バッチ式処理装置
【課題】 処理ガスの使用効率が良く、かつ、被処理体の面積が巨大であっても、ＡＬＤ法の適用も可能となるバッチ式処理装置を提供すること。
【解決手段】 メインチャンバ３１ａと、メインチャンバ３１ａ内に、このメインチャンバの高さ方向に積み重ねて設けられた、被処理体Ｇを載置する複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙと、ステージ１０１ａ〜１０１ｙごとに設けられ、ステージ１０１ａ〜１０１ｙに載置された被処理体Ｇをカバーする複数のカバー１０２ａ〜１０２ｙと、を備え、複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙと複数のカバー１０２ａ〜１０２ｙとで、複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙに載置された複数の被処理体Ｇの各々を取り囲むように、メインチャンバ３１ａよりも容量が小さい処理用小空間１０６を形成する。
【解決手段】 メインチャンバ３１ａと、メインチャンバ３１ａ内に、このメインチャンバの高さ方向に積み重ねて設けられた、被処理体Ｇを載置する複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙと、ステージ１０１ａ〜１０１ｙごとに設けられ、ステージ１０１ａ〜１０１ｙに載置された被処理体Ｇをカバーする複数のカバー１０２ａ〜１０２ｙと、を備え、複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙと複数のカバー１０２ａ〜１０２ｙとで、複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙに載置された複数の被処理体Ｇの各々を取り囲むように、メインチャンバ３１ａよりも容量が小さい処理用小空間１０６を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、バッチ式処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬなどのフラットパネルディスプレイ（以下、ＦＰＤ）や、太陽電池モジュールの製造に用いられる被処理体としてのガラス基板に成膜やエッチング等の処理を行うために、その処理速度や制御性の観点からプラズマ処理が多く用いられており、バッチ式における装置構造の複雑さを避けてプラズマの性能を向上させることによりスループットに関する要求に応えながら枚葉式の処理装置が使われてきた。
【０００３】
しかしながら、当然、枚葉式で行うよりもバッチ式で行うほうがスループット的には効率が良く、近年、バッチ式処理による処理装置も開発されており、このようなバッチ式処理装置は、例えば、特許文献１に記載されている。
【０００４】
一方で、ガラス基板上に形成されるＴＦＴ（Thin Film Transistor）が微細化するにつれて、ゲート等としてガラス基板上に形成された薄膜へのプラズマによるダメージが深刻化しており、また、有機ＥＬなどの製造においてはより低い温度のプロセスが求められ、これらの要求によりプラズマを用いないガスによるプロセスが見直されてきている。
【０００５】
このようなプラズマを発生させずにガスによる処理を用いた処理装置の場合にはプラズマを用いた処理装置の構造よりも簡単になるためバッチ式処理装置を採用することがより容易となってくる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−８２３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、単純に大きなプロセスチャンバ内に複数のガラス基板を並べ、複数のガラス基板に対して同時に処理を行おうとすると、処理ガスの使用効率が低下する、という事情がある。プロセスチャンバの容量が大きくなるためである。
【０００８】
また、薄膜成膜の分野において、基板の表面上に２種類以上の前駆体ガスを交互に流し、これら前駆体ガスを基板表面上に形成された吸着サイトに吸着させることにより薄膜を原子層レベルで成膜する原子層堆積法（以下ＡＬＤ法）が注目されている。ＡＬＤ法は、段差被覆性、膜厚均一性、薄膜制御性に優れており、より微細化が進む素子の形成に極めて有効であると考えられているためである。例えば、現状、７３０ｍｍ×９２０ｍｍ〜２２００ｍｍ×２５００ｍｍの大きさを持ち、半導体ウエハよりも格段に面積が大きなガラス基板等に対する薄膜成膜においても、薄膜の高品質化のために、ＡＬＤ法の採用が検討され始めている。
【０００９】
しかし、大面積のガラス基板の複数に対し、同時にＡＬＤ法を適用しようとすると、ガラス基板自体の面積が大きいことに加え、複数のガラス基板を収容するプロセスチャンバ自体の容量も巨大となるために、複数のガラス基板の表面それぞれに対して、前駆体ガスの均一な供給や、均一な排気が難しくなる。このため、例えば、ガラス基板の表面それぞれへの吸着サイトの均一な形成や、前駆体ガスと吸着サイトとの均一、かつ、安定した反応が進み難くなり、薄膜を期待通りの品質で得ることができなくなってしまう。
【００１０】
この発明は、処理ガスの使用効率が良く、かつ、被処理体の面積が巨大であっても、ＡＬＤ法の適用も可能となるバッチ式処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明の一態様に係るバッチ式処理装置は、複数の被処理体に同時に処理を施すバッチ式処理装置であって、メインチャンバと、前記メインチャンバ内に、このメインチャンバの高さ方向に積み重ねて設けられた、前記被処理体を載置する複数のステージと、前記ステージごとに設けられ、前記ステージに載置された前記被処理体をカバーする複数のカバーと、を備え、前記複数のステージと前記複数のカバーとで、前記複数のステージに載置された前記複数の被処理体の各々を取り囲むように、前記メインチャンバよりも容量が小さい処理用小空間を形成する。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、処理ガスの使用効率が良く、かつ、被処理体の面積が巨大であっても、ＡＬＤ法の適用も可能なバッチ式処理装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】この発明の第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置を備えた処理システムの一例を示す水平断面図
【図２】図１中のII−II線に沿う断面図
【図３】（Ａ）図はカバーを上昇させた状態を示す図、（Ｂ）図はカバーを下降させた状態を示す図
【図４】（Ａ）図はリフターを上昇させた状態を示す図、（Ｂ）図はリフターを下降させた状態を示す図
【図５】ステージとカバーとが分離した状態を示す斜視図
【図６】（Ａ）図はガス吐出孔形成エリア近傍の平面図、（Ｂ）図は（Ａ）図中のVIＢ−VIＢ線に沿う断面図
【図７】（Ａ）図は排気溝近傍の平面図、（Ｂ）図は（Ａ）図中のVIIＢ−VIIＢ線に沿う断面図
【図８】処理用小空間内のガスの流れを示す図
【図９】（Ａ）図〜（Ｆ）図は被処理体Ｇの搬入出動作の一例を示す断面図
【図１０】（Ａ）図は第１の変形例に係るバッチ式処理装置の平面図、（Ｂ）図は（Ａ）図中のＸＢ−ＸＢ線に沿う断面図
【図１１】（Ａ）図〜（Ｃ）図は処理用小空間の形成例を示す断面図
【図１２】（Ａ）図は第３の変形例に係るバッチ式処理装置のステージを下降させた状態を示す図、（Ｂ）図はステージを上昇させた状態を示す図
【図１３】第３の変形例に係るバッチ式処理装置のリフターを上昇させた状態を示す図
【図１４】垂直ガス吐出方式の一例を示す断面図
【図１５】水平ガス吐出方式の一例を示す断面図
【図１６】（Ａ）図は第４の変形例に係るバッチ式処理装置のリフターを下降させた状態を示す図、（Ｂ）図はリフターを上昇させた状態を示す図
【図１７】ステージのピン状リフター収容部近傍を示す断面図
【図１８】（Ａ）図は第５の変形例に係るバッチ式処理装置のカバーを上昇させた状態を示す図、（Ｂ）図はカバーを下降させた状態を示す図
【図１９】この発明の第２の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーとその近傍を示す断面図
【図２０】この発明の第３の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーとその近傍を示す断面図
【図２１】この発明の第３の実施形態の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーとその近傍を示す断面図
【図２２】この発明の第４の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図２３】（Ａ）図及び（Ｂ）図は図２２中のXXIII-XXIII線に沿う断面図
【図２４】（Ａ）図及び（Ｂ）図は排気溝近傍を拡大して示す断面図
【図２５】第４の実施形態の第１の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図２６】第４の実施形態の第２の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図２７】第４の実施形態の第３の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図２８】第４の実施形態の第４の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図２９】第４の実施形態の第５の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図３０】第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図３１】この発明の第５の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図３２】第５の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置の排気溝近傍を拡大して示す断面図
【図３３】第５の実施形態の第１の変形例に係るバッチ式処理装置の排気溝近傍を拡大して示す断面図
【図３４】第５の実施形態の第２の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図３５】第５の実施形態の第３の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図３６】第５の実施形態の第３の変形例に係るバッチ式処理装置の排気溝近傍を拡大して示す断面図
【図３７】第５の実施形態の第４の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図３８】第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図３９】この発明の第６の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図４０】ピックの変形例を示す平面図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。この説明において、参照する図面全てにわたり、同一の部分については同一の参照符号を付す。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１はこの発明の第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置を備えた処理システムの一例を示す水平断面図、図２は図１中のII−II線に沿う断面図である。図１及び図２に示す処理システムは、被処理体としてＦＰＤの製造や太陽電池モジュールに用いられるガラス基板を用い、このガラス基板に成膜処理や熱的処理を施す処理システムである。
【００１６】
図１に示すように、処理システム１は、ロードロック室２、バッチ式処理装置３ａ及び３ｂ、並びに共通搬送室４を含んで構成される。ロードロック室２では、大気側と減圧側との間で圧力変換が行われる。バッチ式処理装置３ａ及び３ｂでは、被処理体Ｇ、例えば、ガラス基板に対して成膜処理や熱的処理が施される。被処理体Ｇのサイズの一例は、７３０ｍｍ×９２０ｍｍ〜２２００ｍｍ×２５００ｍｍの矩形である。
【００１７】
本例においては、ロードロック室２、バッチ式処理装置３ａ及び３ｂ、並びに共通搬送室４は真空装置であり、それぞれ被処理体Ｇを所定の減圧状態下におくことが可能な、気密に構成されたチャンバ２１、３１ａ、３１ｂ、及び４１を備えている。チャンバ２１、３１ａ、３１ｂ、及び４１には、内部を減圧状態とするために排気口を介して真空ポンプなどの排気装置５が接続されている。図２には、チャンバ３１ａに設けられた排気口３２、及びチャンバ４１に設けられた排気口４２が示されている。
【００１８】
さらに、チャンバ２１、３１ａ、３１ｂ、及び４１には、開口部２３ａ、２３ｂ、３３ａ、３３ｂ、４３ａ、４３ｂ、及び４３ｃが設けられている。被処理体Ｇは、これらの開口部を介して搬入出される。
【００１９】
ロードロック室２のチャンバ２１は、開口部２３ａ、及びゲートバルブ室６ａを介して、処理システム１の外部、即ち、大気側に連通される。ゲートバルブ室６ａには、開口部２３ａを開閉するゲートバルブＧＶが収容されている。さらに、チャンバ２１は、開口部２３ｂ、ゲートバルブ室６ｂ、及び開口部４３ａを介してチャンバ４１に連通される。ゲートバルブ室６ｂには、開口部２３ｂを開閉するゲートバルブＧＶが収容されている。
【００２０】
バッチ式処理装置３ａのチャンバ３１ａは、開口部３３ａ、この開口部３３ａを開閉するゲートバルブＧＶが収容されたゲートバルブ室６ｃ、及び開口部４３ｂを介してチャンバ４１に連通される。
【００２１】
同様に、バッチ式処理装置３ｂのチャンバ３１ｂは、開口部３３ｂ、この開口部３３ｂを開閉するゲートバルブＧＶが収容されたゲートバルブ室６ｄ、及び開口部４３ｃを介してチャンバ４１に連通される。
【００２２】
共通搬送室４のチャンバ４１の平面形状は、本例では矩形状である。矩形状の四辺のうち、三辺に、開口部４３ａ、４３ｂ、４３ｃが設けられている。共通搬送室４の内部には、搬送装置７が設置されている。搬送装置７は、被処理体Ｇを、ロードロック室２からバッチ式処理装置３ａ又は３ｂへ、バッチ式処理装置３ａ又は３ｂからバッチ式処理装置３ｂ又は３ａへ、バッチ式処理装置３ａ又は３ｂからロードロック室２へと搬送する。このため、搬送装置７は、被処理体Ｇを昇降させる昇降動作、及び被処理体Ｇを旋回させる旋回動作に加え、ロードロック室２、バッチ式処理装置３ａ及び３ｂの内部への進出退避動作が可能に構成されている。
【００２３】
搬送装置７は、被処理体Ｇを支持する支持部材であるピック７１を備えたピックユニット７２と、ピックユニット７２をスライドさせるスライドユニット７３と、スライドユニット７３を駆動させるドライブユニット７４とを含んで構成される。ピック７１は、チャンバ４１の高さ方向に積み重ねて複数設けられており、複数枚の被処理体Ｇは、ピック７１上にチャンバ４１の高さ方向に水平に載置され、複数の被処理体Ｇを一度に搬送するように構成されている。
【００２４】
スライドユニット７３にはスライドベース７３ａが設けられており、ピックユニット７２はスライドベース７３ａに取り付けられ、スライドベース７３ａ上を前後にスライドする。これにより、ピックユニット７２は前進後退し、チャンバ４１の内部から、チャンバ２１、３１ａ、３１ｂの内部に対して進出退避する。さらに、スライドユニット７３は、ドライブユニット７４により、昇降、及び旋回される。これにより、スライドユニット７３は、例えば、共通搬送室４内において、昇降、及び旋回される。
【００２５】
このような処理システム１の各部の制御、及び搬送装置７の制御は、制御部８により行われる。制御部８は、例えば、マイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるプロセスコントローラ８１を有する。コントローラ８１には、オペレータが処理システム１を管理するために、コマンドの入力操作等を行うキーボードや、処理システム１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース８２が接続されている。さらに、プロセスコントローラ８１には記憶部８３が接続されている。記憶部８３は、処理システム１で実行される各種処理を、プロセスコントローラ８１の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて処理システム１の各部に処理を実行させるためのレシピが格納される。レシピは、例えば、記憶部８３の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、ＣＤ-ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。レシピは、必要に応じて、ユーザーインターフェース８２からの指示等にて記憶部８３から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をプロセスコントローラ８１が実行することで、処理システム１、及び搬送装置７が、プロセスコントローラ８１の制御のもと、所望の処理、制御が実施される。
【００２６】
第１の実施形態に係る処理システム１が備えるバッチ式処理装置３ａ、３ｂのうち、バッチ式処理装置３ａが、この発明の第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置である。もちろん、バッチ式処理装置３ｂについては、第１の実施形態に係るバッチ式処理装置を用いても、既存のバッチ式処理装置を用いてもどちらでも良い。以下、バッチ式処理装置３ａについて、詳細に説明する。
【００２７】
図１及び図２に示したように、バッチ式処理装置３ａはチャンバ３１ａを備えている。以降、このチャンバ３１ａはメインチャンバ３１ａと呼ぶ。
【００２８】
図２及び図３に示すように、メインチャンバ３１ａ内には、このメインチャンバ３１ａの高さ方向に積み重ねて設けられた、被処理体Ｇを載置する複数のステージ１０１ａ、１０１ｂ、…、１０１ｘ、１０１ｙと、これらのステージ１０１ａ〜１０１ｙごとに設けられ、ステージ１０１ａ〜１０１ｙに載置された被処理体Ｇをカバーする複数のカバー１０２ａ、１０２ｂ、…、１０２ｘ、１０２ｙと、を備えている。
【００２９】
本例では、ステージ１０１ａ〜１０１ｙが、メインチャンバ３１ａに図示せぬ固定手段によって固定され、カバー１０２ａ〜１０２ｙがメインチャンバ３１ａ内において昇降する。メインチャンバ３１ａ内には、カバー１０２ａ〜１０２ｙを一括して昇降させるための、例えば、４本のカバー昇降支柱１０３が設けられている。カバー１０２ａ〜１０２ｙは、これらのカバー昇降支柱１０３に固定部１０４を介して固定されている。カバー昇降支柱１０３がメインチャンバ３１ａの高さ方向に昇降することで、カバー１０２ａ〜１０２ｙが一括して昇降する。
【００３０】
カバー１０２ａ〜１０２ｙをステージ１０１ａ〜１０１ｙから一括して上昇させると、ステージ１０１ａ〜１０１ｙがメインチャンバ３１ａの内部空間に露呈される。これにより、被処理体Ｇを、ステージ１０１ａ〜１０１ｙの被処理体載置面１０５上に受け渡すことが可能な状態となる。図３Ａに、カバー１０２ａ〜１０２ｙのうち、カバー１０２ａ〜１０２ｃを一括して上昇させた状態を示す。
【００３１】
反対に、カバー１０２ａ〜１０２ｙを、ステージ１０１ａ〜１０１ｙへ一括して降下させ、ステージ１０１ａ〜１０１ｙとカバー１０２ａ〜１０２ｙとを気密に当接させると、ステージ１０１ａ〜１０１ｙの被処理体載置面１０５上それぞれに一枚ずつ載置された被処理体Ｇの各々を取り囲む、メインチャンバ３１ａの内部空間よりも容量が小さい処理用小空間１０６が形成される。図３Ｂに、カバー１０２ａ〜１０２ｙのうち、カバー１０２ａ〜１０２ｃを一括して下降させた状態を示す。
【００３２】
ステージ１０１ａ〜１０１ｙの縁部には、ピック７１との間で被処理体Ｇを受け渡すリフター１０７が設けられている。本例では、例えば、４つ設けられ、それぞれ被処理体Ｇの縁の部分を支持する。メインチャンバ３１ａ内には、リフター１０７を一括して昇降させるための、例えば、４本のリフター昇降支柱１０８が設けられている。リフター１０７は、これらのリフター昇降支柱１０８に固定部１０９を介して固定されている。リフター昇降支柱１０８がメインチャンバ３１ａの高さ方向に昇降することで、リフター１０７は一括して昇降する。ステージ１０１ａ〜１０１ｃの縁部に設けられたリフター１０７を一括して上昇させた状態を図４Ａに、反対に一括して下降させた状態を図４Ｂに示す。
【００３３】
処理用小空間１０６の内部には、図１に示されるように、処理に使用されるガスが、ガス供給機構、例えば、ガスボックス１１０からガス供給管１１１ａ〜１１１ｃを介して供給される。本例では、ガス供給管の本数は３本としているが、処理用小空間１０６の内部で行われる処理に応じてガスの種類や数が変わるため、ガス供給管の本数は任意である。また、本例のバッチ式処理装置３ａは、ＡＬＤ成膜を想定したものである。このため、例えば、ガス供給管１１１ａから第１の前駆体ガス、ガス供給管１１１ｂからパージガス、ガス供給管１１１ｃから第２の前駆体ガスが供給される。前駆体ガスの種類は成膜される膜により様々に選ばれるが、例えば、シリコン酸化膜を形成する場合には、第１の前駆体ガスとしてシリコン原料ガス、第２の前駆体ガスとして酸化剤を含むガスを供給すれば良い。パージガスは不活性ガスであり、例えば、窒素ガスを一例として上げることができる。
【００３４】
また、処理用小空間１０６の内部は、排気装置１１２により排気ダクト１１３、及び排気管１１４を介して排気される。なお、排気装置１１２としては、図２に示した排気装置５を利用することも可能である。
【００３５】
図５に、ステージ１０１ａとカバー１０２ａとが離れた状態の斜視図を示す。なお、その他のステージ１０１ｂ〜１０１ｙ、カバー１０２ｂ〜１０２ｙも同様な構成である。ここでは、代表例としてステージ１０１ａ、及びカバー１０２ａの構成を説明する。
【００３６】
図５に示すように、ステージ１０１ａの被処理体載置面１０５には、降下されたリフター１０７が収容されるリフター収容部１１５が形成されている。リフター１０７が降下したとき、リフター１０７がリフター収容部１１５に収容されることで、リフター１０７が被処理体載置面１０５の表面よりも上に突出することを無くすことができ、被処理体Ｇは、被処理体載置面１０５に水平に載置することができる。
【００３７】
さらに、上記被処理体載置面１０５の周縁部の一部には、ガス供給管１１１ａ〜１１１ｃからのガスが吐出されるガス吐出孔形成エリア１１６が設けられている。図６Ａにガス吐出孔形成エリア近傍の平面図を、図６Ａ中のVIＢ−VIＢ線に沿う断面を図６Ｂに示す。
【００３８】
図６Ａ及び図６Ｂに示すように、ガスボックス１１０から延伸されたガス供給管１１１ａは、ステージ１０１ａの近傍において被処理体Ｇの搬入出方向に直交したＸ方向に延び、ステージ１０１ａの一端側に接続される。さらに、ガス供給管１１１ａはステージ１０１ａの内部において、Ｘ方向と交差、例えば直交するＹ方向（被処理体Ｇの搬入出方向）に屈曲し、ステージ１０１ａの他端側に向かって延長形成される。Ｙ方向に延長形成されたガス供給管１１１ａの部分には、ガス供給管１１１ａから上記被処理体載置面１０５の表面に達する複数のガス吐出孔１１７ａが形成される。
【００３９】
ガス供給管１１１ｂも同じくＸ方向に延び、ステージ１０１ａの端部中央に接続される。ガス供給管１１１ｂはステージ１０１ａの内部において、ガス供給管１１１ｂの延長形成部分の手前で一端側及び他端側に分岐され、それぞれＹ方向に沿って延長形成される。Ｙ方向に延長形成されたガス供給管１１１ｂの部分にも、ガス供給管１１１ｂから上記被処理体載置面１０５の表面に達する複数のガス吐出孔１１７ｂが形成される。
【００４０】
ガス供給管１１１ｃも同じくＸ方向に延び、ステージ１０１ａの他端側に接続される。ガス供給管１１１ｃはステージ１０１ａの内部において、Ｙ方向に屈曲し、ガス供給管１１１ａとは逆に、ステージ１０１ａの一端側に向かって延長形成される。Ｙ方向に延長形成されたガス供給管１１１ｃの部分にも、ガス供給管１１１ｃから上記被処理体載置面１０５の表面に達する複数のガス吐出孔１１７ｃが形成される。
【００４１】
ガス供給管１１１ａ〜１１１ｃに供給されたガスは、複数のガス吐出孔１１７ａ〜１１７ｃから処理用小空間１０６の内部に向かって吐出される。
【００４２】
本例において、ガス供給管１１１ａ〜１１１ｃは、リフター１０７の部分で途切れることはなく、リフター１０７の下方を通過して、一端側から他端側にわたって延長形成される。これにより、処理用小空間１０６の内部へのガスの供給は、リフター１０７間ばかりでなく、リフター１０７と一端側との間、リフター１０７と他端側との間からも供給できる。この工夫により、処理用小空間１０６の内部には、リフター１０７間のみからガスを供給する場合に比較して、より均一なガスの供給が可能となる。
【００４３】
上記被処理体載置面１０５のガス吐出孔形成エリア１１６に相対する側の周縁部には、排気溝１１８が設けられている。図７Ａに排気溝近傍の平面図を、図７Ａ中のVIIＢ−VIIＢ線に沿う断面を図７Ｂに示す。
【００４４】
排気溝１１８は、ステージ１０１ａの一端側から他端側に向かって、Ｙ方向に沿って形成されている。ステージ１０１ａの端部中央、例えば、リフター１０７間の部分には、上記排気管１１４に接続された排気ダクト１１３が接続されている。排気溝１１８はガス排気口１１９を介して排気ダクト１１３に接続されている。処理用小空間１０６の内部に供給されたガスは、排気溝１１８から吸引され、ガス排気口１１９を介して排気ダクト１１３に導かれ、排気ダクト１１３から排気管１１４を介して排気される。
【００４５】
本例の排気溝１１８もまた、ガス供給管１１１ａ〜１１１ｃと同様に、リフター１０７の部分で途切れることはなく、リフター１０７の下方を通過して、一端側から他端側にわたって形成されている。これにより、処理用小空間１０６の内部は、リフター１０７間のみから排気する場合に比較して、より均一に排気することが可能となっている。
【００４６】
処理用小空間１０６が形成されたときのガスの流れは、図８に示すように、基板載置面１０５からガス吐出孔１１７ａ〜１１７ｃに沿って垂直方向にガスが吐出され、カバー１０２ａで水平方向に方向転換されて反対側の排気溝１１８に向かう。さらに、排気溝１１８の上方で再び垂直方向に方向転換され、ガス排気口１１９に向かって排気されるものとなる。
【００４７】
次に、被処理体Ｇの搬入出動作を説明する。なお、本説明は、代表例としてステージ１０１ａ及びカバー１０２ａにより形成される処理用小空間１０６への搬入出動作を説明するが、他のステージ１０１ｂ〜１０１ｙ、カバー１０２ｂ〜１０２ｙにより形成される処理用小空間への搬入出動作も同様である。
【００４８】
図９Ａ〜図９Ｆは、被処理体Ｇの搬入出動作の一例を示す断面図である。
【００４９】
まず、図９Ａに示すように、カバー１０２ａをピック７１が進入可能となる位置まで上昇させる。
【００５０】
次に、図９Ｂに示すように、被処理体Ｇを支持したピック７１を、共通搬送室４の内部からメインチャンバ３１ａ内のステージ１０１ａの被処理体載置面１０５の上方に進出させる。
【００５１】
次に、図９Ｃに示すように、リフター１０７を上昇させ、被処理体Ｇをピック７１から受け取る。
【００５２】
次に、図９Ｄに示すように、リフター１０７が被処理体Ｇを受け取ったら、ピック７１を共通搬送室４の内部に後退させる。
【００５３】
次に、図９Ｅに示すように、リフター１０７を下降させ、被処理体Ｇを、被処理体載置面１０５上に載置する。
【００５４】
最後に、図９Ｆに示すように、カバー１０２ａを下降させ、カバー１０２ａとステージ１０１ａとを気密に当接させる。これにより、被処理体Ｇの周囲に、処理用小空間１０６が形成される。
【００５５】
このようなバッチ式処理装置３ａによれば、被処理体Ｇを取り囲む、容量が小さい処理用小空間１０６が形成されることで、例えば、メインチャンバ３１ａに複数の被処理体Ｇを暴露させる場合に比較して、成膜に関与しない処理ガスの量を減らすことができ、処理ガスの使用効率を向上させることができる。
【００５６】
また、処理用小空間１０６はメインチャンバ３１ａよりも容量が小さいので、処理用小空間１０６へのガス供給、及びガス排気は、メインチャンバ３１ａへのガス供給、及びガス排気に比較して、より短時間で済ませることができる。このため、ガス供給、ガス排気に要する時間も短縮でき、タクト時間を短く設定することができる。タクト時間を短く設定することができる結果、さらに、スループットの良いバッチ式処理装置を得ることができる。
【００５７】
さらに、処理用小空間１０６は容量が小さいことから、例えば、現状、７３０ｍｍ×９２０ｍｍ〜２２００ｍｍ×２５００ｍｍの大きさを持つようなガラス基板においても、ＡＬＤ法の採用も可能となる、という利点も得ることができる。
【００５８】
次に、バッチ式処理装置３ａの変形例のいくつかを説明する。
【００５９】
（第１の変形例：気密性の改善）
図１０Ａは第１の変形例に係るバッチ式処理装置の平面図、図１０Ｂは図１０Ａ中のＸＢ−ＸＢ線に沿う断面図である。
【００６０】
上記のステージ１０１ａとカバー１０２ａとの間の気密性を高めるために、ステージ１０１ａの被処理体載置面１０５側表面に、封止部材、例えば、Ｏリング１２０を設けても良い。Ｏリング１２０は、カバー１０２ａの、ステージ１０１ａとの当接面により当接される。さらに、第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｃにおいては、特に、図１０Ｂに示すように、Ｏリング１２０と処理用小空間１０６との間に、環状の溝１２１を設けている。カバー１０２ａは、Ｏリング１２０及び環状の溝１２１の上方に被さるようにして、ステージ１０１ａに当接される。
【００６１】
環状の溝１２１はガス供給管１２２が接続されている。ガス供給管１２２には、例えば、ガスボックス１１０から不活性ガス、例えば、窒素（Ｎ２）ガスが供給され、供給された窒素ガスは環状の溝１２１の内部に送り込まれる。環状の溝１２１に送り込まれた窒素ガスは、排気管１１４及び／又は排気管１１４とは別に設けられた排気管１１４ａを介して、例えば、排気装置１１２により排気される。
【００６２】
環状の溝１２１を流れる窒素ガスは、処理用小空間１０６からステージ１０１ａとカバー１０２ａとの極僅かな隙間から漏れ出ようとするガスを処理用小空間１０６に押し返す、あるいは環状の溝１２１に誘い込み、窒素ガスとともに排気管１１４及び／又は排気管１１４ａを介して排気する役目を果たす。
【００６３】
このように、ステージ１０２ａの被処理体載置面１０５側表面に、封止部材、本例ではＯリング１２０を設けることでステージ１０１ａとカバー１０２ａとの間の気密性を高めることができる。さらに、Ｏリング１２０に加え、Ｏリングと処理用小空間１０６との間に環状の溝１２１を設け、環状の溝１２１に不活性ガスを流す。これにより、ステージ１０１ａとカバー１０２ａとの間の気密性を、さらに高めることができる。
【００６４】
また、環状の溝１２１に不活性ガスを流すことにより、処理用小空間１０６内の、例えば化学反応性を持つ雰囲気がＯリング１２０に直接に接触することも抑制される。このため、封止部材、例えば、Ｏリング１２０の経時劣化の進行が抑制され、Ｏリング１２０の交換頻度を減らすことができる、という利点も得ることができる。
【００６５】
なお、上記第１の変形例においてはＯリング１２０と併用して溝１２１を設けたが、Ｏリング１２０を設けずに溝１２１のみを設けるようにしてもよい。その場合、溝１２１から供給される窒素ガスは処理用小空間１０６とメインチャンバ内とに分岐して流れることにより、処理用小空間１０６とメインチャンバ内とを遮断する効果を得ることができる。
【００６６】
（第２の変形例：処理用小空間の形成例）
図１１Ａ〜図１１Ｃは、処理用小空間の形成例を示す断面図である。
【００６７】
図１１Ａに示す例は、上述したバッチ式処理装置３ａである。バッチ式処理装置３ａでは、ステージ１０１ａが平坦であり、カバー１０２ａに、処理用小空間１０６を形成する凹部１３０ａが形成されている。
【００６８】
このタイプでは、図８を参照して説明した通りであるが、処理用小空間１０６へのガス供給及びガス排気が、ステージ１０１ａの被処理体載置面１０５を介したものとなる。
【００６９】
図１１Ｂに示すバッチ式処理装置３ｄは、反対に、カバー１０２ａが平坦であり、ステージ１０１ａに、処理用小空間１０６を形成する凹部１３０ｂを設けた例である。
【００７０】
このタイプでは、処理用小空間１０６へのガス供給及びガス排気を、ステージ１０１ａの凹部１３０ｂの側面を介して行うことが可能となる。この場合、例えば、ガス吐出孔１１７は凹部１３０ｂの一側面に、ガス排気口１１９は、凹部１３０ｂの上記一側面に相対する他の側面に設けられる。
【００７１】
このようにガス吐出孔１１７及びガス排気口１１９を互いに相対した凹部１３０ｂの側面に設けると、ガス供給管１１１から供給されるガスの流れが、処理用小空間１０６の内部において、ガス吐出孔１１７からガス排気口１１９まで進行方向を変えることがない。このため、処理用小空間１０６の内部に、処理に使用するガスに層流を形成しやすい、という利点を得ることができる。処理用小空間１０６の内部を流れるガスが層流になることによって、例えば、成膜される薄膜の膜厚及び膜質の制御性を、より高めることができる、という利点を、さらに得ることができる。
【００７２】
図１１Ｃに示すバッチ式処理装置３ｅは、ステージ１０１ａ及びカバー１０２ａの双方に、処理用小空間１０６を形成する凹部１３０ａ及び１３０ｂを設けた例である。
【００７３】
このように、処理用小空間１０６を形成する凹部１３０ａ及び１３０ｂは、ステージ１０１ａ及びカバー１０２ａの双方に設けることも可能である。
【００７４】
（第３の変形例：カバー固定、ステージ昇降）
第３の変形例に係るバッチ式処理装置が、第１の実施形態に係るバッチ式処理装置３ａと異なるところは、カバー１０２ａ〜１０２ｙがメインチャンバ３１ａ内に固定であり、ステージ１０１ａ〜１０１ｙが一括して昇降することである。
【００７５】
図１２Ａは第３の変形例に係るバッチ式処理装置のステージを下降させた状態を示す図、図１２Ｂはステージを上昇させた状態を示す図である。
【００７６】
図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｆのメインチャンバ内には、ステージ１０１ａ〜１０１ｙを一括して昇降させるための、例えば、４本のステージ昇降支柱１４０が設けられている。カバー１０２ａ〜１０２ｙは図示しない固定手段によりメインチャンバ３１ａに固定されている。ステージ１０１ａ〜１０１ｙは、これらのステージ昇降支柱１４０に固定部１４１を介して固定されている。ステージ昇降支柱１４０がメインチャンバの高さ方向に昇降することで、ステージ１０１ａ〜１０１ｙが一括して昇降する。なお、図１２Ａ及び図１２Ｂには、ステージ１０１ａ〜１０１ｙのうち、ステージ１０１ａ〜１０１ｃを一括して昇降させた状態が示されている。
【００７７】
リフター１０７がステージ１０１ａ〜１０１ｙそれぞれの縁部に形成されている場合には、ステージ１０１ａ〜１０１ｙの昇降と連動してリフター１０７も昇降する。リフター１０７のみを昇降させる際には、例えば、ステージ１０１ａ〜１０１ｃが下降した状態で、リフター昇降支柱１０８を昇降させる。図１３には、ステージ１０１ａ〜１０１ｃが下降した状態で、リフター１０７を上昇させた状態が示されている。また、リフター１０７とステージ１０１ａ〜１０１ｃとを同時に下降させ、リフター１０７を被処理体Ｇの受け渡し位置で停止させた後、ステージ１０１ａ〜１０１ｃを更に下降させるようにしてもよい。これにより、リフター１０７をステージ１０１ａ〜１０１ｃから上昇させた場合と同じ効果を得ることができる。
【００７８】
第３の変形例のように、カバー１０２ａ〜１０２ｙをメインチャンバ３１ａ内に固定し、ステージ１０１ａ〜１０１ｙを一括して昇降させるようにした場合には、カバー１０２ａ〜１０２ｙが動かないため、ガス吐出孔１１７及びガス排気口１１９を、カバー１０２ａ〜１０２ｙに容易に取り付けることが可能となる。
【００７９】
そして、ガス吐出孔１１７及びガス排気口１１９を、カバー１０２ａ〜１０２ｙに取り付けることによれば、ガス吐出方式を、被処理体Ｇの被処理面に対して垂直方向からガスを吐出する垂直ガス吐出方式（いわゆるガスシャワー）、及び被処理体Ｇの被処理面に対して水平方向からガスを吐出する水平ガス吐出方式のいずれかを選択することができる。図１４に垂直ガス吐出方式の一例を、図１５に水平ガス吐出方式の一例を示す。
【００８０】
図１４に示すように、バッチ式処理装置３ｆ−１のカバー１０２ａ−１は、処理用小空間１０６を形成する凹部１３０ａを有し、かつ、その内部にガス拡散空間１５０を備えている。ガス拡散空間１５０は、ガス供給管１１１に接続されており、ガス供給管１１１から処理に使用されるガスが供給される。カバー１０２ａ−１の被処理体Ｇに面した表面には、複数のガス吐出孔１１７が形成されている。複数のガス吐出孔１１７はガス拡散空間１５０と処理用小空間１０６とにそれぞれ連通し、例えば、被処理体Ｇの平面形状に合わせ格子状にカバー１０２ａ−１に形成されている。
【００８１】
なお、複数のガス吐出孔１１７の配置は、格子状に限らず、処理内容に合わせた適切なガス分布を得ることに適した様々な態様を選択することができる。
【００８２】
また、バッチ式処理装置３ｆ−１は、処理用小空間１０６内の排気を、図２に示したメインチャンバ内を排気する排気口３２を介して行う。このため、カバー１０２ａ−１は、ステージ１０１ａに完全に当接されるのではなく、排気用クリアランス１５１を持ってステージ１０１ａとの間に処理用小空間１０６を形成する。処理用小空間１０６内の雰囲気は、排気用クリアランス１５１を介してメインチャンバ内に排気され、さらに、メインチャンバに形成された排気口３２を介して排気される。
【００８３】
また、図１５に示すように、バッチ式処理装置３ｆ−２のカバー１０２ａ−２もまた、処理用小空間１０６を形成する凹部１３０ａを有している。ガス吐出孔１１７は凹部１３０ａの一側面に設けられ、ガス排気口１１９は、凹部１３０ａの上記一側面に相対する側面に設けられる。本例の場合は、カバー１０２ａ−２はステージ１０１ａに気密に当接される。処理用小空間１０６内の排気は、ガス排気口１１９から排気ダクト１１３及び排気管１１４を介して排気される。
【００８４】
もちろん、バッチ式処理装置３ｆ−２においてもバッチ式処理装置３ｆ−１と同様に、カバー１０２ａ−２とステージ１０１ａとの間に排気用クリアランスを設け、処理用小空間１０６の排気を、前記排気用クリアランスを通じて排気口３２から行うようにしてもよい。
【００８５】
このように、第３の変形例によれば、ステージ１０１ａ〜１０１ｙを昇降可能とし、カバー１０２ａ〜１０２ｙをメインチャンバ内に固定するので、ガス吐出方式を、垂直ガス吐出方式、及び水平ガス吐出方式のいずれかを選択でき、ガス供給方式の選択の自由度が向上する、という利点を得ることができる。
【００８６】
（第４の変形例：ピン状リフター）
図１６Ａは、第４の変形例に係るバッチ式処理装置のリフターを下降させた状態を示す図、図１６Ｂはリフターを上昇させた状態を示す図である。なお、図１６Ａ及び図１６Ｂは、ステージ１０１ａ〜１０１ｙ、カバー１０２ａ〜１０２ｙのうち、ステージ１０１ａ、カバー１０２ａのみを示している。
【００８７】
図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、第４の変形例に係るバッチ式処理装置３ｇが、第１の実施形態に係るバッチ式処理装置３ａと異なるところは、リフター１０７がピン状リフター１６０であり、被処理体Ｇの周縁部を支持するのではなく、被処理体Ｇの面内の複数個所を点状に支持することである。
【００８８】
このようにリフターは、ピン状リフター１６０に置換することも可能であり、第１〜３の変形例においても同様に適用することができる。
【００８９】
また、図１７に示すように、リフターとしてピン状リフター１６０を用いた場合、処理用小空間１０６とメインチャンバとの間に、ステージ１０１ａに形成されたピン状リフター収容部１６１とピン状リフター１６０との間の僅かなクリアランスを介した新たなガスリークパス１６２が形成されることとなる。
【００９０】
そこで、ガスリークパス１６２を遮断するために、ピン状リフター収容部１６１と、ピン状リフター１６０の、例えばヘッド部下面１６３との間に、封止部材、例えば、Ｏリング１６４を設けるようにしても良い。Ｏリング１６４を設けることで、上記僅かなクリアランスを介したガスリークパス１６２を介してのガスリークを抑制することができる。
【００９１】
（第５の変形例：被処理体昇降機構の削減）
また、リフターとしてピン状リフター１６０を用いると、リフターを昇降させる被処理体昇降機構、例えば、第１の実施形態では、リフター昇降支柱１０８、及びリフター昇降支柱１０８を駆動する機構を、バッチ式処理装置から削減できる、という利点も得ることができる。
【００９２】
図１８Ａは、第５の変形例に係るバッチ式処理装置のカバーを上昇させた状態を示す図、図１８Ｂはカバーを下降させた状態を示す図である。なお、図１８Ａ及び図１８Ｂは、ステージ１０１ａ〜１０１ｙに設けられたピン状リフター１６０のうち、ステージ１０１ａ〜１０１ｃに設けられたピン状リフター１６０を一括して昇降させた状態を示している。
【００９３】
図１８Ａ及び図１８Ｂに示すように、第５の変形例に係るバッチ式処理装置３ｈは、被処理体昇降機構であるリフターが、ステージ１０１ａ〜１０１ｃに設けられたピン状リフター収容部１６１を貫通してステージに懸架されるピン状リフター１６０を有する。さらに、カバー１０２ａ〜１０２ｃを上昇させたとき、ピン状リフター１６０の下端が下方にあるカバー１０２ａ〜１０２ｃの上面に当接する。これにより、ピン状リフター１６０は、カバー１０２ａ〜１０２ｃの上昇に応じて上昇する。
【００９４】
また、図１８Ａに示す状態から、カバーを下降させると、ピン状リフター１６０の下端が下方にあるカバー１０２ａ〜１０２ｃの上面から離れるとともに、ピン状リフター１６０は、ピン状リフター収容部１６１に収容される。
【００９５】
このように第５の変形例によれば、ピン状リフター１６０を昇降駆動する被処理体昇降機構を、カバーを昇降するカバー昇降機構と連動させる。例えば、本例では、ピン状リフター１６０をカバー１０２ａ〜１０２ｃの昇降に応じて昇降させることで、リフターを昇降させる被処理体昇降機構、例えば、リフター昇降支柱１０８、及びリフター昇降支柱１０８を駆動する機構を、バッチ式処理装置から削減できる、という利点を得ることができる。
【００９６】
バッチ式処理装置から被処理体昇降機構を削減することによれば、メインチャンバの容量の低下とともに、メインチャンバ内から駆動系が無くなることから、パーティクルの発生を抑制できる、という利点を得ることができる。
【００９７】
もちろん、メインチャンバ内から駆動系が無くなるので、バッチ式処理装置の製造コストも抑制することができる。
【００９８】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、ガス供給機構をステージ１０１ａ〜１０１ｙ、及びカバー１０２ａ〜１０２ｙのうち、固定された方に設けるようにしていた。
【００９９】
第２の実施形態は、ガス供給機構をステージ１０１ａ〜１０１ｙ、及びカバー１０２ａ〜１０２ｙのうち、昇降可能な方に設けられるように工夫した例である。
【０１００】
図１９は、この発明の第２の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーとその近傍を示す断面図である。なお、図１９においては、カバー１０２ａ〜１０２ｙのうち、カバー１０２ａのみを示す。
【０１０１】
図１９に示すように、第２の実施形態に係るバッチ式処理装置３ｉが、第１の実施形態に係るバッチ式処理装置３ａと、特に異なるところは、カバー１０２ａ〜１０２ｙを一括して昇降させるカバー昇降支柱１０３の内部及び固定部１０４の内部に、ガス供給管１１１を形成したことにある。
【０１０２】
このように、カバー昇降支柱１０３の内部及び固定部１０４の内部に、ガス供給管１１１を形成することで、ガス供給管１１１及びガス吐出孔１１７を含むガス供給機構を、昇降可能なカバー１０２ａ〜１０２ｙに設けることができる。
【０１０３】
また、本例では、カバー１０２ａを、図１４に示したカバー１０２ａ−１と同様な、垂直ガス吐出方式（ガスシャワー）として構成している。また、ステージ１０１ａ〜１０１ｙは固定である。このため、処理用小空間１０６へのガス吐出方式については垂直ガス吐出方式を採用し、処理用小空間１０６からのガス排気方式については、被処理体載置面１０５の表面から排気溝１１８、ガス排気口１１９を介してガスを吸引する方式にすることが可能である。
【０１０４】
また、本例の排気溝１１８は、第１の実施形態のように、ステージ１０１ａの一辺に沿って一本の線状に形成されるのではなく、ステージ１０１ａ上の載置された被処理体Ｇの縁を取り囲むように環状に形成することができる。ステージ１０１ａの内部から、例えば、図６に示したようなガス供給管１１１ａ〜１１１ｃが無くなるためである。
【０１０５】
処理用小空間１０６へのガス吐出方式を垂直ガス吐出方式（ガスシャワー）として構成した場合、処理用小空間１０６からのガス排気方式は、環状に形成された排気溝１１８を利用して排気すると、処理用小空間１０６からの排気の均一化を促進できる、という利点を得ることができる。
【０１０６】
（第３の実施形態）
図２０に第３の実施形態を示す。第３の実施形態が第１の実施形態、第２の実施形態と異なるところは、固定部１０４を通じてステージ１０１ａに供給されたガスがステージ１０１ａとカバー１０２ａとの接触部からカバー１０２ａに供給され、カバー１０２ａに設けられたガスシャワーから複数のガス吐出孔１１７を通じて処理用空間１０６に供給される点である。処理用空間１０６からのガスの排気は、ステージ１０１ａに排気口（図示せず）を設けて排気してもよく、また、カバー１０２ａとステージ１０１ａの隙間を通じて排気してもよい。ただし、カバー１０２ａとステージ１０１ａの接触部のガス通路が設けられている箇所においては、ガス通路を取り囲むようにシール部材で機密性を保つ必要がある。
【０１０７】
第３の実施形態によれば、被処理体Ｇを載置したステージ１０１ａが固定されているので駆動機構への付加が少なく、且つ、被処理体Ｇを破損する危険性が少ないとともに、昇降させるカバーからシャワーヘッドでガスを供給することができるので被処理体Ｇを均一に処理することができる。
【０１０８】
（第３の実施形態：変形例）
図２１に第３の実施形態の変形例を示す。第３の実施形態の変形例においては、ステージ１０１ａからカバー１０２ａに供給されたガスは、シャワーヘッドでなく単一のガス導入孔から処理用空間１０６に供給される。その際、供給されたガスは、カバー１０２ａの凹部に充填されるため、ガス導入口が偏在することにより発生するガス分布の偏りが緩和されて被処理体Ｇに供給される。図２１においては処理用空間１０６からの排気は排気管１１４を通じて行われるが、カバー１０２ａとステージ１０１ａの隙間から排気される構成としてもよい。
【０１０９】
また、上記第１の実施形態、第２の実施形態、第３の実施形態においては、ステージ１０１ａ〜１０１ｙに温度調節機構を設けてもよい。温度調節機構には、抵抗ヒーターなどのヒーターによる加熱機構を用いることができる。また、他の温調機構としては、ステージ１０１ａ〜１０１ｙの内部に温調媒体を流通させる流路を設け、外部チラーから所定の温度に調整された温調媒体を流通させることにより冷却若しくは加熱又はその双方を適宜切り替えることのできる機構を用いることができる。ヒーターによる加熱機構と温調媒体による温調機構を併用してもよい。
【０１１０】
温調媒体を用いた温調機構の場合は、外部より温調媒体を供給する供給管を接続するためステージ１０１ａ〜１０１ｙが固定されている構成においてより好適に用いられるが、抵抗ヒーターを用いた加熱機構の場合は、抵抗ヒーターに電力を供給する導電線を配置するだけでよいため、ステージ１０１ａ〜１０１ｙを固定する構成においても昇降させる構成においても好適に用いることができる。
【０１１１】
また、温度調節機構は、ステージ１０１ａ〜１０１ｙを一括に温度制御できる機構であってもよく、それぞれのステージを個別に独立して温度制御できる機構であってもよい。個別に独立して温度制御できる機構の場合、ステージの上端及び下端と、中間部とで温度が異なることを防ぎ全てのステージにおいて均一の温度にて被処理体Ｇを処理することができる。
【０１１２】
（第４の実施形態）
図２２はこの発明の第４の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図、図２３Ａ及び図２３Ｂは図２２中のXXIII-XXIII線に沿う断面図である。なお、図２３Ａはカバーを開けた状態を示し、図２３Ｂはカバーを閉じた状態を示している。
【０１１３】
図２２、図２３Ａ及び図２３Ｂに示すように、第４の実施形態に係るバッチ式処理装置３ｋが、第１の実施形態に係るバッチ式処理装置３ａと、特に異なるところは、ステージ１０１ａの被処理体載置面１０５上に突起物、本例では邪魔板１７０を、さらに設けたことにある。邪魔板１７０が設けられたこと以外は、第１の実施形態とほぼ同様である。本例の邪魔板１７０は、例えば、排気溝１１８に沿って、処理用小空間１０６中のガスの流れに交差、例えば、直交する方向に延び、被処理体載置面１０５を横断するように形成されている（図２３Ａ参照）。また、邪魔板１７０の高さは、処理用小空間１０６の高さよりも低く設定されている。これにより、ステージ１０１ａとカバー１０２ａとが当接されて処理用小空間１０６が形成された際、処理用小空間１０６の内部には、本例では凹部１３０ａの内面と邪魔板１７０の上面との間にスリット状の隙間が形成される（図２２及び図２３Ｂ参照）。スリット状の隙間は、例えば、処理用小空間１０６中のガスの流れに交差、例えば、直交する方向に形成され、処理用小空間１０６と排気溝１１８とを連通させる。これにより、処理用小空間１０６内に供給されたガスは、処理用小空間１０６から排気溝１１８に向けて、スリット状の隙間を介して排気される。スリット状の隙間により、処理空間１０６内に供給されたガスを、直接に排気溝１１８に引き込む場合に比較して、処理空間１０６内において均一にすることが可能となる。このため、スリット状の隙間は、邪魔板１７０の高さを調整するなどして、スリット状の隙間の大きさを適切に調整することにより、処理用小空間１０６内のガスの流れを、例えば、層流となるように整流する整流部１７１として機能させることができる。
【０１１４】
図２４Ａ及び図２４Ｂはそれぞれ、排気溝１１８近傍を拡大して示す断面図である。図２４Ａに示す例は邪魔板１７０がない場合、図２４Ｂは邪魔板１７０がある場合を示している。
【０１１５】
図２４Ａに示すように、邪魔板１７０がない場合には、処理用小空間１０６に供給されたガスは、大きな排気溝１１８にそのまま引き込まれる。
これに対して、図２４Ｂに示すように、邪魔板１７０がある場合には、本例ではスリット状の隙間となる整流部１７１が形成される。整流部１７１のコンダクタンスは、邪魔板１７０がない場合に比較して、小さい。コンダクタンスを小さくすることによって、処理用小空間１０６に供給されたガスは、邪魔板１７０がない場合に比較して、整流部１７１において流量が制限される。
【０１１６】
このように処理用小空間１０６の内部に整流部１７１を設け、流量を制限することで、処理用小空間１０６の内部のガスに対して整流作用を及ぼすことができる。この整流作用を利用することで、処理用小空間１０６の内部には、層流となるガスの流れを、より均一に形成することが可能となる。
【０１１７】
このような第４の実施形態に係るバッチ式処理装置３ｋによれば、処理用小空間１０６の内部に整流部１７１を備えることで、より均一な層流のガスの流れを処理用小空間１０６の内部に形成することができ、邪魔板１７０がない場合に比較して、被処理体Ｇ上に成膜される薄膜の膜厚及び膜質の制御性を、さらに向上させることができる。そして、この利点とともに、膜厚及び膜質の被処理体Ｇ面内における面内均一性についても、さらに向上させることができる、という利点を得ることができる。
【０１１８】
（第４の実施形態：第１の変形例）
図２５は、第４の実施形態の第１の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１１９】
図２５に示すように、第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-１が、図２２等に示した一例に係るバッチ式処理装置３ｋと、特に異なるところは、処理用小空間１０６を、ステージ１０１ａに設けられた凹部１３０ｂと、カバー１０２ａに設けられた凹部１３０ａとによって形成したことにある。これ以外の点は、上記一例に係るバッチ式処理装置３ｋとほぼ同様である。
【０１２０】
このように、処理用小空間１０６を形成するための凹部（図２５中では参照符号１３０ａ及び１３０ｂ）を、ステージ１０１ａ及びカバー１０２ａの双方に形成したバッチ式処理装置３ｋ-１であっても、邪魔板１７０を設けることが可能である。そして、第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-１においても、上記一例に係るバッチ式処理装置３ｋと同様な利点を得ることができる。
【０１２１】
（第４の実施形態：第２の変形例）
図２６は、第４の実施形態の第２の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１２２】
図２６に示すように、第２の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-２が、図２２等に示した一例に係るバッチ式処理装置３ｋと、特に異なるところは、カバー１０２ａを平坦とし、ステージ１０１ａに対して処理用小空間１０６を形成するための凹部１３０ｂを形成したことにある。これ以外の点は、上記一例に係るバッチ式処理装置３ｋとほぼ同様である。
【０１２３】
このように、処理用小空間１０６を形成するための凹部（図２６中では参照符号１３０ｂ）を、ステージ１０１ａに対してのみ形成したバッチ式処理装置３ｋ-２であっても、邪魔板１７０を設けることが可能である。
【０１２４】
（第４の実施形態：第３の変形例）
図２７は、第４の実施形態の第３の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１２５】
図２７に示すように、第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-３が、図２６に示した第２の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-２と、特に異なるところは、図１１Ｂ及び図１１Ｃに示した第１の実施形態の第２の変形例に係るバッチ式処理装置３ｄ、３ｅと同様に、処理用小空間１０６へのガス供給及びガス排気を、ステージ１０１ａの凹部１３０ｂの側面を介して行うようにしたことである。これ以外の点は、上記一例に係るバッチ式処理装置３ｋとほぼ同様である。
【０１２６】
このように、処理用小空間１０６へのガス供給及びガス排気を、ステージ１０１ａの凹部１３０ｂの側面を介して行うようにしたバッチ式処理装置３ｋ-３であっても、邪魔板１７０を設けることが可能である。そして、第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-３においても、上記一例に係るバッチ式処理装置３ｋや第２の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-２等と同様な利点を得ることができる。
【０１２７】
（第４の実施形態：第４の変形例）
図２８は、第４の実施形態の第４の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１２８】
図２８に示すように、第４の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-４が、図２７に示した第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-３と、特に異なるところは、邪魔板１７０を、被処理体載置面１０５上ではなく、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面上に設けたことである。これにより、第３の変形例においては整流部１７１が邪魔板１７０の上面とカバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面との間に形成されていた点が、第４の変形例においては整流部１７１が邪魔板１７０の下面とステージ１０１ａの被処理体載置面１０５との間に形成されるようになる。
【０１２９】
このように邪魔板１７０は、被処理体載置面１０５上に限らず、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面上に設けることも可能である。そして、第４の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-４においても、上記第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-３等と同様な利点を得ることができる。
【０１３０】
さらに、第４の変形例による利点の一つとして、以下の利点をあげることができる。
例えば、図２７に示した第３の変形例のように、整流部１７１を邪魔板１７０の上面とカバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面との間に形成した場合、整流部１７１の位置が、被処理体Ｇからみて高すぎると、処理に使用されるガスが、被処理体Ｇの被処理面上方を素通りしてしまう、あるいは被処理面上方においてガスの濃度が低くなってしまう可能性がある。
【０１３１】
このような事情は、第４の変形例を用い、整流部１７１を邪魔板１７０の下面とステージ１０１ａの被処理体載置面１０５との間に形成されるようにすることで解消することができる。
【０１３２】
なお、第４の変形例は、図２２等に示した第４の実施形態の一例、図２５に示した同第１の変形例、図２６に示した同第２の変形例についても、同様に適用することが可能である。
【０１３３】
（第４の実施形態：第５の変形例）
図２９は、第４の実施形態の第５の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１３４】
図２９に示すように、第５の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-５が、図２７に示した第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-３と、特に異なるところは、邪魔板１７０ａ及び１７０ｂを、被処理体載置面１０５上（参照符号１７０ａ）、及びカバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面上（参照符号１７０ｂ）のそれぞれに設けたことである。これにより、第５の変形例においては整流部１７１は、邪魔板１７０ａの上面と邪魔板１７０ｂの下面との間に形成されるようになる。
【０１３５】
このように邪魔板１７０ａ及び１７０ｂは、ステージ１０１ａの被処理体載置面１０５上と、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面上との双方に、それぞれ設けることも可能である。そして、第５の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-５においても、上記第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-３等と同様な利点を得ることができる。
【０１３６】
また、第５の変形例によれば、第４の変形例と同様に、処理に使用されるガスが、被処理体Ｇの被処理面上方を素通りしたり、被処理面上方におけるガスの濃度が低下してしまったり、といった可能性を解消できる、という利点を得ることができる。
【０１３７】
さらに、第５の変形例によれば、邪魔板１７０ａ及び１７０ｂを、ステージ１０１ａの被処理体載置面１０５上と、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面上との双方にそれぞれ設けるので、第３の変形例や第４の変形例に比較して、整流部１７１の位置を、被処理体Ｇの被処理面上方の近傍に設定することが可能となる。このため、処理用小空間１０６に均一な層流のガスの流れを形成しやすくことに加え、ガスの濃度をより細かく制御することも可能となる。ガスの濃度をより細かく制御することができれば、薄膜の膜厚及び膜質の制御性並びに被処理体Ｇにおける面内均一性の向上に加え、例えば、成膜速度の制御も可能になる、という新たな利点についても得ることができる。よって、第５の変形例によれば、成膜速度の制御も可能になることで、例えば、スループットの向上にも有利である、という利点についてもさらに得ることができる。
【０１３８】
なお、第５の変形例は、図２２等に示した第４の実施形態の一例、図２５に示した同第１の変形例、図２６に示した同第２の変形例についても、同様に適用することが可能である。
【０１３９】
さらに、上述した第４の実施形態の一例、及び第４の実施形態の第１の変形例〜第５の変形例は、第１の実施形態の一例、及び第１の実施形態の第１の変形例〜第５の変形例、第２の実施形態の一例、並びに第３の実施形態の一例及び変形例のいずれにも適用することが可能である。
【０１４０】
（第５の実施形態）
図３０は、第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを参考例として示す断面図である。
【０１４１】
図３０に示すように、例えば、第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ａのように、処理に使用するガスを被処理体載置面１０５から供給したり、被処理体載置面１０５から排気したりする場合、処理用小空間１０６の隅部の空間１８０において、ガスが淀む可能性がある。隅部の空間１８０におけるガスの滞留は微量ではあるが、もしも、滞留したガスがプリカーサであった場合などには、次のガスが流れてきた際に、気相反応を起こし、処理用小空間１０６内にパーティクルを微量ながらも発生させる可能性がある。このような可能性は、例えば、排気及びパージを十分に行うことで、軽減させることが可能である。
【０１４２】
しかしながら、十分な排気及びパージを行ったとしても、隅部の空間１８０に極微量のガスが淀むことも予想される。今後のプロセスの更なる高精度化を考えると、たとえ淀んだガスが極微量であり、発生したパーティクルも極微量であったとしても、プロセスに多大な影響を及ぼしてしまうことも予想される。
【０１４３】
第５の実施形態は、隅部の空間１８０におけるガスの淀みを構造的に抑制し、今後のプロセスの更なる高精度化にも対応可能なバッチ式処理装置を提供しようとするものである。
【０１４４】
図３１は、第５の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１４５】
図３１に示すように、第５の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ｍが、第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ａと、特に異なるところは、隅部の空間１８０にガスが淀まないように、処理用小空間１０６の隅部に、例えば、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面に対して傾斜したスロープ部１８１が設けられていることにある。スロープ部１８１が設けられたこと以外は、第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ａとほぼ同様である。
【０１４６】
第５の実施形態によれば、処理用小空間１０６の隅部にスロープ部１８１を設けたことで、ガスが隅部の空間１８０において淀むことがなく、隅部の空間１８０においてもガスの流れを安定して形成することができる。このため、第５の実施形態においては、隅部の空間１８０から発生するパーティクルを、隅部にスロープ部１８１がない場合に比較して、より少なくすることができる。
【０１４７】
このような第５の実施形態に係るバッチ式処理装置３ｍによれば、処理用小空間１０６の隅部にスロープ部１８１を備えることによって、処理用小空間１０６の内部に発生するパーティクルを、スロープ部１８１がない場合に比較して低減することができ、今後のプロセスの更なる高精度化にも対応可能なバッチ式処理装置が得られる、という利点を得ることができる。
【０１４８】
（第５の実施形態：第１の変形例）
図３２は、第５の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ｍの排気溝１１８近傍を拡大して示す断面図である。
【０１４９】
図３２に示すように、第５の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ｍは、第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ａに対して、処理用小空間１０６の隅部にスロープ部１８１を設けたものであった。バッチ式処理装置３ａにおいては、ステージ１０１ａとカバー１０２ａとが当接した際、排気溝１１８とカバー１０２ａの側部とが、破線円１８２内に示されるように離隔された状態となる。離隔された部分においては、ガスが流れようとする方向に対して、処理用小空間１０６と排気溝１１８との間に被処理体載置面１０５による段差が生じた構造となる。このため、隅部の空間１８０と同様に、ガスを淀ませてしまう可能性がある。
【０１５０】
第１の変形例は、排気溝１１８とカバー１０２ａの側部とが離隔された部分において発生するガスの淀みを、さらに解消しようとするものである。
【０１５１】
図３３は、第５の実施形態の第１の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。なお、図３３の断面図は、図３２と同様に、排気溝１１８近傍を拡大して示している。
【０１５２】
図３３に示すように、第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１が、図３２に示したバッチ式処理装置３ｍと、特に異なるところは、破線円１８２内に示すように、排気溝１１８とカバー１０２ａの側部とを離隔せず、排気溝１１８の縁とカバー１０２ａの内面側側面とを、互いに一致するようにしたことにある。この構成を有することにより、第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１においては、処理用小空間１０６から排気溝１１８に向かって流れてきたガスが、図３２に示したように被処理体載置面１０５によって妨げられることなく、排気溝１１８に速やかに引きこまれるようになる。
【０１５３】
このような第１の変形例によれば、排気溝１１８とカバー１０２ａの内面側側面とを互いに一致するようにしたことで、処理用小空間１０６から排気溝１１８に、ガスを速やかに引きこむことができ、ガスが排気溝１１８とカバー１０２ａの側部との間の被処理体載置面１０５上方で淀むことを抑制することができる。
【０１５４】
よって、第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１によれば、一例に係るバッチ式処理装置３ｍに比較して、さらに、排気溝１１８とカバー１０２ａの側部との間の被処理体載置面１０５上方の空間から発生するパーティクルを抑制することができ、処理用小空間１０６の内部に発生するパーティクルを、さらに少なくすることができる、という利点を得ることができる。
【０１５５】
なお、排気溝１１８の縁とカバー１０２ａの内面側側面とを互いに一致させる、という工夫は、第５の実施形態に限って適用されるものではなく、上述してきた処理用小空間１０６の隅部にスロープ部１８１を持たない実施形態のいずれに対しても適用することが可能である。
【０１５６】
（第５の実施形態：第２の変形例）
図３４は、第５の実施形態の第２の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１５７】
図３４に示すように、第２の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-２が、図３３に示した第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１と、特に異なるところは、処理用小空間１０６を、ステージ１０１ａに設けられた凹部１３０ｂと、カバー１０２ａに設けられた凹部１３０ｂとによって形成したことにある。これ以外の点は、上記第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１とほぼ同様である。
【０１５８】
このように、処理用小空間１０６を形成するための凹部（図３４中では参照符号１３０ａ及び１３０ｂ）を、ステージ１０１ａ及びカバー１０２ａの双方に形成したバッチ式処理装置３ｍ-２であっても、スロープ部１８３を設けることが可能である。そして、第２の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-２においても、上記第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１等と同様な利点を得ることができる。
【０１５９】
（第５の実施形態：第３の変形例）
図３５は、第５の実施形態の第３の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１６０】
図３５に示すように、第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-３が、図３３に示した第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１と、特に異なるところは、カバー１０２ａを平坦とし、ステージ１０１ａに対して処理用小空間１０６を形成するための凹部１３０ｂを形成したことにある。これ以外の点は、上記第１例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１とほぼ同様である。
【０１６１】
このように、処理用小空間１０６を形成するための凹部（図３５中では参照符号１３０ｂ）を、ステージ１０１ａに対してのみ形成したバッチ式処理装置３ｍ-３であっても、スロープ部１８１を設けることが可能である。そして、第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-３においても、上記第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１等と同様な利点を得ることができる。
【０１６２】
また、第３の変形例においては、スロープ部１８１は、例えば、ステージ１０１ａの凹部１３０ｂの側部に形成される。このため、凹部１３０ｂの側部の上面と、カバー１０２ａとの当接面には、微少な隙間１８３が生ずる。しかも、微少な隙間１８３は、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面の沿って生じるため、微少な隙間１８３には、処理に使用されるガスが侵入しやすくなってしまう。
【０１６３】
このような微少な隙間１８３へのガスの侵入を抑制するには、図３６に示すように、例えば、図１０Ａ及び図１０Ｂを参照して説明した第１の実施形態の第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｃにおいて施した工夫を併用することが好ましい。例えば、スロープ部１８１を凹部１３０ｂの側壁面の上面に形成すると、この上面は幅が広がる。これを利用して、上面に、例えば、Ｏリング１２０と、Ｏリング１２０と処理用小空間１０６との間に環状の溝１２１とを設ける。そして、環状の溝１２１には不活性ガスを供給する。これにより、微少な隙間１８３に侵入しようとするガスを、不活性ガスによって処理用小空間１０６に押し返す、あるいは環状の溝１２１に誘いこみ、不活性ガスとともに、図示せぬ排気管１１４等を介して排気することができる。
このように、第３の変形例においては、第１の実施形態の第１の変形例と併用されることが、特に好ましい。
【０１６４】
（第５の実施形態：第４の変形例）
図３７は、第５の実施形態の第４の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１６５】
図３７に示すように、第４の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-４が、図３３に示した第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１と、特に異なるところは、処理用小空間１０６の隅部にスロープ部１８１の代わりに、例えば、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面に対して丸みをおびたラウンド部１８４を設けたことにある。これ以外の点は、上記第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１とほぼ同様である。
【０１６６】
このように、処理用小空間１０６の隅部にラウンド部１８４を設けることでも、ガスが隅部の空間１８０において淀むことがない。そして、隅部の空間１８０においてもガスの流れを安定して形成することができる。
【０１６７】
よって、第４の変形例においても、第５の実施形態の一例、及び第５の実施形態の第１の変形例〜第３の変形例と同様に、隅部の空間１８０から発生するパーティクルを、隅部にラウンド部１８４がない場合に比較して、より少なくすることができる、という利点を得ることができる。
【０１６８】
なお、第４の変形例は、図３１等に示した第５の実施形態の一例、図３３に示した同第２の変形例、図３４に示した同第２の変形例、及び図３５等に示した第３の変形例についても、適用することが可能である。
【０１６９】
さらに、上述した第５の実施形態の一例、及び第５の実施形態の第１の変形例〜第４の変形例は、第１の実施形態の一例、及び第１の実施形態の第１の変形例〜第５の変形例、第２の実施形態の一例、第３の実施形態の一例及び変形例、並びに第４の実施形態の一例及び第１の変形例〜第５の変形例のいずれにも適用することが可能である。
【０１７０】
（第６の実施形態）
図３８は、第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１７１】
第１の実施形態においては、ステージ１０１ａに設けられている温調機構の図示を省略した。改めて、温調機構を概略的図示するならば、図３８に示すようなものとなる。
図３８に示すように、ステージ１０１ａの内部には、ステージ温調機構１９０が備えられている。ステージ温調機構１９０には、例えば、ヒーター等を利用した加熱機構、及び水等の熱媒体を冷媒として利用した冷却機構、若しくはそれらのいずれか一方を備えている。図３８には代表例としてチラーを例示し、熱媒体を流すための熱媒体流路１９１を概略的に図示している。
【０１７２】
このように、例えば、ステージ１０１ａの内部に、ステージ温調機構１９０を設けることで、ステージ１０１ａを温調して被処理体載置面１０５上に載置された被処理体Ｇを加熱したり、冷却したり、といった温度調節が可能となる。しかしながら、第１の実施形態〜第５の実施形態においては、ステージ１０１ａにはステージ温調機構１９０が設けられているものの、カバー１０２ａについては、温調機構は備えられていない。
【０１７３】
図３９は、この発明の第６の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１７４】
図３９に示すように、第６の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ｎが、第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ａと、特に異なるところは、ステージ温調機構１９０に加え、カバー１０２ａに、カバー１０２ａを温調するカバー温調機構１９２が、さらに備えられていることである。これ以外については、上記第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ａとほぼ同様である。
【０１７５】
カバー温調機構１９２は、例えば、カバー１０２ａの内部に設けられ、ステージ温調機構１９０と同様に、例えば、ヒーター等を利用した加熱機構、及び水等の熱媒体を冷媒として利用した冷却機構、若しくはそれらのいずれか一方を備えている。図３９には代表例としてチラーを例示し、熱媒体を流すための熱媒体流路１９３を概略的に図示している。
【０１７６】
第６の実施形態の一例においては、ステージ温調機構１９０とカバー温調機構１９２とは、個別に温度を調節できるように構成されている。このように、ステージ温調機構１９０とカバー温調機構１９２とを個別に温度を調節可能にすることで、ステージ１０１ａの温度とカバー１０２ａの温度とを、それぞれ異なる温度に調節することができる。
【０１７７】
第６の実施形態によれば、以下の利点を得ることができる。
【０１７８】
例えば、被処理体Ｇへの処理が、処理用小空間１０６の内部の圧力を、例えば、大気圧（＝１０１３２５Ｐａ）よりも低くする真空処理若しくは減圧処理である場合、処理用小空間１０６の内部には熱を伝達する媒体が事実上なくなる、若しくは大気圧に比較して少なくなる。このため、ステージ温調機構１９０のみによる温調では、カバー１０２ａに熱が伝わらない、若しくは熱が伝わり難くなり、カバー１０２ａの温度は、ステージ１０１ａの温度よりも低くなってしまう。例えば、処理が成膜処理の場合、本来の成膜処理は高温にすることにより実施されるが、低温でも、本来の成膜処理とは異なる堆積物が、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面上に堆積されてしまうことがある。このように上記内面上に堆積物が低温で成膜されてしまうと、処理用小空間１０６の内部にパーティクルを発生させる一因となる。
【０１７９】
このような事情に対して、第６の実施形態によれば、カバー１０２ａにもカバー温調機構１９２が備えられているので、カバー１０２ａの温度を、堆積物が堆積され難くなる温度、若しくは堆積物が堆積しない温度に調節することができる。このようにカバー１０２ａの温度を、カバー温調機構１９２を用いて調節することで、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面上への堆積物の発生を抑制することができる。このように堆積物の発生を抑制できる結果、処理用小空間１０６の内部にパーティクルが発生する可能性を、カバー温調機構１９２を備えていない場合に比較して、より低減することが可能となる。
【０１８０】
また、カバー温調機構１９２を備えていない場合には、例えば、処理用小空間１０６の内部への堆積物の発生を抑制するためには、処理温度、例えば、成膜温度にある範囲の制約を設定しなければならなく場合が生ずる。制約を設定することは、プロセスウィンドウを狭めてしまうことであり、バッチ式処理装置の汎用性の低下にもつながってしまう。
【０１８１】
この点、第６の実施形態によれば、カバー温調機構１９２を備えているので、処理温度、例えば、成膜温度にある範囲の制約を設定しなくても、処理用小空間１０６の内部への堆積物の発生を抑制することができる。しかも、第６の実施形態においては、ステージ１０１ａの温度とカバー１０２ａの温度とをそれぞれ個別に調節できる。このため、
（１） ステージ１０１ａの温度 ＞ カバー１０２ａの温度
（２） ステージ１０１ａの温度 ＜ カバー１０２ａの温度
（３） ステージ１０１ａの温度 ＝ カバー１０２ａの温度
といった、様々な温度設定も可能となる。
【０１８２】
このように、第６の実施形態によれば、ステージ１０１ａとカバー１０２ａとの間に、様々な温度設定ができる結果、プロセスウィンドウを広げることもでき、バッチ式処理装置の汎用性をさらに向上できる、といった利点をも得ることができる。
【０１８３】
このような第６の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ｎは、処理用小空間１０６の内部に発生するパーティクルの低減、及びプロセスウィンドウの拡大という利点を、さらに得ることができ、今後、更に進展するプロセスの高精度化にも有利である。
【０１８４】
なお、第６の実施形態の一例は、第１の実施形態の一例及び第１の実施形態の第１の変形例〜第５の変形例、第２の実施形態の一例、第３の実施形態の一例及び変形例、第４の実施形態の一例及び第１の変形例〜第５の変形例、並びに第５の実施形態の第１の変形例〜第４の変形例のいずれにも適用することが可能である。
【０１８５】
以上、この発明を実施形態に従って説明したが、この発明は、上記実施形態に限定されることは無く、種々変形可能である。
【０１８６】
例えば、搬送装置７のピック７１としては、フォーク型のものに限らず、図４０に示すようなフィッシュボーン型のピック７１−１を用いることも可能である。
【０１８７】
また、上記実施形態では、バッチ式処理装置として、ＡＬＤ法やＭＬＤ法を用いた成膜装置を想定していたが、ガスのみを用いるガス成膜装置、熱ＣＶＤ装置、ガスのみを用いるガスエッチング装置、真空ベーク装置などにも、この発明は適用することができる。
【０１８８】
また、プラズマ処理装置にこの発明を適用しても良く、処理にプラズマを用いる場合には、プラズマを処理用小空間１０６で発生させるのではなく、処理用小空間１０６とは別のところで発生させたプラズマを、処理用小空間１０６に導いてくるリモートプラズマ方式を用いることが良い。リモートプラズマ方式を用いることで、処理用小空間１０６ごとにプラズマを生成するプラズマ生成機構が不要となり、ステージ１０１の厚さ及びカバー１０２の厚さをトータルした厚みを薄くでき、メインチャンバを高さ方向に大きくしなくても、メインチャンバ内に収容できるステージ１０１及びカバー１０２の数を増やすことができる。このため、一度に処理できる被処理体Ｇの枚数を増やしたい場合に有利である。
【０１８９】
また、ガス排気口１１９は一箇所としていたが、複数箇所としても良い。
【０１９０】
また、ステージ１０１に、チラー、ヒーターなど、被処理体Ｇの温度を調節する温調機構を設ける場合、チラーの温調媒体としては、水冷、空冷のいずれをも利用することができる。また、ヒーターにあっては既存の発熱体を用いれば良い。
【０１９１】
その他、この発明はその要旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。
【符号の説明】
【０１９２】
Ｇ…被処理体、３１ａ…メインチャンバ、１０１ａ〜１０１ｙ…ステージ、１０２ａ〜１０２ｙ…カバー、１０３…カバー昇降支柱、１０５…被処理体載置面、１０６…処理用小空間、１０７…リフター、１０８…リフター昇降支柱、１１１、１１１ａ〜１１１ｃ…ガス供給管、１１３…排気ダクト、１１４…排気管、１１７、１１７ａ〜１１７ｃ…ガス吐出孔、１１８…排気溝、１１９…ガス排気口、１２０…Ｏリング、１２１…環状の溝、１３０ａ、１３０ｂ…処理用小空間を形成する凹部、１４０…ステージ昇降支柱、１６０…ピン状リフター、１７０…邪魔板、１７１…整流部、１８１…スロープ部、１８４…ラウンド部、１９０…ステージ温調機構、１９２…カバー温調機構。
【技術分野】
【０００１】
この発明は、バッチ式処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬなどのフラットパネルディスプレイ（以下、ＦＰＤ）や、太陽電池モジュールの製造に用いられる被処理体としてのガラス基板に成膜やエッチング等の処理を行うために、その処理速度や制御性の観点からプラズマ処理が多く用いられており、バッチ式における装置構造の複雑さを避けてプラズマの性能を向上させることによりスループットに関する要求に応えながら枚葉式の処理装置が使われてきた。
【０００３】
しかしながら、当然、枚葉式で行うよりもバッチ式で行うほうがスループット的には効率が良く、近年、バッチ式処理による処理装置も開発されており、このようなバッチ式処理装置は、例えば、特許文献１に記載されている。
【０００４】
一方で、ガラス基板上に形成されるＴＦＴ（Thin Film Transistor）が微細化するにつれて、ゲート等としてガラス基板上に形成された薄膜へのプラズマによるダメージが深刻化しており、また、有機ＥＬなどの製造においてはより低い温度のプロセスが求められ、これらの要求によりプラズマを用いないガスによるプロセスが見直されてきている。
【０００５】
このようなプラズマを発生させずにガスによる処理を用いた処理装置の場合にはプラズマを用いた処理装置の構造よりも簡単になるためバッチ式処理装置を採用することがより容易となってくる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−８２３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、単純に大きなプロセスチャンバ内に複数のガラス基板を並べ、複数のガラス基板に対して同時に処理を行おうとすると、処理ガスの使用効率が低下する、という事情がある。プロセスチャンバの容量が大きくなるためである。
【０００８】
また、薄膜成膜の分野において、基板の表面上に２種類以上の前駆体ガスを交互に流し、これら前駆体ガスを基板表面上に形成された吸着サイトに吸着させることにより薄膜を原子層レベルで成膜する原子層堆積法（以下ＡＬＤ法）が注目されている。ＡＬＤ法は、段差被覆性、膜厚均一性、薄膜制御性に優れており、より微細化が進む素子の形成に極めて有効であると考えられているためである。例えば、現状、７３０ｍｍ×９２０ｍｍ〜２２００ｍｍ×２５００ｍｍの大きさを持ち、半導体ウエハよりも格段に面積が大きなガラス基板等に対する薄膜成膜においても、薄膜の高品質化のために、ＡＬＤ法の採用が検討され始めている。
【０００９】
しかし、大面積のガラス基板の複数に対し、同時にＡＬＤ法を適用しようとすると、ガラス基板自体の面積が大きいことに加え、複数のガラス基板を収容するプロセスチャンバ自体の容量も巨大となるために、複数のガラス基板の表面それぞれに対して、前駆体ガスの均一な供給や、均一な排気が難しくなる。このため、例えば、ガラス基板の表面それぞれへの吸着サイトの均一な形成や、前駆体ガスと吸着サイトとの均一、かつ、安定した反応が進み難くなり、薄膜を期待通りの品質で得ることができなくなってしまう。
【００１０】
この発明は、処理ガスの使用効率が良く、かつ、被処理体の面積が巨大であっても、ＡＬＤ法の適用も可能となるバッチ式処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明の一態様に係るバッチ式処理装置は、複数の被処理体に同時に処理を施すバッチ式処理装置であって、メインチャンバと、前記メインチャンバ内に、このメインチャンバの高さ方向に積み重ねて設けられた、前記被処理体を載置する複数のステージと、前記ステージごとに設けられ、前記ステージに載置された前記被処理体をカバーする複数のカバーと、を備え、前記複数のステージと前記複数のカバーとで、前記複数のステージに載置された前記複数の被処理体の各々を取り囲むように、前記メインチャンバよりも容量が小さい処理用小空間を形成する。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、処理ガスの使用効率が良く、かつ、被処理体の面積が巨大であっても、ＡＬＤ法の適用も可能なバッチ式処理装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】この発明の第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置を備えた処理システムの一例を示す水平断面図
【図２】図１中のII−II線に沿う断面図
【図３】（Ａ）図はカバーを上昇させた状態を示す図、（Ｂ）図はカバーを下降させた状態を示す図
【図４】（Ａ）図はリフターを上昇させた状態を示す図、（Ｂ）図はリフターを下降させた状態を示す図
【図５】ステージとカバーとが分離した状態を示す斜視図
【図６】（Ａ）図はガス吐出孔形成エリア近傍の平面図、（Ｂ）図は（Ａ）図中のVIＢ−VIＢ線に沿う断面図
【図７】（Ａ）図は排気溝近傍の平面図、（Ｂ）図は（Ａ）図中のVIIＢ−VIIＢ線に沿う断面図
【図８】処理用小空間内のガスの流れを示す図
【図９】（Ａ）図〜（Ｆ）図は被処理体Ｇの搬入出動作の一例を示す断面図
【図１０】（Ａ）図は第１の変形例に係るバッチ式処理装置の平面図、（Ｂ）図は（Ａ）図中のＸＢ−ＸＢ線に沿う断面図
【図１１】（Ａ）図〜（Ｃ）図は処理用小空間の形成例を示す断面図
【図１２】（Ａ）図は第３の変形例に係るバッチ式処理装置のステージを下降させた状態を示す図、（Ｂ）図はステージを上昇させた状態を示す図
【図１３】第３の変形例に係るバッチ式処理装置のリフターを上昇させた状態を示す図
【図１４】垂直ガス吐出方式の一例を示す断面図
【図１５】水平ガス吐出方式の一例を示す断面図
【図１６】（Ａ）図は第４の変形例に係るバッチ式処理装置のリフターを下降させた状態を示す図、（Ｂ）図はリフターを上昇させた状態を示す図
【図１７】ステージのピン状リフター収容部近傍を示す断面図
【図１８】（Ａ）図は第５の変形例に係るバッチ式処理装置のカバーを上昇させた状態を示す図、（Ｂ）図はカバーを下降させた状態を示す図
【図１９】この発明の第２の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーとその近傍を示す断面図
【図２０】この発明の第３の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーとその近傍を示す断面図
【図２１】この発明の第３の実施形態の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーとその近傍を示す断面図
【図２２】この発明の第４の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図２３】（Ａ）図及び（Ｂ）図は図２２中のXXIII-XXIII線に沿う断面図
【図２４】（Ａ）図及び（Ｂ）図は排気溝近傍を拡大して示す断面図
【図２５】第４の実施形態の第１の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図２６】第４の実施形態の第２の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図２７】第４の実施形態の第３の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図２８】第４の実施形態の第４の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図２９】第４の実施形態の第５の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図３０】第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図３１】この発明の第５の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図３２】第５の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置の排気溝近傍を拡大して示す断面図
【図３３】第５の実施形態の第１の変形例に係るバッチ式処理装置の排気溝近傍を拡大して示す断面図
【図３４】第５の実施形態の第２の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図３５】第５の実施形態の第３の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図３６】第５の実施形態の第３の変形例に係るバッチ式処理装置の排気溝近傍を拡大して示す断面図
【図３７】第５の実施形態の第４の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図３８】第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図３９】この発明の第６の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図
【図４０】ピックの変形例を示す平面図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。この説明において、参照する図面全てにわたり、同一の部分については同一の参照符号を付す。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１はこの発明の第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置を備えた処理システムの一例を示す水平断面図、図２は図１中のII−II線に沿う断面図である。図１及び図２に示す処理システムは、被処理体としてＦＰＤの製造や太陽電池モジュールに用いられるガラス基板を用い、このガラス基板に成膜処理や熱的処理を施す処理システムである。
【００１６】
図１に示すように、処理システム１は、ロードロック室２、バッチ式処理装置３ａ及び３ｂ、並びに共通搬送室４を含んで構成される。ロードロック室２では、大気側と減圧側との間で圧力変換が行われる。バッチ式処理装置３ａ及び３ｂでは、被処理体Ｇ、例えば、ガラス基板に対して成膜処理や熱的処理が施される。被処理体Ｇのサイズの一例は、７３０ｍｍ×９２０ｍｍ〜２２００ｍｍ×２５００ｍｍの矩形である。
【００１７】
本例においては、ロードロック室２、バッチ式処理装置３ａ及び３ｂ、並びに共通搬送室４は真空装置であり、それぞれ被処理体Ｇを所定の減圧状態下におくことが可能な、気密に構成されたチャンバ２１、３１ａ、３１ｂ、及び４１を備えている。チャンバ２１、３１ａ、３１ｂ、及び４１には、内部を減圧状態とするために排気口を介して真空ポンプなどの排気装置５が接続されている。図２には、チャンバ３１ａに設けられた排気口３２、及びチャンバ４１に設けられた排気口４２が示されている。
【００１８】
さらに、チャンバ２１、３１ａ、３１ｂ、及び４１には、開口部２３ａ、２３ｂ、３３ａ、３３ｂ、４３ａ、４３ｂ、及び４３ｃが設けられている。被処理体Ｇは、これらの開口部を介して搬入出される。
【００１９】
ロードロック室２のチャンバ２１は、開口部２３ａ、及びゲートバルブ室６ａを介して、処理システム１の外部、即ち、大気側に連通される。ゲートバルブ室６ａには、開口部２３ａを開閉するゲートバルブＧＶが収容されている。さらに、チャンバ２１は、開口部２３ｂ、ゲートバルブ室６ｂ、及び開口部４３ａを介してチャンバ４１に連通される。ゲートバルブ室６ｂには、開口部２３ｂを開閉するゲートバルブＧＶが収容されている。
【００２０】
バッチ式処理装置３ａのチャンバ３１ａは、開口部３３ａ、この開口部３３ａを開閉するゲートバルブＧＶが収容されたゲートバルブ室６ｃ、及び開口部４３ｂを介してチャンバ４１に連通される。
【００２１】
同様に、バッチ式処理装置３ｂのチャンバ３１ｂは、開口部３３ｂ、この開口部３３ｂを開閉するゲートバルブＧＶが収容されたゲートバルブ室６ｄ、及び開口部４３ｃを介してチャンバ４１に連通される。
【００２２】
共通搬送室４のチャンバ４１の平面形状は、本例では矩形状である。矩形状の四辺のうち、三辺に、開口部４３ａ、４３ｂ、４３ｃが設けられている。共通搬送室４の内部には、搬送装置７が設置されている。搬送装置７は、被処理体Ｇを、ロードロック室２からバッチ式処理装置３ａ又は３ｂへ、バッチ式処理装置３ａ又は３ｂからバッチ式処理装置３ｂ又は３ａへ、バッチ式処理装置３ａ又は３ｂからロードロック室２へと搬送する。このため、搬送装置７は、被処理体Ｇを昇降させる昇降動作、及び被処理体Ｇを旋回させる旋回動作に加え、ロードロック室２、バッチ式処理装置３ａ及び３ｂの内部への進出退避動作が可能に構成されている。
【００２３】
搬送装置７は、被処理体Ｇを支持する支持部材であるピック７１を備えたピックユニット７２と、ピックユニット７２をスライドさせるスライドユニット７３と、スライドユニット７３を駆動させるドライブユニット７４とを含んで構成される。ピック７１は、チャンバ４１の高さ方向に積み重ねて複数設けられており、複数枚の被処理体Ｇは、ピック７１上にチャンバ４１の高さ方向に水平に載置され、複数の被処理体Ｇを一度に搬送するように構成されている。
【００２４】
スライドユニット７３にはスライドベース７３ａが設けられており、ピックユニット７２はスライドベース７３ａに取り付けられ、スライドベース７３ａ上を前後にスライドする。これにより、ピックユニット７２は前進後退し、チャンバ４１の内部から、チャンバ２１、３１ａ、３１ｂの内部に対して進出退避する。さらに、スライドユニット７３は、ドライブユニット７４により、昇降、及び旋回される。これにより、スライドユニット７３は、例えば、共通搬送室４内において、昇降、及び旋回される。
【００２５】
このような処理システム１の各部の制御、及び搬送装置７の制御は、制御部８により行われる。制御部８は、例えば、マイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるプロセスコントローラ８１を有する。コントローラ８１には、オペレータが処理システム１を管理するために、コマンドの入力操作等を行うキーボードや、処理システム１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース８２が接続されている。さらに、プロセスコントローラ８１には記憶部８３が接続されている。記憶部８３は、処理システム１で実行される各種処理を、プロセスコントローラ８１の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて処理システム１の各部に処理を実行させるためのレシピが格納される。レシピは、例えば、記憶部８３の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、ＣＤ-ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。レシピは、必要に応じて、ユーザーインターフェース８２からの指示等にて記憶部８３から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をプロセスコントローラ８１が実行することで、処理システム１、及び搬送装置７が、プロセスコントローラ８１の制御のもと、所望の処理、制御が実施される。
【００２６】
第１の実施形態に係る処理システム１が備えるバッチ式処理装置３ａ、３ｂのうち、バッチ式処理装置３ａが、この発明の第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置である。もちろん、バッチ式処理装置３ｂについては、第１の実施形態に係るバッチ式処理装置を用いても、既存のバッチ式処理装置を用いてもどちらでも良い。以下、バッチ式処理装置３ａについて、詳細に説明する。
【００２７】
図１及び図２に示したように、バッチ式処理装置３ａはチャンバ３１ａを備えている。以降、このチャンバ３１ａはメインチャンバ３１ａと呼ぶ。
【００２８】
図２及び図３に示すように、メインチャンバ３１ａ内には、このメインチャンバ３１ａの高さ方向に積み重ねて設けられた、被処理体Ｇを載置する複数のステージ１０１ａ、１０１ｂ、…、１０１ｘ、１０１ｙと、これらのステージ１０１ａ〜１０１ｙごとに設けられ、ステージ１０１ａ〜１０１ｙに載置された被処理体Ｇをカバーする複数のカバー１０２ａ、１０２ｂ、…、１０２ｘ、１０２ｙと、を備えている。
【００２９】
本例では、ステージ１０１ａ〜１０１ｙが、メインチャンバ３１ａに図示せぬ固定手段によって固定され、カバー１０２ａ〜１０２ｙがメインチャンバ３１ａ内において昇降する。メインチャンバ３１ａ内には、カバー１０２ａ〜１０２ｙを一括して昇降させるための、例えば、４本のカバー昇降支柱１０３が設けられている。カバー１０２ａ〜１０２ｙは、これらのカバー昇降支柱１０３に固定部１０４を介して固定されている。カバー昇降支柱１０３がメインチャンバ３１ａの高さ方向に昇降することで、カバー１０２ａ〜１０２ｙが一括して昇降する。
【００３０】
カバー１０２ａ〜１０２ｙをステージ１０１ａ〜１０１ｙから一括して上昇させると、ステージ１０１ａ〜１０１ｙがメインチャンバ３１ａの内部空間に露呈される。これにより、被処理体Ｇを、ステージ１０１ａ〜１０１ｙの被処理体載置面１０５上に受け渡すことが可能な状態となる。図３Ａに、カバー１０２ａ〜１０２ｙのうち、カバー１０２ａ〜１０２ｃを一括して上昇させた状態を示す。
【００３１】
反対に、カバー１０２ａ〜１０２ｙを、ステージ１０１ａ〜１０１ｙへ一括して降下させ、ステージ１０１ａ〜１０１ｙとカバー１０２ａ〜１０２ｙとを気密に当接させると、ステージ１０１ａ〜１０１ｙの被処理体載置面１０５上それぞれに一枚ずつ載置された被処理体Ｇの各々を取り囲む、メインチャンバ３１ａの内部空間よりも容量が小さい処理用小空間１０６が形成される。図３Ｂに、カバー１０２ａ〜１０２ｙのうち、カバー１０２ａ〜１０２ｃを一括して下降させた状態を示す。
【００３２】
ステージ１０１ａ〜１０１ｙの縁部には、ピック７１との間で被処理体Ｇを受け渡すリフター１０７が設けられている。本例では、例えば、４つ設けられ、それぞれ被処理体Ｇの縁の部分を支持する。メインチャンバ３１ａ内には、リフター１０７を一括して昇降させるための、例えば、４本のリフター昇降支柱１０８が設けられている。リフター１０７は、これらのリフター昇降支柱１０８に固定部１０９を介して固定されている。リフター昇降支柱１０８がメインチャンバ３１ａの高さ方向に昇降することで、リフター１０７は一括して昇降する。ステージ１０１ａ〜１０１ｃの縁部に設けられたリフター１０７を一括して上昇させた状態を図４Ａに、反対に一括して下降させた状態を図４Ｂに示す。
【００３３】
処理用小空間１０６の内部には、図１に示されるように、処理に使用されるガスが、ガス供給機構、例えば、ガスボックス１１０からガス供給管１１１ａ〜１１１ｃを介して供給される。本例では、ガス供給管の本数は３本としているが、処理用小空間１０６の内部で行われる処理に応じてガスの種類や数が変わるため、ガス供給管の本数は任意である。また、本例のバッチ式処理装置３ａは、ＡＬＤ成膜を想定したものである。このため、例えば、ガス供給管１１１ａから第１の前駆体ガス、ガス供給管１１１ｂからパージガス、ガス供給管１１１ｃから第２の前駆体ガスが供給される。前駆体ガスの種類は成膜される膜により様々に選ばれるが、例えば、シリコン酸化膜を形成する場合には、第１の前駆体ガスとしてシリコン原料ガス、第２の前駆体ガスとして酸化剤を含むガスを供給すれば良い。パージガスは不活性ガスであり、例えば、窒素ガスを一例として上げることができる。
【００３４】
また、処理用小空間１０６の内部は、排気装置１１２により排気ダクト１１３、及び排気管１１４を介して排気される。なお、排気装置１１２としては、図２に示した排気装置５を利用することも可能である。
【００３５】
図５に、ステージ１０１ａとカバー１０２ａとが離れた状態の斜視図を示す。なお、その他のステージ１０１ｂ〜１０１ｙ、カバー１０２ｂ〜１０２ｙも同様な構成である。ここでは、代表例としてステージ１０１ａ、及びカバー１０２ａの構成を説明する。
【００３６】
図５に示すように、ステージ１０１ａの被処理体載置面１０５には、降下されたリフター１０７が収容されるリフター収容部１１５が形成されている。リフター１０７が降下したとき、リフター１０７がリフター収容部１１５に収容されることで、リフター１０７が被処理体載置面１０５の表面よりも上に突出することを無くすことができ、被処理体Ｇは、被処理体載置面１０５に水平に載置することができる。
【００３７】
さらに、上記被処理体載置面１０５の周縁部の一部には、ガス供給管１１１ａ〜１１１ｃからのガスが吐出されるガス吐出孔形成エリア１１６が設けられている。図６Ａにガス吐出孔形成エリア近傍の平面図を、図６Ａ中のVIＢ−VIＢ線に沿う断面を図６Ｂに示す。
【００３８】
図６Ａ及び図６Ｂに示すように、ガスボックス１１０から延伸されたガス供給管１１１ａは、ステージ１０１ａの近傍において被処理体Ｇの搬入出方向に直交したＸ方向に延び、ステージ１０１ａの一端側に接続される。さらに、ガス供給管１１１ａはステージ１０１ａの内部において、Ｘ方向と交差、例えば直交するＹ方向（被処理体Ｇの搬入出方向）に屈曲し、ステージ１０１ａの他端側に向かって延長形成される。Ｙ方向に延長形成されたガス供給管１１１ａの部分には、ガス供給管１１１ａから上記被処理体載置面１０５の表面に達する複数のガス吐出孔１１７ａが形成される。
【００３９】
ガス供給管１１１ｂも同じくＸ方向に延び、ステージ１０１ａの端部中央に接続される。ガス供給管１１１ｂはステージ１０１ａの内部において、ガス供給管１１１ｂの延長形成部分の手前で一端側及び他端側に分岐され、それぞれＹ方向に沿って延長形成される。Ｙ方向に延長形成されたガス供給管１１１ｂの部分にも、ガス供給管１１１ｂから上記被処理体載置面１０５の表面に達する複数のガス吐出孔１１７ｂが形成される。
【００４０】
ガス供給管１１１ｃも同じくＸ方向に延び、ステージ１０１ａの他端側に接続される。ガス供給管１１１ｃはステージ１０１ａの内部において、Ｙ方向に屈曲し、ガス供給管１１１ａとは逆に、ステージ１０１ａの一端側に向かって延長形成される。Ｙ方向に延長形成されたガス供給管１１１ｃの部分にも、ガス供給管１１１ｃから上記被処理体載置面１０５の表面に達する複数のガス吐出孔１１７ｃが形成される。
【００４１】
ガス供給管１１１ａ〜１１１ｃに供給されたガスは、複数のガス吐出孔１１７ａ〜１１７ｃから処理用小空間１０６の内部に向かって吐出される。
【００４２】
本例において、ガス供給管１１１ａ〜１１１ｃは、リフター１０７の部分で途切れることはなく、リフター１０７の下方を通過して、一端側から他端側にわたって延長形成される。これにより、処理用小空間１０６の内部へのガスの供給は、リフター１０７間ばかりでなく、リフター１０７と一端側との間、リフター１０７と他端側との間からも供給できる。この工夫により、処理用小空間１０６の内部には、リフター１０７間のみからガスを供給する場合に比較して、より均一なガスの供給が可能となる。
【００４３】
上記被処理体載置面１０５のガス吐出孔形成エリア１１６に相対する側の周縁部には、排気溝１１８が設けられている。図７Ａに排気溝近傍の平面図を、図７Ａ中のVIIＢ−VIIＢ線に沿う断面を図７Ｂに示す。
【００４４】
排気溝１１８は、ステージ１０１ａの一端側から他端側に向かって、Ｙ方向に沿って形成されている。ステージ１０１ａの端部中央、例えば、リフター１０７間の部分には、上記排気管１１４に接続された排気ダクト１１３が接続されている。排気溝１１８はガス排気口１１９を介して排気ダクト１１３に接続されている。処理用小空間１０６の内部に供給されたガスは、排気溝１１８から吸引され、ガス排気口１１９を介して排気ダクト１１３に導かれ、排気ダクト１１３から排気管１１４を介して排気される。
【００４５】
本例の排気溝１１８もまた、ガス供給管１１１ａ〜１１１ｃと同様に、リフター１０７の部分で途切れることはなく、リフター１０７の下方を通過して、一端側から他端側にわたって形成されている。これにより、処理用小空間１０６の内部は、リフター１０７間のみから排気する場合に比較して、より均一に排気することが可能となっている。
【００４６】
処理用小空間１０６が形成されたときのガスの流れは、図８に示すように、基板載置面１０５からガス吐出孔１１７ａ〜１１７ｃに沿って垂直方向にガスが吐出され、カバー１０２ａで水平方向に方向転換されて反対側の排気溝１１８に向かう。さらに、排気溝１１８の上方で再び垂直方向に方向転換され、ガス排気口１１９に向かって排気されるものとなる。
【００４７】
次に、被処理体Ｇの搬入出動作を説明する。なお、本説明は、代表例としてステージ１０１ａ及びカバー１０２ａにより形成される処理用小空間１０６への搬入出動作を説明するが、他のステージ１０１ｂ〜１０１ｙ、カバー１０２ｂ〜１０２ｙにより形成される処理用小空間への搬入出動作も同様である。
【００４８】
図９Ａ〜図９Ｆは、被処理体Ｇの搬入出動作の一例を示す断面図である。
【００４９】
まず、図９Ａに示すように、カバー１０２ａをピック７１が進入可能となる位置まで上昇させる。
【００５０】
次に、図９Ｂに示すように、被処理体Ｇを支持したピック７１を、共通搬送室４の内部からメインチャンバ３１ａ内のステージ１０１ａの被処理体載置面１０５の上方に進出させる。
【００５１】
次に、図９Ｃに示すように、リフター１０７を上昇させ、被処理体Ｇをピック７１から受け取る。
【００５２】
次に、図９Ｄに示すように、リフター１０７が被処理体Ｇを受け取ったら、ピック７１を共通搬送室４の内部に後退させる。
【００５３】
次に、図９Ｅに示すように、リフター１０７を下降させ、被処理体Ｇを、被処理体載置面１０５上に載置する。
【００５４】
最後に、図９Ｆに示すように、カバー１０２ａを下降させ、カバー１０２ａとステージ１０１ａとを気密に当接させる。これにより、被処理体Ｇの周囲に、処理用小空間１０６が形成される。
【００５５】
このようなバッチ式処理装置３ａによれば、被処理体Ｇを取り囲む、容量が小さい処理用小空間１０６が形成されることで、例えば、メインチャンバ３１ａに複数の被処理体Ｇを暴露させる場合に比較して、成膜に関与しない処理ガスの量を減らすことができ、処理ガスの使用効率を向上させることができる。
【００５６】
また、処理用小空間１０６はメインチャンバ３１ａよりも容量が小さいので、処理用小空間１０６へのガス供給、及びガス排気は、メインチャンバ３１ａへのガス供給、及びガス排気に比較して、より短時間で済ませることができる。このため、ガス供給、ガス排気に要する時間も短縮でき、タクト時間を短く設定することができる。タクト時間を短く設定することができる結果、さらに、スループットの良いバッチ式処理装置を得ることができる。
【００５７】
さらに、処理用小空間１０６は容量が小さいことから、例えば、現状、７３０ｍｍ×９２０ｍｍ〜２２００ｍｍ×２５００ｍｍの大きさを持つようなガラス基板においても、ＡＬＤ法の採用も可能となる、という利点も得ることができる。
【００５８】
次に、バッチ式処理装置３ａの変形例のいくつかを説明する。
【００５９】
（第１の変形例：気密性の改善）
図１０Ａは第１の変形例に係るバッチ式処理装置の平面図、図１０Ｂは図１０Ａ中のＸＢ−ＸＢ線に沿う断面図である。
【００６０】
上記のステージ１０１ａとカバー１０２ａとの間の気密性を高めるために、ステージ１０１ａの被処理体載置面１０５側表面に、封止部材、例えば、Ｏリング１２０を設けても良い。Ｏリング１２０は、カバー１０２ａの、ステージ１０１ａとの当接面により当接される。さらに、第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｃにおいては、特に、図１０Ｂに示すように、Ｏリング１２０と処理用小空間１０６との間に、環状の溝１２１を設けている。カバー１０２ａは、Ｏリング１２０及び環状の溝１２１の上方に被さるようにして、ステージ１０１ａに当接される。
【００６１】
環状の溝１２１はガス供給管１２２が接続されている。ガス供給管１２２には、例えば、ガスボックス１１０から不活性ガス、例えば、窒素（Ｎ２）ガスが供給され、供給された窒素ガスは環状の溝１２１の内部に送り込まれる。環状の溝１２１に送り込まれた窒素ガスは、排気管１１４及び／又は排気管１１４とは別に設けられた排気管１１４ａを介して、例えば、排気装置１１２により排気される。
【００６２】
環状の溝１２１を流れる窒素ガスは、処理用小空間１０６からステージ１０１ａとカバー１０２ａとの極僅かな隙間から漏れ出ようとするガスを処理用小空間１０６に押し返す、あるいは環状の溝１２１に誘い込み、窒素ガスとともに排気管１１４及び／又は排気管１１４ａを介して排気する役目を果たす。
【００６３】
このように、ステージ１０２ａの被処理体載置面１０５側表面に、封止部材、本例ではＯリング１２０を設けることでステージ１０１ａとカバー１０２ａとの間の気密性を高めることができる。さらに、Ｏリング１２０に加え、Ｏリングと処理用小空間１０６との間に環状の溝１２１を設け、環状の溝１２１に不活性ガスを流す。これにより、ステージ１０１ａとカバー１０２ａとの間の気密性を、さらに高めることができる。
【００６４】
また、環状の溝１２１に不活性ガスを流すことにより、処理用小空間１０６内の、例えば化学反応性を持つ雰囲気がＯリング１２０に直接に接触することも抑制される。このため、封止部材、例えば、Ｏリング１２０の経時劣化の進行が抑制され、Ｏリング１２０の交換頻度を減らすことができる、という利点も得ることができる。
【００６５】
なお、上記第１の変形例においてはＯリング１２０と併用して溝１２１を設けたが、Ｏリング１２０を設けずに溝１２１のみを設けるようにしてもよい。その場合、溝１２１から供給される窒素ガスは処理用小空間１０６とメインチャンバ内とに分岐して流れることにより、処理用小空間１０６とメインチャンバ内とを遮断する効果を得ることができる。
【００６６】
（第２の変形例：処理用小空間の形成例）
図１１Ａ〜図１１Ｃは、処理用小空間の形成例を示す断面図である。
【００６７】
図１１Ａに示す例は、上述したバッチ式処理装置３ａである。バッチ式処理装置３ａでは、ステージ１０１ａが平坦であり、カバー１０２ａに、処理用小空間１０６を形成する凹部１３０ａが形成されている。
【００６８】
このタイプでは、図８を参照して説明した通りであるが、処理用小空間１０６へのガス供給及びガス排気が、ステージ１０１ａの被処理体載置面１０５を介したものとなる。
【００６９】
図１１Ｂに示すバッチ式処理装置３ｄは、反対に、カバー１０２ａが平坦であり、ステージ１０１ａに、処理用小空間１０６を形成する凹部１３０ｂを設けた例である。
【００７０】
このタイプでは、処理用小空間１０６へのガス供給及びガス排気を、ステージ１０１ａの凹部１３０ｂの側面を介して行うことが可能となる。この場合、例えば、ガス吐出孔１１７は凹部１３０ｂの一側面に、ガス排気口１１９は、凹部１３０ｂの上記一側面に相対する他の側面に設けられる。
【００７１】
このようにガス吐出孔１１７及びガス排気口１１９を互いに相対した凹部１３０ｂの側面に設けると、ガス供給管１１１から供給されるガスの流れが、処理用小空間１０６の内部において、ガス吐出孔１１７からガス排気口１１９まで進行方向を変えることがない。このため、処理用小空間１０６の内部に、処理に使用するガスに層流を形成しやすい、という利点を得ることができる。処理用小空間１０６の内部を流れるガスが層流になることによって、例えば、成膜される薄膜の膜厚及び膜質の制御性を、より高めることができる、という利点を、さらに得ることができる。
【００７２】
図１１Ｃに示すバッチ式処理装置３ｅは、ステージ１０１ａ及びカバー１０２ａの双方に、処理用小空間１０６を形成する凹部１３０ａ及び１３０ｂを設けた例である。
【００７３】
このように、処理用小空間１０６を形成する凹部１３０ａ及び１３０ｂは、ステージ１０１ａ及びカバー１０２ａの双方に設けることも可能である。
【００７４】
（第３の変形例：カバー固定、ステージ昇降）
第３の変形例に係るバッチ式処理装置が、第１の実施形態に係るバッチ式処理装置３ａと異なるところは、カバー１０２ａ〜１０２ｙがメインチャンバ３１ａ内に固定であり、ステージ１０１ａ〜１０１ｙが一括して昇降することである。
【００７５】
図１２Ａは第３の変形例に係るバッチ式処理装置のステージを下降させた状態を示す図、図１２Ｂはステージを上昇させた状態を示す図である。
【００７６】
図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｆのメインチャンバ内には、ステージ１０１ａ〜１０１ｙを一括して昇降させるための、例えば、４本のステージ昇降支柱１４０が設けられている。カバー１０２ａ〜１０２ｙは図示しない固定手段によりメインチャンバ３１ａに固定されている。ステージ１０１ａ〜１０１ｙは、これらのステージ昇降支柱１４０に固定部１４１を介して固定されている。ステージ昇降支柱１４０がメインチャンバの高さ方向に昇降することで、ステージ１０１ａ〜１０１ｙが一括して昇降する。なお、図１２Ａ及び図１２Ｂには、ステージ１０１ａ〜１０１ｙのうち、ステージ１０１ａ〜１０１ｃを一括して昇降させた状態が示されている。
【００７７】
リフター１０７がステージ１０１ａ〜１０１ｙそれぞれの縁部に形成されている場合には、ステージ１０１ａ〜１０１ｙの昇降と連動してリフター１０７も昇降する。リフター１０７のみを昇降させる際には、例えば、ステージ１０１ａ〜１０１ｃが下降した状態で、リフター昇降支柱１０８を昇降させる。図１３には、ステージ１０１ａ〜１０１ｃが下降した状態で、リフター１０７を上昇させた状態が示されている。また、リフター１０７とステージ１０１ａ〜１０１ｃとを同時に下降させ、リフター１０７を被処理体Ｇの受け渡し位置で停止させた後、ステージ１０１ａ〜１０１ｃを更に下降させるようにしてもよい。これにより、リフター１０７をステージ１０１ａ〜１０１ｃから上昇させた場合と同じ効果を得ることができる。
【００７８】
第３の変形例のように、カバー１０２ａ〜１０２ｙをメインチャンバ３１ａ内に固定し、ステージ１０１ａ〜１０１ｙを一括して昇降させるようにした場合には、カバー１０２ａ〜１０２ｙが動かないため、ガス吐出孔１１７及びガス排気口１１９を、カバー１０２ａ〜１０２ｙに容易に取り付けることが可能となる。
【００７９】
そして、ガス吐出孔１１７及びガス排気口１１９を、カバー１０２ａ〜１０２ｙに取り付けることによれば、ガス吐出方式を、被処理体Ｇの被処理面に対して垂直方向からガスを吐出する垂直ガス吐出方式（いわゆるガスシャワー）、及び被処理体Ｇの被処理面に対して水平方向からガスを吐出する水平ガス吐出方式のいずれかを選択することができる。図１４に垂直ガス吐出方式の一例を、図１５に水平ガス吐出方式の一例を示す。
【００８０】
図１４に示すように、バッチ式処理装置３ｆ−１のカバー１０２ａ−１は、処理用小空間１０６を形成する凹部１３０ａを有し、かつ、その内部にガス拡散空間１５０を備えている。ガス拡散空間１５０は、ガス供給管１１１に接続されており、ガス供給管１１１から処理に使用されるガスが供給される。カバー１０２ａ−１の被処理体Ｇに面した表面には、複数のガス吐出孔１１７が形成されている。複数のガス吐出孔１１７はガス拡散空間１５０と処理用小空間１０６とにそれぞれ連通し、例えば、被処理体Ｇの平面形状に合わせ格子状にカバー１０２ａ−１に形成されている。
【００８１】
なお、複数のガス吐出孔１１７の配置は、格子状に限らず、処理内容に合わせた適切なガス分布を得ることに適した様々な態様を選択することができる。
【００８２】
また、バッチ式処理装置３ｆ−１は、処理用小空間１０６内の排気を、図２に示したメインチャンバ内を排気する排気口３２を介して行う。このため、カバー１０２ａ−１は、ステージ１０１ａに完全に当接されるのではなく、排気用クリアランス１５１を持ってステージ１０１ａとの間に処理用小空間１０６を形成する。処理用小空間１０６内の雰囲気は、排気用クリアランス１５１を介してメインチャンバ内に排気され、さらに、メインチャンバに形成された排気口３２を介して排気される。
【００８３】
また、図１５に示すように、バッチ式処理装置３ｆ−２のカバー１０２ａ−２もまた、処理用小空間１０６を形成する凹部１３０ａを有している。ガス吐出孔１１７は凹部１３０ａの一側面に設けられ、ガス排気口１１９は、凹部１３０ａの上記一側面に相対する側面に設けられる。本例の場合は、カバー１０２ａ−２はステージ１０１ａに気密に当接される。処理用小空間１０６内の排気は、ガス排気口１１９から排気ダクト１１３及び排気管１１４を介して排気される。
【００８４】
もちろん、バッチ式処理装置３ｆ−２においてもバッチ式処理装置３ｆ−１と同様に、カバー１０２ａ−２とステージ１０１ａとの間に排気用クリアランスを設け、処理用小空間１０６の排気を、前記排気用クリアランスを通じて排気口３２から行うようにしてもよい。
【００８５】
このように、第３の変形例によれば、ステージ１０１ａ〜１０１ｙを昇降可能とし、カバー１０２ａ〜１０２ｙをメインチャンバ内に固定するので、ガス吐出方式を、垂直ガス吐出方式、及び水平ガス吐出方式のいずれかを選択でき、ガス供給方式の選択の自由度が向上する、という利点を得ることができる。
【００８６】
（第４の変形例：ピン状リフター）
図１６Ａは、第４の変形例に係るバッチ式処理装置のリフターを下降させた状態を示す図、図１６Ｂはリフターを上昇させた状態を示す図である。なお、図１６Ａ及び図１６Ｂは、ステージ１０１ａ〜１０１ｙ、カバー１０２ａ〜１０２ｙのうち、ステージ１０１ａ、カバー１０２ａのみを示している。
【００８７】
図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、第４の変形例に係るバッチ式処理装置３ｇが、第１の実施形態に係るバッチ式処理装置３ａと異なるところは、リフター１０７がピン状リフター１６０であり、被処理体Ｇの周縁部を支持するのではなく、被処理体Ｇの面内の複数個所を点状に支持することである。
【００８８】
このようにリフターは、ピン状リフター１６０に置換することも可能であり、第１〜３の変形例においても同様に適用することができる。
【００８９】
また、図１７に示すように、リフターとしてピン状リフター１６０を用いた場合、処理用小空間１０６とメインチャンバとの間に、ステージ１０１ａに形成されたピン状リフター収容部１６１とピン状リフター１６０との間の僅かなクリアランスを介した新たなガスリークパス１６２が形成されることとなる。
【００９０】
そこで、ガスリークパス１６２を遮断するために、ピン状リフター収容部１６１と、ピン状リフター１６０の、例えばヘッド部下面１６３との間に、封止部材、例えば、Ｏリング１６４を設けるようにしても良い。Ｏリング１６４を設けることで、上記僅かなクリアランスを介したガスリークパス１６２を介してのガスリークを抑制することができる。
【００９１】
（第５の変形例：被処理体昇降機構の削減）
また、リフターとしてピン状リフター１６０を用いると、リフターを昇降させる被処理体昇降機構、例えば、第１の実施形態では、リフター昇降支柱１０８、及びリフター昇降支柱１０８を駆動する機構を、バッチ式処理装置から削減できる、という利点も得ることができる。
【００９２】
図１８Ａは、第５の変形例に係るバッチ式処理装置のカバーを上昇させた状態を示す図、図１８Ｂはカバーを下降させた状態を示す図である。なお、図１８Ａ及び図１８Ｂは、ステージ１０１ａ〜１０１ｙに設けられたピン状リフター１６０のうち、ステージ１０１ａ〜１０１ｃに設けられたピン状リフター１６０を一括して昇降させた状態を示している。
【００９３】
図１８Ａ及び図１８Ｂに示すように、第５の変形例に係るバッチ式処理装置３ｈは、被処理体昇降機構であるリフターが、ステージ１０１ａ〜１０１ｃに設けられたピン状リフター収容部１６１を貫通してステージに懸架されるピン状リフター１６０を有する。さらに、カバー１０２ａ〜１０２ｃを上昇させたとき、ピン状リフター１６０の下端が下方にあるカバー１０２ａ〜１０２ｃの上面に当接する。これにより、ピン状リフター１６０は、カバー１０２ａ〜１０２ｃの上昇に応じて上昇する。
【００９４】
また、図１８Ａに示す状態から、カバーを下降させると、ピン状リフター１６０の下端が下方にあるカバー１０２ａ〜１０２ｃの上面から離れるとともに、ピン状リフター１６０は、ピン状リフター収容部１６１に収容される。
【００９５】
このように第５の変形例によれば、ピン状リフター１６０を昇降駆動する被処理体昇降機構を、カバーを昇降するカバー昇降機構と連動させる。例えば、本例では、ピン状リフター１６０をカバー１０２ａ〜１０２ｃの昇降に応じて昇降させることで、リフターを昇降させる被処理体昇降機構、例えば、リフター昇降支柱１０８、及びリフター昇降支柱１０８を駆動する機構を、バッチ式処理装置から削減できる、という利点を得ることができる。
【００９６】
バッチ式処理装置から被処理体昇降機構を削減することによれば、メインチャンバの容量の低下とともに、メインチャンバ内から駆動系が無くなることから、パーティクルの発生を抑制できる、という利点を得ることができる。
【００９７】
もちろん、メインチャンバ内から駆動系が無くなるので、バッチ式処理装置の製造コストも抑制することができる。
【００９８】
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、ガス供給機構をステージ１０１ａ〜１０１ｙ、及びカバー１０２ａ〜１０２ｙのうち、固定された方に設けるようにしていた。
【００９９】
第２の実施形態は、ガス供給機構をステージ１０１ａ〜１０１ｙ、及びカバー１０２ａ〜１０２ｙのうち、昇降可能な方に設けられるように工夫した例である。
【０１００】
図１９は、この発明の第２の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーとその近傍を示す断面図である。なお、図１９においては、カバー１０２ａ〜１０２ｙのうち、カバー１０２ａのみを示す。
【０１０１】
図１９に示すように、第２の実施形態に係るバッチ式処理装置３ｉが、第１の実施形態に係るバッチ式処理装置３ａと、特に異なるところは、カバー１０２ａ〜１０２ｙを一括して昇降させるカバー昇降支柱１０３の内部及び固定部１０４の内部に、ガス供給管１１１を形成したことにある。
【０１０２】
このように、カバー昇降支柱１０３の内部及び固定部１０４の内部に、ガス供給管１１１を形成することで、ガス供給管１１１及びガス吐出孔１１７を含むガス供給機構を、昇降可能なカバー１０２ａ〜１０２ｙに設けることができる。
【０１０３】
また、本例では、カバー１０２ａを、図１４に示したカバー１０２ａ−１と同様な、垂直ガス吐出方式（ガスシャワー）として構成している。また、ステージ１０１ａ〜１０１ｙは固定である。このため、処理用小空間１０６へのガス吐出方式については垂直ガス吐出方式を採用し、処理用小空間１０６からのガス排気方式については、被処理体載置面１０５の表面から排気溝１１８、ガス排気口１１９を介してガスを吸引する方式にすることが可能である。
【０１０４】
また、本例の排気溝１１８は、第１の実施形態のように、ステージ１０１ａの一辺に沿って一本の線状に形成されるのではなく、ステージ１０１ａ上の載置された被処理体Ｇの縁を取り囲むように環状に形成することができる。ステージ１０１ａの内部から、例えば、図６に示したようなガス供給管１１１ａ〜１１１ｃが無くなるためである。
【０１０５】
処理用小空間１０６へのガス吐出方式を垂直ガス吐出方式（ガスシャワー）として構成した場合、処理用小空間１０６からのガス排気方式は、環状に形成された排気溝１１８を利用して排気すると、処理用小空間１０６からの排気の均一化を促進できる、という利点を得ることができる。
【０１０６】
（第３の実施形態）
図２０に第３の実施形態を示す。第３の実施形態が第１の実施形態、第２の実施形態と異なるところは、固定部１０４を通じてステージ１０１ａに供給されたガスがステージ１０１ａとカバー１０２ａとの接触部からカバー１０２ａに供給され、カバー１０２ａに設けられたガスシャワーから複数のガス吐出孔１１７を通じて処理用空間１０６に供給される点である。処理用空間１０６からのガスの排気は、ステージ１０１ａに排気口（図示せず）を設けて排気してもよく、また、カバー１０２ａとステージ１０１ａの隙間を通じて排気してもよい。ただし、カバー１０２ａとステージ１０１ａの接触部のガス通路が設けられている箇所においては、ガス通路を取り囲むようにシール部材で機密性を保つ必要がある。
【０１０７】
第３の実施形態によれば、被処理体Ｇを載置したステージ１０１ａが固定されているので駆動機構への付加が少なく、且つ、被処理体Ｇを破損する危険性が少ないとともに、昇降させるカバーからシャワーヘッドでガスを供給することができるので被処理体Ｇを均一に処理することができる。
【０１０８】
（第３の実施形態：変形例）
図２１に第３の実施形態の変形例を示す。第３の実施形態の変形例においては、ステージ１０１ａからカバー１０２ａに供給されたガスは、シャワーヘッドでなく単一のガス導入孔から処理用空間１０６に供給される。その際、供給されたガスは、カバー１０２ａの凹部に充填されるため、ガス導入口が偏在することにより発生するガス分布の偏りが緩和されて被処理体Ｇに供給される。図２１においては処理用空間１０６からの排気は排気管１１４を通じて行われるが、カバー１０２ａとステージ１０１ａの隙間から排気される構成としてもよい。
【０１０９】
また、上記第１の実施形態、第２の実施形態、第３の実施形態においては、ステージ１０１ａ〜１０１ｙに温度調節機構を設けてもよい。温度調節機構には、抵抗ヒーターなどのヒーターによる加熱機構を用いることができる。また、他の温調機構としては、ステージ１０１ａ〜１０１ｙの内部に温調媒体を流通させる流路を設け、外部チラーから所定の温度に調整された温調媒体を流通させることにより冷却若しくは加熱又はその双方を適宜切り替えることのできる機構を用いることができる。ヒーターによる加熱機構と温調媒体による温調機構を併用してもよい。
【０１１０】
温調媒体を用いた温調機構の場合は、外部より温調媒体を供給する供給管を接続するためステージ１０１ａ〜１０１ｙが固定されている構成においてより好適に用いられるが、抵抗ヒーターを用いた加熱機構の場合は、抵抗ヒーターに電力を供給する導電線を配置するだけでよいため、ステージ１０１ａ〜１０１ｙを固定する構成においても昇降させる構成においても好適に用いることができる。
【０１１１】
また、温度調節機構は、ステージ１０１ａ〜１０１ｙを一括に温度制御できる機構であってもよく、それぞれのステージを個別に独立して温度制御できる機構であってもよい。個別に独立して温度制御できる機構の場合、ステージの上端及び下端と、中間部とで温度が異なることを防ぎ全てのステージにおいて均一の温度にて被処理体Ｇを処理することができる。
【０１１２】
（第４の実施形態）
図２２はこの発明の第４の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図、図２３Ａ及び図２３Ｂは図２２中のXXIII-XXIII線に沿う断面図である。なお、図２３Ａはカバーを開けた状態を示し、図２３Ｂはカバーを閉じた状態を示している。
【０１１３】
図２２、図２３Ａ及び図２３Ｂに示すように、第４の実施形態に係るバッチ式処理装置３ｋが、第１の実施形態に係るバッチ式処理装置３ａと、特に異なるところは、ステージ１０１ａの被処理体載置面１０５上に突起物、本例では邪魔板１７０を、さらに設けたことにある。邪魔板１７０が設けられたこと以外は、第１の実施形態とほぼ同様である。本例の邪魔板１７０は、例えば、排気溝１１８に沿って、処理用小空間１０６中のガスの流れに交差、例えば、直交する方向に延び、被処理体載置面１０５を横断するように形成されている（図２３Ａ参照）。また、邪魔板１７０の高さは、処理用小空間１０６の高さよりも低く設定されている。これにより、ステージ１０１ａとカバー１０２ａとが当接されて処理用小空間１０６が形成された際、処理用小空間１０６の内部には、本例では凹部１３０ａの内面と邪魔板１７０の上面との間にスリット状の隙間が形成される（図２２及び図２３Ｂ参照）。スリット状の隙間は、例えば、処理用小空間１０６中のガスの流れに交差、例えば、直交する方向に形成され、処理用小空間１０６と排気溝１１８とを連通させる。これにより、処理用小空間１０６内に供給されたガスは、処理用小空間１０６から排気溝１１８に向けて、スリット状の隙間を介して排気される。スリット状の隙間により、処理空間１０６内に供給されたガスを、直接に排気溝１１８に引き込む場合に比較して、処理空間１０６内において均一にすることが可能となる。このため、スリット状の隙間は、邪魔板１７０の高さを調整するなどして、スリット状の隙間の大きさを適切に調整することにより、処理用小空間１０６内のガスの流れを、例えば、層流となるように整流する整流部１７１として機能させることができる。
【０１１４】
図２４Ａ及び図２４Ｂはそれぞれ、排気溝１１８近傍を拡大して示す断面図である。図２４Ａに示す例は邪魔板１７０がない場合、図２４Ｂは邪魔板１７０がある場合を示している。
【０１１５】
図２４Ａに示すように、邪魔板１７０がない場合には、処理用小空間１０６に供給されたガスは、大きな排気溝１１８にそのまま引き込まれる。
これに対して、図２４Ｂに示すように、邪魔板１７０がある場合には、本例ではスリット状の隙間となる整流部１７１が形成される。整流部１７１のコンダクタンスは、邪魔板１７０がない場合に比較して、小さい。コンダクタンスを小さくすることによって、処理用小空間１０６に供給されたガスは、邪魔板１７０がない場合に比較して、整流部１７１において流量が制限される。
【０１１６】
このように処理用小空間１０６の内部に整流部１７１を設け、流量を制限することで、処理用小空間１０６の内部のガスに対して整流作用を及ぼすことができる。この整流作用を利用することで、処理用小空間１０６の内部には、層流となるガスの流れを、より均一に形成することが可能となる。
【０１１７】
このような第４の実施形態に係るバッチ式処理装置３ｋによれば、処理用小空間１０６の内部に整流部１７１を備えることで、より均一な層流のガスの流れを処理用小空間１０６の内部に形成することができ、邪魔板１７０がない場合に比較して、被処理体Ｇ上に成膜される薄膜の膜厚及び膜質の制御性を、さらに向上させることができる。そして、この利点とともに、膜厚及び膜質の被処理体Ｇ面内における面内均一性についても、さらに向上させることができる、という利点を得ることができる。
【０１１８】
（第４の実施形態：第１の変形例）
図２５は、第４の実施形態の第１の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１１９】
図２５に示すように、第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-１が、図２２等に示した一例に係るバッチ式処理装置３ｋと、特に異なるところは、処理用小空間１０６を、ステージ１０１ａに設けられた凹部１３０ｂと、カバー１０２ａに設けられた凹部１３０ａとによって形成したことにある。これ以外の点は、上記一例に係るバッチ式処理装置３ｋとほぼ同様である。
【０１２０】
このように、処理用小空間１０６を形成するための凹部（図２５中では参照符号１３０ａ及び１３０ｂ）を、ステージ１０１ａ及びカバー１０２ａの双方に形成したバッチ式処理装置３ｋ-１であっても、邪魔板１７０を設けることが可能である。そして、第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-１においても、上記一例に係るバッチ式処理装置３ｋと同様な利点を得ることができる。
【０１２１】
（第４の実施形態：第２の変形例）
図２６は、第４の実施形態の第２の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１２２】
図２６に示すように、第２の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-２が、図２２等に示した一例に係るバッチ式処理装置３ｋと、特に異なるところは、カバー１０２ａを平坦とし、ステージ１０１ａに対して処理用小空間１０６を形成するための凹部１３０ｂを形成したことにある。これ以外の点は、上記一例に係るバッチ式処理装置３ｋとほぼ同様である。
【０１２３】
このように、処理用小空間１０６を形成するための凹部（図２６中では参照符号１３０ｂ）を、ステージ１０１ａに対してのみ形成したバッチ式処理装置３ｋ-２であっても、邪魔板１７０を設けることが可能である。
【０１２４】
（第４の実施形態：第３の変形例）
図２７は、第４の実施形態の第３の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１２５】
図２７に示すように、第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-３が、図２６に示した第２の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-２と、特に異なるところは、図１１Ｂ及び図１１Ｃに示した第１の実施形態の第２の変形例に係るバッチ式処理装置３ｄ、３ｅと同様に、処理用小空間１０６へのガス供給及びガス排気を、ステージ１０１ａの凹部１３０ｂの側面を介して行うようにしたことである。これ以外の点は、上記一例に係るバッチ式処理装置３ｋとほぼ同様である。
【０１２６】
このように、処理用小空間１０６へのガス供給及びガス排気を、ステージ１０１ａの凹部１３０ｂの側面を介して行うようにしたバッチ式処理装置３ｋ-３であっても、邪魔板１７０を設けることが可能である。そして、第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-３においても、上記一例に係るバッチ式処理装置３ｋや第２の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-２等と同様な利点を得ることができる。
【０１２７】
（第４の実施形態：第４の変形例）
図２８は、第４の実施形態の第４の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１２８】
図２８に示すように、第４の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-４が、図２７に示した第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-３と、特に異なるところは、邪魔板１７０を、被処理体載置面１０５上ではなく、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面上に設けたことである。これにより、第３の変形例においては整流部１７１が邪魔板１７０の上面とカバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面との間に形成されていた点が、第４の変形例においては整流部１７１が邪魔板１７０の下面とステージ１０１ａの被処理体載置面１０５との間に形成されるようになる。
【０１２９】
このように邪魔板１７０は、被処理体載置面１０５上に限らず、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面上に設けることも可能である。そして、第４の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-４においても、上記第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-３等と同様な利点を得ることができる。
【０１３０】
さらに、第４の変形例による利点の一つとして、以下の利点をあげることができる。
例えば、図２７に示した第３の変形例のように、整流部１７１を邪魔板１７０の上面とカバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面との間に形成した場合、整流部１７１の位置が、被処理体Ｇからみて高すぎると、処理に使用されるガスが、被処理体Ｇの被処理面上方を素通りしてしまう、あるいは被処理面上方においてガスの濃度が低くなってしまう可能性がある。
【０１３１】
このような事情は、第４の変形例を用い、整流部１７１を邪魔板１７０の下面とステージ１０１ａの被処理体載置面１０５との間に形成されるようにすることで解消することができる。
【０１３２】
なお、第４の変形例は、図２２等に示した第４の実施形態の一例、図２５に示した同第１の変形例、図２６に示した同第２の変形例についても、同様に適用することが可能である。
【０１３３】
（第４の実施形態：第５の変形例）
図２９は、第４の実施形態の第５の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１３４】
図２９に示すように、第５の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-５が、図２７に示した第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-３と、特に異なるところは、邪魔板１７０ａ及び１７０ｂを、被処理体載置面１０５上（参照符号１７０ａ）、及びカバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面上（参照符号１７０ｂ）のそれぞれに設けたことである。これにより、第５の変形例においては整流部１７１は、邪魔板１７０ａの上面と邪魔板１７０ｂの下面との間に形成されるようになる。
【０１３５】
このように邪魔板１７０ａ及び１７０ｂは、ステージ１０１ａの被処理体載置面１０５上と、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面上との双方に、それぞれ設けることも可能である。そして、第５の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-５においても、上記第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｋ-３等と同様な利点を得ることができる。
【０１３６】
また、第５の変形例によれば、第４の変形例と同様に、処理に使用されるガスが、被処理体Ｇの被処理面上方を素通りしたり、被処理面上方におけるガスの濃度が低下してしまったり、といった可能性を解消できる、という利点を得ることができる。
【０１３７】
さらに、第５の変形例によれば、邪魔板１７０ａ及び１７０ｂを、ステージ１０１ａの被処理体載置面１０５上と、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面上との双方にそれぞれ設けるので、第３の変形例や第４の変形例に比較して、整流部１７１の位置を、被処理体Ｇの被処理面上方の近傍に設定することが可能となる。このため、処理用小空間１０６に均一な層流のガスの流れを形成しやすくことに加え、ガスの濃度をより細かく制御することも可能となる。ガスの濃度をより細かく制御することができれば、薄膜の膜厚及び膜質の制御性並びに被処理体Ｇにおける面内均一性の向上に加え、例えば、成膜速度の制御も可能になる、という新たな利点についても得ることができる。よって、第５の変形例によれば、成膜速度の制御も可能になることで、例えば、スループットの向上にも有利である、という利点についてもさらに得ることができる。
【０１３８】
なお、第５の変形例は、図２２等に示した第４の実施形態の一例、図２５に示した同第１の変形例、図２６に示した同第２の変形例についても、同様に適用することが可能である。
【０１３９】
さらに、上述した第４の実施形態の一例、及び第４の実施形態の第１の変形例〜第５の変形例は、第１の実施形態の一例、及び第１の実施形態の第１の変形例〜第５の変形例、第２の実施形態の一例、並びに第３の実施形態の一例及び変形例のいずれにも適用することが可能である。
【０１４０】
（第５の実施形態）
図３０は、第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを参考例として示す断面図である。
【０１４１】
図３０に示すように、例えば、第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ａのように、処理に使用するガスを被処理体載置面１０５から供給したり、被処理体載置面１０５から排気したりする場合、処理用小空間１０６の隅部の空間１８０において、ガスが淀む可能性がある。隅部の空間１８０におけるガスの滞留は微量ではあるが、もしも、滞留したガスがプリカーサであった場合などには、次のガスが流れてきた際に、気相反応を起こし、処理用小空間１０６内にパーティクルを微量ながらも発生させる可能性がある。このような可能性は、例えば、排気及びパージを十分に行うことで、軽減させることが可能である。
【０１４２】
しかしながら、十分な排気及びパージを行ったとしても、隅部の空間１８０に極微量のガスが淀むことも予想される。今後のプロセスの更なる高精度化を考えると、たとえ淀んだガスが極微量であり、発生したパーティクルも極微量であったとしても、プロセスに多大な影響を及ぼしてしまうことも予想される。
【０１４３】
第５の実施形態は、隅部の空間１８０におけるガスの淀みを構造的に抑制し、今後のプロセスの更なる高精度化にも対応可能なバッチ式処理装置を提供しようとするものである。
【０１４４】
図３１は、第５の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１４５】
図３１に示すように、第５の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ｍが、第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ａと、特に異なるところは、隅部の空間１８０にガスが淀まないように、処理用小空間１０６の隅部に、例えば、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面に対して傾斜したスロープ部１８１が設けられていることにある。スロープ部１８１が設けられたこと以外は、第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ａとほぼ同様である。
【０１４６】
第５の実施形態によれば、処理用小空間１０６の隅部にスロープ部１８１を設けたことで、ガスが隅部の空間１８０において淀むことがなく、隅部の空間１８０においてもガスの流れを安定して形成することができる。このため、第５の実施形態においては、隅部の空間１８０から発生するパーティクルを、隅部にスロープ部１８１がない場合に比較して、より少なくすることができる。
【０１４７】
このような第５の実施形態に係るバッチ式処理装置３ｍによれば、処理用小空間１０６の隅部にスロープ部１８１を備えることによって、処理用小空間１０６の内部に発生するパーティクルを、スロープ部１８１がない場合に比較して低減することができ、今後のプロセスの更なる高精度化にも対応可能なバッチ式処理装置が得られる、という利点を得ることができる。
【０１４８】
（第５の実施形態：第１の変形例）
図３２は、第５の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ｍの排気溝１１８近傍を拡大して示す断面図である。
【０１４９】
図３２に示すように、第５の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ｍは、第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ａに対して、処理用小空間１０６の隅部にスロープ部１８１を設けたものであった。バッチ式処理装置３ａにおいては、ステージ１０１ａとカバー１０２ａとが当接した際、排気溝１１８とカバー１０２ａの側部とが、破線円１８２内に示されるように離隔された状態となる。離隔された部分においては、ガスが流れようとする方向に対して、処理用小空間１０６と排気溝１１８との間に被処理体載置面１０５による段差が生じた構造となる。このため、隅部の空間１８０と同様に、ガスを淀ませてしまう可能性がある。
【０１５０】
第１の変形例は、排気溝１１８とカバー１０２ａの側部とが離隔された部分において発生するガスの淀みを、さらに解消しようとするものである。
【０１５１】
図３３は、第５の実施形態の第１の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。なお、図３３の断面図は、図３２と同様に、排気溝１１８近傍を拡大して示している。
【０１５２】
図３３に示すように、第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１が、図３２に示したバッチ式処理装置３ｍと、特に異なるところは、破線円１８２内に示すように、排気溝１１８とカバー１０２ａの側部とを離隔せず、排気溝１１８の縁とカバー１０２ａの内面側側面とを、互いに一致するようにしたことにある。この構成を有することにより、第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１においては、処理用小空間１０６から排気溝１１８に向かって流れてきたガスが、図３２に示したように被処理体載置面１０５によって妨げられることなく、排気溝１１８に速やかに引きこまれるようになる。
【０１５３】
このような第１の変形例によれば、排気溝１１８とカバー１０２ａの内面側側面とを互いに一致するようにしたことで、処理用小空間１０６から排気溝１１８に、ガスを速やかに引きこむことができ、ガスが排気溝１１８とカバー１０２ａの側部との間の被処理体載置面１０５上方で淀むことを抑制することができる。
【０１５４】
よって、第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１によれば、一例に係るバッチ式処理装置３ｍに比較して、さらに、排気溝１１８とカバー１０２ａの側部との間の被処理体載置面１０５上方の空間から発生するパーティクルを抑制することができ、処理用小空間１０６の内部に発生するパーティクルを、さらに少なくすることができる、という利点を得ることができる。
【０１５５】
なお、排気溝１１８の縁とカバー１０２ａの内面側側面とを互いに一致させる、という工夫は、第５の実施形態に限って適用されるものではなく、上述してきた処理用小空間１０６の隅部にスロープ部１８１を持たない実施形態のいずれに対しても適用することが可能である。
【０１５６】
（第５の実施形態：第２の変形例）
図３４は、第５の実施形態の第２の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１５７】
図３４に示すように、第２の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-２が、図３３に示した第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１と、特に異なるところは、処理用小空間１０６を、ステージ１０１ａに設けられた凹部１３０ｂと、カバー１０２ａに設けられた凹部１３０ｂとによって形成したことにある。これ以外の点は、上記第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１とほぼ同様である。
【０１５８】
このように、処理用小空間１０６を形成するための凹部（図３４中では参照符号１３０ａ及び１３０ｂ）を、ステージ１０１ａ及びカバー１０２ａの双方に形成したバッチ式処理装置３ｍ-２であっても、スロープ部１８３を設けることが可能である。そして、第２の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-２においても、上記第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１等と同様な利点を得ることができる。
【０１５９】
（第５の実施形態：第３の変形例）
図３５は、第５の実施形態の第３の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１６０】
図３５に示すように、第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-３が、図３３に示した第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１と、特に異なるところは、カバー１０２ａを平坦とし、ステージ１０１ａに対して処理用小空間１０６を形成するための凹部１３０ｂを形成したことにある。これ以外の点は、上記第１例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１とほぼ同様である。
【０１６１】
このように、処理用小空間１０６を形成するための凹部（図３５中では参照符号１３０ｂ）を、ステージ１０１ａに対してのみ形成したバッチ式処理装置３ｍ-３であっても、スロープ部１８１を設けることが可能である。そして、第３の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-３においても、上記第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１等と同様な利点を得ることができる。
【０１６２】
また、第３の変形例においては、スロープ部１８１は、例えば、ステージ１０１ａの凹部１３０ｂの側部に形成される。このため、凹部１３０ｂの側部の上面と、カバー１０２ａとの当接面には、微少な隙間１８３が生ずる。しかも、微少な隙間１８３は、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面の沿って生じるため、微少な隙間１８３には、処理に使用されるガスが侵入しやすくなってしまう。
【０１６３】
このような微少な隙間１８３へのガスの侵入を抑制するには、図３６に示すように、例えば、図１０Ａ及び図１０Ｂを参照して説明した第１の実施形態の第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｃにおいて施した工夫を併用することが好ましい。例えば、スロープ部１８１を凹部１３０ｂの側壁面の上面に形成すると、この上面は幅が広がる。これを利用して、上面に、例えば、Ｏリング１２０と、Ｏリング１２０と処理用小空間１０６との間に環状の溝１２１とを設ける。そして、環状の溝１２１には不活性ガスを供給する。これにより、微少な隙間１８３に侵入しようとするガスを、不活性ガスによって処理用小空間１０６に押し返す、あるいは環状の溝１２１に誘いこみ、不活性ガスとともに、図示せぬ排気管１１４等を介して排気することができる。
このように、第３の変形例においては、第１の実施形態の第１の変形例と併用されることが、特に好ましい。
【０１６４】
（第５の実施形態：第４の変形例）
図３７は、第５の実施形態の第４の変形例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１６５】
図３７に示すように、第４の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-４が、図３３に示した第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１と、特に異なるところは、処理用小空間１０６の隅部にスロープ部１８１の代わりに、例えば、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面に対して丸みをおびたラウンド部１８４を設けたことにある。これ以外の点は、上記第１の変形例に係るバッチ式処理装置３ｍ-１とほぼ同様である。
【０１６６】
このように、処理用小空間１０６の隅部にラウンド部１８４を設けることでも、ガスが隅部の空間１８０において淀むことがない。そして、隅部の空間１８０においてもガスの流れを安定して形成することができる。
【０１６７】
よって、第４の変形例においても、第５の実施形態の一例、及び第５の実施形態の第１の変形例〜第３の変形例と同様に、隅部の空間１８０から発生するパーティクルを、隅部にラウンド部１８４がない場合に比較して、より少なくすることができる、という利点を得ることができる。
【０１６８】
なお、第４の変形例は、図３１等に示した第５の実施形態の一例、図３３に示した同第２の変形例、図３４に示した同第２の変形例、及び図３５等に示した第３の変形例についても、適用することが可能である。
【０１６９】
さらに、上述した第５の実施形態の一例、及び第５の実施形態の第１の変形例〜第４の変形例は、第１の実施形態の一例、及び第１の実施形態の第１の変形例〜第５の変形例、第２の実施形態の一例、第３の実施形態の一例及び変形例、並びに第４の実施形態の一例及び第１の変形例〜第５の変形例のいずれにも適用することが可能である。
【０１７０】
（第６の実施形態）
図３８は、第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１７１】
第１の実施形態においては、ステージ１０１ａに設けられている温調機構の図示を省略した。改めて、温調機構を概略的図示するならば、図３８に示すようなものとなる。
図３８に示すように、ステージ１０１ａの内部には、ステージ温調機構１９０が備えられている。ステージ温調機構１９０には、例えば、ヒーター等を利用した加熱機構、及び水等の熱媒体を冷媒として利用した冷却機構、若しくはそれらのいずれか一方を備えている。図３８には代表例としてチラーを例示し、熱媒体を流すための熱媒体流路１９１を概略的に図示している。
【０１７２】
このように、例えば、ステージ１０１ａの内部に、ステージ温調機構１９０を設けることで、ステージ１０１ａを温調して被処理体載置面１０５上に載置された被処理体Ｇを加熱したり、冷却したり、といった温度調節が可能となる。しかしながら、第１の実施形態〜第５の実施形態においては、ステージ１０１ａにはステージ温調機構１９０が設けられているものの、カバー１０２ａについては、温調機構は備えられていない。
【０１７３】
図３９は、この発明の第６の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置のステージ及びカバーを示す断面図である。
【０１７４】
図３９に示すように、第６の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ｎが、第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ａと、特に異なるところは、ステージ温調機構１９０に加え、カバー１０２ａに、カバー１０２ａを温調するカバー温調機構１９２が、さらに備えられていることである。これ以外については、上記第１の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ａとほぼ同様である。
【０１７５】
カバー温調機構１９２は、例えば、カバー１０２ａの内部に設けられ、ステージ温調機構１９０と同様に、例えば、ヒーター等を利用した加熱機構、及び水等の熱媒体を冷媒として利用した冷却機構、若しくはそれらのいずれか一方を備えている。図３９には代表例としてチラーを例示し、熱媒体を流すための熱媒体流路１９３を概略的に図示している。
【０１７６】
第６の実施形態の一例においては、ステージ温調機構１９０とカバー温調機構１９２とは、個別に温度を調節できるように構成されている。このように、ステージ温調機構１９０とカバー温調機構１９２とを個別に温度を調節可能にすることで、ステージ１０１ａの温度とカバー１０２ａの温度とを、それぞれ異なる温度に調節することができる。
【０１７７】
第６の実施形態によれば、以下の利点を得ることができる。
【０１７８】
例えば、被処理体Ｇへの処理が、処理用小空間１０６の内部の圧力を、例えば、大気圧（＝１０１３２５Ｐａ）よりも低くする真空処理若しくは減圧処理である場合、処理用小空間１０６の内部には熱を伝達する媒体が事実上なくなる、若しくは大気圧に比較して少なくなる。このため、ステージ温調機構１９０のみによる温調では、カバー１０２ａに熱が伝わらない、若しくは熱が伝わり難くなり、カバー１０２ａの温度は、ステージ１０１ａの温度よりも低くなってしまう。例えば、処理が成膜処理の場合、本来の成膜処理は高温にすることにより実施されるが、低温でも、本来の成膜処理とは異なる堆積物が、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面上に堆積されてしまうことがある。このように上記内面上に堆積物が低温で成膜されてしまうと、処理用小空間１０６の内部にパーティクルを発生させる一因となる。
【０１７９】
このような事情に対して、第６の実施形態によれば、カバー１０２ａにもカバー温調機構１９２が備えられているので、カバー１０２ａの温度を、堆積物が堆積され難くなる温度、若しくは堆積物が堆積しない温度に調節することができる。このようにカバー１０２ａの温度を、カバー温調機構１９２を用いて調節することで、カバー１０２ａの処理用小空間１０６側の内面上への堆積物の発生を抑制することができる。このように堆積物の発生を抑制できる結果、処理用小空間１０６の内部にパーティクルが発生する可能性を、カバー温調機構１９２を備えていない場合に比較して、より低減することが可能となる。
【０１８０】
また、カバー温調機構１９２を備えていない場合には、例えば、処理用小空間１０６の内部への堆積物の発生を抑制するためには、処理温度、例えば、成膜温度にある範囲の制約を設定しなければならなく場合が生ずる。制約を設定することは、プロセスウィンドウを狭めてしまうことであり、バッチ式処理装置の汎用性の低下にもつながってしまう。
【０１８１】
この点、第６の実施形態によれば、カバー温調機構１９２を備えているので、処理温度、例えば、成膜温度にある範囲の制約を設定しなくても、処理用小空間１０６の内部への堆積物の発生を抑制することができる。しかも、第６の実施形態においては、ステージ１０１ａの温度とカバー１０２ａの温度とをそれぞれ個別に調節できる。このため、
（１） ステージ１０１ａの温度 ＞ カバー１０２ａの温度
（２） ステージ１０１ａの温度 ＜ カバー１０２ａの温度
（３） ステージ１０１ａの温度 ＝ カバー１０２ａの温度
といった、様々な温度設定も可能となる。
【０１８２】
このように、第６の実施形態によれば、ステージ１０１ａとカバー１０２ａとの間に、様々な温度設定ができる結果、プロセスウィンドウを広げることもでき、バッチ式処理装置の汎用性をさらに向上できる、といった利点をも得ることができる。
【０１８３】
このような第６の実施形態の一例に係るバッチ式処理装置３ｎは、処理用小空間１０６の内部に発生するパーティクルの低減、及びプロセスウィンドウの拡大という利点を、さらに得ることができ、今後、更に進展するプロセスの高精度化にも有利である。
【０１８４】
なお、第６の実施形態の一例は、第１の実施形態の一例及び第１の実施形態の第１の変形例〜第５の変形例、第２の実施形態の一例、第３の実施形態の一例及び変形例、第４の実施形態の一例及び第１の変形例〜第５の変形例、並びに第５の実施形態の第１の変形例〜第４の変形例のいずれにも適用することが可能である。
【０１８５】
以上、この発明を実施形態に従って説明したが、この発明は、上記実施形態に限定されることは無く、種々変形可能である。
【０１８６】
例えば、搬送装置７のピック７１としては、フォーク型のものに限らず、図４０に示すようなフィッシュボーン型のピック７１−１を用いることも可能である。
【０１８７】
また、上記実施形態では、バッチ式処理装置として、ＡＬＤ法やＭＬＤ法を用いた成膜装置を想定していたが、ガスのみを用いるガス成膜装置、熱ＣＶＤ装置、ガスのみを用いるガスエッチング装置、真空ベーク装置などにも、この発明は適用することができる。
【０１８８】
また、プラズマ処理装置にこの発明を適用しても良く、処理にプラズマを用いる場合には、プラズマを処理用小空間１０６で発生させるのではなく、処理用小空間１０６とは別のところで発生させたプラズマを、処理用小空間１０６に導いてくるリモートプラズマ方式を用いることが良い。リモートプラズマ方式を用いることで、処理用小空間１０６ごとにプラズマを生成するプラズマ生成機構が不要となり、ステージ１０１の厚さ及びカバー１０２の厚さをトータルした厚みを薄くでき、メインチャンバを高さ方向に大きくしなくても、メインチャンバ内に収容できるステージ１０１及びカバー１０２の数を増やすことができる。このため、一度に処理できる被処理体Ｇの枚数を増やしたい場合に有利である。
【０１８９】
また、ガス排気口１１９は一箇所としていたが、複数箇所としても良い。
【０１９０】
また、ステージ１０１に、チラー、ヒーターなど、被処理体Ｇの温度を調節する温調機構を設ける場合、チラーの温調媒体としては、水冷、空冷のいずれをも利用することができる。また、ヒーターにあっては既存の発熱体を用いれば良い。
【０１９１】
その他、この発明はその要旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。
【符号の説明】
【０１９２】
Ｇ…被処理体、３１ａ…メインチャンバ、１０１ａ〜１０１ｙ…ステージ、１０２ａ〜１０２ｙ…カバー、１０３…カバー昇降支柱、１０５…被処理体載置面、１０６…処理用小空間、１０７…リフター、１０８…リフター昇降支柱、１１１、１１１ａ〜１１１ｃ…ガス供給管、１１３…排気ダクト、１１４…排気管、１１７、１１７ａ〜１１７ｃ…ガス吐出孔、１１８…排気溝、１１９…ガス排気口、１２０…Ｏリング、１２１…環状の溝、１３０ａ、１３０ｂ…処理用小空間を形成する凹部、１４０…ステージ昇降支柱、１６０…ピン状リフター、１７０…邪魔板、１７１…整流部、１８１…スロープ部、１８４…ラウンド部、１９０…ステージ温調機構、１９２…カバー温調機構。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の被処理体に同時に処理を施すバッチ式処理装置であって、
メインチャンバと、
前記メインチャンバ内に、このメインチャンバの高さ方向に積み重ねて設けられた、前記被処理体を載置する複数のステージと、
前記ステージごとに設けられ、前記ステージに載置された前記被処理体をカバーする複数のカバーと、を備え、
前記複数のステージと前記複数のカバーとで、前記複数のステージに載置された前記複数の被処理体の各々を取り囲むように、前記メインチャンバよりも容量が小さい処理用小空間を形成することを特徴とするバッチ式処理装置。
【請求項２】
前記複数のカバー又は前記複数のステージを昇降駆動する駆動機構と、
前記複数のステージそれぞれの被処理体載置面とこの被処理体載置面の上方との間で、前記被処理体を昇降させる被処理体昇降機構と、
前記複数の処理用小空間それぞれの内部にガスを供給するガス供給機構と、
前記複数の処理用小空間それぞれの内部を排気する排気機構と
を、さらに、具備することを特徴とする請求項１に記載のバッチ式処理装置。
【請求項３】
前記ステージの前記被処理体を載置する面が平坦であり、前記カバーの前記ステージに対向する面に、前記処理用小空間を形成する凹部が設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項４】
前記カバーの前記ステージに対向する面が平坦であり、前記ステージの前記被処理体を載置する面に、前記処理用小空間を形成する凹部が設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項５】
前記ステージの前記被処理体を載置する面及び前記カバーの前記ステージに対向する面それぞれに、前記処理用小空間を形成する凹部が設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項６】
前記駆動機構が、前記複数のカバー又は前記複数のステージを一括して昇降駆動することを特徴とする請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項７】
前記複数のステージが前記メインチャンバに固定され、
前記駆動機構が、前記複数のカバーを昇降駆動することを特徴とする請求項２又は請求項６に記載のバッチ式処理装置。
【請求項８】
前記複数のカバーが前記メインチャンバに固定され、
前記駆動機構が、前記複数のステージを昇降駆動することを特徴とする請求項２又は請求項６に記載のバッチ式処理装置。
【請求項９】
前記被処理体昇降機構が、前記複数の被処理体を一括して昇降させることを特徴とする請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１０】
前記被処理体昇降機構が、前記駆動機構から独立していることを特徴とする請求項２又は請求項９に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１１】
前記被処理体昇降機構が、前記駆動機構と連動していることを特徴とする請求項２又は請求項９に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１２】
前記被処理体昇降機構が、
前記ステージを貫通して前記ステージに懸架されるピン状リフターを有し、
前記ピン状リフターの下端が下方にある前記カバーの上面に当接し、前記ピン状リフターが、前記カバーの昇降に応じて昇降することを特徴とする請求項１１に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１３】
前記ガス供給機構及び前記排気機構が前記ステージに設けられていることを特徴とする請求項７に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１４】
前記ガス供給機構及び前記排気機構が前記カバーに設けられていることを特徴とする請求項８に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１５】
前記カバーに、前記処理用小空間を形成する凹部が設けられているとき、
前記ガス供給機構のガス吐出孔及び前記排気機構の排気孔が、前記ステージの被処理体載置面に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１６】
前記ステージに、前記処理用小空間を形成する凹部が設けられているとき、
前記ガス供給機構のガス吐出孔及び前記排気機構の排気孔が、前記凹部の側面に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１７】
前記メインチャンバを排気するメインチャンバ排気機構を、さらに備え、
前記ステージの上面と前記カバーの下端との間に、前記処理用小空間が前記メインチャンバ内部に連通する隙間を設定し、
前記処理用小空間を、前記メインチャンバ排気機構を用い、前記隙間を介して排気することを特徴とする請求項１に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１８】
前記ステージの上面と前記カバーの下端との当接面に溝を有し、
前記溝に、不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出部が、さらに備えられていることを特徴とする請求項１に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１９】
前記ステージが前記メインチャンバに固定され、
前記ガス供給機構は、前記ステージ内において前記ガスを流通させるステージ内ガス流路と、前記ステージ内ガス流路に前記ガスを導入するガス導入部と、前記カバー内に前記ガスを流通させるカバー内ガス流路と、前記カバー内ガス流路から前記処理用空間に前記ガスを吐出させるガス吐出部と、前記ステージと前記カバーとの接触部において前記ステージ内ガス流路と前記カバー内ガス流路とを前記ガスが流通するように連結する連結部とから構成されることを特徴とする請求項３に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２０】
前記ガス吐出部は、前記ステージに対向し複数のガス吐出孔を備えたシャワーヘッドであることを特徴とする請求項１９に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２１】
前記ステージは、温度調節機構を備えていることを特徴とする請求項１から請求項２０のいずれか一項に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２２】
前記温度調節機構は、複数の前記ステージを個別に温度制御できることを特徴とする請求項２１に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２３】
前記処理用小空間の内部に、この処理用小空間内に供給されたガスの流れを整流する整流部を備えていることを特徴とする請求項１から請求項２２のいずれか一項に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２４】
前記整流部は、前記ステージの被処理体載置面と前記カバーの前記処理用小空間側の内面との間に設けられた少なくとも１つの邪魔板と、該邪魔板によって前記処理用小空間の内部に形成された隙間とを含んで構成されていることを特徴とする請求項２３に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２５】
前記邪魔板は、前記処理用小空間中のガスの流れに交差する方向に延びて形成されていることを特徴とする請求項２４に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２６】
前記邪魔板は、前記ステージの被処理体載置面上、前記カバーの処理用小空間側の内面上、並びに前記ステージの被処理体載置面上及び前記カバーの処理用小空間側の内面上の双方のいずれか一つに設けられていることを特徴とする請求項２４又は請求項２５に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２７】
前記処理用小空間の隅部に、スロープ部又はラウンド部が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項２６のいずれか一項に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２８】
前記排気機構が前記ステージに設けられ、前記排気機構が前記被処理体載置面に形成された排気溝を備えているとき、前記排気溝の縁と前記カバーの内面側側面とが、互いに一致することを特徴とする請求項２から請求項２７のいずれか一項に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２９】
前記カバーに、該カバーを温調するカバー温調機構が備えられていることを特徴とする請求項１から請求項２８のいずれか一項に記載のバッチ式処理装置。
【請求項３０】
前記ステージに、該ステージを温調するステージ温調機構が備えられているとき、
前記カバー温調機構と前記ステージ温調機構とは、個別に温度を調節することを特徴とする請求項２９に記載のバッチ式処理装置。
【請求項３１】
前記被処理体に処理を施す際、前記処理用小空間の内部の圧力を、大気圧よりも低くすることを特徴とする請求項２９又は請求項３０に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１】
複数の被処理体に同時に処理を施すバッチ式処理装置であって、
メインチャンバと、
前記メインチャンバ内に、このメインチャンバの高さ方向に積み重ねて設けられた、前記被処理体を載置する複数のステージと、
前記ステージごとに設けられ、前記ステージに載置された前記被処理体をカバーする複数のカバーと、を備え、
前記複数のステージと前記複数のカバーとで、前記複数のステージに載置された前記複数の被処理体の各々を取り囲むように、前記メインチャンバよりも容量が小さい処理用小空間を形成することを特徴とするバッチ式処理装置。
【請求項２】
前記複数のカバー又は前記複数のステージを昇降駆動する駆動機構と、
前記複数のステージそれぞれの被処理体載置面とこの被処理体載置面の上方との間で、前記被処理体を昇降させる被処理体昇降機構と、
前記複数の処理用小空間それぞれの内部にガスを供給するガス供給機構と、
前記複数の処理用小空間それぞれの内部を排気する排気機構と
を、さらに、具備することを特徴とする請求項１に記載のバッチ式処理装置。
【請求項３】
前記ステージの前記被処理体を載置する面が平坦であり、前記カバーの前記ステージに対向する面に、前記処理用小空間を形成する凹部が設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項４】
前記カバーの前記ステージに対向する面が平坦であり、前記ステージの前記被処理体を載置する面に、前記処理用小空間を形成する凹部が設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項５】
前記ステージの前記被処理体を載置する面及び前記カバーの前記ステージに対向する面それぞれに、前記処理用小空間を形成する凹部が設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項６】
前記駆動機構が、前記複数のカバー又は前記複数のステージを一括して昇降駆動することを特徴とする請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項７】
前記複数のステージが前記メインチャンバに固定され、
前記駆動機構が、前記複数のカバーを昇降駆動することを特徴とする請求項２又は請求項６に記載のバッチ式処理装置。
【請求項８】
前記複数のカバーが前記メインチャンバに固定され、
前記駆動機構が、前記複数のステージを昇降駆動することを特徴とする請求項２又は請求項６に記載のバッチ式処理装置。
【請求項９】
前記被処理体昇降機構が、前記複数の被処理体を一括して昇降させることを特徴とする請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１０】
前記被処理体昇降機構が、前記駆動機構から独立していることを特徴とする請求項２又は請求項９に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１１】
前記被処理体昇降機構が、前記駆動機構と連動していることを特徴とする請求項２又は請求項９に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１２】
前記被処理体昇降機構が、
前記ステージを貫通して前記ステージに懸架されるピン状リフターを有し、
前記ピン状リフターの下端が下方にある前記カバーの上面に当接し、前記ピン状リフターが、前記カバーの昇降に応じて昇降することを特徴とする請求項１１に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１３】
前記ガス供給機構及び前記排気機構が前記ステージに設けられていることを特徴とする請求項７に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１４】
前記ガス供給機構及び前記排気機構が前記カバーに設けられていることを特徴とする請求項８に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１５】
前記カバーに、前記処理用小空間を形成する凹部が設けられているとき、
前記ガス供給機構のガス吐出孔及び前記排気機構の排気孔が、前記ステージの被処理体載置面に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１６】
前記ステージに、前記処理用小空間を形成する凹部が設けられているとき、
前記ガス供給機構のガス吐出孔及び前記排気機構の排気孔が、前記凹部の側面に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１７】
前記メインチャンバを排気するメインチャンバ排気機構を、さらに備え、
前記ステージの上面と前記カバーの下端との間に、前記処理用小空間が前記メインチャンバ内部に連通する隙間を設定し、
前記処理用小空間を、前記メインチャンバ排気機構を用い、前記隙間を介して排気することを特徴とする請求項１に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１８】
前記ステージの上面と前記カバーの下端との当接面に溝を有し、
前記溝に、不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出部が、さらに備えられていることを特徴とする請求項１に記載のバッチ式処理装置。
【請求項１９】
前記ステージが前記メインチャンバに固定され、
前記ガス供給機構は、前記ステージ内において前記ガスを流通させるステージ内ガス流路と、前記ステージ内ガス流路に前記ガスを導入するガス導入部と、前記カバー内に前記ガスを流通させるカバー内ガス流路と、前記カバー内ガス流路から前記処理用空間に前記ガスを吐出させるガス吐出部と、前記ステージと前記カバーとの接触部において前記ステージ内ガス流路と前記カバー内ガス流路とを前記ガスが流通するように連結する連結部とから構成されることを特徴とする請求項３に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２０】
前記ガス吐出部は、前記ステージに対向し複数のガス吐出孔を備えたシャワーヘッドであることを特徴とする請求項１９に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２１】
前記ステージは、温度調節機構を備えていることを特徴とする請求項１から請求項２０のいずれか一項に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２２】
前記温度調節機構は、複数の前記ステージを個別に温度制御できることを特徴とする請求項２１に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２３】
前記処理用小空間の内部に、この処理用小空間内に供給されたガスの流れを整流する整流部を備えていることを特徴とする請求項１から請求項２２のいずれか一項に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２４】
前記整流部は、前記ステージの被処理体載置面と前記カバーの前記処理用小空間側の内面との間に設けられた少なくとも１つの邪魔板と、該邪魔板によって前記処理用小空間の内部に形成された隙間とを含んで構成されていることを特徴とする請求項２３に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２５】
前記邪魔板は、前記処理用小空間中のガスの流れに交差する方向に延びて形成されていることを特徴とする請求項２４に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２６】
前記邪魔板は、前記ステージの被処理体載置面上、前記カバーの処理用小空間側の内面上、並びに前記ステージの被処理体載置面上及び前記カバーの処理用小空間側の内面上の双方のいずれか一つに設けられていることを特徴とする請求項２４又は請求項２５に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２７】
前記処理用小空間の隅部に、スロープ部又はラウンド部が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項２６のいずれか一項に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２８】
前記排気機構が前記ステージに設けられ、前記排気機構が前記被処理体載置面に形成された排気溝を備えているとき、前記排気溝の縁と前記カバーの内面側側面とが、互いに一致することを特徴とする請求項２から請求項２７のいずれか一項に記載のバッチ式処理装置。
【請求項２９】
前記カバーに、該カバーを温調するカバー温調機構が備えられていることを特徴とする請求項１から請求項２８のいずれか一項に記載のバッチ式処理装置。
【請求項３０】
前記ステージに、該ステージを温調するステージ温調機構が備えられているとき、
前記カバー温調機構と前記ステージ温調機構とは、個別に温度を調節することを特徴とする請求項２９に記載のバッチ式処理装置。
【請求項３１】
前記被処理体に処理を施す際、前記処理用小空間の内部の圧力を、大気圧よりも低くすることを特徴とする請求項２９又は請求項３０に記載のバッチ式処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【公開番号】特開２０１３−３０７５１（Ｐ２０１３−３０７５１Ａ）
【公開日】平成２５年２月７日（２０１３．２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−９５００９（Ｐ２０１２−９５００９）
【出願日】平成２４年４月１８日（２０１２．４．１８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月７日（２０１３．２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年４月１８日（２０１２．４．１８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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