【課題】不純物濃度の均一性および結晶性に優れたｎ型ダイヤモンド半導体層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、（１００）面から＜０１１＞±１０度方向に１０度以上４０度以下の範囲で傾斜する面を備えるダイヤモンド基板と、上記面上に形成され、リン（Ｐ）を含有するｎ型ダイヤモンド半導体層と、を備える。実施の形態の半導体装置の製造方法は、（１００）面から＜０１１＞±１０度方向に１０度以上４０度以下の範囲で傾斜する面を備えるダイヤモンド基板を準備し、上記面上に、エピタキシャル成長により、リン（Ｐ）を含有するｎ型ダイヤモンド半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】非極性面及び半極性面を主面とした結晶成長において、多結晶が発生することにより生じる、結晶の厚膜成長阻害を防ぐことを課題とする。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶からなり非極性面又は半極性面を主面とする下地基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法において、前記主面からｃ軸方向に±９０°傾斜した面をＫ面と定義したとき、該Ｋ面に対して特定の角度の面を有する側面を持った下地基板を用いることで多結晶発生の問題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置及びパーティクルトラップにおいて、効果的にパーティクルを低減すること。
【解決手段】半導体基板Wを収容するチャンバ２と、チャンバ２内を減圧する減圧ポンプ７と、チャンバ２と減圧ポンプ７の間に設けられ、減圧ポンプ７の吸入流路Qを画定する管２３を備えたパーティクルトラップ２１とを有し、管２３の吸入側の開口端２３ｂを自由端にして、該開口端２３ｂの開放方向Dを調節自在にした半導体製造装置による。 （もっと読む）

【課題】成膜最適温度にフィルム基板を予備加熱して、成膜室での薄膜形成を安定して行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】フィルム基板１０の巻出し及び／又は巻取りを行う少なくとも一対のロール１１，２１と、該少なくとも一対のロール１１，２１の間に配設された薄膜形成用の成膜室３と、一対のロールのうち巻出し側となる少なくとも一方のロール１１と成膜室３との間に配置された少なくとも一つのアイドラローラ１３と、該アイドラローラ１３と成膜室３との間に配置された加熱ローラ１４とを備え、フィルム基板１０が加熱ローラ１４に接触して昇温された後、成膜室３に導入されるように構成された薄膜形成装置において、アイドラローラ１３の位置を変更して加熱ローラ１４に対する抱き角αを変更する抱き角調整装置１５，１６を設けた薄膜形成装置。 （もっと読む）

【課題】均質なｎ型導電性のＩＩＩ族窒化物半導体層を含むＩＩＩ族窒化物半導体膜およびかかるＩＩＩ族窒化物半導体膜を含むＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体膜２０は、主面２０ｍ，２１ｍ，２２ｍが（０００１）面２０ｃに対して０°より大きく１８０°より小さいオフ角θを有し、ｎ型導電性を実質的に決定するドーパントが酸素であるＩＩＩ族窒化物半導体層２１，２２を少なくとも１層含む。また、本ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスは、上記のＩＩＩ族窒化物半導体膜２０を含む。 （もっと読む）

【課題】液体原料を気化させる噴射ノズル部の先端のキャリアガス出口の閉塞を抑制することが可能な気化装置を提供する。
【解決手段】液体原料６０をキャリアガスにより気化させて原料ガスを形成する気化装置１２において、気化室９４が形成された気化容器９６と、中央に液体原料を噴射する液体原料用ノズル１２２を有し、液体原料用ノズルの外周に同心状にキャリアガスを噴射するキャリアガス用ノズル１２４を有して原料ガスを形成する噴射ノズル部６４と、噴射ノズル部より液体原料の噴射方向に沿ってその開き角度が鋭角で広がって行き気化室に向けて開放されたガス拡散抑制領域１３０を形成するガス拡散抑制ブロック１００と、原料ガス出口８４とを備える。これにより液体原料を気化させる噴射ノズル部の先端のキャリアガス出口の閉塞を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンを改善することにより、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体発光素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に成長された窒化物半導体各層１１〜１８とを備えている。そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向およびｃ軸方向の各方向にオフ角度を有する面からなり、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい角度となっている。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャルウェーハの平坦性を向上させるためのエピタキシャルウェーハの製造装置および製造方法、特にエピタキシャルウェーハのエピタキシャル層の膜厚均一性を制御する枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置および製造方法を提供することを主な目的とする。
【解決手段】 単結晶基板上にエピタキシャル層を気相成長するための反応室と、該反応室内に前記単結晶基板を水平に配置するためのサセプタと、気相成長用の原料ガス及びキャリアガスを前記反応室内に導入するためのガス導入路とを有する枚葉式エピタキシャルウェーハの製造装置であって、前記ガス導入路は、前記反応室に水平に開口する水平部と、該水平部から斜めに伸び、前記製造装置外部に開口する傾斜部からなり、該傾斜部が、水平である前記単結晶基板の配置面に対して２０度≦θ≦８０度となる傾きθを有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造装置。 （もっと読む）

【課題】ロール・ツー・ロール方式を用いた成膜装置において、基板上に付着したパーティクルを除去、回収することができる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ロール・ツー・ロール方式により長尺基板を搬送する成膜装置において、前記長尺基板の進行方向に位置する第一のローラと、前記長尺基板の進行方向に対して前記第一のローラの次に位置する第二のローラと、パーティクル回収容器と、を有し、前記パーティクル回収容器は、前記第一のローラの鉛直下方に設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高品質なシリコン膜を高速で結晶成長させる技術を提供する。
【解決手段】 １２００℃〜１４００℃に加熱されているとともに１５００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで回転している基板６に向けて、基板の表面に直交する方向から、塩化シランガス１８を供給する。このときの塩化シランガス１８の供給量を、基板６の表面１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上とする。 （もっと読む）

【課題】十分緻密な薄膜を成膜することが可能な薄膜製造方法および装置を提供する。求める成膜特性、あるいはプロセス条件に応じた薄膜を成膜することが可能な薄膜製造方法および装置を提供する。
【解決手段】原料ガスからプラズマを生成し、該プラズマ中からイオンを抽出し、該イオンにより被成膜基板の片面または両面に薄膜を成膜する薄膜製造方法である。該方法は、該プラズマを発生させるプラズマ室と、被成膜基板を収容する成膜室と、該プラズマ室から該成膜室まで該イオンを輸送するためのイオン輸送路と、該イオン輸送路から分岐する分岐管と、該分岐管に接続された排気系統とを有する装置内で実施される。該イオン以外の原料ガスを該分岐管から排気しながら薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い寸法精度で製造することができ、かつパーティクル・ダストの排出を抑制することができるガスノズルを提供する。
【解決手段】ガスノズル４は、ガスが流れる貫通孔１２，１４を備えた本体１３を有する。本体１３は、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面に複数の環状の段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃを有し、ガスが流れる方向における各段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃの上流よりも下流において、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面が、より中心側に位置している。 （もっと読む）

【課題】大型の基板にも安定したプラズマ処理を行え、かつプラズマ処理基板の生産量を向上させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】平行に対向配置され、その間にプラズマが生成されるリッジ電極２１ａ，２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、その長さ方向両端に隣設され、高周波電源を放電室２に伝送してプラズマを発生させる一対の変換器３Ａ，３Ｂと、高周波電力を供給する高周波電源と、プラズマ処理前の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置に送り込み、プラズマ処理後の基板Ｓを上記所定位置から送り出す基板搬送装置３５と、基板Ｓの搬送方向Ｃを、リッジ電極２１ａ，２１ｂの長さ方向Ｌに沿わせ、放電室２および変換器３Ａ，３Ｂの、その各々のリッジ導波管断面形状における、リッジ電極２１ａ，２１ｂおよびリッジ部３１ａ,３１ｂの厚み方向に隣接する凹部空間４０に、基板搬送装置３５の少なくとも一部を収容した。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶ウエハに新たな炭化珪素単結晶層を形成する工程において、ｃ軸方向に貫通する転位３を、基底面（０００１）に沿った第１方向の欠陥に変換させ、第１方向に交差し、かつ基底面（０００１）に沿った第２方向に欠陥の伝播方向を制御することで、単結晶基板中に含まれる貫通らせん転位３を基底面内欠陥４に構造転換し、基底面内欠陥４を結晶の外部に排出させ、元の炭化珪素単結晶基板よりも貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶層。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐剥離性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、逃げ面および切刃部の中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、逃げ面および切刃部の上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続重切削加工ですぐれた耐剥離性、耐チッピング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層としてＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、切刃部の中間層及び上部層は、すくい面、逃げ面に比して相対的に（０００１）面配向率の小さいα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、すくい面および逃げ面の上部層は、面積比率で３５％以上６０％未満の結晶粒の内部が、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有し、一方、切刃部の上部層は多角錐形状の結晶組織構造からなる。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速断続切削加工で、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、切刃部の中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、切刃部の上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速切削加工ですぐれた耐剥離性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、すくい面および切刃部の中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、すくい面および切刃部の上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】
薄膜シリコン太陽電池の微結晶シリコン膜及び多結晶シリコン太陽電池のパッシベーション膜等を製造するプラズマＣＶＤ装置の応用分野においては、発電効率と生産性の向上及び低コスト化を図るために、大面積基板を対象に高速、高品質のシリコン系膜の形成が可能なプラズマＣＶＤ装置及びその装置を用いたシリコン系膜の製造法が求められている。
【解決手段】
一対の平行平板電極を備えたプラズマＣＶＤ装置において、一対の電極の一方に、複数の凹部を設け、かつ、複数の凸部又は平坦部を設け、該複数の凸部又は平坦部に原料ガスを噴出する複数の原料ガス噴出孔を配置し、該複数の凹部に希釈ガスを噴出する複数の希釈ガス噴出孔を配置させるという構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの裏面の端部にシリコンが付着することを抑制し、ウェーハの平坦度を向上させることが可能なエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長装置１０は、原料ガスが供給されるチャンバー１１と、チャンバー１１内においてウェーハＷを裏面側から支持するサセプター１３と、ウェーハ１３の上方にリング状に配列された複数の加熱用ランプ２０からなり、ウェーハＷを主面側から加熱する上部ランプ群２０Ｇと、サセプター１３の下方にリング状に配列された複数の加熱用ランプ２１からなり、ウェーハＷを裏面側から加熱する下部ランプ群２１Ｇと、上部ランプ群２０の外側に設けられた略円筒状の反射部材２５とを備えている。反射部材２５の下端部は内側に傾斜しており、上部ランプ群２０Ｇの任意の加熱用ランプ２０から真下方向に輻射された電磁波は、傾斜面２５ａで反射してウェーハＷの端部Ｐに導かれる。 （もっと読む）