【課題】均一な堆積膜を安価に安定して製造可能な、堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】
反応容器と、該反応容器の内部にクリーニング性ガスを導入する手段と、該クリーニング性ガスを排気する手段と、前記反応容器の内部に基体を設置するための基体ホルダと、該基体ホルダを回転運動又は往復運動させるための軸と、該軸を支持する軸受とを備え、前記軸および前記軸受の摺動面のうち少なくとも一方が固体潤滑材からなる堆積膜形成装置を用いて前記基体の外周面上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法であって、前記基体の外周面上に堆積膜を形成させた後に、前記反応容器の内部にクリーニング性ガスを導入し、前記軸を回転運動又は往復運動させながらクリーニング処理をおこない、前記クリーニング処理中に前記回転運動又は往復運動の駆動状態を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 安価かつ簡便な手段によって電磁波の漏洩が確実に防止された堆積膜形成装置を提供すること。
【解決手段】 反応容器の中に導入された原料ガスに反応容器を通じて励起電力を印加して励起種を生成し基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記反応容器は反応容器本体と前記反応容器本体から電気的に絶縁された反応容器構成体とからなり、前記堆積膜形成装置は前記反応容器の外部を取り囲むように配置され且つ接地電位とされた電磁波遮蔽筐体を有し、電磁波遮蔽箔体が前記反応容器構成体と前記電磁波遮蔽筐体との間の空隙を塞ぐように且つ前記反応容器構成体と前記電磁波遮蔽筐体とを電気的に接続するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】狭スペースへのシリコン膜の埋め込み性の向上を図る。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン膜の形成方法は、凹部２０の開口側からボトム側に向けてくぼんだくぼみ４０を有するアンドープの第１のシリコン膜３２を凹部２０に形成する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、凹部２０内の第１のシリコン膜３２の一部を塩素を含むガスを用いてエッチングし、第１のシリコン膜３２に凹部２０のボトム側よりも開口側で幅が広い隙間４１を形成する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、隙間４１に面する第１のシリコン膜３２の内壁に不純物を添加する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、不純物の添加後、隙間４１を埋める第２のシリコン膜３３を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】
従来に比べて製造が容易であり、かつ基板に向けて原料ガスを均一に供給することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】
本発明に係る薄膜を形成する成膜装置は、基板４を配置している第一電極３と、基板４に対向しかつ高周波電圧が印加される第二電極２とを備えており、第二電極２は、基板４に対向する面にシャワー板９を有しているとともに、シャワー板９の基板４に対向する面に一枚のメッシュ板１０を有しており、シャワー板９は、原料ガスを通過させる複数の孔９ａを有しており、メッシュ板１０は、シャワー板９の孔９ａを通過した原料ガス５を通過させるためのメッシュ構造を有し、メッシュ板１０と基板４との間にプラズマが発生する空間を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の面内均一性の更なる向上を可能とする、薄膜を形成するためのシード層の形成方法を提供すること。
【解決手段】 下地上に、薄膜のシードとなるシード層を形成するシード層の形成方法であって、アミノシラン系ガスを用いて、下地上に、アミノシラン系ガスに含まれた少なくともシリコンを吸着させる工程（ステップ１１）と、ジシラン以上の高次シラン系ガスを用いて、アミノシラン系ガスに含まれた少なくともシリコンが吸着された下地上に、ジシラン以上の高次シラン系ガスに含まれた少なくともシリコンを堆積する工程（ステップ１２）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界分布及びプラズマ分布をより均一化させ、大面積の基板にも安定した製膜処理が行える真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】リッジ電極２１ａ，２１ｂ及び非リッジ部２２ａ，２２ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、リッジ部３１ａ，３１ｂ及び非リッジ部３２ａ，３２ｂを有するリッジ導波管からなる変換器３Ａ，３Ｂと、放電室２および変換器３Ａ，３Ｂの内部の気体を排出させる排気手段９と、母ガスをリッジ電極間に供給する母ガス供給手段１０とを有し、リッジ電極２１ａ，２１ｂの対向する面間の距離をｄ_１、放電室２及び変換器３Ａ，３Ｂのリッジ導波管の横幅をａ_０、放電室２のリッジ導波管の長さをｌ_１、及び供給される高周波電力の真空中波長をλ、と定義した場合に、それぞれ±２％の変動を許容する範囲で以下の式ｄ_１＝０．００４λ、ａ_０＝０．７２λ、ｌ_１＝０．５２λを満たす真空処理装置１。 （もっと読む）

【課題】比較的低温でも埋め込み特性が良好で且つ表面ラフネスの精度も向上するアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜のような薄膜を形成することが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体Ｗの表面にシード膜８８と不純物含有のシリコン膜９０を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へアミノシラン系ガスと高次シランの内の少なくともいずれか一方のガスよりなるシード膜用原料ガスを供給してシード膜を形成する第１ステップと、処理容器内へシラン系ガスと不純物含有ガスとを供給してアモルファス状態の前記不純物含有のシリコン膜を形成する第２ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 チャージアップの抑制および二次反応の抑制を高いレベルで両立する電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 電極および円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波の交播電圧を電極と円筒状基体の間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成して、電子写真感光体を製造するにあたり、基体ホルダーと補助ホルダーとによって円筒状基体を長手方向に加圧した状態で保持し、前記正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値および前記負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値であるようにする。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を歩留まり良く形成する方法。
【解決手段】底部材および蓋部材ならびに底部材および蓋部材から絶縁されている壁部材からなる反応容器の中に基体および基体を保持している基体ホルダを入れ、基体ホルダの一端と底部材とを電気的に接続し、基体ホルダの他端と蓋部材とを電気的に接続する工程（ｉ）と、蓋部材、基体ホルダおよび底部材からなる電気が伝わる経路の電気抵抗値を測定する工程（ｉｉ）とをこの順に有し、電気抵抗値が所定値以下である場合、底部材および蓋部材を反応容器の外部で電気的に接続し、反応容器に堆積膜形成用原料ガスを導入し、反応容器に導入された堆積膜形成用原料ガスを励起させて励起種を生成して基体上に堆積膜を形成する工程（ｉｉｉ）に進み、電気抵抗値が所定値を超える場合、工程（ｉｉｉ）に進まない。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコンを用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタのオン電流に対するオフ電流の割合を減少させること。
【解決手段】表示装置に含まれる薄膜トランジスタは、ゲート電極が設けられた導電層と、前記導電層の上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上面に接するとともに前記ゲート電極の上方に設けられ、微結晶シリコンを含む第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜の上面に接する第２の半導体膜と、前記第２の半導体膜に電気的に接続される第１の電極と、前記第２の半導体膜に電気的に接続される第２の電極と、を含む。前記第１の半導体膜における水素濃度は、前記ゲート絶縁層との界面と前記第２の半導体膜との界面との中間で最小となり、前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜との境界における酸素濃度は、前記第１の半導体膜の中央および前記第２の半導体膜の中央のうち少なくとも一方の酸素濃度以下である。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法を用いて、例えば太陽電池の発電層となるシリコン膜を成膜するにあたって、シリコン膜の結晶性を制御することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】水素ガスとモノシランガスとを予め混合し、この混合ガスをプラズマ化して、基板Ｓ上にシリコン膜Ｆ１を成膜する第１の工程（プリミックス）と、水素ガスとモノシランガスとを別々に供給してプラズマ化し、シリコン膜Ｆ２を成膜する第２の工程（ポストミックス）とを組み合わせる。組み合わせの例としては、基板Ｓ上にプリミックスによりシリコン膜Ｆ１を成膜しそのシリコン膜Ｆ１上にポストミックスによりシリコン膜Ｆ２を成膜する方法、基板Ｓ上にシリコン膜Ｆ１及びＦ２を交互に複数回成膜する方法などが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池を製造する際に、プラズマＣＶＤ装置の１つの製膜室で同じ組成の膜を連続して製膜するのではなく異なる不純物を含む複数の膜を連続して製膜する場合に、クリーニング前後での製膜室雰囲気の再現性に問題がなくクリーニング前の変換効率が得られる製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置のクリーニング後の仮製膜工程で光電変換層と同じ組成の複数の膜を製膜することで、製膜室雰囲気の再現性を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来のプラズマＣＶＤ装置では、アモルファスＳｉ薄膜堆積の際、分解種ＳｉＨ_２とＳｉＨ_４親分子との反応が起こりやすく、結果として生成される高次シランが、堆積膜の光安定性の低下の原因となっている。また、生成されるパウダーが、装置の稼働率を低下させている。
【解決手段】プラズマで分解されるガスを、電極（２）表面上のプラズマ生成部へ向けて小孔（１２ａ）から供給する。更に、これとは異種のガスを別の小孔（１２ｂ）から供給して、分解後のガスと気相反応させる。気相反応用に供給するガスを適宜選択することで、プラズマ分解されたガス中のプロセス上有害な分解種を選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】高速成膜時でも高品質な水素化アモルファスシリコン膜を形成することができる半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】電力の供給により原料ガスをプラズマにして活性種に分解し基板上に堆積させ半導体薄膜を製造する方法において、上記原料ガスは第１４族元素水素化合物および／または第１４族元素水素化合物の誘導体を含み、上記記電力が供給されるオン状態と、上記電力が供給されないオフ状態とが交互に切り替わり、かつオフ状態の継続時間が一定でない、半導体薄膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体薄膜を形成する製造方法及びその製造方法を実現するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】４族元素の原子と水素原子とを含む化合物をプラズマと活性種とに分解する工程と、活性種を基板上に堆積させる工程とを備え、分解する工程において、プラズマ生成エネルギーは休止期間と供給期間とを繰り返すように間欠的に供給され、プラズマ生成エネルギーは供給期間において時間的に変動する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置を用いた半導体装置の製造方法に関し、製膜室のクリーニング後に、仮製膜を行った際に堆積する膜の剥離を防ぎ、半導体薄膜中に堆積膜が混入することを防ぐ方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置を用いた半導体装置の製造方法においては、仮製膜の際に結晶質シリコン薄膜を用いている。仮製膜の際に、結晶質シリコン薄膜を用いることで、堆積膜が半導体薄膜の膜中に取り込まれることを防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】 より平滑な表面を持ち、かつ、更なる薄膜化を達成することが可能なアモルファスシリコン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地２を加熱し、加熱した下地２にアミノシラン系ガスを供給し、下地２表面にシード層３を形成する工程と、下地２を加熱し、加熱した下地２表面のシード層３にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、シード層３上にアモルファスシリコン膜４を、層成長する厚さに形成する工程と、層成長する厚さに形成されたアモルファスシリコン膜４をエッチングし、該アモルファスシリコン膜４の膜厚ｔを減ずる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】成膜対象の被成膜面に施される薄膜の均一性を向上して成膜精度を向上する。
【解決手段】真空状態に減圧可能な成膜室１０にガス供給源から材料ガスが供給される真空チャンバ１と、高周波電源の給電側に接続可能な給電側電極棒および高周波電源の接地側に接続可能な接地側電極棒が対向配置されるとともに、両電極棒の基端が真空チャンバに固定され、両電極棒の先端が電気的に接続されてなり、高周波電源からの電力供給により成膜室内でプラズマを発生させるアレイアンテナユニット３０と、基板Ｗの被成膜面を両電極棒に対向させて保持可能な基板保持部材６３と、を備える。基板保持部材に保持された基板Ｗの被成膜面と電極棒との対向間隔は、両電極棒の先端よりも基端の方が大きくなる関係を維持している。 （もっと読む）