【課題】被処理基板に対するプラズマ処理の均一化を損なうことがなく、また、プラズマ処理によって消耗したときの交換部分を極力少なくすることができるプラズマ処理装置用トレイ及びそのようなトレイを備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置用トレイ１０は、反応容器２内に設けられた基板載置台２７の上面に、被処理基板１１を収容した状態で載置されるトレイであって、前記基板載置台２７の上面に載置されるトレイ本体１０１と、前記トレイ本体１０１に設けられた、該トレイ本体１０１の厚み方向に貫通する開口１０２と、開口１０２に着脱可能に装着される環状の基板保持部材と１０３とを備える。基板保持部材１０３は、開口１０２に係合する係合部１０６と、該基板保持部材１０３の内周縁の下部に形成された被処理基板１１の下面の外周縁を支持する基板支持部１０５とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板をトレイに載置した状態でプラズマ処理することによってトレイが高温或いは低温になった場合でも、トレイ上の所定位置に正確に被処理基板を載置したり前記トレイから被処理基板を確実に取り出したりすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、反応室２外に設けられたトレイステージ３０、ウエハＷが載置されたトレイ１４をトレイステージ３０と反応室２との間で搬送するロボット２２、反応室２外に設けられたウエハＷを収納するウエハケース３２、トレイステージ３０上のトレイ１４からプラズマ処理済みのウエハＷを取り出してウエハケース３２に収納すると共にウエハケース３２からプラズマ処理前のウエハＷを取り出してトレイステージ３０上のトレイ１４に載置する移載用ロボット３４、トレイステージ３０上に載置されるトレイ１４の温度を所定温度範囲に維持する赤外線ヒータ３８を備える。 （もっと読む）

【課題】吸着力を高めたプラズマ処理用トレイ及びこのようなトレイを備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理用トレイ１０は、化合物半導体から成る被処理基板を、静電気力を用いて載置部に静電吸着させてプラズマ処理するプラズマ処理装置１０において用いられるものであり、体積抵抗率が10⁷〜10¹³Ω・cmのトレイからなる。トレイは導電材料を分散させた窒化アルミニウム材料から成ることが好ましい。通常の窒化アルミニウムの体積抵抗率は10¹⁴Ω・cm程度であり、本発明のトレイは、通常の窒化アルミニウム等に炭化チタンや炭素繊維等の導電材料を含有させることで得ることができる。この場合、導電材料の含有量を調整することにより、窒化アルミニウム材料の体積抵抗率を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表層が窒化ガリウムから成る被処理基板をドライエッチングする方法であって、平滑なエッチング面が得られ、且つ、良好な再現性をもってエッチングできるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも表層が窒化ガリウムで構成された被処理基板を、塩素ガスをプラズマ状態に励起することによりエッチングする際に、前記塩化ガスから発生されたプラズマにより、アルミニウムラジカル及び塩化アルミニウムラジカルを発生する窒化アルミニウム（AlN）を含む物質を存在させた状態でエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】トレイの表面粗さに関係なくプラズマ処理時及びその前後に基板をトレイに確実に固定することができ、しかも必要なときにはトレイから基板を容易に剥離することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板１４をトレイ１５上に載置し、該トレイ１５を支持台１３上に載置して基板１４表面をプラズマにより処理するプラズマ処理方法において、シート状の基材の両面に熱剥離粘着層が設けられた熱剥離接着部材１６でトレイ１５と基板１４を接着する。熱剥離粘着層は常温で粘着性を有するため、プラズマ処理前後はトレイ１５と基板１４が確実に固定され、処理後はトレイ１５を所定の剥離温度以上に加熱するだけで、基板１４及び熱剥離接着部材１６をトレイ１５から容易に取り外すことができる。また、熱剥離接着部材１６の両面に同じ熱剥離粘着層を設けたため、熱剥離接着部材１６はトレイ１５及び基板１４に対して均等な接着力で接着する。 （もっと読む）

【課題】多数のウエハを同時に成膜処理しても、ウエハ内及びウエハ間で膜厚がばらつくことのない有機金属気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る有機金属気相成長装置は、反応容器１と、この反応容器１内に配置されたサセプタ保持台３、このサセプタ保持台３の上面に配置された複数のサセプタ４、サセプタ保持台３の下部に配置された抵抗発熱体５、反応容器１内に原料ガスを導入するガス導入部１１及び１５、反応容器１内のガスを排気するための排気路２０を備えている。サセプタ４の上面にはウエハ１００が載置される。反応容器１は下部反応容器２ａと蓋２ｂからなり、蓋２ｂの下面には複数のサセプタ４を互いに隔離する隔離部材９が取り付けられている。各サセプタ４と隔離部材９とから反応空間１０が形成される。ガス導入部１１及び１５は分岐導入管１３，１７を有しており、原料ガスは各反応空間１０に導入される。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の形状に関係なく凸部のテーパ形状を制御できるエッチング方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、凸部２１ａを有するサファイア基板２１の上に半導体層２２，２３，２４を設けて成る半導体発光素子に用いられる前記サファイア基板上に、エッチングにより前記凸部２１ａを形成する方法である。本発明では、表面にレジスト膜が形成されたサファイア基板２１を、エッチングガスに炭素系ガスを添加した混合ガスをプラズマ状態に励起してエッチングすると共に、前記炭素系ガスの流量を調整することで前記凸部２１ａのテーパ形状を調整する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中にウエハだけでなくトレイの冷却も可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】まず、トレイ１１に空けられた開口１１ａにウエハ１０を入れ、トレイ１１の下面に設けられた保持部材１３によりウエハ１０の下面周縁を保持する。次に、そのトレイ１１と静電チャックである下部電極１２を近づけ、下部電極１２に形成された凹部１４に保持部材１３を挿入し、下部電極１２のトレイ載置部にトレイ１１を載置し、ウエハ載置部にウエハ１０を載置する。次に、静電チャックによりウエハ１０及びトレイ１１を保持しつつ、ウエハ１０及びトレイ１１を冷却機構により冷却する。この状態でウエハ１０をプラズマ処理すれば、プラズマ処理中にウエハ１０とトレイ１１の両方が冷却されるため、ウエハ１０の中心部と外周部で温度差が生じにくくエッチングの均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型半導体領域、ｎ型半導体領域を有する半導体基板から成る半導体素子のｐｎ接合部における耐圧性の向上を可能にする。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法では、ｐ型半導体領域、ｎ型半導体領域を有する半導体基板から半導体素子を形成する。本発明の製造方法では、プラズマ処理装置１を用いて前記半導体基板の表面をプラズマエッチングすることによって前記半導体素子を取り囲む溝を形成する。そして、プラズマ条件を適宜に設定することにより、溝の内側壁のうちｐ型半導体領域とｎ型半導体領域の境界部分に横穴状の溝を形成する。この結果、形成される半導体素子は、側壁のうちｐ型半導体領域とｎ型半導体領域の境界部分に横穴構造を有することになり、ｐｎ接合部における耐圧性が向上する。 （もっと読む）