【課題】大面積成膜を行う大型のプラズマＣＶＤ装置においても、給電線の温度上昇を抑制し、かつ電極への接続が容易な、プラズマ処理装置の給電構造を提供する。
【解決手段】真空容器２ａ内の基板８に対向して配置される高周波電極６及び接地電極７を備え、高周波電極６と接地電極７との間に、高周波電源３から給電線５を経た高周波給電によって電圧を印加するとともにガスを流すことによってプラズマを生成し、基板８の表面にプラズマ処理を行うようにしたプラズマ処理装置において、給電線５は、上流側の高周波電源３接続側の断面積を大きく、下流側の高周波電極６接続側の断面積を高周波電源３接続側の断面積よりも小さく形成している。 （もっと読む）

【課題】方向性電磁鋼板等の固体表面の酸化物を除去する事ができる固体表面の酸素除去方法、結晶成長方法、並びに、方向性電磁鋼板等上にＧａＮ膜が成膜された半導体を製造する半導体製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザ堆積（ＰＬＤ）装置１０を用いて、超高真空（１０^−１０ｔｏｒｒ）に減圧されたチャンバ１１内に電磁鋼板１２（Ｆｅ_０．９７％Ｓｉ_{０．０３％}）を配置し、当該電磁鋼板１２を８００℃に加熱する。このような条件下で、Ｇａ又はＩｎ金属からなるターゲット１３に対してエキシマレーザを出射する。すると、ターゲット１３からプルームが発生し、そのプルームが電磁鋼板１２に照射される。電磁鋼板１２に照射されたＧａ又はＩｎは電磁鋼板１２の表面の酸素と結合して、気化する。 （もっと読む）