【課題】フォトマスクをエッチングする方法および装置を提供する。
【解決手段】フォトマスクをエッチングする方法は、上部に、フォトマスク用基板１２２を受けるように適合された基板支持用ペデスタル１２４を有する処理チャンバ１０２を提供するステップをふくむ。イオン−ラジカル用シールド１７０は、そのペデスタル上に配置される。基板は、イオン−ラジカル用シールドの下のペデスタル上に置かれる。処理ガスは、処理チャンバ内に導入され、プラズマが処理ガスから形成される。基板は、シールドを通過するラジカルを用いて主にエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ増強化学気相成長とＴＥＯＳを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】該方法には、ＴＥＯＳ酸化物プラズマを生成するために用いられる高周波パルス電源を供給することにより、基板上の二酸化ケイ素の堆積速度を制御するステップが含まれる。得られた二酸化ケイ素膜は、薄膜トランジスタを形成する応用において電気的及び機械的膜特性が良好である。 （もっと読む）

構成要素間の接着が良好な抵抗変化型メモリデバイスを形成するための方法および装置が提示される。第１の導電層が基板上に形成され、この第１の導電層の表面が処理されて、表面に接着促進材料が添加される。接着促進材料は、表面の上に層を形成してもよく、表面中に組み入れられてもよく、または第１の導電層の表面を単に安定化処理してもよい。可変抵抗層が処理済表面の上に形成され、第２の導電層が可変抵抗層の上に形成される。さらに、接着促進材料は、可変抵抗層と第２の導電層との間の界面に含まれてもよい。
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【課題】効率的かつ信頼性の高いプラズマチャンバーとともに使用する固定インピーダンス変換回路網用の装置を提供する。
【解決手段】能動ＲＦ整合回路網３０６とプラズマチャンバーに関連したプラズマチャンバーロード３２０とを連結するように適合された予備整合回路網３０８を備え、予備整合回路網３０８が、第１容量性素子３１０と、第１容量性素子３１０に並列に接続されて、増大したインピーダンスを、プラズマチャンバーロード３２０を駆動するために必要な電圧が減少するように、能動ＲＦ整合回路網３０６の出力部に与える並列回路を形成する誘導性素子３１２と、誘導性素子３１２に連結されかつプラズマチャンバーロード３２０に連結されるように適合され、プラズマチャンバーロード３２０に関連したインダクタンスに対応しているリアクタンスを少なくとも一部、減少させるか、または無効にする第２容量性素子３１４を備える。 （もっと読む）

薄膜バッテリ製造の方法及びそのための設備を説明する。方法は、薄膜バッテリを製作するための作業を含む。設備は、薄膜バッテリを製作するための１つ又はそれよりも多くのツールセットを含む。 （もっと読む）

本発明は、概して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びＴＦＴの製造方法に関する。ＴＦＴのアクティブチャネルは、亜鉛、ガリウム、スズ、インジウム、及びカドミウムからなる群から選択される１以上の金属を含むことができる。アクティブチャネルは、窒素及び酸素も含むことができる。ソース・ドレイン電極のパターニング時に、アクティブチャネルを保護するために、エッチストップ層を活性層上に堆積することができる。エッチストップ層は、ソース・ドレイン電極を画定するために使用されるプラズマにアクティブチャネルが曝露されるのを防ぐ。アクティブチャネル用に使用される活物質層をウェットエッチングするときに、エッチストップ層及びソース・ドレイン電極をマスクとして使用することができる。
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本発明の実施形態は、改良されたプラズマ解離効率を備えたプロセスチャンバに処理ガスを供給するための方法及び装置に関する。本発明の一実施形態は、処理チャンバに接続される拡張容積を画定する外側本体を含むバッフルノズルアセンブリを提供する。処理ガスは、プラズマ生成用電源に曝露される拡張容積を通して処置チャンバへ流される。
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フレキシブル基板を処理するためのモジュール式基板処理システムが提示される。このシステムは、水平方向において互いに隣接して配置された少なくとも２つのプロセスモジュールを備える。これらのプロセスモジュールは、フレキシブル基板を非接触案内し、垂直方向にフレキシブル基板を方向転換させるガスクッションローラを備える。
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複雑性低減のための薄膜バッテリ方法を説明する。複雑性低減のための薄膜バッテリ方法をサポートするのに適する処理機器配列も説明する。複雑性低減のための薄膜バッテリ方法をサポートするクラスターツールも説明する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、電磁エネルギーの複数のパルスを使用する薄膜の固相再結晶化の方法を提供する。一実施形態では、アモルファス層が、再結晶化すると下の結晶性のシード領域またはシード層と同じグレイン構造および結晶配向を有するように堆積されている、結晶性のシード領域またはシード層へ複数のエネルギーのパルスを供給することによって、基板表面全体または基板の表面の選択された領域をアニールするために本発明の方法を使用することができる。
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