【課題】セレン化または硫化用高圧炉を提供する。
【解決手段】処理炉(100)は、第一チャンバー(110)と、第一チャンバー(110)を内部に収納する第二チャンバー(120)と、第一チャンバー(110)にセレン化用ガスを供給する処理ガス供給源(130)と、第一チャンバー(110)の内部を加熱する加熱装置(140)と、第一チャンバー(110)の内圧及び第二チャンバー(120)の内圧並びに第一チャンバー(110)の内部の温度を制御する制御装置(150)と、からなり、制御装置(150)は第二チャンバー(120)の内圧を第一チャンバー(110)の内圧よりも高く維持する。 （もっと読む）

【課題】
従来に比べて製造が容易であり、かつ基板に向けて原料ガスを均一に供給することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】
本発明に係る薄膜を形成する成膜装置は、基板４を配置している第一電極３と、基板４に対向しかつ高周波電圧が印加される第二電極２とを備えており、第二電極２は、基板４に対向する面にシャワー板９を有しているとともに、シャワー板９の基板４に対向する面に一枚のメッシュ板１０を有しており、シャワー板９は、原料ガスを通過させる複数の孔９ａを有しており、メッシュ板１０は、シャワー板９の孔９ａを通過した原料ガス５を通過させるためのメッシュ構造を有し、メッシュ板１０と基板４との間にプラズマが発生する空間を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界分布及びプラズマ分布をより均一化させ、大面積の基板にも安定した製膜処理が行える真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】リッジ電極２１ａ，２１ｂ及び非リッジ部２２ａ，２２ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、リッジ部３１ａ，３１ｂ及び非リッジ部３２ａ，３２ｂを有するリッジ導波管からなる変換器３Ａ，３Ｂと、放電室２および変換器３Ａ，３Ｂの内部の気体を排出させる排気手段９と、母ガスをリッジ電極間に供給する母ガス供給手段１０とを有し、リッジ電極２１ａ，２１ｂの対向する面間の距離をｄ_１、放電室２及び変換器３Ａ，３Ｂのリッジ導波管の横幅をａ_０、放電室２のリッジ導波管の長さをｌ_１、及び供給される高周波電力の真空中波長をλ、と定義した場合に、それぞれ±２％の変動を許容する範囲で以下の式ｄ_１＝０．００４λ、ａ_０＝０．７２λ、ｌ_１＝０．５２λを満たす真空処理装置１。 （もっと読む）

【課題】カルコゲン元素を含む化合物半導体の均一な薄膜を容易に生産する。
【解決手段】カルコゲン元素を含む化合物半導体の薄膜の製造時に、該化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素とカルコゲン元素とを含んでいる皮膜が一主面上に各々配されている複数の基板が準備される。そして、一加熱炉内の基板配置領域に複数の基板のうちの２以上の基板が配置される。更に、複数のガス排出部による一加熱炉内からの排気が調整されることによって、２以上の基板に配されている各皮膜に接している所定サイズの空間領域に、前記カルコゲン元素を含む気体を、前記２以上の基板に配されている各前記皮膜についての前記金属元素の含有量と前記カルコゲン元素の含有量との差を示す指標に応じて単位時間当たりの前記カルコゲン元素の供給量が異なるように流されながら、２以上の基板が加熱されることで、該２以上の基板上に化合物半導体の薄膜が各々形成される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第１下側層と、第１ドープ層と、第１上側層と、を含む。第１下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第１ドープ層は、第１下側層の上に設けられ第１下側層の格子定数以上の格子定数を有し１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^２１ｃｍ^−３未満の濃度であり第１下側層よりも高い濃度で不純物を含有する。第１上側層は、第１ドープ層の上に設けられ第１ドープ層の格子定数以上で第１下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】フットプリントを縮小すると共に処理ラインの長さを短縮し、装置コストの低減および生産性の向上を実現する。
【解決手段】被処理基板Ｇを水平方向に搬送すると共に、前記基板の幅方向に長い吐出口を有するノズルから前記塗布液を吐出し、前記基板上に塗布膜を形成する塗布処理手段６と、前記塗布膜が形成された前記基板を第１の加熱温度で加熱する第１の加熱処理手段１１と、前記第１の加熱処理手段により加熱された前記基板を、前記第１の加熱温度よりも高い第２の加熱温度で加熱する第２の加熱処理手段１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の一面と他面にそれぞれ機能膜を効率よく成膜することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア３５はフレーム４１を備えている。フレーム４１は、支持した基板Ｗの一面Ｗａ側、および他面Ｗｂ側をそれぞれ露出させる開口（開口部）４１ａ，４１ｂがそれぞれ形成されている。フレーム４１の一端には、キャリア３５をアノードとして機能させるためのアノード接点４３が設けられている。キャリア３５は、第一成膜室（プロセス室）や第二成膜室（プロセス室）において、アノード接点４３を介して接地側に電気的に接続され、アノードして機能する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法を用いて、例えば太陽電池の発電層となるシリコン膜を成膜するにあたって、シリコン膜の結晶性を制御することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】水素ガスとモノシランガスとを予め混合し、この混合ガスをプラズマ化して、基板Ｓ上にシリコン膜Ｆ１を成膜する第１の工程（プリミックス）と、水素ガスとモノシランガスとを別々に供給してプラズマ化し、シリコン膜Ｆ２を成膜する第２の工程（ポストミックス）とを組み合わせる。組み合わせの例としては、基板Ｓ上にプリミックスによりシリコン膜Ｆ１を成膜しそのシリコン膜Ｆ１上にポストミックスによりシリコン膜Ｆ２を成膜する方法、基板Ｓ上にシリコン膜Ｆ１及びＦ２を交互に複数回成膜する方法などが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴには、ソレノイドコイル３１が、石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３１に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させる。誘導結合型プラズマトーチユニットＴと基材２間に設置したシリコン材料にプラズマが照射することで、基材２にシリコン系薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイドを含む均一且つ良好な化合物半導体を製造する。
【解決手段】カルコゲン元素を含む化合物半導体の薄膜が製造される際に、該化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素を少なくとも含む皮膜が一主面に配されている１以上の基板が準備され、該１以上の基板が加熱炉内の基板配置領域に配置される。そして、該加熱炉内において、該１以上の基板の一主面および端面のうちの少なくとも一方の面に対向する位置にカルコゲン元素が付着している付着部が配置されている状態で、非酸化性の気体の流れが発生されながら、該１以上の基板が加熱されることによって、該１以上の基板の一主面に化合物半導体の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池を製造する際に、プラズマＣＶＤ装置の１つの製膜室で同じ組成の膜を連続して製膜するのではなく異なる不純物を含む複数の膜を連続して製膜する場合に、クリーニング前後での製膜室雰囲気の再現性に問題がなくクリーニング前の変換効率が得られる製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置のクリーニング後の仮製膜工程で光電変換層と同じ組成の複数の膜を製膜することで、製膜室雰囲気の再現性を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高速成膜時でも高品質な水素化アモルファスシリコン膜を形成することができる半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】電力の供給により原料ガスをプラズマにして活性種に分解し基板上に堆積させ半導体薄膜を製造する方法において、上記原料ガスは第１４族元素水素化合物および／または第１４族元素水素化合物の誘導体を含み、上記記電力が供給されるオン状態と、上記電力が供給されないオフ状態とが交互に切り替わり、かつオフ状態の継続時間が一定でない、半導体薄膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 観察窓の位置に係わらず反応ガスの逆拡散を抑え、観察窓の曇りを防止した気相成長装置を提供する。
【解決手段】 反応ガスを供給して基板の被成膜面に成膜する気相成長装置であって、基板を保持する基板保持台と、基板保持台と対向して配置され、基板と対向する位置に貫通穴を有するシャワーヘッドと、内部にパージガスを充満し、貫通穴を介して前記基板の被成膜面を臨み得る観察窓を有するビューポートとを備え、基板と貫通穴の間に流す反応ガスの方向と、貫通穴と観察窓の間に流すパージガスの方向が逆方向であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体薄膜を形成する製造方法及びその製造方法を実現するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】４族元素の原子と水素原子とを含む化合物をプラズマと活性種とに分解する工程と、活性種を基板上に堆積させる工程とを備え、分解する工程において、プラズマ生成エネルギーは休止期間と供給期間とを繰り返すように間欠的に供給され、プラズマ生成エネルギーは供給期間において時間的に変動する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法において、結晶性が高く欠陥密度の低いシリコン膜を得ることができ、また成膜速度が高い成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器１の上面にコイル状のアンテナ５２を設け、このアンテナ５２に高周波電力を印加することにより、処理容器１内上部にプラズマ生成空間を形成する。そしてこのプラズマ生成空間に第１のガス供給部からヘリウムガスを供給することによりヘリウムの活性種を生成する。一方この第１のガス供給部よりも下方にて、第２のガス供給部４からモノシランガスを上方へ向けて吐出する。こうしてヘリウムの活性種とモノシランガスとが混合され、モノシランがプラズマ化される。このプラズマ化されたモノシランを含む混合ガスを基板Ｓに供給することにより成膜処理を行う。この成膜処理において水素ガスは用いない。 （もっと読む）

【課題】ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜およびその生成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫（ＩＩ）化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、（ｂ）前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、（ｃ）前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程と、（ｄ）前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、４価の錫が添加された導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜を形成する工程と、を備える結晶性の高い導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜の生成方法とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置を用いた半導体装置の製造方法に関し、製膜室のクリーニング後に、仮製膜を行った際に堆積する膜の剥離を防ぎ、半導体薄膜中に堆積膜が混入することを防ぐ方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置を用いた半導体装置の製造方法においては、仮製膜の際に結晶質シリコン薄膜を用いている。仮製膜の際に、結晶質シリコン薄膜を用いることで、堆積膜が半導体薄膜の膜中に取り込まれることを防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】ガス導入管や噴出孔への副生成物の堆積を抑制しながらチューブ内の温度不均一を解消することができ、ウェハ面内の反応均一性が高い熱処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による横型拡散炉は、キャリアガスをプロセス温度付近まで昇温させる昇温管路９と、原料ガス導入管７の噴出孔１０近傍に設けられ、昇温管路９において昇温されたキャリアガスと常温のプロセスガスを混合する混合機構１１を有している。これにより、原料ガスを石英チューブ１の内部に導入する直前にプロセス温度に昇温させることができるため、原料ガス導入管７や噴出孔１０への副生成物の堆積が抑制される。また、プロセス温度に昇温された原料ガスを石英チューブ１に導入することにより、石英チューブ１内の温度不均一を解消することができ、ウェハ面内の反応均一性が高くなる。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイドを含む均一且つ良好な化合物半導体を製造する。
【解決手段】カルコゲン元素を含む化合物半導体の薄膜が製造される際に、該化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素を少なくとも含む皮膜が一主面の上に配されている１以上の基板が準備され、該１以上の基板が加熱炉内の基板配置領域に配置される。そして、該加熱炉内において基板配置領域に向かって流れる非酸化性の気体が接する位置にカルコゲン元素が付着している付着部が配置されている状態で、上記１以上の基板が加熱されることによって、該１以上の基板の上に化合物半導体の薄膜が形成される。 （もっと読む）