処理性能を改善するために基板担体を修正する方法は、基板担体によって支持された基板上に材料を蒸着すること、またはデバイスを製造することを含む。その後、基板上に蒸着された層のパラメータが、基板担体上のそれらの対応する位置の関数として測定される。基板上に製造された少なくともいくつかのデバイスの測定されたパラメータまたは蒸着された層の特性が、基板担体上の複数の位置に対応する基板担体の複数の物理的特徴を得るために、基板担体の物理的特徴に関連付けられる。その後、基板担体の物理的特徴が、基板担体上の位置の関数として蒸着された層または製造されたデバイスの所望のパラメータを得るために、基板担体上の複数の対応する位置のうちの１つ以上において修正される。
（もっと読む）

ロールツーロールＣＶＤシステムは、ＣＶＤ処理の際、堆積チャンバを通して、ウェブを搬送する、少なくとも２つのローラーを含む。堆積チャンバは、少なくとも２つのローラーによって搬送される間、ウェブを通過させるための通路を画定する。堆積チャンバは、複数の処理チャンバのそれぞれ内に別個の処理化学物質を維持する、障壁によって隔離される、複数の処理チャンバを含む。複数の処理チャンバはそれぞれ、ガス流入ポートおよびガス排出ポートと、複数のＣＶＤガス源とを含む。複数のＣＶＤガス源のうちの少なくとも２つは、複数の処理チャンバのそれぞれのガス流入ポートに連結される。
（もっと読む）

連続補給ＣＶＤシステムは、ＣＶＤ処理の際、堆積チャンバを通して、ウエハを搬送する、ウエハ搬送機構を含む。堆積チャンバは、ウエハ搬送機構によって搬送される間、ウエハを通過させるための通路を画定する。堆積チャンバは、複数の処理チャンバのそれぞれ内に別個の処理化学物質を維持する、障壁によって隔離される、複数の処理チャンバを含む。複数の処理チャンバはそれぞれ、ガス流入ポートおよびガス排出ポートと、複数のＣＶＤガス源と、を含む。複数のＣＶＤガス源のうちの少なくとも２つは、複数の処理チャンバのそれぞれのガス流入ポートに連結される。
（もっと読む）

ウェブ基板原子層堆積システムは、複数の処理チャンバを通して、ウェブ基板の表面を搬送する、少なくとも１つのローラを含む。複数の処理チャンバは、ウェブ基板の表面を第１の前駆体ガスの所望の部分圧力に曝露し、それによって、ウェブ基板の表面上に第１の層を形成する、第１の前駆体反応チャンバを含む。パージチャンバは、パージガスによって、ウェブ基板の表面をパージする。真空チャンバは、基板の表面からガスを除去する。第２の前駆体反応チャンバは、ウェブ基板の表面を第２の前駆体ガスの所望の部分圧力に曝露し、それによって、ウェブ基板の表面上に第２の層を形成する。
（もっと読む）

【課題】複数のノズルに供給される複数の坩堝から蒸発した材料の量を正確に制御する堆積供給源を提供する。
【解決手段】堆積供給源１００であって、ａ）堆積材料を収容する複数の坩堝１０２と、ｂ）複数のコンダクタンスチャネルを備える本体１１２と、ｃ）坩堝とコンダクタンスチャネルと熱的な連通をするように配置されたヒータと、ｄ）複数の坩堝のうちの少なくとも１つに、部分的な熱分離を提供する熱シールドと、ｅ）複数のノズルからなり、該ノズルの各々の入力は該複数のコンダクタンスチャネルの出力に連結され、蒸発した堆積材料は、該複数の坩堝から、該コンダクタンスチャネルを通って該ノズルまで移送され、該蒸発した堆積材料は該ノズルから排出され堆積フラックスを形成する。 （もっと読む）