各反応室において処理される。
【００６０】
そして、図２において、ｉ層成膜反応室７４は６つの反応室７４ａ、７４ｂ、７４ｃ、７４ｄ、７４ｅ、及び７４ｆによって構成されている。
【００６１】
第二光電変換ユニットを構成するｉ型シリコン層は、ｎ型半導体層に比べて膜厚が大きいため、ｎ型半導体層を形成する場合よりも成膜時間が長い。
【００６２】
そのため、ｉ層成膜反応室７４の反応室の個数に依存して、光電変換装置を生産するスループットが決まる。
【００６３】
上記のように枚葉型の第二成膜装置７０Ｂにおいては、ｉ層成膜反応室７４が６つの反応室を有することにより、複数の基板に対して同時にｉ型シリコン層を形成することが可能となり、スループットが向上する。
【００６４】
以上のような光電変換装置の製造方法によれば、第一成膜装置６０において非晶質光電変換装置である第一光電変換ユニットのｐ層、ｉ層、ｎ層の上に結晶質光電変換装置である第二光電変換ユニットのｐ層を形成している。また、第二成膜装置７０Ａ、７０Ｂにおいて第二光電変換ユニットのｉ層、ｎ層を形成している。これによって、第二光電変換ユニットのｉ層の結晶化率分布のコントロールを容易にすることができる。
【００６５】
また、上記においては、大気中に露呈されたｐ型半導体層上に、第二光電変換ユニットを構成するｉ型シリコン層（結晶質シリコン層）、ｎ型半導体層を形成する際、このｉ層を形成する前に、大気中に露呈された第二光電変換ユニットのｐ層を、水素ラジカルを含むプラズマに曝すことが望ましい（水素ラジカルプラズマ処理）。
【００６６】
水素ラジカルプラズマ処理として、水素ラジカルプラズマ処理室を予め準備し、第二光電変換ユニットのｐ層が形成された基板をこのプラズマ処理室に搬送し、ｐ層をプラズマに曝す方法が挙げられる。また、水素ラジカルプラズマ処理の後には、第二光電変換ユニットを構成するｉ型シリコン層（結晶質シリコン層）及びｎ型半導体層が個別の反応室で成膜される。
【００６７】
一方、水素ラジカルプラズマ処理として、水素ラジカルプラズマ処理と、第二光電変換ユニットのｉ層及びｎ層を形成する処理とを連続して同じ反応室内において行なってもよい。
【００６８】
ここで、第二光電変換ユニットのｉ層及びｎ層を形成する処理と水素ラジカルプラズマ処理と連続して同じ処理室内で行なう場合、ｉ層を形成する前に、反応室の内壁を、水素ラジカルを含むプラズマに曝すことにより、前回のｎ層を成膜する際に導入された残留不純物ガスＰＨ３を分解して除去することが可能である。
【００６９】
従って、第二光電変換ユニットのｉ層及びｎ層の成膜工程を同じ処理室内で繰り返して行なった場合であっても、良好な不純物プロファイルが得られ、良好な発電効率の積層薄膜光電変換装置を得ることができる。
【００７０】
また、第二光電変換ユニットのｐ層に対して施す水素ラジカルプラズマ処理においては、プロセスガスとしてＨ２ガス（水素ガス）を用いると望ましい。すなわち、水素ラジカルプラズマを生成するには、Ｈ２を処理室内に流入させた状態で、処理室内の電極間に、例えば１３．５ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、４０ＭＨｚ等の高周波を印加することにより有効にプラズマを生成することができる。
【００７１】
また、上述した第二成膜装置７０Ａ、７０Ｂにおいては、水素ラジカルプラズマ処理に用いるＨ２ガスを処理室（反応室）内に供給するガスボックス（ガス導入部）及びガスライン（ガス導入部）が設けられている。また、処理室には、マスフローコントローラ（ガス導入部）が接続されており、ガスボックス及びガスラインを通じて供給されたＨ２ガスの流量が制御され、制御された流量のガスが処理室内に供給される。
【００７２】
このように水素ラジカルプラズマ処理を施すと、Ｏラジカルに比して穏やかな反応が生じるため、下層にダメージを与えることなく、第二光電変換ユニットのｐ層の表面を活性化させる効果がある。
【００７３】
従って、第二光電変換ユニットのｐ層の表面を活性化させることが可能となり、その上に積層される第二光電変換ユニットのｉ層及びｎ層の結晶を有効に生成することができる。大面積の基板に第二光電変換ユニットを形成する場合であっても、均一な結晶化率分布を得ることが可能となる。
【００７４】
また、第一光電変換ユニットのｎ層と第二光電変換ユニットのｐ層としては、非晶質のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層に微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）が分散された層でも、非晶質のアモルファス酸化シリコン（ａ−ＳｉＯ）層に微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）が分散された層でもよい。
【００７５】
しかし、基板の大面積化の際に必要とされる均一な結晶化分布率、即ち、結晶質光電変換層のｉ層とｎ層の結晶成長核の生成による均一な結晶化分布率を得るためには、非晶質のアモルファス酸化シリコン（ａ−ＳｉＯ）層に微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）が分散された層を採用することが好ましい。
【００７６】
このように、非晶質のアモルファス酸化シリコン（ａ−ＳｉＯ）層に微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）が分散された層は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）半導体層よりも低い屈折率が得られるように調整することが可能である。
【００７７】
そこで、この層を波長選択反射膜として機能させ、短波長光をトップセル側に閉じ込めることによって変換効率を向上させることが可能である。
【００７８】
また、この光を閉じ込める効果の有無に拠らず、非晶質のアモルファス酸化シリコン（ａ−ＳｉＯ）層に微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）が分散された層は、水素ラジカルプラズマ処理によって第二光電変換ユニットのｉ層とｎ層の結晶成長核の生成を有効に働かせ、大面積の基板においても均一な結晶化率分布を得ることが可能となる。
【００７９】
また、本発明においては、第一光電変換ユニットを構成するｎ層として、結晶質のシリコン系薄膜を形成してもよい。すなわち、アモルファスシリコンの第一光電変換ユニットのｐ層、ｉ層の上に、微結晶シリコンのｎ層及び微結晶シリコンの第二光電変換ユニットのｐ層を形成する。
【００８０】
この際、非晶質の第一光電変換ユニットのｐ層、ｐ層の上に形成される非晶質のｉ層、ｉ層の上に形成される結晶質のｎ層、及びｎ層の上に形成される第二光電変換ユニットのｐ層は、大気開放することなく連続して形成することが望ましい。
【００８１】
特に、第一光電変換ユニットのｐ層、ｉ層、及びｎ層を形成した後に大気開放し、別の反応室で第二光電変換ユニットのｐ層、ｉ層、ｎ層を形成する方法では、基板を大気開放し放置する時間、温度、雰囲気等に起因して、第一光電変換ユニットのｉ層が劣化し、素子性能が低下してしまう。
【００８２】
従って、第一光電変換ユニットのｐ層、ｉ層を形成した後、大気開放することなく連続して結晶質のｎ層、及び第二光電変換ユニットのｐ層を形成する。
【００８３】
このように、結晶質のｎ層、及び第二光電変換ユニットのｐ層を形成した基板を、個別の反応室又は同じ反応室において水素ラジカルプラズマ処理を行い、表面を活性化させて結晶核を生成し、引き続いて結晶質の第二光電変換ユニットのｉ層、ｎ層を積層することにより、良好な発電効率の積層薄膜光電変換装置を得ることができる。
【００８４】
なお、図２には、第二光電変換ユニットのｉ層、ｎ層の各々を、個別の反応室７４、７５において成膜する例が示されているが、個別の反応室７４、７５の各々において、ｉ層、ｎ層を連続して成膜する方式を採用してもよい。
【００８５】
上記した第二製造システムにおいても、微結晶シリコン層（ｎ層、ｐ層）を形成する際に、第一製造システムの場合と同様に、微結晶シリコン層の形成時に副生成物としてポリシラン類が大量に形成される。そして、このポリシラン類が、装置内やその内壁及び装置内に設置された各種部品に堆積・付着すると共に、排気用配管内やその内壁に堆積・付着し、また、真空ポンプ内に堆積・付着し、上記したような粉塵爆発等の問題が発生する可能性が高いので、その対策が必要になる。
【００８６】
上記したＣＶＤ装置以外の公知の微結晶シリコン膜を形成するプラズマＣＶＤ装置の場合にも、微結晶シリコン膜の形成時に、副生成物としてポリシラン類が形成され、上記と同様な問題が生じる可能性が高いので、同様な対策を取ることが必要であることは議論するまでもないであろう。
【００８７】
次に、微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜の形成時に副生成物として形成されるポリシラン類の処理方法について説明する。
【００８８】
太陽電池等の技術分野で、プラズマＣＶＤ法により、シランを用いて微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を形成する際に、真空チャンバー内で副生成物としてポリシラン類が生成し、このポリシラン類がチャンバー内やその内壁、チャンバー内に設置されている各種部品に堆積・付着すると共に、排気用等の配管内やその内壁に堆積・付着し、また、真空ポンプ（ドライポンプ）内に堆積・付着して、所定の濃度になると粉塵爆発の恐れがあることは知られている。
【００８９】
本発明者の検討によれば、上記のような粉塵爆発は、例えば、真空チャンバー内に配置されている電極等の影響で、付着したポリシラン類がチャンバー内壁から剥離（崩落）する際に発生する静電気（崩落電位）により、このポリシラン類に着火して惹起されることが解った。また、配管内や真空ポンプ（ドライポンプ等）内に堆積したポリシラン類も静電気などを着火源として爆発する可能性がある。なお、真空ポンプ内にポリシラン類が堆積してしまうと、ポンプが動かなくなるので、オーバーホールが必要となるが、その際にオーバーホール工場等に搬送する途中でも爆発の危険性がある。
【００９０】
ポリシラン類を単に燃焼させるだけでは危険であるので、従来は、上記したように、このポリシラン類の生成を抑制したり、トラップして除去したりしているが、満足すべき解決策はない。例えば、上記崩落電位を消失させるために、水やスチームで処理しても、ポリシラン類が疎水性であるために、完全に水で濡らすことが困難であるため、問題の解決にはならない。その上、水が存在すると水素ガスが発生する恐れがあるために、別の意味で危険である。
【００９１】
本発明者の検討によれば、上記問題を解決するには、例えば、（１）アニオン系、カチオン系、及び／又はノニオン系界面活性剤（水系）により処理する方法、（２）鉱物油等の油系材料＋ノニオン系界面活性剤により処理する方法、（３）鉱物油等を含む有機溶媒により処理する方法、（４）精製油等の香料用溶剤（油系材料）により処理する方法、及び（５）燃焼法等が考えられる。
【００９２】
（１）の処理方法は、１剤で不燃化でき、低コストであるという利点はあるが、界面活性剤が水系であれば、ポリシラン類が水分と接触すると、アルカリ性でも酸性でも水素ガスが発生する恐れがあるので、危険がないとは言えないと共に、使用する界面活性剤の種類によっては高価であるという欠点がある。この界面活性剤としては、上記したようなものを使用できるが、泡立ちが少なく、臨界ミセル濃度（ＣＭＣ）が小さいため洗浄力が強いノニオン系界面活性剤が好ましい。
【００９３】
（２）の処理方法は、不燃化洗浄が簡単にでき、界面活性剤廃液の処理が楽であるという利点はあるが、高コスト（油を洗浄する界面活性剤は高価）であり、かつ界面活性剤が水系であれば、ポリシラン類がその水分と接触すると、上記と同様に水素ガスを発生する恐れがある。
【００９４】
（３）の処理方法は、水素発生がなく、低コストであり、使用する油を繰り返し使用することができる（ポリシラン類は、油中に凝集して分散しているので、濾過が可能である）という利点はあるが、２剤の搬送油／洗浄油が必要であると共に、洗浄後の廃油処理が必要であるという欠点がある。
【００９５】
（４）の処理方法は、１剤で不燃化洗浄ができ、水素発生がないという利点はあるが、高コスト、廃溶剤処理が必要であると共に、引火点が常温付近であり、取り扱い方に難点がある。
【００９６】
（５）の処理方法は、特に真空ポンプ（ドライポンプ）の場合はその構造が複雑であることから、燃え残りができ、また、その作業が危険であるという欠点がある。
【００９７】
上記処理方法において、特に真空ポンプの場合は、真空チャンバーから取り外し、オーバーホール工場等へ搬送し、そこで解体・洗浄処理を行うが、その輸送途中でも爆発の危険があるので、そのような危険を回避できる対策を考えることが必要である。
【００９８】
従って、ポリシラン類の処理には、一応、上記（１）〜（４）の処理方法が可能であり、特に、近年の廃油処理工場の増加に鑑みれば、上記（３）の処理方法が好ましい。
【００９９】
以下、上記（３）の処理方法を主体に説明する。
【０１００】
生成するポリシラン類は、粒径３７ｎｍ程度の超微粉であるので、鉱物油等を含めた有機溶媒中に分散する。
【０１０１】
そこで、真空チャンバー内に堆積し、その内壁に付着しているポリシラン類に対しては、有機溶媒を吹き付けて剥離させ、この有機溶媒中に分散せしめたポリシラン類を取り出して、輸送し、所定の場所で処理する。すなわち、ポリシラン類含有有機溶媒を濾過し、ポリシラン類を取り除いて、この有機溶媒を再利用する。
【０１０２】
また、真空チャンバー内に配置された部品に対しては、取り外した後、シンクなどに入れた鉱物油等の有機溶媒中に浸漬して輸送し、所定の場所で、部品に付着したポリシラン類分散有機溶媒を洗浄油で洗浄処理する。また、配管に関しても、部品の場合と同様に洗浄処理可能である。
【０１０３】
さらに、真空ポンプ（ドライポンプ）に対しては、真空チャンバーから取り外し、上部シリンダーの吸気口を開け、鉱物油等の有機溶媒を注入・充填し、吸気口を閉じ、処理工場等へ輸送し、所定の時間放置した後、分解し、ポリシラン類分散有機溶媒を洗浄油で洗浄して、オーバーホールする。その後、組み立てて再使用する。
【０１０４】
以下、本発明で用いることができる鉱物油等の有機溶媒について説明する。ポリシラン類は、疎水性の物質であり、有機溶媒に分散可能である。この有機溶媒は、ポリシラン類を分散した状態で水素ガスを発生しないものであれば良く、例えば、水分を含んでいないものが好ましい。また、引火点は、処理作業中に引火しないものであれば良く、室温以上、例えば４０〜４５℃以上であれば好ましく、動粘度は、真空ポンプ内への浸透性を考えれば、低い方が好ましく、例えば４０℃で６５ｍｍ２／ｓ以下、好ましくは４０ｍｍ２／ｓ以下であれば良い。さらに、この有機溶媒は、成分中に不飽和結合を有していない方が好ましい。なお、粘度が高いものについては、使用時に所定の温度に加熱して、粘度を下げて使用することができる。
【０１０５】
本発明で用いることができる有機溶媒としては、例えば、シクロヘキサノン、４−ヒドロキシン−４−メチル−２−ペンタノン、３，５，５−トリメチル−２−シクロセキセン−１−オン、２，６−ジメチル−４−ヘブタノン等のケトン系溶媒；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノｔｅｒｔ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブタノール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、アニソール、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエーテル系溶媒；ヘビーアロマティック（ＨＡ−１００、ＨＡ−１５０、ＨＡ−１８０）、メシチレン、エチルベンゼン、クロルベンゼン、オルト−ジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の脂環式炭化水素系溶媒；ジクロロメタン、トリクロロエチレン、１，１，２，２−テトラクロルエチレン、１，２−ジクロルベンゼン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸セロセルブ（エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート）、エチル−３−エトキシプロピオネート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート等のエステル系溶媒；コールタール、石油ベンゼン、テレビン油、及びミネラルスピリット等の石油系溶媒；シリコンオイル；流動パラフィン等のパラフィン系溶媒等；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、４−メチルアミノラクタム、ジメチルスルフォキシド等の溶媒；アルコール系溶媒；及びこれら溶媒の２種以上の組み合わせたものを挙げることができる。その他に、香油、例えば、天然の芳香物質及び合成の芳香物質の混合物でも良いし、上記しなかったものでも、本発明の目的を達成できるものであれば使用できることは勿論である。
【０１０６】
さらに、上記と一部重複するが、機械油として使用されているタービン油、ギヤー油、スピンドル油、及び潤滑油等も、また、これらのベース油も使用できる。
【０１０７】
上記潤滑油としては、例えば、出光興産株式会社製のダフニー（登録商標）オイル及びダフニーメカニックオイル３２、４６（商品名）並びにダイアナフレシアＷ−８（商品名）等、また、ダフニーメカニックオイルやダイアナフレシア等から添加物を抜いたベースオイル等を使用できる。また、油回転真空ポンプ用のポンプ油としての石油系鉱物油であるアルボイルＲ−４、Ｒ−７、Ｒ−８０（株式会社アルバック製；商品名）等及びそのベースオイル等も使用できる。
【０１０８】
本発明によれば、上記部品や配管や真空ポンプに付着したポリシラン類分散有機溶媒を洗浄油で洗浄する。
【０１０９】
この洗浄油としては、ポリシラン類分散有機溶媒を洗浄できれば良く、上記した有機溶媒の中から、適宜選択して使用できる。但し、動粘度は低い方が好ましい。例えば、パラフィン系溶剤が好ましい。具体的には、例えば、石油系溶媒出光興産株式会社製のダフニーアルファクリーナーＭ及びＨ（商品名）並びにクリンスルーＬ８４１（商品名）等を使用できる。
【０１１０】
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明する。
【実施例１】
【０１１１】
公知のプラズマＣＶＤ装置を用い、真空チャンバー内に、公知のプロセス条件で、シランガスを流し、Ｓｉ基板上に微結晶シリコン膜を形成したところ、副生成物としてポリシラン類が大量に形成され、真空ポンプ（ドライポンプ）内にも大量に堆積していた。そこで、図３（ａ）〜（ｆ）に示すプロセスを経て真空ポンプ内のポリシラン類を処理した。
【０１１２】
すなわち、真空チャンバーから真空ポンプを取り外し、上部シリンダーの吸気口を開け、潤滑油として、出光興産株式会社製のダフニー（登録商標）メカニックオイル３２及び４６（商品名）のそれぞれを真空ポンプ内へ注入して充填し、吸気口を閉じ、処理工場へ輸送し、一晩放置した後、真空ポンプを分解し、各構成部品に付着していたポリシラン類分散有機溶媒を、洗浄油として出光興産株式会社製のダフニーアルファクリーナーＭ及びＨ（商品名）を用いて洗浄した。
【０１１３】
本実施例で用いた潤滑油としてのダフニーメカニックオイル３２及び４６のいずれも、また、洗浄油としてのダフニーアルファクリーナーＭ及びＨのいずれも同じ結果が得られたので、以下、ダフニーメカニックオイル３２及びダフニーアルファクリーナーＭを用いた場合の結果を代表として説明することにする。
【０１１４】
図３（ａ）は、処理工場で真空ポンプを分解する際に、ポンプの上部シリンダー吸気口を開けた状態を示し（茶色のものが、ポリシラン分散潤滑油である）、図３（ｂ）は、ポンプ上部シリンダー吸気口をウエスで拭き取った状態を示し、図３（ｃ）〜（ｆ）は、ポンプを分解した後の各構成部品の状態を示す。すなわち、図３（ｃ）は、ポンプ内のドライ上部シリンダーに付着したポリシラン分散潤滑油の状態を示し、図３（ｄ）は、ポンプ内のドライ下部シリンダーローターに付着したポリシラン分散潤滑油の状態を示し、図３（ｅ）は、ポンプ内のドライローターに付着したポリシラン分散潤滑油の状態を示し、図３（ｆ）は、ポンプ内のドライ下部シリンダーに付着したポリシラン分散潤滑油の状態を示す。
【０１１５】
図３（ｃ）〜（ｆ）から明らかなように、真空ポンプ内の構成部品全体にポリシラン分散潤滑油が浸透し、付着していることが解る。
【０１１６】
次いで、こられのポリシラン分散潤滑油が付着した構成部品を上記したようにして洗浄した。各構成部品のうちドライローターを例に取り、その洗浄状態を図４（ａ）〜（ｄ）に示す。図４（ａ）〜（ｄ）から明らかなように、ローターの表面から付着物が全て取り除かれ、清浄な表面が得られていることが解る。その他の構成部品の場合も同様な結果が得られていることが確認された。
【０１１７】
かくしてオーバーホールの終了した各構成部品を組み立てた。この真空ポンプを用い、上記したようにして、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ基板上に微結晶シリコン膜を形成した。新品の真空ポンプを用いた場合と同様に成膜プロセスを実施できた。
【実施例２】
【０１１８】
実施例１に記載の方法を繰り返した。但し、潤滑油としてはダフニーメカニックオイル６８を用い、また、洗浄油としてはダフニーアルファクリーナーＭを用いて、真空ポンプ内に堆積したポリシランを処理した。
【０１１９】
その結果を、図５（ａ）〜（ｆ）に示す。図５（ａ）は、真空ポンプ吸気口からポンプ内への潤滑油を注入する状態を示し、図５（ｂ）は、潤滑油注入後に一晩放置した後にポンプ吸気口を開けた状態を示し、図５（ｃ）〜（ｆ）は、それぞれ、ポンプを分解した後の各構成部品（ローター、シリンダー）の状態を示す。
【０１２０】
図５（ｃ）〜（ｆ）から明らかなように、潤滑油が真空ポンプの２段目までしか浸透していないことが解る。２段目までしかポリシランが到達していない場合でも、ある程度有効に処理されたものと考えられる。
【０１２１】
かくして得られた各構成部品を、実施例１に記載の方法で洗浄したところ、綺麗に洗浄でき、清浄な表面が得られた。
【実施例３】
【０１２２】
実施例１に記載の方法を繰り返した。但し、真空チャンバー内に設置されている構成部品のうち部品に付着したポリシラン類の処理を行った。
【０１２３】
真空チャンバー内に潤滑油としてダフニーメカニックオイル３２を導入し、このオイルが適用されたポリシラン類の付着した部品を取り出し、洗浄油としてダフニーアルファクリーナーＭを用いて、部品表面に付着しているポリシラン類分散潤滑油を洗浄処理した。
【０１２４】
図６に示すように、シンク内に洗浄油を注入し（図６（ａ））、このシンク内にポリシラン分散潤滑油が付着した部品を浸漬し（図６（ｂ））、シンク内で洗浄した（図６（ｃ））。この洗浄の結果、部品は清浄になり（図６（ｄ）〜（ｆ））、再利用可能であった。また、配管に関しても、上記部品と同様に処理すると清浄な面が得られた。
【実施例４】
【０１２５】
上記した第一及び第二の例のプラズマＣＶＤ装置を用いて、Ｓｉ基板上に、微結晶シリコン膜を形成した。微結晶シリコン層の形成時に副生成物としてポリシラン類が大量に形成され、このポリシラン類は、成膜室内、その内壁及び成膜室内に設置された各種部品に堆積・付着すると共に、排気用配管内やその内壁に堆積・付着し、また、真空ポンプ内に堆積・付着していた。
【０１２６】
実施例１記載の方法に準じて、形成されたポリシラン類を処理したところ、真空ポンプ内に堆積・付着していたポリシラン類は洗浄され、清浄な面を有するポンプ構成部品が得られた。
【０１２７】
また、図１及び２にそれぞれ示す第一及び第二製造システムを用い、Ｓｉ基板上に、微結晶シリコン膜を形成した。微結晶シリコン層の形成時に副生成物としてポリシラン類が大量に形成され、このポリシラン類は、成膜室内、その内壁及び成膜室内に設置された各種部品に堆積・付着すると共に、排気用配管内やその内壁に堆積・付着し、また、真空ポンプ内に堆積・付着していた。
【０１２８】
実施例１記載の方法に準じて、形成されたポリシラン類を処理したところ、真空ポンプ内に堆積・付着していたポリシラン類は洗浄され、清浄な面を有するポンプ構成部品が得られた。
【産業上の利用可能性】
【０１２９】
本発明によれば、プラズマＣＶＤ法により微結晶シリコン膜及び／又はアモルファスシリコン膜を形成する際に副生成物として形成されるポリシラン類を安全に処理することができるので、微結晶シリコン膜及び／又はアモルファスシリコン膜を利用する産業分野、特に太陽電池の産業分野で有効に利用可能である。
【符号の説明】
【０１３０】
６０ 第一成膜装置 ６１ ロード室
６２ 層成膜反応室 ６３ 層成膜反応室
６３ａ、６３ｂ、６３ｃ、６３ｄ 反応室
６４、６５ 層成膜反応室 ６６ アンロード室
７０Ａ、７０Ｂ 第二成膜装置
７１ ロード・アンロード室 ７２ 層成膜反応室
７３ ロード・アンロード室 ７４、７５ 反応室
７４ａ、７４ｂ、７４ｃ、７４ｄ、７４ｆ 反応室
７７ 中間室 ８０Ａ、８０Ｂ 暴露装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリシラン類の処理方法に関し、特にＣＶＤ法により微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を形成する際に副生成物として形成されるポリシラン類を処理する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エネルギー源として太陽電池が脚光を浴びており、エネルギーを効率的に利用できることから、その普及には目覚ましいものがある。この太陽電池には、種々のタイプがあるが、その中でも単結晶Ｓｉタイプ及び多結晶Ｓｉタイプが大半を占めており、単結晶Ｓｉタイプの太陽電池（光電変換装置）は、単位面積当たりのエネルギー変換効率に優れている。
【０００３】
また、従来からのａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）タイプのみの薄膜太陽電池に加えて、近年、ａ−Ｓｉ膜とμｃ−Ｓｉ（微結晶シリコン）とを積層して変換効率の向上を図るタンデム型薄膜太陽電池が開発されている。微結晶ＳｉはアモルファスＳｉと比べて、その電子移動度が極めて高いからである。
【０００４】
上記Ｓｉ薄膜は、プラズマＣＶＤ法により形成される。このような薄膜を形成するための装置として、多くの従来技術が知られているが、例えば、製造コストやメンテナンスコストを低くすることを目的としたＣＶＤ装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
しかるに、例えば微結晶Ｓｉ膜を形成する場合には、シランガスを用いて、プラズマＣＶＤ法により形成するが、微結晶Ｓｉ膜を形成する際に副生成物としてポリシラン類が生成されてしまう。この生成ポリシラン類は、例えば、粒径３７ｎｍ程度の超微粉であり、装置内やその内壁に、装置内部品に、排気用等の配管内やその内壁に、また、真空ポンプ内に堆積・付着する。そのため、雰囲気の状態により、最悪の場合には粉塵爆発を起こす危険性があるので、各種の対策が取られている。
【０００６】
例えば、アモルファスＳｉ膜を形成する際に反応容器内に大量のポリシラン類が発生することから、急激に反応容器内を排気する場合、粉塵爆発などを起こす危険性があるために、通常スロー排気を行うが、それでもスロー排気径路が詰まるという問題が生じるので、スロー排気径路に不活性ガス導入用配管を設け、スロー排気時に不活性ガスをスロー排気する径路に流すことが提案されている（例えば、特許文献２参照）。しかし、スロー排気径路の詰まりが防止されたとしても、粉塵災害の可能性はなくならないという問題がある。
【０００７】
また、被処理物上に堆積膜を形成するための反応容器と反応容器内を排気する排気手段との間に切り替え手段を介し、この排気手段が、膜堆積時に使用する膜堆積用排気系と、反応容器のクリーニング時に使用するドライエッチング用排気系の少なくとも２つの排気系を有し、膜堆積時と反応容器のクリーニング時において、排気系を切り替え可能に構成し、この反応容器と切り替え手段との間に設けられた粉体トラップにより、膜堆積時に発生する副生成物を捕獲することが提案されている（例えば、特許文献３参照）。この特許文献には、オイルトラップを用いることが記載されているが、オイルが何であるかは示唆されていない。
【０００８】
しかしながら、特許文献３のように、反応容器と切り替え手段との間に、粉体トラップを設けたとしても、排気しながら成膜しているので、成膜プロセスの径路全体に形成されるポリシラン類等の副生成物を必ずしも全て処理することはできず、ポリシラン類による粉塵爆発の危険性は残っている。従って、より完全にポリシラン類を処理することが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−１３９５２４号公報
【特許文献２】特開平０８−２８３９４６号公報
【特許文献３】特開２００８−２１４６６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の課題は、上述の従来技術の問題点を解決することにあり、特にＣＶＤ法により微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を形成する際に副生成物として形成されるポリシラン類を安全に処理する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のポリシラン類の処理方法は、プラズマＣＶＤ法により、基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を処理する方法であって、該真空ポンプ内へ潤滑油から選ばれた有機溶媒を注入・充填し、所定の時間放置し、次いで該真空ポンプを分解し、ポリシラン分散有機溶媒が付着している分解された構成部品を洗浄油で洗浄することを特徴とする。
【００１２】
本発明のポリシラン類の処理方法はまた、プラズマＣＶＤ法により、基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、該真空チャンバー内に設置されている部品に堆積・付着するポリシラン類を処理する方法であって、該部品に対して潤滑油から選ばれた有機溶媒を適用し、次いで洗浄油を入れたシンク内にポリシラン分散有機溶媒が付着している部品を入れ、この部品を洗浄油で洗浄することを特徴とする。
【００１３】
本発明のポリシラン類の処理方法はさらに、プラズマＣＶＤ法により、基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、該真空チャンバー内、該真空チャンバー内に配置された部品、該真空チャンバーから該真空排気系までの配管内、及び該真空排気系の真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を有機溶媒に分散させ、処理することを特徴とする。
【００１４】
本発明のポリシラン類の処理方法はさらにまた、Ｓｉ基板が載置され、真空排気系を備えた減圧可能な真空チャンバーを用いて、シランガスを導入し、プラズマＣＶＤ法により、該基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、該真空チャンバー内で副生成物として生成し、該真空チャンバー内、該真空チャンバー内に配置された部品、該真空チャンバーから該真空排気系までの配管内、及び該真空排気系の真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を有機溶媒に分散させ、処理することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ＣＶＤ法により微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を形成する際に副生成物として形成されるポリシラン類を安全に処理することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】光電変換装置の製造方法の一形態を説明するための断面図。
【図２】光電変換装置の製造方法の別の形態を説明するための断面図。
【図３】実施例１における真空ポンプ内のポリシラン類の処理プロセスを説明するための写真。
【図４】実施例１において得られた構成部品の洗浄結果を示す写真。
【図５】実施例２における真空ポンプ内のポリシラン類の処理プロセスを説明するための写真。
【図６】実施例３におけるポリシラン類の付着した部品の処理プロセスを説明するための写真。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明に係るポリシラン類の処理方法の第一の実施の形態によれば、この処理方法は、Ｓｉ基板が載置され、真空排気系を備えた減圧可能な真空チャンバーを有する成膜装置を用いて、真空チャンバー内にシランガスを導入し、プラズマＣＶＤ法により、Ｓｉ基板上に微結晶シリコン膜及び／又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、真空排気系のドライポンプ等の真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を処理する方法であって、真空チャンバーから取り外した真空ポンプ内へ、以下述べるような鉱物油等の潤滑油から選ばれた有機溶媒を注入・充填し、所定の時間放置し、次いで真空ポンプを分解し、ポリシラン分散潤滑油が付着している分解された構成部品を、以下述べるような洗浄油で洗浄処理することからなる。
【００１８】
本発明に係るポリシラン類の処理方法の第二の実施の形態によれば、この処理方法は、Ｓｉ基板が載置され、真空排気系を備えた減圧可能な真空チャンバーを有する成膜装置を用いて、真空チャンバー内にシランガスを導入し、プラズマＣＶＤ法により、Ｓｉ基板上に微結晶シリコン膜及び／又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、真空チャンバー内に設置されている各種部品（例えば、基板を載置し、搬送する搬送用トレイ、電極等）に堆積・付着するポリシラン類を処理する方法であって、部品に対して、以下述べるような鉱物油（例えば、潤滑油）等から選ばれた有機溶媒を適用し（例えば、真空チャンバー内へ有機溶媒を供給し）、このポリシラン分散有機溶媒が付着している部品を取り出し、次いで以下述べるような洗浄油を入れたシンク内にポリシラン分散潤滑油が付着している部品を入れ、この部品を洗浄油で洗浄処理することからなる。配管に関しても、部品の場合と同様にシンク浸漬で処理できる。
【００１９】
本発明に係るポリシラン類の処理方法の第三の実施の形態によれば、この処理方法は、Ｓｉ基板が載置され、真空排気系を備えた減圧可能な真空チャンバーを有する成膜装置を用いて、真空チャンバー内にシランガスを導入し、プラズマＣＶＤ法により、Ｓｉ基板上に微結晶シリコン膜及び／又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、真空チャンバー内やその内壁、真空チャンバー内に配置された上記した各種部品、真空チャンバーから真空排気系までの排気用配管内やその内壁、並びに真空排気系のドライポンプ等の真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を、以下述べるような鉱物油等から選ばれた有機溶媒に分散させ、次いで以下述べるような洗浄油で洗浄処理することからなる。
【００２０】
上記したような副生成物としてのポリシラン類は、例えば、枚葉式ＰＥ−ＣＶＤ装置、インライン型ＰＥ−ＣＶＤ装置、バッチ型ＰＥ−ＣＶＤ装置等のプラズマＣＶＤ装置を用い、太陽電池等で利用するＳｉ膜（半導体層）を形成する際に形成される。
【００２１】
以下プラズマＣＶＤ装置の例について説明し、形成されたポリシラン類の処理について言及する。
【００２２】
上記プラズマＣＶＤ装置の第一の例として、例えば、真空中で基板に所望の膜を成膜する成膜室（真空チャンバー）と、成膜室に第一開閉部を介して固定され、真空排気可能な仕込・取出室とを備えた成膜装置であって、仕込・取出室の第一開閉部と対向する面に設けられた第二開閉部と、基板を被成膜面が重力方向と略並行を成すように保持するキャリアとを有し、キャリア又は基板が第二開閉部を通って仕込・取出室に搬入・搬出され、仕込・取出室に、複数のキャリアが並列に配置され、仕込・取出室と成膜室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出され、成膜室で、複数のキャリアに保持された複数の基板に同時に成膜を行うことからなる成膜装置を用いて、基板上に、例えば微結晶シリコン膜を形成する場合、微結晶シリコン層の形成時に副生成物としてポリシラン類が大量に形成される。
【００２３】
上記したポリシラン類は、成膜室内、その内壁及び成膜室内に設置された各種部品に堆積・付着すると共に、排気用配管内やその内壁に堆積・付着し、また、真空ポンプ内に堆積・付着し、上記したような粉塵爆発等という問題が発生する可能性が高いので、その対策が必要になる。
【００２４】
また、上記プラズマＣＶＤ装置の第二の例として、真空中で基板に対して所望の膜を成膜する成膜室（真空チャンバー）と、成膜室に第一開閉部を介して固定され、真空排気可能な仕込・取出室と、仕込・取出室と第二開閉部を介して固定され、基板を保持可能に構成されたキャリアに対して基板を脱着する基板脱着室とを備えた成膜装置であって、キャリアが、基板を被成膜面が重力方向と略並行を成すように保持し、基板脱着室内に、複数のキャリアが並列に配置され、基板脱着室と仕込・取出室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出され、仕込・取出室と成膜室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出され、成膜室で、複数のキャリアに保持された複数の基板に同時に成膜を行う成膜装置を用いて、基板上に、例えば微結晶シリコン膜を形成する場合、微結晶シリコン層の形成時に副生成物としてポリシラン類が大量に形成される。
【００２５】
この第二の例のＣＶＤ装置の場合にも、ポリシラン類が、成膜室内、その内壁及び成膜室内に設置された各種部品に堆積・付着すると共に、排気用配管内やその内壁に堆積・付着し、また、真空ポンプ内に堆積・付着し、上記したような粉塵爆発等という問題が発生する可能性が高いので、その対策が必要になる。
【００２６】
次に、上記した微結晶シリコン膜等を堆積して、太陽電池に利用する光電変換装置を作製する場合について、ＷＯ２０１０／０２９４７を参照して説明し、副生成物として生成されるポリシラン類の処理について言及する。
【００２７】
この光電変換装置の第一製造システムを図１に示す。第一製造システムは、図１に示すように、インライン型の第一成膜装置（真空チャンバー）６０と、バッチ式の第二成膜装置（真空チャンバー）７０Ａと、第一成膜装置６０で処理したＳｉ基板のような基板を大気（空気）に曝した後に第二成膜装置７０Ａへ移動する暴露装置８０Ａとから構成される。
【００２８】
第一製造システムにおける第一成膜装置６０には、基板が搬入され、内部圧力を減圧するロード室（Ｌ）６１が配置されている。なお、ロード室６１の後段に、成膜プロセスに応じて、基板温度を一定温度まで加熱する加熱チャンバーを設けても良い。
【００２９】
引き続き、第一光電変換ユニットのｐ型半導体層を形成するｐ層成膜反応室６２、ｉ型シリコン層（非晶質シリコン層）を形成するｉ層成膜反応室６３、ｎ型半導体層を形成するｎ層成膜反応室６４、第二光電変換ユニットのｐ型半導体層を形成するｐ層成膜反応室６５が連続して直線状に配置されている。
【００３０】
最後に、減圧雰囲気を大気雰囲気に戻して基板を搬出するアンロード室（ＵＬ：搬出装置）６６がｐ層成膜反応室６５に接続されている。
【００３１】
これにより、ロード室６１、ｐ層成膜反応室６２、ｉ層成膜反応室６３、ｎ層成膜反応室６４、ｐ層成膜反応室６５、アンロード室６６の間は、減圧雰囲気を維持して基板を搬送することができる。
【００３２】
この際、図１に示すＡ地点においては、透明導電膜が形成された絶縁性透明基板が準備される。
【００３３】
また、図１に示すＢ地点においては、透明導電膜上に、上記第一光電変換ユニットのｐ型半導体層、ｉ型シリコン層（非晶質シリコン層）、及びｎ型半導体層と、第二光電変換ユニットのｐ型半導体層が設けられた光電変換装置の第一中間品が形成される。
【００３４】
また、第一製造システムにおける暴露装置８０Ａは、大気雰囲気（空気雰囲気）において、ｐ型半導体層の表面が露出している第一中間品を一時的に載置したり或いは保管したりするために用いる棚である。また、暴露装置８０Ａは、複数の第一中間品を一つの纏まりとして取り扱うために用いる基板収容カセットでもよい。また、暴露装置８０Ａは、第一成膜装置６０から第二成膜装置７０Ａに向けて第一中間品を大気雰囲気において搬送する搬送機構（大気搬送機構）を有してもよい。また、第一製造システムがクリーンルームにおいて稼動している場合には、湿度、温度、或いは単位体積あたりのパーティクル量等が制御されたクリーンルーム内の空気雰囲気において、暴露装置８０Ａは第一中間品を暴露させている。
【００３５】
さらに、第一製造システムにおける第二成膜装置７０Ａは、ロード・アンロード室（Ｌ／ＵＬ）７１とｉｎ層成膜反応室７２とを有する。このロード・アンロード室は、第一成膜装置６０で処理された光電変換装置の第一中間品を搬入し、基板が搬入された後に内部圧力を減圧したり、基板を搬出する際に、減圧雰囲気を大気雰囲気に戻したりする機能を有する。このｉｎ層成膜反応室７２は、ロード・アンロード室７１に続いて接続されている。
【００３６】
ｉｎ層成膜反応室７２においては、第二光電変換ユニットのｐ型半導体層上に、第二光電変換ユニットのｉ型シリコン層（結晶質シリコン層）及びｎ型半導体層が順次に同じ反応室内で形成される。
【００３７】
また、この成膜処理は複数の基板に対して同時に行われる。
【００３８】
この際、図１に示すＣ地点において、第一光電変換ユニット上に、第二光電変換ユニットが設けられた光電変換装置の第二中間品が形成される。
【００３９】
また、図１に示すように、インライン型の第一成膜装置６０においては、２つの基板に対して同時に成膜処理が行われ、ｉ層成膜反応室６３は４つの反応室６３ａ、６３ｂ、６３ｃ、６３ｄによって構成されている。
【００４０】
また、図１において、バッチ型の第二成膜装置７０Ａは、６つの基板を同時に処理するように構成されている。
【００４１】
上記したように、インライン型の第一成膜装置（ＣＶＤ装置：真空チャンバー）６０においてアモルファスシリコンのｐｉｎ発電層と微結晶シリコンのｐ層とを形成した後、バッチ型の第二成膜装置（ＣＶＤ装置：真空チャンバー）７０Ａにおいて微結晶シリコンのｉｎ層を形成する。この微結晶シリコン層の形成時に、特にバッチ型のＣＶＤ装置での微結晶シリコン層の形成時に、副生成物としてポリシラン類が大量に形成される。そして、このポリシラン類が、成膜装置（真空チャンバー）内、その内壁及び成膜装置内に設置された各種部品に堆積・付着すると共に、排気用配管内やその内壁に堆積・付着し、また、真空ポンプ内に堆積・付着し、上記したような粉塵爆発等の問題が発生する可能性が高いので、その対策が必要になる。なお、インライン型の装置の場合も、副生成物としてポリシラン類が形成されるので、この場合もバッチ型のＣＶＤ装置の場合と同様な問題が生じる可能性があるので、その対策が必要である。インライン装置で対策してもよい。
【００４２】
次に、上記光電変換装置の第二製造システムを図２に示す。第二製造システムは、図２に示すように、第一成膜装置（ＣＶＤ装置：真空チャンバー）６０と、第二成膜装置（ＣＶＤ装置：真空チャンバー）７０Ｂと、第一成膜装置６０で処理した基板を大気（空気）に曝した後に第二成膜装置７０Ｂへ移動する暴露装置８０Ｂとから構成される。
【００４３】
第二製造システムにおける第一成膜装置６０は、第一製造システムにおける第一成膜装置６０と同様に、基板が搬入された後に内部圧力を減圧するロード室（Ｌ）６１を有する。なお、ロード室６１の後段に、プロセスに応じて、基板温度を一定温度まで加熱する加熱チャンバーを設けても良い。
【００４４】
引き続き、第一光電変換ユニットのｐ型半導体層を形成するｐ層成膜反応室６２、ｉ型シリコン層（非晶質シリコン層）を形成するｉ層成膜反応室６３、ｎ型半導体層を形成するｎ層成膜反応室６４、第二光電変換ユニットのｐ型半導体層を形成するｐ層成膜反応室６５が連続して直線状に配置されている。
【００４５】
最後に、減圧雰囲気を大気雰囲気に戻して基板を搬出するアンロード室（ＵＬ）６６がｐ層成膜反応室６５に接続されている。
【００４６】
これにより、ロード室６１、ｐ層成膜反応室６２、ｉ層成膜反応室６３、ｎ層成膜反応室６４、ｐ層成膜反応室６５、アンロード室６６の間は、減圧雰囲気を維持して基板を搬送することができる。
【００４７】
この際、図２に示すＤ地点において、透明導電膜が成膜された絶縁性透明基板が準備される。
【００４８】
また、図２に示すＥ地点においては、透明導電膜上に第一光電変換ユニットのｐ型半導体層、ｉ型シリコン層（非晶質シリコン層）、及びｎ型半導体層と、第二光電変換ユニットのｐ型半導体層の各層が設けられた光電変換装置の第一中間品が形成される。
【００４９】
また、第二製造システムにおける暴露装置８０Ｂの構成は、第一製造システムにおける暴露装置８０Ａと同じである。この暴露装置８０Ｂは、第一成膜装置６０から第二成膜装置７０Ｂに向けて第一中間品を大気雰囲気において搬送する搬送機構（大気搬送機構）を有してもよい。
【００５０】
また、第二製造システムにおける第二成膜装置７０Ｂは、環状に配置されたロード・アンロード室７３、ｉ層成膜反応室７４、ｎ層成膜反応室７５、及び中間室７７を有する。
【００５１】
ロード・アンロード室７３は、第一成膜装置６０で処理された光電変換装置の第一中間品が搬入された後に内部圧力を減圧したり、基板を搬出する際に減圧雰囲気を大気雰囲気に戻したりする。
【００５２】
引き続き、このロード・アンロード室７３を介して、基板は、中間室７７に搬入される。また、中間室７７とｉ層成膜反応室７４との間、中間室７７とｎ層成膜反応室７５との間を搬送される。
【００５３】
ｉ層成膜反応室７４においては、第二光電変換ユニットのｐ型半導体層上に、第二光電変換ユニットのｉ型シリコン層（結晶質シリコン層）が形成される。また、ｎ層成膜反応室７５においては、ｉ型シリコン層（結晶質シリコン層）上に、ｎ型半導体層が形成される。
【００５４】
ｉ層成膜反応室７４及びｎ層成膜反応室７５の各々においては、ｉ型シリコン層、及びｎ型半導体層のうちの一つの層が一枚の基板に形成される。
【００５５】
また、中間室７７に設けられた搬送装置（不図示）は、ｉ型シリコン層及びｎ型半導体層を積層するために、反応室７４および７５の各々に基板を搬送したり、反応室の各々から基板を搬出したりする。
【００５６】
なお、第二成膜装置７０Ｂは、成膜プロセスに応じて、基板温度を一定温度まで加熱する加熱チャンバーを有しても良い。
【００５７】
この際、図２に示すＦ地点において、第一光電変換ユニット上に第二光電変換ユニットが設けられた光電変換装置の第二中間品が形成される。
【００５８】
また、図２において、インライン型の第一成膜装置６０においては、２つの基板に対して同時に成膜処理が行われ、ｉ層成膜反応室６３は４つの反応室６３ａ、６３ｂ、６３ｃ、６３ｄによって構成されている。
【００５９】
また、図２において、枚葉型の第二成膜装置７０Ｂにおいては、７つの基板が同時に各反応室において処理される。
【００６０】
そして、図２において、ｉ層成膜反応室７４は６つの反応室７４ａ、７４ｂ、７４ｃ、７４ｄ、７４ｅ、及び７４ｆによって構成されている。
【００６１】
第二光電変換ユニットを構成するｉ型シリコン層は、ｎ型半導体層に比べて膜厚が大きいため、ｎ型半導体層を形成する場合よりも成膜時間が長い。
【００６２】
そのため、ｉ層成膜反応室７４の反応室の個数に依存して、光電変換装置を生産するスループットが決まる。
【００６３】
上記のように枚葉型の第二成膜装置７０Ｂにおいては、ｉ層成膜反応室７４が６つの反応室を有することにより、複数の基板に対して同時にｉ型シリコン層を形成することが可能となり、スループットが向上する。
【００６４】
以上のような光電変換装置の製造方法によれば、第一成膜装置６０において非晶質光電変換装置である第一光電変換ユニットのｐ層、ｉ層、ｎ層の上に結晶質光電変換装置である第二光電変換ユニットのｐ層を形成している。また、第二成膜装置７０Ａ、７０Ｂにおいて第二光電変換ユニットのｉ層、ｎ層を形成している。これによって、第二光電変換ユニットのｉ層の結晶化率分布のコントロールを容易にすることができる。
【００６５】
また、上記においては、大気中に露呈されたｐ型半導体層上に、第二光電変換ユニットを構成するｉ型シリコン層（結晶質シリコン層）、ｎ型半導体層を形成する際、このｉ層を形成する前に、大気中に露呈された第二光電変換ユニットのｐ層を、水素ラジカルを含むプラズマに曝すことが望ましい（水素ラジカルプラズマ処理）。
【００６６】
水素ラジカルプラズマ処理として、水素ラジカルプラズマ処理室を予め準備し、第二光電変換ユニットのｐ層が形成された基板をこのプラズマ処理室に搬送し、ｐ層をプラズマに曝す方法が挙げられる。また、水素ラジカルプラズマ処理の後には、第二光電変換ユニットを構成するｉ型シリコン層（結晶質シリコン層）及びｎ型半導体層が個別の反応室で成膜される。
【００６７】
一方、水素ラジカルプラズマ処理として、水素ラジカルプラズマ処理と、第二光電変換ユニットのｉ層及びｎ層を形成する処理とを連続して同じ反応室内において行なってもよい。
【００６８】
ここで、第二光電変換ユニットのｉ層及びｎ層を形成する処理と水素ラジカルプラズマ処理と連続して同じ処理室内で行なう場合、ｉ層を形成する前に、反応室の内壁を、水素ラジカルを含むプラズマに曝すことにより、前回のｎ層を成膜する際に導入された残留不純物ガスＰＨ３を分解して除去することが可能である。
【００６９】
従って、第二光電変換ユニットのｉ層及びｎ層の成膜工程を同じ処理室内で繰り返して行なった場合であっても、良好な不純物プロファイルが得られ、良好な発電効率の積層薄膜光電変換装置を得ることができる。
【００７０】
また、第二光電変換ユニットのｐ層に対して施す水素ラジカルプラズマ処理においては、プロセスガスとしてＨ２ガス（水素ガス）を用いると望ましい。すなわち、水素ラジカルプラズマを生成するには、Ｈ２を処理室内に流入させた状態で、処理室内の電極間に、例えば１３．５ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、４０ＭＨｚ等の高周波を印加することにより有効にプラズマを生成することができる。
【００７１】
また、上述した第二成膜装置７０Ａ、７０Ｂにおいては、水素ラジカルプラズマ処理に用いるＨ２ガスを処理室（反応室）内に供給するガスボックス（ガス導入部）及びガスライン（ガス導入部）が設けられている。また、処理室には、マスフローコントローラ（ガス導入部）が接続されており、ガスボックス及びガスラインを通じて供給されたＨ２ガスの流量が制御され、制御された流量のガスが処理室内に供給される。
【００７２】
このように水素ラジカルプラズマ処理を施すと、Ｏラジカルに比して穏やかな反応が生じるため、下層にダメージを与えることなく、第二光電変換ユニットのｐ層の表面を活性化させる効果がある。
【００７３】
従って、第二光電変換ユニットのｐ層の表面を活性化させることが可能となり、その上に積層される第二光電変換ユニットのｉ層及びｎ層の結晶を有効に生成することができる。大面積の基板に第二光電変換ユニットを形成する場合であっても、均一な結晶化率分布を得ることが可能となる。
【００７４】
また、第一光電変換ユニットのｎ層と第二光電変換ユニットのｐ層としては、非晶質のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層に微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）が分散された層でも、非晶質のアモルファス酸化シリコン（ａ−ＳｉＯ）層に微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）が分散された層でもよい。
【００７５】
しかし、基板の大面積化の際に必要とされる均一な結晶化分布率、即ち、結晶質光電変換層のｉ層とｎ層の結晶成長核の生成による均一な結晶化分布率を得るためには、非晶質のアモルファス酸化シリコン（ａ−ＳｉＯ）層に微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）が分散された層を採用することが好ましい。
【００７６】
このように、非晶質のアモルファス酸化シリコン（ａ−ＳｉＯ）層に微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）が分散された層は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）半導体層よりも低い屈折率が得られるように調整することが可能である。
【００７７】
そこで、この層を波長選択反射膜として機能させ、短波長光をトップセル側に閉じ込めることによって変換効率を向上させることが可能である。
【００７８】
また、この光を閉じ込める効果の有無に拠らず、非晶質のアモルファス酸化シリコン（ａ−ＳｉＯ）層に微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）が分散された層は、水素ラジカルプラズマ処理によって第二光電変換ユニットのｉ層とｎ層の結晶成長核の生成を有効に働かせ、大面積の基板においても均一な結晶化率分布を得ることが可能となる。
【００７９】
また、本発明においては、第一光電変換ユニットを構成するｎ層として、結晶質のシリコン系薄膜を形成してもよい。すなわち、アモルファスシリコンの第一光電変換ユニットのｐ層、ｉ層の上に、微結晶シリコンのｎ層及び微結晶シリコンの第二光電変換ユニットのｐ層を形成する。
【００８０】
この際、非晶質の第一光電変換ユニットのｐ層、ｐ層の上に形成される非晶質のｉ層、ｉ層の上に形成される結晶質のｎ層、及びｎ層の上に形成される第二光電変換ユニットのｐ層は、大気開放することなく連続して形成することが望ましい。
【００８１】
特に、第一光電変換ユニットのｐ層、ｉ層、及びｎ層を形成した後に大気開放し、別の反応室で第二光電変換ユニットのｐ層、ｉ層、ｎ層を形成する方法では、基板を大気開放し放置する時間、温度、雰囲気等に起因して、第一光電変換ユニットのｉ層が劣化し、素子性能が低下してしまう。
【００８２】
従って、第一光電変換ユニットのｐ層、ｉ層を形成した後、大気開放することなく連続して結晶質のｎ層、及び第二光電変換ユニットのｐ層を形成する。
【００８３】
このように、結晶質のｎ層、及び第二光電変換ユニットのｐ層を形成した基板を、個別の反応室又は同じ反応室において水素ラジカルプラズマ処理を行い、表面を活性化させて結晶核を生成し、引き続いて結晶質の第二光電変換ユニットのｉ層、ｎ層を積層することにより、良好な発電効率の積層薄膜光電変換装置を得ることができる。
【００８４】
なお、図２には、第二光電変換ユニットのｉ層、ｎ層の各々を、個別の反応室７４、７５において成膜する例が示されているが、個別の反応室７４、７５の各々において、ｉ層、ｎ層を連続して成膜する方式を採用してもよい。
【００８５】
上記した第二製造システムにおいても、微結晶シリコン層（ｎ層、ｐ層）を形成する際に、第一製造システムの場合と同様に、微結晶シリコン層の形成時に副生成物としてポリシラン類が大量に形成される。そして、このポリシラン類が、装置内やその内壁及び装置内に設置された各種部品に堆積・付着すると共に、排気用配管内やその内壁に堆積・付着し、また、真空ポンプ内に堆積・付着し、上記したような粉塵爆発等の問題が発生する可能性が高いので、その対策が必要になる。
【００８６】
上記したＣＶＤ装置以外の公知の微結晶シリコン膜を形成するプラズマＣＶＤ装置の場合にも、微結晶シリコン膜の形成時に、副生成物としてポリシラン類が形成され、上記と同様な問題が生じる可能性が高いので、同様な対策を取ることが必要であることは議論するまでもないであろう。
【００８７】
次に、微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜の形成時に副生成物として形成されるポリシラン類の処理方法について説明する。
【００８８】
太陽電池等の技術分野で、プラズマＣＶＤ法により、シランを用いて微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を形成する際に、真空チャンバー内で副生成物としてポリシラン類が生成し、このポリシラン類がチャンバー内やその内壁、チャンバー内に設置されている各種部品に堆積・付着すると共に、排気用等の配管内やその内壁に堆積・付着し、また、真空ポンプ（ドライポンプ）内に堆積・付着して、所定の濃度になると粉塵爆発の恐れがあることは知られている。
【００８９】
本発明者の検討によれば、上記のような粉塵爆発は、例えば、真空チャンバー内に配置されている電極等の影響で、付着したポリシラン類がチャンバー内壁から剥離（崩落）する際に発生する静電気（崩落電位）により、このポリシラン類に着火して惹起されることが解った。また、配管内や真空ポンプ（ドライポンプ等）内に堆積したポリシラン類も静電気などを着火源として爆発する可能性がある。なお、真空ポンプ内にポリシラン類が堆積してしまうと、ポンプが動かなくなるので、オーバーホールが必要となるが、その際にオーバーホール工場等に搬送する途中でも爆発の危険性がある。
【００９０】
ポリシラン類を単に燃焼させるだけでは危険であるので、従来は、上記したように、このポリシラン類の生成を抑制したり、トラップして除去したりしているが、満足すべき解決策はない。例えば、上記崩落電位を消失させるために、水やスチームで処理しても、ポリシラン類が疎水性であるために、完全に水で濡らすことが困難であるため、問題の解決にはならない。その上、水が存在すると水素ガスが発生する恐れがあるために、別の意味で危険である。
【００９１】
本発明者の検討によれば、上記問題を解決するには、例えば、（１）アニオン系、カチオン系、及び／又はノニオン系界面活性剤（水系）により処理する方法、（２）鉱物油等の油系材料＋ノニオン系界面活性剤により処理する方法、（３）鉱物油等を含む有機溶媒により処理する方法、（４）精製油等の香料用溶剤（油系材料）により処理する方法、及び（５）燃焼法等が考えられる。
【００９２】
（１）の処理方法は、１剤で不燃化でき、低コストであるという利点はあるが、界面活性剤が水系であれば、ポリシラン類が水分と接触すると、アルカリ性でも酸性でも水素ガスが発生する恐れがあるので、危険がないとは言えないと共に、使用する界面活性剤の種類によっては高価であるという欠点がある。この界面活性剤としては、上記したようなものを使用できるが、泡立ちが少なく、臨界ミセル濃度（ＣＭＣ）が小さいため洗浄力が強いノニオン系界面活性剤が好ましい。
【００９３】
（２）の処理方法は、不燃化洗浄が簡単にでき、界面活性剤廃液の処理が楽であるという利点はあるが、高コスト（油を洗浄する界面活性剤は高価）であり、かつ界面活性剤が水系であれば、ポリシラン類がその水分と接触すると、上記と同様に水素ガスを発生する恐れがある。
【００９４】
（３）の処理方法は、水素発生がなく、低コストであり、使用する油を繰り返し使用することができる（ポリシラン類は、油中に凝集して分散しているので、濾過が可能である）という利点はあるが、２剤の搬送油／洗浄油が必要であると共に、洗浄後の廃油処理が必要であるという欠点がある。
【００９５】
（４）の処理方法は、１剤で不燃化洗浄ができ、水素発生がないという利点はあるが、高コスト、廃溶剤処理が必要であると共に、引火点が常温付近であり、取り扱い方に難点がある。
【００９６】
（５）の処理方法は、特に真空ポンプ（ドライポンプ）の場合はその構造が複雑であることから、燃え残りができ、また、その作業が危険であるという欠点がある。
【００９７】
上記処理方法において、特に真空ポンプの場合は、真空チャンバーから取り外し、オーバーホール工場等へ搬送し、そこで解体・洗浄処理を行うが、その輸送途中でも爆発の危険があるので、そのような危険を回避できる対策を考えることが必要である。
【００９８】
従って、ポリシラン類の処理には、一応、上記（１）〜（４）の処理方法が可能であり、特に、近年の廃油処理工場の増加に鑑みれば、上記（３）の処理方法が好ましい。
【００９９】
以下、上記（３）の処理方法を主体に説明する。
【０１００】
生成するポリシラン類は、粒径３７ｎｍ程度の超微粉であるので、鉱物油等を含めた有機溶媒中に分散する。
【０１０１】
そこで、真空チャンバー内に堆積し、その内壁に付着しているポリシラン類に対しては、有機溶媒を吹き付けて剥離させ、この有機溶媒中に分散せしめたポリシラン類を取り出して、輸送し、所定の場所で処理する。すなわち、ポリシラン類含有有機溶媒を濾過し、ポリシラン類を取り除いて、この有機溶媒を再利用する。
【０１０２】
また、真空チャンバー内に配置された部品に対しては、取り外した後、シンクなどに入れた鉱物油等の有機溶媒中に浸漬して輸送し、所定の場所で、部品に付着したポリシラン類分散有機溶媒を洗浄油で洗浄処理する。また、配管に関しても、部品の場合と同様に洗浄処理可能である。
【０１０３】
さらに、真空ポンプ（ドライポンプ）に対しては、真空チャンバーから取り外し、上部シリンダーの吸気口を開け、鉱物油等の有機溶媒を注入・充填し、吸気口を閉じ、処理工場等へ輸送し、所定の時間放置した後、分解し、ポリシラン類分散有機溶媒を洗浄油で洗浄して、オーバーホールする。その後、組み立てて再使用する。
【０１０４】
以下、本発明で用いることができる鉱物油等の有機溶媒について説明する。ポリシラン類は、疎水性の物質であり、有機溶媒に分散可能である。この有機溶媒は、ポリシラン類を分散した状態で水素ガスを発生しないものであれば良く、例えば、水分を含んでいないものが好ましい。また、引火点は、処理作業中に引火しないものであれば良く、室温以上、例えば４０〜４５℃以上であれば好ましく、動粘度は、真空ポンプ内への浸透性を考えれば、低い方が好ましく、例えば４０℃で６５ｍｍ２／ｓ以下、好ましくは４０ｍｍ２／ｓ以下であれば良い。さらに、この有機溶媒は、成分中に不飽和結合を有していない方が好ましい。なお、粘度が高いものについては、使用時に所定の温度に加熱して、粘度を下げて使用することができる。
【０１０５】
本発明で用いることができる有機溶媒としては、例えば、シクロヘキサノン、４−ヒドロキシン−４−メチル−２−ペンタノン、３，５，５−トリメチル−２−シクロセキセン−１−オン、２，６−ジメチル−４−ヘブタノン等のケトン系溶媒；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノｔｅｒｔ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブタノール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、アニソール、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエーテル系溶媒；ヘビーアロマティック（ＨＡ−１００、ＨＡ−１５０、ＨＡ−１８０）、メシチレン、エチルベンゼン、クロルベンゼン、オルト−ジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の脂環式炭化水素系溶媒；ジクロロメタン、トリクロロエチレン、１，１，２，２−テトラクロルエチレン、１，２−ジクロルベンゼン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸セロセルブ（エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート）、エチル−３−エトキシプロピオネート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート等のエステル系溶媒；コールタール、石油ベンゼン、テレビン油、及びミネラルスピリット等の石油系溶媒；シリコンオイル；流動パラフィン等のパラフィン系溶媒等；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、４−メチルアミノラクタム、ジメチルスルフォキシド等の溶媒；アルコール系溶媒；及びこれら溶媒の２種以上の組み合わせたものを挙げることができる。その他に、香油、例えば、天然の芳香物質及び合成の芳香物質の混合物でも良いし、上記しなかったものでも、本発明の目的を達成できるものであれば使用できることは勿論である。
【０１０６】
さらに、上記と一部重複するが、機械油として使用されているタービン油、ギヤー油、スピンドル油、及び潤滑油等も、また、これらのベース油も使用できる。
【０１０７】
上記潤滑油としては、例えば、出光興産株式会社製のダフニー（登録商標）オイル及びダフニーメカニックオイル３２、４６（商品名）並びにダイアナフレシアＷ−８（商品名）等、また、ダフニーメカニックオイルやダイアナフレシア等から添加物を抜いたベースオイル等を使用できる。また、油回転真空ポンプ用のポンプ油としての石油系鉱物油であるアルボイルＲ−４、Ｒ−７、Ｒ−８０（株式会社アルバック製；商品名）等及びそのベースオイル等も使用できる。
【０１０８】
本発明によれば、上記部品や配管や真空ポンプに付着したポリシラン類分散有機溶媒を洗浄油で洗浄する。
【０１０９】
この洗浄油としては、ポリシラン類分散有機溶媒を洗浄できれば良く、上記した有機溶媒の中から、適宜選択して使用できる。但し、動粘度は低い方が好ましい。例えば、パラフィン系溶剤が好ましい。具体的には、例えば、石油系溶媒出光興産株式会社製のダフニーアルファクリーナーＭ及びＨ（商品名）並びにクリンスルーＬ８４１（商品名）等を使用できる。
【０１１０】
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明する。
【実施例１】
【０１１１】
公知のプラズマＣＶＤ装置を用い、真空チャンバー内に、公知のプロセス条件で、シランガスを流し、Ｓｉ基板上に微結晶シリコン膜を形成したところ、副生成物としてポリシラン類が大量に形成され、真空ポンプ（ドライポンプ）内にも大量に堆積していた。そこで、図３（ａ）〜（ｆ）に示すプロセスを経て真空ポンプ内のポリシラン類を処理した。
【０１１２】
すなわち、真空チャンバーから真空ポンプを取り外し、上部シリンダーの吸気口を開け、潤滑油として、出光興産株式会社製のダフニー（登録商標）メカニックオイル３２及び４６（商品名）のそれぞれを真空ポンプ内へ注入して充填し、吸気口を閉じ、処理工場へ輸送し、一晩放置した後、真空ポンプを分解し、各構成部品に付着していたポリシラン類分散有機溶媒を、洗浄油として出光興産株式会社製のダフニーアルファクリーナーＭ及びＨ（商品名）を用いて洗浄した。
【０１１３】
本実施例で用いた潤滑油としてのダフニーメカニックオイル３２及び４６のいずれも、また、洗浄油としてのダフニーアルファクリーナーＭ及びＨのいずれも同じ結果が得られたので、以下、ダフニーメカニックオイル３２及びダフニーアルファクリーナーＭを用いた場合の結果を代表として説明することにする。
【０１１４】
図３（ａ）は、処理工場で真空ポンプを分解する際に、ポンプの上部シリンダー吸気口を開けた状態を示し（茶色のものが、ポリシラン分散潤滑油である）、図３（ｂ）は、ポンプ上部シリンダー吸気口をウエスで拭き取った状態を示し、図３（ｃ）〜（ｆ）は、ポンプを分解した後の各構成部品の状態を示す。すなわち、図３（ｃ）は、ポンプ内のドライ上部シリンダーに付着したポリシラン分散潤滑油の状態を示し、図３（ｄ）は、ポンプ内のドライ下部シリンダーローターに付着したポリシラン分散潤滑油の状態を示し、図３（ｅ）は、ポンプ内のドライローターに付着したポリシラン分散潤滑油の状態を示し、図３（ｆ）は、ポンプ内のドライ下部シリンダーに付着したポリシラン分散潤滑油の状態を示す。
【０１１５】
図３（ｃ）〜（ｆ）から明らかなように、真空ポンプ内の構成部品全体にポリシラン分散潤滑油が浸透し、付着していることが解る。
【０１１６】
次いで、こられのポリシラン分散潤滑油が付着した構成部品を上記したようにして洗浄した。各構成部品のうちドライローターを例に取り、その洗浄状態を図４（ａ）〜（ｄ）に示す。図４（ａ）〜（ｄ）から明らかなように、ローターの表面から付着物が全て取り除かれ、清浄な表面が得られていることが解る。その他の構成部品の場合も同様な結果が得られていることが確認された。
【０１１７】
かくしてオーバーホールの終了した各構成部品を組み立てた。この真空ポンプを用い、上記したようにして、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ基板上に微結晶シリコン膜を形成した。新品の真空ポンプを用いた場合と同様に成膜プロセスを実施できた。
【実施例２】
【０１１８】
実施例１に記載の方法を繰り返した。但し、潤滑油としてはダフニーメカニックオイル６８を用い、また、洗浄油としてはダフニーアルファクリーナーＭを用いて、真空ポンプ内に堆積したポリシランを処理した。
【０１１９】
その結果を、図５（ａ）〜（ｆ）に示す。図５（ａ）は、真空ポンプ吸気口からポンプ内への潤滑油を注入する状態を示し、図５（ｂ）は、潤滑油注入後に一晩放置した後にポンプ吸気口を開けた状態を示し、図５（ｃ）〜（ｆ）は、それぞれ、ポンプを分解した後の各構成部品（ローター、シリンダー）の状態を示す。
【０１２０】
図５（ｃ）〜（ｆ）から明らかなように、潤滑油が真空ポンプの２段目までしか浸透していないことが解る。２段目までしかポリシランが到達していない場合でも、ある程度有効に処理されたものと考えられる。
【０１２１】
かくして得られた各構成部品を、実施例１に記載の方法で洗浄したところ、綺麗に洗浄でき、清浄な表面が得られた。
【実施例３】
【０１２２】
実施例１に記載の方法を繰り返した。但し、真空チャンバー内に設置されている構成部品のうち部品に付着したポリシラン類の処理を行った。
【０１２３】
真空チャンバー内に潤滑油としてダフニーメカニックオイル３２を導入し、このオイルが適用されたポリシラン類の付着した部品を取り出し、洗浄油としてダフニーアルファクリーナーＭを用いて、部品表面に付着しているポリシラン類分散潤滑油を洗浄処理した。
【０１２４】
図６に示すように、シンク内に洗浄油を注入し（図６（ａ））、このシンク内にポリシラン分散潤滑油が付着した部品を浸漬し（図６（ｂ））、シンク内で洗浄した（図６（ｃ））。この洗浄の結果、部品は清浄になり（図６（ｄ）〜（ｆ））、再利用可能であった。また、配管に関しても、上記部品と同様に処理すると清浄な面が得られた。
【実施例４】
【０１２５】
上記した第一及び第二の例のプラズマＣＶＤ装置を用いて、Ｓｉ基板上に、微結晶シリコン膜を形成した。微結晶シリコン層の形成時に副生成物としてポリシラン類が大量に形成され、このポリシラン類は、成膜室内、その内壁及び成膜室内に設置された各種部品に堆積・付着すると共に、排気用配管内やその内壁に堆積・付着し、また、真空ポンプ内に堆積・付着していた。
【０１２６】
実施例１記載の方法に準じて、形成されたポリシラン類を処理したところ、真空ポンプ内に堆積・付着していたポリシラン類は洗浄され、清浄な面を有するポンプ構成部品が得られた。
【０１２７】
また、図１及び２にそれぞれ示す第一及び第二製造システムを用い、Ｓｉ基板上に、微結晶シリコン膜を形成した。微結晶シリコン層の形成時に副生成物としてポリシラン類が大量に形成され、このポリシラン類は、成膜室内、その内壁及び成膜室内に設置された各種部品に堆積・付着すると共に、排気用配管内やその内壁に堆積・付着し、また、真空ポンプ内に堆積・付着していた。
【０１２８】
実施例１記載の方法に準じて、形成されたポリシラン類を処理したところ、真空ポンプ内に堆積・付着していたポリシラン類は洗浄され、清浄な面を有するポンプ構成部品が得られた。
【産業上の利用可能性】
【０１２９】
本発明によれば、プラズマＣＶＤ法により微結晶シリコン膜及び／又はアモルファスシリコン膜を形成する際に副生成物として形成されるポリシラン類を安全に処理することができるので、微結晶シリコン膜及び／又はアモルファスシリコン膜を利用する産業分野、特に太陽電池の産業分野で有効に利用可能である。
【符号の説明】
【０１３０】
６０ 第一成膜装置 ６１ ロード室
６２ 層成膜反応室 ６３ 層成膜反応室
６３ａ、６３ｂ、６３ｃ、６３ｄ 反応室
６４、６５ 層成膜反応室 ６６ アンロード室
７０Ａ、７０Ｂ 第二成膜装置
７１ ロード・アンロード室 ７２ 層成膜反応室
７３ ロード・アンロード室 ７４、７５ 反応室
７４ａ、７４ｂ、７４ｃ、７４ｄ、７４ｆ 反応室
７７ 中間室 ８０Ａ、８０Ｂ 暴露装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマＣＶＤ法により、基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を処理する方法であって、該真空ポンプ内へ潤滑油から選ばれた有機溶媒を注入・充填し、所定の時間放置し、次いで該真空ポンプを分解し、ポリシラン分散有機溶媒が付着している分解された構成部品を洗浄油で洗浄することを特徴とするポリシラン類の処理方法。
【請求項２】
プラズマＣＶＤ法により、基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、該真空チャンバー内に設置されている部品に堆積・付着するポリシラン類を処理する方法であって、該部品に対して潤滑油から選ばれた有機溶媒を適用し、次いで洗浄油を入れたシンク内にポリシラン分散有機溶媒が付着している部品を入れ、この部品を洗浄油で洗浄することを特徴とするポリシラン類の処理方法。
【請求項３】
プラズマＣＶＤ法により、基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、該真空チャンバー内、該真空チャンバー内に配置された部品、該真空チャンバーから該真空排気系までの配管内、及び該真空排気系の真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を有機溶媒に分散させ、処理することを特徴とするポリシラン類の処理方法。
【請求項４】
Ｓｉ基板が載置され、真空排気系を備えた減圧可能な真空チャンバーを用いて、シランガスを導入し、プラズマＣＶＤ法により、該基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、該真空チャンバー内で副生成物として生成し、該真空チャンバー内、該真空チャンバー内に配置された部品、該真空チャンバーから該真空排気系までの配管内、及び該真空排気系の真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を有機溶媒に分散させ、処理することを特徴とするポリシラン類の処理方法。
【請求項１】
プラズマＣＶＤ法により、基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を処理する方法であって、該真空ポンプ内へ潤滑油から選ばれた有機溶媒を注入・充填し、所定の時間放置し、次いで該真空ポンプを分解し、ポリシラン分散有機溶媒が付着している分解された構成部品を洗浄油で洗浄することを特徴とするポリシラン類の処理方法。
【請求項２】
プラズマＣＶＤ法により、基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、該真空チャンバー内に設置されている部品に堆積・付着するポリシラン類を処理する方法であって、該部品に対して潤滑油から選ばれた有機溶媒を適用し、次いで洗浄油を入れたシンク内にポリシラン分散有機溶媒が付着している部品を入れ、この部品を洗浄油で洗浄することを特徴とするポリシラン類の処理方法。
【請求項３】
プラズマＣＶＤ法により、基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、該真空チャンバー内、該真空チャンバー内に配置された部品、該真空チャンバーから該真空排気系までの配管内、及び該真空排気系の真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を有機溶媒に分散させ、処理することを特徴とするポリシラン類の処理方法。
【請求項４】
Ｓｉ基板が載置され、真空排気系を備えた減圧可能な真空チャンバーを用いて、シランガスを導入し、プラズマＣＶＤ法により、該基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、該真空チャンバー内で副生成物として生成し、該真空チャンバー内、該真空チャンバー内に配置された部品、該真空チャンバーから該真空排気系までの配管内、及び該真空排気系の真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を有機溶媒に分散させ、処理することを特徴とするポリシラン類の処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−１５８８１５（Ｐ２０１２−１５８８１５Ａ）
【公開日】平成２４年８月２３日（２０１２．８．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０２２９（Ｐ２０１１−２０２２９）
【出願日】平成２３年２月１日（２０１１．２．１）
【出願人】（０００２３１４６４）株式会社アルバック (1,740)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月２３日（２０１２．８．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月１日（２０１１．２．１）
【出願人】（０００２３１４６４）株式会社アルバック (1,740)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]