【課題】 処理ガスの使用効率が良く、かつ、被処理体の面積が巨大であっても、ＡＬＤ法の適用も可能となるバッチ式処理装置を提供すること。
【解決手段】 メインチャンバ３１ａと、メインチャンバ３１ａ内に、このメインチャンバの高さ方向に積み重ねて設けられた、被処理体Ｇを載置する複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙと、ステージ１０１ａ〜１０１ｙごとに設けられ、ステージ１０１ａ〜１０１ｙに載置された被処理体Ｇをカバーする複数のカバー１０２ａ〜１０２ｙと、を備え、複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙと複数のカバー１０２ａ〜１０２ｙとで、複数のステージ１０１ａ〜１０１ｙに載置された複数の被処理体Ｇの各々を取り囲むように、メインチャンバ３１ａよりも容量が小さい処理用小空間１０６を形成する。 （もっと読む）

【課題】レジスト等の炭素含有薄膜のパターンの凸部のスリミング処理時のスリミング量（削り取り量）のばらつきを抑制してスリミング処理毎の再現性を向上させることが可能な炭素含有薄膜のスリミング方法である。
【解決手段】パターン化された炭素含有薄膜１０４が形成された被処理体Ｗを酸化装置２の処理容器４内へ搬入する搬入工程と、処理容器内へ水分を供給しつつ酸化ガスにより炭素含有薄膜１０４の表面を酸化処理して除去することによりパターンの凸部１０４Ｂの幅を小さくするスリミング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 間隙部内を排気する排気装置が停止した場合であっても、反応容器と蓋体と間の気密性を維持する。
【解決手段】 少なくとも一端に開口部を有し、反応容器の開口部を蓋する蓋体と、反応容器と蓋体との間に設けられる密閉部材と、反応容器と蓋体と密閉部材とで取り囲まれ、内部を減圧状態に維持可能に構成される間隙部と、間隙部に接続される第１排気管と、第１排気管に接続され、内部を減圧状態に維持可能に構成されるタンクと、タンクに接続される第２排気管と、第２排気管に設けられる第１バルブと、第２排気管に第１バルブを介して接続される排気装置と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 流体圧作動弁の動作遅延や動作不良を防ぎ、応答速度を均一化させ、基板処理の品質を向上させる。
【解決手段】 基板を処理する処理室内への処理ガスの供給を制御するガス供給ユニットを備える基板処理装置であって、ガス供給ユニットは、上流側が処理ガスの供給源に接続され、下流側が処理室内へ連通するガス導入配管に接続されるガス供給流路と、ガス供給流路上に設けられ、流体配管を介した流体の供給により開閉が制御される流体圧作動弁と、制御信号を受信する信号受信部及び流体配管内に流体を供給する流体出力部を有し、信号受信部が受信した制御信号に基づいて流体配管を介した流体圧作動弁への流体の供給を制御する電磁弁と、少なくともガス供給流路及び流体圧作動弁の外部を気密に囲う気密筐体と、を備え、電磁弁は気密筐体に直接固定されている。 （もっと読む）

【課題】筒状をなす真空容器の内表面において、プラズマ処理の実施に伴う付着物の堆積を抑制可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
プラズマエッチング装置１０は、誘電体円筒部１２を有する真空容器と、この誘電体円筒部１２を軸芯とするコイル状をなして誘電体円筒部１２の外周面との間に隙間を有しつつその外側に配設され、高周波電力が供給されることにより真空容器の内部にプラズマを生成する高周波アンテナ３１とを有する。また、誘電体円筒部１２の外周面に巻き付けられてプラズマにより生成される生成物の該誘電体円筒部１２の内周面への付着を抑える容量結合電極３２を備えている。この容量結合電極３２は、誘電体円筒部１２の中心軸線と平行な方向と誘電体円筒部１２の外周面の周方向とに周期性を有しつつ同誘電体円筒部１２の外周面と高周波アンテナ３１との隙間を外周面に沿って繰り返し横切る周回線路を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板保持具を用い、移載及び回収位置が反応炉直下ではなかった場合でも基板の保持状態を確認でき、一方の基板保持具にて異常を検知した場合に該一方の基板保持具から正常な基板を回収すると共に、他方の基板保持具からも同様に正常な基板を回収できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板７を保持する複数の基板保持具２１a、２１bと、基板７に所定の処理を行う反応炉１１と、前記基板保持具２１a、２１bに対して基板７の移載と回収を行う基板移載機４１と、前記基板保持具２１a、２１bを識別する識別手段と、基板７の保持状態を検知する検知部と、前記基板移載機４１を制御する制御部とを具備し、該検知部が基板７の異常を検知した際には、前記制御部は検知した基板７の保持状態、前記識別手段による識別結果に基づき、基板７を前記基板移載機４１により回収する。 （もっと読む）

【課題】発明は、ディスプレイ又は半導体の製造工程中に低圧工程チャンバで発生する汚染物質を除去するプラズマ反応器を提供する。
【解決手段】本発明に係る汚染物質除去用プラズマ反応器２１０は、互いに距離をおいて位置する第１接地電極２１及び第２接地電極２２と、第１接地電極２１と第２接地電極２２との間に固定される誘電体３０と、第１接地電極２１及び第２接地電極２２と距離をおいて誘電体３０の外面に位置して交流電源部４０と連結し、これから駆動電圧の印加を受ける少なくとも１つの駆動電極５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置では、電極間にシリコンウエハを載置し、電極間に高周波の交流電力を印加してウエハのプラズ処理を行っていたが、電極間にはウエハが存在する為、プラズマは均一とならず、ウエハ表面のプラズマ処理を均一に行う事の出来る基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板５を処理する反応室１と、反応室１内において複数の基板５を所定の間隔をおいて多段に重ねて載置する基板載置手段２２と、反応室１内に処理ガスを導入する手段１０と、反応室１内を排気する排気手段６、７と、反応室１内に設けられたプラズマを生成する為の複数対の交流電力印加用櫛形電極とを備え、複数対の櫛形電極の各々の対は、基板載置手段２２に載置される複数の基板５の各々のプラズマ処理面から所定の距離にそれぞれ配置される基板処理装置が開示されている。 （もっと読む）

【課題】穴や溝の底面中央部におけるエッチングを抑制して、底面形状を平坦に近づけることができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチングガスのみを処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、シリコン基板Ｋが載置された基台にバイアス電位を与え、シリコン基板Ｋをエッチングするエッチング工程（図３（ａ），（ｄ）参照）と、耐エッチング層形成ガスのみを処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、基台にバイアス電位を与え、シリコン基板Ｋに耐エッチング層を形成する耐エッチング層形成工程（図３（ｂ）参照）と、エッチングガスと、エッチングガスより少量の耐エッチング層形成ガスとを処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、基台にバイアス電位を与え、シリコン基板Ｋに形成された耐エッチング層を除去する耐エッチング層除去工程（図３（ｃ）参照）とを順次繰り返して実施する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ区画壁の内壁面がエッチングされることを防止してパーティクルや金属汚染の発生を抑制し且つ、電極面積を増大させてラジカルの発生量を増加させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器１４と、被処理体を保持して処理容器内へ挿脱される保持手段２２と、ガスを供給するガス供給手段３８、４０、４２と、ガスをプラズマにより活性化する活性化手段６０とを有して被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、活性化手段は、処理容器の外側へ突出された状態で処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁７２により区画形成されたプラズマ形成ボックス６４と、プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられた誘導結合型の電極６６と、電極に接続された高周波電源６８とよりなる。 （もっと読む）

【課題】処理対象層に、半導体デバイスの小型化要求を満たす小さい寸法の開口部を形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象基板であるウエハＷのマスク層としてのフォトレジスト膜５３上に補強膜を形成すると共に、開口パターンを形成する線状部分の線幅ａをトリミングする成膜トリミングステップは、フォトレジスト膜５３の表面に１価のアミノシランを吸着させる吸着ステップと、吸着したアミノシランを、酸素をプラズマ励起した酸素ラジカルを用いて酸化し、これによってアミノシランをＳｉ酸化膜に改質すると共にフォトレジスト膜５３の線状部分の線幅ａをトリミングする酸化ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】円筒状の基材の外周面を容易に且つ精度良く処理することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は、真空容器５内に立設された円柱状のカソード電極７とこの外周面と内周面とが対向するように配置された円筒状の防着部材１４とを有している。電極７の外周部には処理対象物である円筒状の基材１１が配置される。基材１１の内径寸法は電極７の外径寸法と略同じに設定されており、基材１１の内周面と電極７の外周面とはほぼ密着する。真空容器５内にエッチングガスを導入し、電極７に高周波電力を供給すると電極７と防着部材１４との間にプラズマが形成される。これにより、マスクパターンに覆われていない基材１１の表面が垂直にエッチングされて基材１１自身の表面全体に凹凸パターンが均一に形成される。 （もっと読む）

【課題】処理室内壁等へのダメージを抑制しつつ、高誘電率膜中へのボロンの混入を抑制する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１内に基板２００を搬入する工程と、処理室２０１内に処理ガス２３２ａ，ｂを供給して基板２００上に高誘電率膜を形成する処理を行う工程と、処理後の基板を処理室２０１内から搬出する工程と、処理室２０１内にボロンを含むハロゲン系ガス２３２ｃを供給して処理室２０１内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を除去し処理室２０１内をクリーニングする工程と、処理室２０１内に酸素系ガス２３２ｄを供給してクリーニング後に処理室内に残留するボロンを除去もしくは固定する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高い表面処理能力を発揮することを可能とする。
【解決手段】処理室と、前記処理室内の基板の縁の外側でのガスの流れを制限する制限手段と、活性化室と、前記活性化室及び処理室にガスを供給するガス供給手段と、前記活性化室に供給されたガスを活性化させる活性化手段と、前記活性化室及び前記処理室内に磁場を形成する磁場形成手段と、前記磁場の作用を与えられた前記イオン、前記電子を含む電荷を持った粒子が前記処理室に供給されるのを制限する抑制手段と、前記処理室の粒子及び前記ガスを吸気するための吸気室とを有し、前記活性化室から処理室に供給されたラジカルを含む粒子と、処理室に供給された前記ガスとを反応させて生成されたラジカル、イオン、電子、分子、及び原子を含む粒子を、前記基板と反応させて前記基板を処理する。 （もっと読む）

【課題】成膜ガスノズルの交換の時期を延長させ、成膜ガスノズル交換に要していた時間をなくし、反応炉のダウンタイムを短縮する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００を反応炉３１内に搬入するステップと、少なくとも一つの成膜ガスノズル４０より反応炉３１内に成膜ガスを供給して基板２００上に薄膜を成膜するステップと、成膜後の基板２００を反応炉３１内から搬出するステップと、成膜ガスノズル４０内にクリーニングガスを供給して成膜ガスノズル４０内に堆積した生成膜を除去する第１のクリーニングステップと、反応炉３１内に成膜ガスノズル４０とは異なるクリーニングガス供給口４６よりクリーニングガスを供給して反応炉３１内に堆積した生成膜を除去する第２のクリーニングステップとを有し、第１のクリーニングステップを第２のクリーニングステップよりも先行して行う。 （もっと読む）

【課題】
信頼性の向上したプラズマ処理装置及びその運転方法を提供する。
【解決手段】
真空容器内に配置され減圧されたその内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下方に配置されその上面に前記プラズマにより処理されるウエハが載せられる試料台と、この試料台内部に配置され上下方向に駆動され前記ウエハの裏面と当接してこのウエハを前記試料台上面の上方で昇降させる複数のピンと、前記試料台の上面に配置され前記複数のピンの各々が内側を移動する複数の開口とを備えたプラズマ処理装置またはその運転方法であって、前記開口の内部と連通された供給口から前記ウエハが前記上面に載せられていない間にガスを前記開口を介して前記処理室に供給する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電位が低く，より安定した高密度のプラズマを容易に形成する。
【解決手段】処理室１０２内に設けられ，ウエハを載置する載置台１１０と，処理室内に処理ガスを導入するガス供給部１２０と，処理室内を排気して減圧する排気部１３０と，載置台に対向するように板状誘電体１０４を介して配設された平面状の高周波アンテナ１４０と，高周波アンテナを覆うように設けられたシールド部材１６０と，載置台と板状誘電体との間に誘導結合プラズマを生成するための高周波を高周波アンテナに印加する高周波電源１５０とを備え，高周波アンテナは両端を開放するとともに中点又はその近傍を接地し，前記高周波電源からの高周波の１／２波長で共振するように構成したアンテナ素子１４２からなる。 （もっと読む）

【課題】放電電極の形状変化を早期に発見し、被処理基板の膜厚不均一を抑制できる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を積層載置して処理する処理室と、前記処理室内にガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内に設けられ、高周波電力が印加されることにより前記処理室内に供給されたガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極と、前記電極の形状変化を監視する監視機構を有する。 （もっと読む）

【課題】反応槽のクリーニングのためのドライエッチングの終点判断を正確に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置の反応槽内で基板上に構造膜を形成することにより半導体装置を製造するプロセスにおいて、反応槽内のクリーニングを行う。すなわち、反応槽の内壁にホウ素を含有したシリコン窒化膜からなるプレコート膜を堆積させ（ステップＳ１１）、反応槽内において基板上に構造膜としてホウ素を含まないシリコン窒化膜を形成し（ステップＳ１２）、反応槽の内壁をドライエッチングしてクリーニングする（ステップＳ１３）。このとき、ドライエッチングは、反応槽から排出されるガスにホウ素が検出された後で終了させる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】減圧されるチャンバ６２と、チャンバ６２内において、露出するレジスト膜４９を有する半導体基板１を複数支持する基板ホルダ６４と、基板ホルダ６４の配置領域の外側に設けられ、チャンバ６２内に酸素ガスを供給する供給孔７２が複数箇所に形成されたガス供給管７１と、チャンバ６２内の流体を吸い込む排気孔が設けられた排気管７４と、レジスト膜４９をアッシングさせるための酸素ガスを活性化する高周波電源６６と、を有する。 （もっと読む）