【課題】狭スペースへのシリコン膜の埋め込み性の向上を図る。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン膜の形成方法は、凹部２０の開口側からボトム側に向けてくぼんだくぼみ４０を有するアンドープの第１のシリコン膜３２を凹部２０に形成する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、凹部２０内の第１のシリコン膜３２の一部を塩素を含むガスを用いてエッチングし、第１のシリコン膜３２に凹部２０のボトム側よりも開口側で幅が広い隙間４１を形成する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、隙間４１に面する第１のシリコン膜３２の内壁に不純物を添加する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、不純物の添加後、隙間４１を埋める第２のシリコン膜３３を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの上部電極上に形成される充填膜の膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に形成された下部電極１４と、下部電極１４上に形成された容量絶縁膜１５と、容量絶縁膜１５上に形成された上部電極１６と、上部電極１６の表面に形成された表面改質層と、表面改質層上に形成された充填膜１８を有する半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】比較的低温でも埋め込み特性が良好で且つ表面ラフネスの精度も向上するアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜のような薄膜を形成することが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体Ｗの表面にシード膜８８と不純物含有のシリコン膜９０を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へアミノシラン系ガスと高次シランの内の少なくともいずれか一方のガスよりなるシード膜用原料ガスを供給してシード膜を形成する第１ステップと、処理容器内へシラン系ガスと不純物含有ガスとを供給してアモルファス状態の前記不純物含有のシリコン膜を形成する第２ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】膜厚を確保することが可能な成膜装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる成膜装置は溝を有する基板に液体材料を供給して前記溝内に前記液体材料を埋め込み、液層を形成する塗布部と、前記溶液層を乾燥させて固化する乾燥部と、前記乾燥中に前記液層の表面に蒸気を照射する蒸気供給部と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜応力の小さい低誘電率の絶縁膜を形成できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内へ無機シリコンガスと酸素含有ガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、処理室内へ有機シリコンガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、を行うことにより、処理室内の基板表面に絶縁膜を形成するよう、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された高いアスペクト比の素子分離溝でも、空洞の発生を抑制して当該溝中にシリコン絶縁膜を埋め込むこと。
【解決手段】高いアスペクト比の素子分離溝が形成された基板を処理室に搬入する基板搬入工程と、前記処理室を第一ガスであるヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）含有ガス雰囲気にするシリコン含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第一パージガス雰囲気工程と、前記処理室を第三ガスである酸素ガスであってプラズマ状態の酸素含有ガス雰囲気にする酸素含有ガス雰囲気工程と、前記処理室を第二ガスであるパージガス雰囲気にする第二パージガス雰囲気工程と、前記シリコン含有ガス雰囲気工程、前記第一パージガス雰囲気工程、前記酸素含有ガス雰囲気工程、及び前記第二パージガス雰囲気工程を繰り返す工程と、を有する半導体装置の製造方法、及びそれを実現する基板処理装置である。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の形成のための方法が提供される。
【解決手段】 本方法は、プロセスチャンバ内の基板ホルダ上に基板を準備し、前記基板が、上部表面と側壁表面を持つ立ち上がり構造を含み；前記プロセスチャンバ内にプロセスガスを流し、前記プロセスガスが炭化水素ガス、酸素含有ガス、及び場合によりアルゴン又はヘリウムを含む。本方法はさらに、プロセスチャンバ内のプロセスガス圧力を少なくとも１トールに維持し、マイクロ波プラズマ源を用いてプロセスガスからプラズマを形成し、及び基板をプラズマに暴露して共形アモルファスカーボンフィルムを前記立ち上がり構造の表面上に堆積させることを含む。 （もっと読む）

【課題】カバレッジ性能、及び、表面ラフネスの良好なアモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、複数枚の半導体ウエハＷが収容された反応管２内を８００℃〜９５０℃に加熱する。次に、制御部１００は、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内にアンモニアガスを供給する。続いて、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、反応管２内を所定の温度に加熱し、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内に処理ガス導入管１７からエチレンを供給する。これにより、半導体ウエハＷにアモルファスカーボン膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】基板に形成される凹部をボイドの形成を低減しつつ、高スループットで埋め込むことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基板が載置される基板載置部を含み真空容器内に回転可能に設けられる回転テーブルと、回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部と、第１の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して、第１の反応ガスと反応する第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部と、第１及び第２の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ、回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して、第１の反応ガスと第２の反応ガスとの反応性生成物を改質する改質ガス及びエッチングするエッチングガスを活性化して供給する活性化ガス供給部とを含む成膜装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】良好な埋込特性が得られるバッチ式の成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】凹部を含むパターンが形成された複数の基板を多段にして反応管に搭載するステップと、シリコン含有ガス及び酸素含有ガスを前記反応管へ供給することにより、前記複数の基板上に酸化シリコン膜を成膜する成膜ステップと、フッ酸ガス及びアンモニアガスを前記反応管へ供給することにより、前記成膜ステップにおいて成膜された前記酸化シリコン膜をエッチングするエッチングステップと、を含み、前記成膜ステップと前記エッチングステップとが交互に繰り返される成膜方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されるギャップ内に誘電体層を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】方法は、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップを含む。有機シリコン前駆物質のＣ：Ｓｉ原子比は、８未満であり、酸素前駆物質は、堆積チャンバの外で生成される原子状酸素を含む。前駆物質が反応して、ギャップ内に誘電体層を形成する。ギャップを誘電材料で充填する方法も記載する。これらの方法は、Ｃ：Ｓｉ原子比が８未満の有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を供給するステップと、前駆物質からプラズマを生成させて、ギャップ内に誘電材料の第一部分を堆積させるステップとを含んでいる。誘電材料がエッチングされてもよく、誘電材料の第二部分がギャップ内に形成されてもよい。誘電材料の第一部分と第二部分がアニールされてもよい。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に棚状に積載された複数枚の基板に対して、互いに反応する複数種類の処理ガスを順番に供給して成膜処理を行うにあたり、処理ガスを切り替える時の雰囲気を容易に置換すること。
【解決手段】Ｚｒ系ガスやＯ_３ガスなどの処理ガスを反応管１２内に供給するためのガス吐出口５２の各々形成された第１のガスインジェクター５１ａ、５１ｂとは別に、反応管１２の長さ方向に沿うようにスリット５０の形成された第３のガスインジェクター５１ｃを設けて、処理ガスを切り替える時には、このスリット５０から反応管１２内にパージガスを供給して当該反応管１２内の雰囲気を置換する。 （もっと読む）

【課題】トレンチ埋め込みエピタキシャル成長の制御パラメータを変更した際にエピタキシャルの成長反応の変化傾向を簡便に知ることができ、結果として、最適な成長条件を簡便に見つけ出すことが可能な、トレンチ埋め込みエピタキシャル成長条件の最適化方法を提供する。
【解決手段】シリコンソースガスにエッチングガスを混合した混合ガスを原料ガスとし、この原料ガスをＨ₂キャリアガスで流通させることにより、シリコン基板表面に形成したトレンチ内部にエピタキシャル層を成長させてトレンチ内部をエピタキシャル層で埋め込む工程を含む半導体基板の製造方法における、トレンチ内部をエピタキシャル層で埋め込む際のエピタキシャル成長の最適条件を求める方法であって、ある特定のアスペクト比のトレンチ内部を埋め込む際のエピタキシャル成長の最適条件をエピタキシャル成長速度のＨ₂キャリアガスの流量依存性により求めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 表面ラフネスの精度をさらに改善でき、進展するコンタクトホールやラインなどの微細化に対応可能なアモルファスシリコンの成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地２を加熱し、加熱した下地２にアミノシラン系ガスを流し、下地２の表面にシード層３を形成する工程と、下地２を加熱し、加熱した下地２の表面のシード層３にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、アミノ基を含まないシラン系ガスを熱分解させることで、シード層３上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、を備え、アミノシラン系ガスのアミノシランは熱分解させないで、下地上に吸着させる。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法によって、Ｍ（ＢＨ_４）_４（Ｍは、Ｚｒ又はＨｆを意味する）を原料としてＭ／Ｚｒ比が適正範囲内で良質なＭＢ_ｘ膜（Ｍは前記と同じ意味を有し、ｘは１．８〜２．５の数を意味する）を成膜する。
【解決手段】ガス供給源１９から、ガス供給配管１５ａを介してＨ_２ガスを原料容器２１内に供給する。原料容器２１内では、導入されたＨ_２ガスとの接触によって、固体原料のＺｒ（ＢＨ_４）_４が気化する。そして、成膜ガスとしてのＨ_２ガスとＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスの混合ガスが、ガス供給配管１５ｃ，１５ｃ１、シャワーヘッド１１のガス拡散空間１２及びガス吐出孔１３を介して処理容器１内に導入され、ウエハＷ上の絶縁膜の表面を覆うように、ＺｒＢ_ｘ膜の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】カバレッジ性能、及び、表面ラフネスの良好なアモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、複数枚の半導体ウエハＷが収容された反応管２内を所定の温度に加熱する。次に、制御部１００は、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内にアミノ系シランガスを供給する。そして、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、反応管２内を所定の温度に加熱し、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内に処理ガス導入管１７からエチレンを供給することにより、半導体ウエハＷにアモルファスカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】トレンチをエピタキシャル膜にて埋め込んで半導体基板を製造する上においてトレンチ開口部の塞がりの抑制と成長速度の向上の両立を図ることができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ^＋シリコン基板１の上に形成したｎ型エピタキシャル膜２に、複数のトレンチ４を、トレンチ幅Ｗｔよりも、隣接するトレンチ４間の間隔Ｌｔを大きく形成する。トレンチ４内を含めたエピタキシャル膜２上に、エピタキシャル膜２の不純物濃度よりも高濃度なｐ型エピタキシャル膜２３を、少なくともトレンチ４の埋め込みの最終工程において、ｐ型エピタキシャル膜２３の成膜のために供給するガスとして、シリコンソースガスとハロゲン化物ガスとの混合ガスを用いて成膜し、トレンチ４の内部をｐ型エピタキシャル膜２３で埋め込む。 （もっと読む）

【課題】 トレンチの内部に酸化障壁となる膜を形成しなくても、トレンチの内部に埋め込まれた埋め込み材料に空隙が発生することを抑制することが可能なトレンチの埋め込み方法を提供すること。
【解決手段】 少なくともトレンチ６の側壁に酸化膜７が形成されている半導体基板１を加熱し、半導体基板１の表面にアミノシラン系ガスを供給して半導体基板１上にシード層８を形成し、シード層８が形成された半導体基板１を加熱し、シード層８の表面にモノシランガスを供給してシード層８上にシリコン膜９を形成し、シリコン膜９が形成された半導体基板１のトレンチ６を、焼成することで収縮する埋め込み材料１０を用いて埋め込み、トレンチ６を埋め込む埋め込み材料１０を、水及び／又はヒドロキシ基を含む雰囲気中で焼成するとともに、シリコン膜９、及びシード層８をシリコン酸化物に変化させる。 （もっと読む）

【課題】比較的低温でも埋め込み特性が良好なアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜を形成することが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器１４内で被処理体Ｗの表面に不純物含有のシリコン膜を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へシリコンと水素とよりなるシラン系ガスを該シラン系ガスが被処理体の表面に吸着するような状態で供給する第１のガス供給工程と処理容器内へ不純物含有ガスを供給する第２のガス供給工程とを交互に繰り返し行うことによりアモルファス状態で不純物含有のシリコン膜を形成する。これにより、比較的低温でも埋め込み特性が良好なアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の薄膜形成装置に比べて、薄膜を均一に形成することができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、原料ガスおよび反応ガスが別々のタイミングで交互に供給されて、基板に薄膜を形成するための減圧した成膜空間を形成する成膜容器と、原料ガスおよび反応ガスを前記成膜容器に供給するガス供給ユニットと、を有する。ガス供給ユニットは、原料ガスおよび反応ガスの導入口から前記成膜空間に向けて流れるガス流路を屈曲させる少なくとも１つの衝立板が設けられている。 （もっと読む）