【課題】ガス管路１１８からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部１１３、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部１１５と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓１１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】紫外線の膜へのダメージ量の正確な予測が行えるようにするシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】粒子密度の微分方程式に基づくシミュレーションを行って算出した粒子密度に基づいて、可視領域の各波長の発光強度を計算し、対象とする製造プロセスにおける発光種及び発光波長の情報を参照して、計算した可視領域の各波長の発光強度と、実際に検出された可視領域の発光スペクトルとを比較して、電子エネルギー分布関数を求め、この電子エネルギー分布関数と、発光種に関する反応断面積とを用いて、紫外領域の発光スペクトルを予測し、予測した紫外領域の発光スペクトルから、半導体装置の製造における、紫外線によるダメージ量を予測するシミュレーション方法を実行する。 （もっと読む）

【課題】安価な構成であり、被処理基板におけるプラズマ処理の面内均一性を良好にすることができる被処理基板支持構造を提供する。
【解決手段】被処理基板支持構造３１は、円板状の部材であって、その上に被処理基板Ｗを載置するようにして支持する支持台３３と、円筒状の部材であって、支持台３３の下方側に一方端部が取り付けられるシャフト部３２と、支持台３３内に設けられるヒータ３６とを備える。支持台３３は、第一の熱伝導率である部材から構成されている。シャフト部３２は、第一の熱伝導率以上の第二の熱伝導率である部材から構成されている。支持台３３の内部であって、シャフト部３２の一方端部が支持台３３に取り付けられる連結部４０に対して距離を開けて連結部４０の上側に位置する部分には、第一の熱伝導率よりも低い第三の熱伝導率である断熱部４１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるとともに、プラズマの逆流を確実に防止して冷却板の損傷及び被処理基板の汚染を防ぐことができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】厚さ方向に貫通する複数の通気孔１１が設けられるとともに、各通気孔１１は、放電面２１に開口する噴出側孔部２２と、その反対面に開口する導入側孔部２３とを厚さ方向の中間部で連結してなり、噴出側孔部２２は、導入側孔部２３との連結部２４から放電面２１に向かうにしたがって相互に離間する方向に傾斜する複数の細孔２５により構成され、導入側孔部２３は、連結部２４における横断面積と同じか又はそれより小さい横断面積を有し、各細孔２５の長さ方向に対して交差する方向に形成されている。 （もっと読む）

【課題】整合回路の発熱を抑制しつつ、分割アンテナを備えた誘導結合プラズマ処理装置のパワー効率を向上させることが可能な高周波アンテナ回路を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマ処理装置において基板を処理する処理チャンバー内に誘導結合プラズマを生成するための高周波アンテナ回路であって、処理チャンバー内にプラズマを生成するプラズマ生成アンテナ１６と、プラズマ生成アンテナ１６に高周波電力を供給する高周波電源１８と、高周波電源１８とプラズマ生成アンテナ１６との間に介在する整合回路１９と、プラズマ生成アンテナ１６を構成し、整合回路１９を通過後の高周波電力が分配される複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４と、複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４のそれぞれに並列に設けられた並列共振キャパシタ回路３０−１〜３０−４とを有する。 （もっと読む）

【課題】温度設定の制御を適正化することにより温度安定待ち時間を短縮する。
【解決手段】複数のステップにより被処理体を処理するプラズマプロセスにおいてステップ毎に設定温度を変えることが可能なプラズマ処理装置１の温度制御方法であって、プラズマ処理装置１の処理容器１０内へ被処理体を搬入する搬入工程又は被処理体を搬出する搬出工程の少なくともいずれかを行う搬送工程と、前記複数のステップからなるプラズマプロセスを実行するプロセス実行工程と、前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングに応じて次のプロセスの設定温度に制御する第１の温度制御、又は前記搬入工程或いは前記搬出工程に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第２の温度制御、の少なくともいずれかを行う温度制御工程と、を含むことを特徴とする温度制御方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システムで使用するプラズマ処理チャンバのプラズマチャンバ表面での副生成物堆積を減少させる方法を提供する。
【解決手段】本方法はプラズマ処理チャンバに堆積バリアを提供する工程を含んでおり、堆積バリアはプラズマ処理チャンバのプラズマ発生領域に設置されるように設計されており、プラズマがプラズマ処理チャンバ内で照射されたときに生成される副生成物の少なくとも一部を堆積バリアに付着させ、プラズマ処理チャンバ表面上での副生成堆積を減少させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電性の筒状部材を真空容器内に配置すると共に、筒状部材での微小放電を抑制するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内周面にアルマイト層３１ａが形成されたアルミニウムからなる筒状部材３１を、金属製の真空容器１２の内壁面に沿って配置すると共に、真空容器１２の内部の支持台２１、２２上に処理対象の基板Ｗを静電吸着して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空容器１２の内壁面の全周に渡って形成され、当該内壁面から突設された段差部１２ａと、段差部１２ａの上面の全周に渡って配置された弾性変形可能な金属製のチューブリング３２とを有し、チューブリング３２を介して、筒状部材３１を段差部１２ａ上に載置した。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、スパイラルコイル３が第一石英板４、第二石英板５、及び、冷媒ケース１６によって囲まれた冷媒流路内に配置され、最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５と冷媒ケース１６とは、ボルト１９をタップ１８にねじ込むことにより、固定される。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の処理空間に接する部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制することができる成膜装置の運用方法を提供する。
【解決手段】処理容器２内で保持手段２２に保持された被処理体Ｗの表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うと共に不要なカーボン膜を除去するためにクリーニングガスでクリーニング工程を行なうようにした成膜装置の運用方法において、成膜工程に先立って、処理容器内の処理空間に接する部材の表面にカーボン膜７４の密着性を向上させ且つクリーニングガスに対して耐性を有する耐性プリコート膜７０を形成す。これにより、カーボン膜の密着性を向上させ、しかも不要なカーボン膜を除去するクリーニング処理を行っても耐性プリコート膜を残存させる。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、多重の渦形のスパイラルコイル３が第一石英板４に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、スパイラルコイル３が第一石英板４に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】精密かつ高速に圧力制御を行なうことができる圧力制御装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の圧力制御装置は、ゲート開度を調整することによってガス配管のガス圧力を調整するバルブと、前記バルブに接続された軸部と、ガイド部と、前記軸部を軸回転させる回転駆動部と、ガス配管内のガス圧力が所望のガス圧力となるよう前記回転駆動部を制御する制御部と、を備えている。前記ガイド部は、前記軸部を支持するとともに、前記軸部をねじ機構によって軸方向に移動させる。また、前記ガイド部は、前記軸部を囲う筐体と、一方の端部が前記筐体に固定配置されるとともに他方の端部が前記ねじ溝に接触する固定ピン部と、を有している。前記軸部は、１本のねじ溝に複数種類のピッチが設けられ、且つ前記ねじ溝が前記固定ピン部と接触した状態で回転しながら軸方向に移動する。 （もっと読む）

【課題】改良されたプラズマ均一性制御のための電気的な、ガス流の、及び熱的な対称性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理領域１０２を囲む蓋アセンブリ１１０及びチャンバ本体アセンブリ１４０と、チャンバ本体アセンブリ１４０内に配置された基板支持アセンブリ１６０と、チャンバ本体アセンブリ１４０によって排気領域１０４を画定する排気アセンブリ１９０であって、チャンバ本体アセンブリ１４０は処理領域１０２を排気領域１０４と流体接続する基板支持アセンブリ１６０の中心軸ＣＡの周りに対称的に配置された複数のアクセスチューブ１８０を含む。 （もっと読む）

【課題】流量制御機器の流量精度を常時監視しつつ、必要な場合には、再検定又は流量監視ユニット自体の自己診断を含む、より信頼性の高い流量検定を行う。
【解決手段】ガスを流量制御機器を経由してから所定のプロセスチャンバに供給する複数のプロセスガスラインに配設し、流量制御機器の前後におけるガス圧の下降又は上昇を測定することで流量制御機器の流量監視を行うガス流量監視システムにおいて、プロセスガスラインの内、選択した任意のプロセスガスラインの流量制御機器の上流側流路に備える第１流量監視ユニットと、プロセスチャンバの上流側流路から分岐する排出流路に備える第２流量監視ユニットと、第１流量監視ユニットによって流量制御機器の流量を常時監視するとともに、第１流量監視ユニットが複数回流量異常と検知した時に第２流量監視ユニットによって流量制御機器の流量異常の有無を再検定するよう指令する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマからラジカルのみを確実に選択的に通過させることができるラジカル選択装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０のチャンバ１１内において、載置台１２に載置されたウエハＷ及びプラズマジェネレータ１３の間に配置されるラジカルフィルタ１４は、上部シールドプレート１７と、プラズマジェネレータ１３との間に上部シールドプレート１７を介在させるように配置される下部シールドプレート１８とを備え、上部シールドプレート１７は当該上部シールドプレート１７を厚み方向に貫通する複数の上部貫通孔１７ａを有し、下部シールドプレート１８は当該下部シールドプレート１８を厚み方向に貫通する複数の下部貫通孔１８ａを有し、上部シールドプレート１７には負の直流電圧が印加され、下部シールドプレート１８には正の直流電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】表面波プラズマ発生用アンテナから出力される電力やアンテナ直下のプラズマ状態を、プラズマ生成するための電界分布を乱すことなく直接検出することができるマイクロ波放射機構を提供すること。
【解決手段】マイクロ波放射機構４１は、表面波プラズマ発生用アンテナ８１と、誘電体からなる遅波材８２と、アンテナ８１から放射されたマイクロ波により表面波プラズマを生成するための電界が形成される誘電体部材８３と、電界センサ１１２またはプラズマ発光センサ１１３と、遅波材８２および表面波プラズマ発生用アンテナ８１を貫通するように設けられたセンサ挿入孔１１０とを具備し、センサ挿入孔１１０は、スロット内側に対応する領域に、同一の円周上にスロットの１以上の整数倍の個数が均等に形成されており、電界センサ１１２またはプラズマ発光センサ１１３は、センサ挿入孔１１０の少なくとも一つに挿入されている。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体のような被エッチング材料の表裏両面へのプラズマ処理を行う際、基板の材質に関わらず被エッチング材料両表面に効率よくバイアスを印加し、両面処理ができるプラズマエッチング装置及びその方法を提供する。
【解決手段】略円環状の被エッチング材料に高周波電力を印加する一対の導電体を有し、略円環状の被エッチング材料の内縁を一対の導電体で挟持することで、略円環状の被エッチング材料の両面をエッチングするプラズマエッチング装置において、前記一対の導電体の一方に設置された導電体接続部材により、該略円環状の被エッチング材料の両面が電気的に導通するようにした。 （もっと読む）