【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、ソレノイドコイル３が、第一石英板４、第二石英板５、及び、複数の石英管６によって囲まれた長尺チャンバの周囲に配置され、最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。石英管６の内部には冷却水が供給される。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、スパイラルコイル３が第一石英板４、第二石英板５、及び、冷媒ケース１６によって囲まれた冷媒流路内に配置され、最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５と冷媒ケース１６とは、ボルト１９をタップ１８にねじ込むことにより、固定される。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】長期間に亘って確実にプラズマに点火可能なプラズマ装置を提供する。
【解決手段】軸方向に中空構造を有する中空構造体（１１）、中空構造体（１１）の内部に配置される第１電極（１２）、中空構造体（１１）のプラズマ発生領域（１３）を外面から覆う構造を有する第２電極（１４）を備え、第１電極（１２）は、中空構造体のプラズマ発生領域において変形構造（１２ｂ）を有する。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマＣＶＤでは、成膜レートがプラズマギャップ（電極−成膜用基板間距離）に非常に敏感である。１ｍ角を越える大型基板に大気圧プラズマＣＶＤで薄膜を形成する場合、基板のうねり等のために電極−成膜用基板間距離が変動すると、成膜レート、膜厚が変動し、それによって太陽電池の出力が変動するしてしまう。
【解決手段】
大気圧プラズマＣＶＤ装置において、ガス供給手段で電極とテーブルとの間に大気圧中でＣＶＤ原料ガスを供給しながら電極とテーブルとの間に大気圧中で高周波電力を印加することにより電極と試料との間にプラズマを発生させた状態で駆動手段で電極をテーブル手段に沿って移動させている間に電極とテーブルとの両方を制御して電極とテーブルとの間隔を制御することにより、基板にうねりがあっても基板上に均一な膜厚の薄膜を形成できるようにした。 （もっと読む）

酸化ケイ素層を形成する方法が開示される。これらの方法は、ラジカル前駆体とラジカル酸素前駆体の両方を炭素のないケイ素含有前駆体と同時に組み合わせるステップを含む。ラジカル前駆体およびケイ素含有前駆体の１つは窒素を含有する。このような方法の結果、ケイ素、酸素、および窒素含有層が基板上に堆積される。次いで、ケイ素、酸素、および窒素含有層の酸素含有量を増大させて、窒素をほとんど含有しない酸化ケイ素層を形成する。ラジカル酸素前駆体およびラジカル前駆体は、別個のプラズマまたは同じプラズマ内で作り出すことができる。酸素含有量の増大は、酸素含有雰囲気の存在下でこの層をアニールすることによって引き起こすことができ、膜の密度は、不活性環境中の温度をさらに高くすることによって、さらに増大させることができる。
（もっと読む）

【課題】被処理物の表面処理量を微小にする
【解決手段】拡散室画成部３０の拡散室３３を漏出口３５を介して処理空間１０ａに連ねる。好ましくは、隔壁１５で拡散室３３を処理空間１０ａから隔て、かつ隔壁１５に漏出口３５を設ける。処理ガスの導入路２９の導入口２５を拡散室３３内に開口させる。好ましくは、漏出口３５を、ガス導入方向２５に沿ってまっすぐ下流側の位置Ｐからずらし、より好ましくは、隔壁１５と交差する内壁１７の一箇所が上記位置Ｐになるようにする。す。排気路４９の排気口４１を拡散室３３内に開口させる。好ましくは、排気口４１を拡散室３３における漏出口３５の側とは反対側に設ける。 （もっと読む）

【目的】加熱された半導体ウェハを確実に且つ迅速に搬送させることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供することを目的とする。
【構成】ヒータ内蔵のサセプタに保持されている処理済みの半導体ウェハを、搬送アームによって吸着して外部に搬送するにあたり、先ず、サセプタを、ウェハ待機ステージの真上の位置に移動して、このサセプタに保持されている半導体ウェハをウェハ待機ステージ上に移す。そして、ウェハ待機ステージの真上に位置しているサセプタを水平方向に移動し、所定の冷却期間経過後に、搬送アームにより、ウェハ待機ステージ上の半導体ウェハを吸着して外部に搬送する。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物を用いたマスクパターンを用いることなくＴＦＴ及びそれを用いた表示装置を製造することを目的とする。
【解決手段】ロールツーロール方式により加工処理を行う表示装置の製造方法であって、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第１の液滴吐出手段により、可撓性を有する基板上に開口部を有する絶縁性樹脂膜を形成し、組成物の吐出口が一軸方向に複数個配列した第２の液滴吐出手段により、開口部にゲート電極を形成し、プラズマの噴出口が一軸方向に複数個配列したノズル体を備えた被膜形成手段により、ゲート電極および絶縁性樹脂膜上にゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理ガス中に雰囲気ガスより重い成分が含まれていても、ほぼ垂直に立てた被処理物の処理を過不足無く均一に行なう。
【解決手段】被処理物９の被処理面９ａを略垂直に向ける。略垂直に分布する吹出し口２１ａを有するノズル２０を被処理物９と対向させる。雰囲気ガスより重い反応成分を含む処理ガスをノズル２０に導入する。吹出し口２１ａの近傍で流速調節用の窒素ガスを処理ガスに混入する。混入後の処理ガスを吹出し口２１ａから吹き出す。吹き出し時の処理ガスの流速が０．１ｍ／ｓ〜０．５ｍ／ｓになるよう、流速調節用ガスの混入流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】放電空間中で凝集し発生した微粒子、真空室内壁面または放電電極上に成膜された後、剥離して発生した破片状粒子等の粒子が被成膜基板上へ付着することを防止し、特性歩留まりの良好な太陽電池等電子デバイスを提供する。
【解決手段】成膜室内において、導入するガスの流れを被成膜基板の成膜面から遠ざかる方向に整流することにより、放電空間で発生した微粒子、及び真空室内壁面や放電電極上から剥離して発生した破片状粒子をガスの流れに乗せて排出し、被成膜基板の成膜面に付着することを防止する。また前記微粒子や破片状粒子は、放電電極表面全体に設けた複数の開口部から吸引し排出し、放電電極上に堆積する膜の量と剥離し排出する膜の量が釣り合った定常状態にすることにより、放電電極のクリーニングを長時間行わずに連続成膜が可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高速回転時にウェーハを確実に支持し、ウェーハ上に均一な成膜を行うことが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、反応室１１内の所定位置でウェーハｗを下面側より支持する第１の支持部材１７と、この第１の支持部材１７の上方に設けられ、ウェーハｗの外周縁部を上面側より全周に亘って支持する第２の支持部材１８を備え、ウェーハｗを第１および第２の支持部材と共に回転させながら加熱し、均一に成膜を行う。 （もっと読む）