【課題】本発明は、スループット、成膜均一性を低下させることなく、電極の接続面へのプロセスガスの回り込みを抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハwが導入される反応室11と、反応室11にプロセスガスを供給するガス供給機構12と、反応室11よりガスを排出するガス排出機構13と、ウェーハwを載置するウェーハ支持部材15と、ウェーハ支持部材15を載置するリング16と、リング16と接続され、ウェーハwを回転させるための回転駆動制御機構17と、リング16内に設置され、ウェーハwを所定の温度に加熱するために設けられるヒータ18と、ヒータ18と接続され、ねじ込み用凹部19aを有する電極部品19と、ねじ込み用凹部19aで電極部品19と接続されるねじ込み部21aを有する電極21と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供すること。
【解決手段】ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも低い基板温度である第２の設定値Ｔ２でTMG又はTEGを供給する。これにより、テラス２０２の上にGaNの２次元核３０１が発生するが（図３（ａ）参照）、発生する２次元核３０１の個数が１個以上100個以下発生するだけの時間だけこの第２の成長工程を行う。次に、基板温度をＴ２よりも高い第３の設定値Ｔ３にする（第３の成長工程）。これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる（図３（ｂ）参照）。第２と第３の工程を交互に繰り返すことにより、２分子層以上の厚さのGaN薄膜３０３を成長可能である（図３（ｃ）参照）。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長過程でサセプタに付着した膜を除去することのできるサセプタ処理方法および半導体製造装置の処理方法を提供する。
【解決手段】サセプタ２０７の上に基板１０６を載置し、基板１０６の上にＳｉ膜３０１をエピタキシャル成長させる。次いで、サセプタ２０７の上に基板１０６に代えて半導体基板２０６を載置し、半導体基板２０６の上にＳｉＣ膜３０２をエピタキシャル成長させる。次に、半導体基板２０６が取り除かれたサセプタ２０７を所定の温度に加熱し回転させながら、サセプタ２０７の上方からＨＣｌガスを流下させて、サセプタ２０７上のＳｉ膜３０１およびＳｉＣ膜３０２を除去する。この後、さらに、サセプタ２０７の上方からＣｌＦ_３ガスを流下させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャルウェーハに含まれる重金属不純物、特にデバイス活性層であるシリコン単結晶薄膜の表層領域の不純物濃度が従来に比べて低く、優れたデバイス特性をもつシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、成膜工程によりシリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを、シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値又は工程平均値と評価対象不純物の固溶限界濃度が一致する温度を算出し、算出温度の少なくとも上下５０℃の温度範囲において、シリコンエピタキシャルウェーハの成膜後の冷却速度を２０℃／ｓｅｃ未満として冷却する冷却工程とを行うシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】触媒線の長寿命化を可能とする触媒ＣＶＤ装置の運用方法、該装置を用いる触媒ＣＶＤ法による膜の形成方法、および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】触媒ＣＶＤ装置を用いて膜を形成する際の触媒線の通電方法に着目し、触媒線への通電制御を、昇温開始時には定電流制御で行い、成膜時には定電力制御で行うことで触媒線の過加熱による劣化を防止して長寿命化を図る。更に、触媒線の過加熱による成膜時の基板の異常昇温も回避して膜質の異常を防止する。 （もっと読む）

【課題】従来の自転回転のみを採用した枚葉式エピタキシャル装置を用いたときに生じていた、回転半径毎に同じような厚さ分布になる成長むらを抑制し、ウェーハ表面に形成されるエピタキシャル層の厚さ分布均一性が向上したエピタキシャルウェーハを得ることができる。
【解決手段】チャンバ内に設けられた水平状態で回転するサセプタの上に単一の半導体ウェーハを水平に載置し、サセプタを回転させながらチャンバ内に水平方向に流れるように原料ガスを供給して、載置したウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する枚葉式エピタキシャル装置を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法において、サセプタが水平状態で自転しながら公転することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２０％を超える光量子効率を有する、ナノ結晶性ケイ素含有ＳｉＯ_Ｘ薄膜フィルムを提供する。
【解決手段】本発明に係る製造方法は、発光用途に関する、高量子効率のシリコン（Ｓｉ）ナノ粒子含有ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムを備える発光素子の製造方法において：底部電極を供給する工程と；底部電極上に、シリコンナノ粒子を含有する不定比のＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルム（Ｘ＋Ｙ＜２であり、Ｙ＞０である）を堆積する工程と；シリコンナノ粒子を含有するＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムをアニール処理する工程と；６３２ｎｍにて測定された０．００１未満の消衰係数（ｋ）および２０％を超えるＰＬ量子効率（ＰＬＱＥ）を有する、アニール処理されたシリコンナノ粒子含有ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の稼動状態に対応して適切な処理を行うことができ、ひいては装置の稼働率の向上を実現することができる基板処理装置及び基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する手順が記載された複数のレシピと、当該複数のレシピに対応するユーザの操作権限と、を記憶する記憶手段と、前記レシピに対する前記ユーザの操作権限を設定する権限設定画面４００と、当該権限設定画面４００を介して設定された操作権限に基づいて前記記憶手段に記憶されているレシピを編集するための編集画面と、を表示する表示手段１８と、を有し、基板処理装置の稼動状態がオンライン時又はオフライン時それぞれの場合において、前記表示手段１８により表示された前記権限設定画面４００を編集して、前記レシピに対する操作権限の異なる設定が可能であるようになっている。
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【課題】プラズマ処理を効率よく行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、印加電極２と、ワーク１００を載置するとともに印加電極２の対向電極としての機能を併有するパレット（第１の電極）４と、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段１１と、印加電極２とパレット４との間に電圧を印加する第１の回路（電源部）８を備え、パレット４を載置するテーブル６の下面６３には、振動子９が配設され、ワーク１００の被処理面１１０と対向面３０との間の離間距離Ｌを検出する距離検出手段５３と、離間距離Ｌを規定する移動手段５と、移動手段５の作動を制御する制御手段７０とを有しており、この振動子９によりパレット４とワーク１００とを一体的に振動させながら被処理面１１０を処理するに際し、制御手段７０により、移動手段５が作動するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐剥離性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）上部層として、化学蒸着した状態で六方晶の結晶構造かつ柱状の結晶粒組織を有するアルミニウムとジルコニウムの複合酸化物層からなり、さらに、該複合酸化物は、結晶面（０００１）面および（０１−１２）面からのＸ線回折強度が１番目及び２番目に大きな値を示し、また、前記表面研磨面の法線に対して、（０００１）面の傾斜角が０〜１０度の範囲にある結晶粒子の総面積Ａと、（０１−１２）面の傾斜角が０〜１０度の範囲にある結晶粒子の総面積Ｂとの比の値Ａ／Ｂが、１〜１０である前記複合酸化物層、からなる硬質被覆層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】レシピの設定ミスの防止及びレシピの設定時間の短縮を実現することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】群管理装置２０により実行される群管理プログラム４０において、レシピ記憶部４０８は、基板を処理する手順が記載された複数のレシピを記憶する。マトリクス記憶部４０２は、ロット情報とレシピとの対応関係（レシピ決定マトリクス）を記憶する。ロット情報受付部４０４は、送信されたロット情報を受け付ける。レシピ選択部４０６は、ロット情報受付部４０４により受け付けられたロット情報とマトリクス記憶部４０２に記憶されているレシピ決定マトリクスとに基づいて、レシピ記憶部４０８に記憶されている複数のレシピからレシピを選択する。レシピ送信部４１０は、レシピ選択部４０６により選択されたレシピを基板処理装置１０に対して送信する。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速重切削加工等で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）Ｔｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）結晶粒の結晶面である（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定して傾斜角度数分布グラフを作成した場合、７５〜９０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、その度数割合が５０％以上を占める傾斜角度数分布グラフを示すα型Ａｌ₂Ｏ₃層からなる補強層、（ｃ）改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層からなる上部層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、工具すくい面領域にのみ、さらに、酸化チタン層（下側層）と窒酸化チタン層（上側層）からなる最外層を設ける。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速切削加工等で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）Ｔｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）結晶粒の結晶面である（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定して傾斜角度数分布グラフを作成した場合、０〜１５度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、その度数割合が５０％以上を占める傾斜角度数分布グラフを示す改質α型Ａｌ₂Ｏ₃層からなる上部層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、工具すくい面領域にのみ、さらに、酸化チタン層（下側層）と窒酸化チタン層（上側層）からなる最外層を設ける。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）上部層として、化学蒸着した状態でα型の結晶構造を有し、組成式：（Ａｌ_{１−Ｑ−Ｒ}Ｃｒ_ＱＺｒ_Ｒ）_２Ｏ_３、（ただし、原子比で、Ｑ：、０．００５〜０．０７、Ｒ：０．００３〜０．０５）、を満足するＡｌとＣｒとＺｒの複合酸化物層を設け、さらに、該上部層は、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面（１０−１０）面の法線がなす傾斜角を測定し、特定な構成原子共有格子点分布グラフを示すＡｌとＣｒとＺｒの複合酸化物層で構成する。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層として、特定なを満足するＴｉとＡｌとＣｒとＺｒの複合炭窒酸化物層、（ｃ）上部層として、化学蒸着した状態でα型の結晶構造を有し、特定な組成式を満足するＡｌとＣｒとＺｒの複合酸化物層を設け、さらに、該上部層は、表面研磨面の測定範囲内に存在する六方晶結晶格子を有する結晶粒個々に電子線を照射して、前記表面研磨面の法線に対して、前記結晶粒の結晶面である（０００１）面（１０−１０）面の法線がなす傾斜角を測定し、特定な構成原子共有格子点分布グラフを示すＡｌとＣｒとＺｒの複合酸化物層で構成する。 （もっと読む）

【課題】 硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層として、特定の組成式：（Ｔｉ_{１−Ｘ−Ｙ}Ａｌ_ＸＣｒ_Ｙ）Ｃ_αＮ_βＯ_γを満足するＴｉとＡｌとＣｒの複合炭窒酸化物層、（ｃ）上部層として、化学蒸着した状態でα型の結晶構造を有し、特定の組成式：（Ａｌ_１−ＱＣｒ_Ｑ）_２Ｏ_３を満足するＡｌとＣｒの複合酸化物層を設け、さらに、該上部層は、相互に隣接する結晶粒の界面で、前記構成原子のそれぞれが前記結晶粒相互間で１つの構成原子を共有する格子点（構成原子共有格子点）が特定の構成原子共有格子点分布グラフを示すＡｌとＣｒの複合酸化物層で構成する。 （もっと読む）

少なくとも１つの処理すべきウエハ(5)を受け入れるように構成されたプロセスチャンバ(2)を備えたプロセスアセンブリ(1)において、このプロセスアセンブリ(1)がさらに、処理中にプロセスチャンバ(2)内の圧力を低圧範囲内に維持するための、上記プロセスチャンバ(2)に流体接続可能なポンプ(3)を設けられ、上記プロセスアセンブリ(1)は、上記圧力を比較的高圧、例えば大気圧から上記低圧範囲まで低下させるための、上記プロセスチャンバ(2)に流体接続可能な第２ポンプ(4)を設けられ、上記プロセスチャンバ(2)内のガス流量は、上記圧力の低下中に一定値を有する。本発明はさらに、こうしたプロセスアセンブリ(1)内でウエハ(5)を処理する方法に関するものである。
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【課題】
高温、かつ、還元性ガスや反応性ガス雰囲気下で、長時間使用された場合であっても消耗等に起因するクラックや剥離等の損傷が生じることがなく、耐久性に優れた炭素複合材料を提供すること。
【解決手段】
炭素基材と前記炭素基材の表面に形成された炭化タンタル層とからなる炭素複合材料であって、前記炭化タンタル層を構成する結晶のＸ線回折による分析で、（２００）面に相当するピークと（１１１）面に相当するピークとのピーク強度比：Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）が、０．２〜０．５であるか、又は、（１１１）面に相当するピークと（２００）面に相当するピークとのピーク強度比：Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）が、０．２〜０．５であることを特徴とする炭素複合材料。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、不純物粒子の混入がなく、非常に安定した製造を可能とし、かつ過酷な環境下で保存されても密着性に優れ、良好な透明性、ガスバリア耐性を備えたガスバリア性フィルムの製造方法と、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス用樹脂基材の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂フィルム上に、該樹脂フィルム側から密着膜、セラミック膜及び保護膜を順次形成するガスバリア性フィルムの製造方法において、該密着膜、該セラミック膜及び該保護膜が、同一組成物から構成されている薄膜形成ガスを用いて形成されていることを特徴とするガスバリア性フィルムの製造方法。 （もっと読む）