【課題】基板の縁を洗浄するための改良された方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板の縁を研磨するように適応される装置及び方法は、研磨膜と、該研磨膜に張力及び荷重をかけて、膜の少なくとも一部分を平面内に支持するように適応されるフレーム５０２と、研磨膜の平面に対して基板を回転して、研磨膜が基板に力を付与し、少なくとも外縁及び第１斜面を含む基板の縁に輪郭合わせし、更に、基板回転時に外縁及び第１斜面を研磨するように適応される基板回転駆動装置と５１０、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板支持体のために耐久性があり、かつ、寸法的に正確な支持体アームを提供する。
【解決手段】基板支持組立体１００であって、基板のためのポケット１２４を画し、複数のアパーチャ１２２を画すプラットフォーム１２０と、複数の上方延伸アーム１１４を有し、前記アーム１１４のそれぞれは、前記アパーチャ１２２の対応する一つに位置合わせされ、貫通して可動である基板キャリア１１０と、複数のスリーブ１３０が、対応する前記アーム１１４の各々に固定され、前記アーム１１４の各々が、中央に位置するハブ１０４に接続され、前記スリーブ１３０の各々が、前記ハブ１０４に向いている第１の側と、前記ハブ１０４から離れるように向いている第２の側と、前記第１の側に隣接する棚と前記第２の側に隣接する上方延伸部分を有する頂部端とを有し、前記棚は、前記第１の側に向かって傾斜している。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄チャンバ、チャンバコンポーネント及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄チャンバは、基板支持体に面する弧状面を有する輪郭付けされた天井電極を含み、弧状面と基板支持体との間のギャップの大きさを変えて基板支持体にわたり変化するプラズマ密度を与えるための可変断面厚みを有している。洗浄チャンバのための誘電体リングは、ベースと、峰部と、基板支持体の周囲リップをカバーする半径方向内方の張出部とを含む。ベースシールドは、少なくとも１つの周囲壁を有する円形ディスクを含む。洗浄チャンバのための洗浄及びコンディショニングプロセスについても説明する。 （もっと読む）

【課題】電気化学堆積ツール用プラットフォーム上を流れる堆積用液のより大きな流れから堆積用液のより小さな流れを迂回させるシステムを提供する。
【解決手段】より小さな流れは迂回して別のプラットフォーム１５４上にあってもよい投与装置２６２へ向かう。一実施例において投与装置は加圧されたフローラインを含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されるギャップ内に誘電体層を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】方法は、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップを含む。有機シリコン前駆物質のＣ：Ｓｉ原子比は、８未満であり、酸素前駆物質は、堆積チャンバの外で生成される原子状酸素を含む。前駆物質が反応して、ギャップ内に誘電体層を形成する。ギャップを誘電材料で充填する方法も記載する。これらの方法は、Ｃ：Ｓｉ原子比が８未満の有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を供給するステップと、前駆物質からプラズマを生成させて、ギャップ内に誘電材料の第一部分を堆積させるステップとを含んでいる。誘電材料がエッチングされてもよく、誘電材料の第二部分がギャップ内に形成されてもよい。誘電材料の第一部分と第二部分がアニールされてもよい。 （もっと読む）

【課題】基板の所望の領域上でアニーリングプロセスを実行するために使用される装置および方法を開示する。
【解決手段】１つの実施形態では、電磁エネルギのパルスはフラッシュランプまたはレーザ装置を使用して基板に送出される。パルスは約１ｎｓｅｃから約１０ｍｓｅｃの長さであってもよく、各パルスは基板材料を融解するのに必要なエネルギより少ないエネルギを有する。パルスの間隔は一般的に、各パルスにより与えられるエネルギを完全に放散させるのに十分な長である。このようにして、各パルスはマイクロアニーリング周期を終了する。パルスは１回で基板全体にまたは同時に基板の一部に送出されてもよい。 （もっと読む）

【課題】スループットを増加させ、信頼性を増加させたマルチチャンバ処理システム（例えばクラスタツール）を使用して基板を処理する機器および方法を提供する。
【解決手段】クラスタツール１０内で処理される基板は繰り返し可能性が高く、システムフットプリントが小さい。クラスタツール１０の一実施形態では、基板をまとめてグループ化して移送することで、基板を２枚以上のグループ毎に処理してシステムスループットを増加することにより、また、処理チャンバの間で基板のバッチを移送する際の動作数を低減することで、ロボットの疲労を低減し、システムの信頼性を増加させることにより所有権のコストが低減される。実施形態はまた、システムの停止時間を低減し、基板移送処理の信頼性を増加させるために使用される方法および機器を提供する。 （もっと読む）

【課題】透過型パイロメータの動作温度範囲を拡張する。
【解決手段】急速熱処理（ＲＴＰ）システム１１０は、減じた電力レベルでのＲＴＰランプ４６からの放射線に対するシリコンウエハ３２の温度依存性吸収を監視する透過型パイロメータ１２を含む。ウエハ及び放射ランプ温度での光検出器の光電流の正規化されていない値に関してルックアップテーブルが作成される。校正ステップにより、既知のウエハ及びランプ温度での光電流が測定され、その後測定される全ての光電流がそれに応じて正規化される。透過型パイロメータは、５００℃より下の熱処理に対する閉ループ制御のために使用することができ、又は、閉ループ制御において放射型パイロメータを含むより高い温度処理のための予熱相において使用できる。予熱温度傾斜率は、初期傾斜率を測定しそれに応じてランプ電力を再調整することで制御できる。 （もっと読む）

【課題】一般的に、二酸化ケイ素を原子層堆積法によって堆積する方法であって、触媒としてピリジンを与えることによって、低温で堆積しつつ、水を酸化源として利用することができる方法を提供する。
【解決手段】基板を水にさらす前に、基板をピリジン浸漬プロセス３２０にさらし、更に、水をピリジンとともに別々のコンジットを通してチャンバに並流させ、チャンバに入る前の相互作用を減じる。変形例では、ピリジンをピリジンと反応しないシリコン前駆体とともに並流させてもよい。 （もっと読む）

【課題】チャックへのＲＦバイアスの適用及び電極の加熱によりセラミックの破壊を引き起こさないセラミック本体を備えた静電チャックを提供する。
【解決手段】多層電極を有する薄層状のセラミック本体を備える装置及びこの装置を製作する方法が開示されている。薄層状のセラミック本体はセラミック材料の層を備え、電導材料の中間層でシルクスクリーンされる一定の層の部分を有している。次の焼結は電導材料層製の多層電極を有する固体のセラミック本体を形成する。装置は前記セラミック本体に部分的に延び、これらの電極の少なくとも１つで交差する電気コネクタをさらに備えている。 （もっと読む）